JPWO2011118786A1 - ガラス埋込シリコン基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
また、本発明は、ボイドの発生を抑制するガラス埋込シリコン基板の製造方法を提供することを他の目的とする。
52 凹部
53 貫通孔
54 ガラス基板
210 第1の凸部
310 第2の凸部
図1(a)及び図1(b)を参照して、本発明の第1の実施の形態に係わる半導体装置の概略構成を説明する。半導体装置は、MEMSデバイスの一例としての加速度センサチップAと、加速度センサチップAから出力された信号を処理する信号処理回路が形成された制御ICチップBと、加速度センサチップA及び制御ICチップBが収納された表面実装型のパッケージ101とを備える。
している。これにより、各パッドにボンディングワイヤWを安定してボンディングすることができる。なお、接着部104の位置に関し、上記1辺に平行な辺の1箇所については、中央部に限らず、例えば、両端の一方でもよいが、中央部の方が半導体素子Aをより安定して支持することができるとともに、各パッドにボンディングワイヤWを安定してボンディングすることができる。
基板10を用いて形成されたセンサ本体1と、ガラス基板20を用いて形成された第1の固定基板2と、ガラス基板30を用いて形成された第2の固定基板3とを備えている。第1の固定基板2は、センサ本体1の一表面側(図2における上面側)に固着され、第2の固定基板3は、センサ本体1の他表面側(図2における下面側)に固着される。第1及び第2の固定基板2、3はセンサ本体1と同じ外形寸法に形成されている。
このようにすると、より効果的に凹部にガラスを埋め込むことができる。
この肉厚部は、後述の実施形態に示すように、第1主面又は第2主面に形成された凸部により構成することができるし、第1主面及び第2主面の両主面に凸部を形成することにより構成してもよい。
図7(c)に示すように、第2の工程を実施する時に、凹部202に入り込む第1の凸部210が、ガラス基板204の第1の主面、すなわちシリコン基板本体201に重なり合う面に形成されていても構わない。これにより、ガラス基板204の一部を凹部202に埋め込む際に、凹部202の内部にガラスが既に存在するため、凹部202にボイドがより発生しにくくなり、より速くガラスを埋め込むことができる。
図8(c)に示すように、第3の工程を実施する時に、第2の凸部310が、ガラス基板304の第2の主面、すなわちシリコン基板本体301に重なり合う面に対向する面に形成されていても構わない。
図9(b)に示すように、シリコン基板本体401の凹部402の少なくとも一部に、順方向のテーパ形状を設けてもよい。これにより、より効率よくガラスを埋め込むことができる。
また、本発明は、ボイドの発生を抑制するガラス埋込シリコン基板の製造方法を提供することを他の目的とする。
52 凹部
53 貫通孔
54 ガラス基板
210 第1の凸部
310 第2の凸部
図1(a)及び図1(b)を参照して、本発明の第1の実施の形態に係わる半導体装置の概略構成を説明する。半導体装置は、MEMSデバイスの一例としての加速度センサチップAと、加速度センサチップAから出力された信号を処理する信号処理回路が形成された制御ICチップBと、加速度センサチップA及び制御ICチップBが収納された表面実装型のパッケージ101とを備える。
している。これにより、各パッドにボンディングワイヤWを安定してボンディングすることができる。なお、接着部104の位置に関し、上記1辺に平行な辺の1箇所については、中央部に限らず、例えば、両端の一方でもよいが、中央部の方が半導体素子Aをより安定して支持することができるとともに、各パッドにボンディングワイヤWを安定してボンディングすることができる。
基板10を用いて形成されたセンサ本体1と、ガラス基板20を用いて形成された第1の固定基板2と、ガラス基板30を用いて形成された第2の固定基板3とを備えている。第1の固定基板2は、センサ本体1の一表面側(図2における上面側)に固着され、第2の固定基板3は、センサ本体1の他表面側(図2における下面側)に固着される。第1及び第2の固定基板2、3はセンサ本体1と同じ外形寸法に形成されている。
このようにすると、より効果的に凹部にガラスを埋め込むことができる。
この肉厚部は、後述の実施形態に示すように、第1主面又は第2主面に形成された凸部により構成することができるし、第1主面及び第2主面の両主面に凸部を形成することにより構成してもよい。
図7(c)に示すように、第2の工程を実施する時に、凹部202に入り込む第1の凸部210が、ガラス基板204の第1の主面、すなわちシリコン基板本体201に重なり合う面に形成されていても構わない。これにより、ガラス基板204の一部を凹部202に埋め込む際に、凹部202の内部にガラスが既に存在するため、凹部202にボイドがより発生しにくくなり、より速くガラスを埋め込むことができる。
図8(c)に示すように、第3の工程を実施する時に、第2の凸部310が、ガラス基板304の第2の主面、すなわちシリコン基板本体301に重なり合う面に対向する面に形成されていても構わない。
図9(b)に示すように、シリコン基板本体401の凹部402の少なくとも一部に、順方向のテーパ形状を設けてもよい。これにより、より効率よくガラスを埋め込むことができる。
Claims (5)
- シリコン基板本体の主面に凹部を形成する第1の工程と、
前記凹部に対向する位置に肉厚部を有するガラス基板を準備し、シリコン基板本体の主面にガラス基板の第1の主面を重ね合わせて、凹部を密閉する第2の工程と、
前記ガラス基板に熱を加えて軟化させて、当該ガラス基板の一部を前記シリコン基板本体の凹部に埋め込む第3の工程と、
前記ガラス基板を冷却する第4の工程と、
前記ガラス基板のうち、前記シリコン基板本体の凹部に埋め込まれた部分を残し、他の部分を除去する第5の工程と、を備え、
前記第2の工程を実施する時の気圧を、前記第3の工程を実施する時の気圧よりも低くする
ことを特徴とするガラス埋込シリコン基板の製造方法。 - 前記第2の工程を真空中において実施し、前記第3の工程を大気圧中で実施することを特徴とする請求項1に記載のガラス埋込シリコン基板の製造方法。
- 前記肉厚部は、前記凹部に入り込む第1の凸部が、前記ガラス基板の第1の主面に形成されてなることを特徴とする請求項1又は2に記載のガラス埋込シリコン基板の製造方法。
- 前記肉厚部は、第2の凸部が前記ガラス基板の第2の主面に形成されてなることを特徴とする請求項1又は2に記載のガラス埋込シリコン基板の製造方法。
- シリコン基板本体の主面に平行な前記凹部の断面積の少なくとも一部は、当該凹部の底面から当該シリコン基板本体の主面に向かって大きくなっていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載のガラス埋込シリコン基板の製造方法。
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