JPWO2011101947A1 - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
書き込み電流が非対称であるMRAMにおいて、スタンバイ時にソース線をプリチャージしておき、ワード線の選択と同時にプリチャージ電流をメモリセルに流す。その後、書込み情報に応じた書き込み電流を印加する。これにより、書き込み電流が大きい情報を書き込む際に、2段階の電流が流れ、ピーク電流を減少させることが可能となる。
Description
本発明は、半導体装置の技術に関する。
ダイナミック型ランダムアクセスメモリ(DRAM)は高集積化するために製造ルールの微細化が進んでいるが、十分な信号量を確保するキャパシタの製造が困難となってきている。更なる微細化を進めるため、キャパシタに代わり微細に形成しても動作可能である抵抗変化素子を用いてメモリセルを構成し、抵抗値の大小を論理情報1、0に対応させる抵抗変化型メモリが考案されている。
抵抗変化型メモリの一例として、磁気状態により抵抗値が変化する磁性メモリ(MRAM)が上げられる。磁性メモリの好ましい点は、書き換え動作を行わない限り、記憶した論理情報が10年以上にわたって保持される不揮発性を有することである。このため、抵抗変化型メモリは、情報保持のためにリフレッシュ動作を必要とするDRAMと比較して、待機時のメモリセルアレイにおける消費電力を小さくできることが期待される。
図35を用いて電流により書き込みを行うMRAMの概略を説明する。図35(a)に示すように、MRAMは磁性膜ML、トンネル膜TB、磁性膜をULとLLで挟み込んだ構造(マグネティック トンネル ジャンクション:MTJ)からなり、ULとLL間に流れるトンネル電流の大小を記録に用いるメモリである。トンネル膜を挟む2つの磁性膜の磁化方向が平行の場合はP状態、反並行の場合はAP状態と呼ぶ。磁性膜中に図35(a)ではLLに接する磁性膜の磁化方向は書き換えられず、ULに接する磁性膜の磁化方向が書き換えられるMTJの一例を示した。磁化方向が固定される磁性膜を固定層PL、磁化方向が書き込み動作により変化する磁性膜を自由層FLと呼ぶ。図35(b)は図35(a)に示すMTJの電流電圧特性をあらわすものである。電流I1はLLからUL方向を正の方向とした。初期状態がP状態の場合、I1を増大しIC+以上になるとP状態からAP状態に変化し、ULとLL間の磁気抵抗値R1は急激に増大する。初期状態がAP状態の場合、I1の大きさを減少しIC−以下になると、AP状態からP状態に変化することに対応して、ULとLL間の磁気抵抗値R1は急激に減少する。図35(b)中に示したMTJの回路記号は矢印の方向に電流を流すことでAP状態が書き込まれることを示すものである。非特許文献1およびその参考文献にはMRAMに関するより詳細な記載がある。なお、P状態からAP状態となる電流IC−、AP状態からP状態となる電流IC+をしきい電流と呼ぶ。
また、特許文献1には、本来の書き込みパルスを入れる前に書き込みが起こらない程度にプレパルスを印加することにより小さな電流を流しておき、これによりフリー層内のスピン状態を不安定化し、書き込みに必要な電流を低減する技術が記載されている。
Technology digest of VLIS Technology 2009. "SPRAM with large thermal stability for high−immunity to read disturbance and long retention for high−temperature operation"
また、特許文献1では、AP状態とする場合の書き込み電流とP状態とする場合の書き込み電流が同じものとして扱っている。しかしながら、AP状態に変えるためのしきい電流とP状態に変えるためのしきい電流は、MTJを構成する材質、それぞれの膜の厚さ、MTJの面内大きさなどにより変化し、かつ、AP状態に変わるためのしきい電流とP状態に変わるためのしきい電流が異なってしまう場合がある。AP状態に変わるためのしきい電流とP状態に変わるためのしきい電流が異なる場合、情報を確実に書き込むため、大きいしきい電流に合わせることになり、しきい電流が小さい方は、必要以上の電流を流すことになる。そうすると、MTJのTB、配線、層間絶縁膜の信頼性低下の原因となる可能性がある。また、書き換えの際に発生する磁場による隣接セルへのディスターブの可能性も考えられる。また必要以上の書き換え電流により、書き換え電力が増大する可能性もある。さらには、大きな書き換えピーク電流を得るために書き換えドライバの駆動能力を増大する必要性や、メモリセルのアクセストランジスタのゲートサイズを大きくする必要性が考えられ、この結果チップサイズが増大し、コストが上がってしまう可能性も考えられる。
また、MRAMにおいて、情報保持時間(リテンション)と、書き込みのしやすさ、すなわち書き込み電流、もしくは書き込み電圧の大きさは、一般にトレードオフの関係にある。具体的には、リテンションを長くするためには状態を安定化させる方向にしなければならず、その一方で状態を安定化させるとその状態を変化させるためにエネルギーが必要になってしまい、情報を確実に書き込むためには大きな電力を必要とする。記憶保持時間を長くすることで待機電力をゼロとし、動作時電力も小さくするMRAMの開発が重要となっている。
本願明細書に記載される主な発明の要点は以下の通りである。
まず第1に、書き込むべき情報によりビット線とソース線との間に流れる電流の向きを変更するメモリにおいて、ビット線/ソース線間に書き込み時に生じる電位差より小さい第1電位差を発生させ、プリチャージ状態とする。これにより、しきい電流が大きい書き込みの場合に、2段階書込みとなり、しきい電流を小さくすることが可能となる。また、この場合、AP状態とする書き込みの場合、2段階書き込みとするのが望ましい。これにより、熱安定性が高いMRAMを実現できる。更には、当該第1電位差を読出しに用いるとよい。また、当該読出した情報と書き込むべき情報が一致した場合は、書き込み動作をやめるように構成する。これにより、信頼性の高いMRAMを実現できる。また、リテンションエラーを訂正するECC回路を具備し、読み出し電流を訂正書込みまで流し続けることにより、訂正書き込みのピーク電流を小さくすることが可能となる。
メモリセルの抵抗値が論理値“1”と“0”の間で変化する磁気メモリにおいて、高温での安定した記憶保持動作を実現すると共に、動作時のアレイ消費電力を低減する。また、デバイスの故障リスクを低減し高信頼な磁気メモリを実現する。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
本発明における第一の実施の形態を図1〜図26を用いて説明する。まず、図1(a)を用いてプリチャージ書き込み方式(PC方式)について説明する。ここでは、P状態からAP状態とする場合のしきい電流が大きいものとする。
プリチャージ書き込み方式は、特許文献1にあるプレパルス方式と同様に書き込みパルスを入れる前に書き込みが起こらない程度の電流を流しておき、これによりフリー層内のスピン状態を不安定化し、書き込みに必要な電流を低減する技術である。通常書き込み方式と比較して数10%の書き換え電流低減効果が期待できる。上記書き換え方式をP状態からAP状態への書き換えのみに適用したときの効果が図1(b)である。通常書き換え方式では書き換え電流がターゲットに入らなかったものが、プリチャージ書き換え適用によりターゲット内に収めることが可能となる。図1(c)には本願発明の書き込み方式の書き換え電流波形を示す。AP状態を書き込む場合には書き換えに有効な電流が2段階の階段状の形状で流れるのに対し、P状態を書き込む場合には書き換えに有効な電流パルスの形状は1段になっていることが特徴である。つまり、AP状態からP状態への書き換えについては通常書き換え方式を適用することになるが、AP状態からP状態へのMTJのしきい電流は小さいので、プリチャージ書き換え方式を適用しなくてもターゲット内に収めることが可能である。なお、AP状態からP状態とするしきい電流が大きい場合は、逆の関係とすればよい。
更に本願発明のプリチャージ方式では、ビット線BLとソース線SLとの間に予め書き込み時に必要な電位差より小さい電位差が生じるようにプリチャージしておき、書き込むセルのワード線がONした直後にプリチャージ電流が流れるようにする。その後、書き込みに必要な書き込み電流を流すためにプリチャージ時の電位差より大きい電位差をビット線BLとソース線SLとの間に生成する。これを、図2を用いて説明する。マグネティックトンネルジャンクションMTJは、1つの電極がビット線BLに接続され、もう一方の電極がトランジスタのドレインに接続される。トランジスタのソースは、ソース線SLに接続され、ゲートはワード線WLにより制御される。プリチャージドライバPCDはSLに接続され、プリチャージドライバ制御アクティブロウ信号PCDEBにより制御される。更には、SLとBLに接続され書き込みイネーブル信号WETにより制御される書き込みドライバWD有する。
ここで、スタンバイ状態(すべてのワード線が選択されていない状態(ワード線がOFFの状態))において、SLがPCDによりプリチャージ電位VPCにプリチャージされ、BLが接地電位VSSにプリチャージされている。WLがONすると、SLからBLに向かってプリチャージ電流が流れる。これはMTJがAP方向に書き込まれる方向の電流である。Yアドレスが決定後、WETとPCDEBがVSSからVDDになり、プリチャージが終了すると共に、書き込みが開始される。SLは、AP状態を書き込む場合にはVDD、P状態を書き込む場合にはVSSになり、BLはAP状態を書き込む場合にはVSS、P状態を書き込む場合にはVDDとなる。WLをOFFした後、PCDEBをVDDにしてプリチャージを再び行う。上記制御を行った場合、BLを流れる電流波形はAP書き込みの場合はプリチャージ書き込みとなり、P状態書き込みの場合は通常書き込みとなる。またSLをプリチャージしておき、WLがONすると同時にプリチャージ電流を流すことができるため、実際の書き込み時間であるWETのON時間をAP状態書き換えとP状態書き換えで共通化することができる。これは効果としてプリチャージパルスの時間を隠蔽できていることを意味する。
ここで、MTJは、P状態からAP状態とする場合のしきい電流が大きい方が望ましい。その理由を以下に言及する。
図3(a)には図35に記載のMTJの磁気特性を示す。横軸は外部印加磁場であり、縦軸は磁気抵抗値である。HC+は外部印加磁場によりP状態からAP状態に書き換わる時のしきい磁場、HC−は外部印加磁場によりAP状態からP状態に書き換わるときのしきい磁場である。この例ではHC+とHC−の絶対値が異なっており、HC+とHC−の平均値をオフセット磁場HOFFと定義した場合、HOFFはゼロとならない。これに対して図3(c)にはHOFF=0となっている例を示した。外部印加磁場がゼロの時に不揮発メモリとして動作させるためには、P状態とAP状態の2状態を実現しなければならない。しかし、HC+およびHC−の絶対値がゼロに近くなると、厳密にゼロでなくとも、外部環境の磁場ゆらぎ等により大きなディスターブを受け、10年間の記憶保持が困難となる。更に、MTJをメモリとして実用化するためには、高温でも室温と変わらず10年間の記憶保持を実現することが重要である。非特許文献1の中には、高温にしたときのMTJの電気および磁気特性が記載されている。これによると、MTJのHC+およびHC―の絶対値は環境温度により小さくなることが分かる。さらに、非特許文献1よりHCの絶対値が20Oe(エルステッド)以下になると記憶の安定保持が困難となることが分かる。以下、安定保持が困難になるHCの領域を大ディスターブ領域と呼ぶ。この様子を図3(b)および(d)に示す。
図3(a)に示す磁気特性を持つMTJにおける磁気特性の温度依存性が図3(b)に対応し、図3(c)に示す磁気特性を持つMTJにおける磁気特性の温度依存性が図3(d)に対応する。図3(b)ではHC+<HC−であるため、温度上昇によりHCが小さくなると、HC+がHC−に比較して先に大ディスターブ領域に入ってしまう。このため、HC−にはまだ余裕があっても、HC+により動作可能温度範囲を決定してしまう。これに対して図3(d)ではHC+=HC−であるため、温度上昇によりHCが小さくなった場合にHC+とHC−が同時に大ディスターブ領域に入る。このため、図3(d)は図3(b)に比較すると動作可能温度領域が高温側に広く、より高温動作に適していると言える。従って、MRAMにおいて高温動作を実現するためには、図3(c)に示すように、HC+〜HC−となる、すなわち対称な磁気特性を有するMTJを用いることが望ましい。以後、HC+〜HC−なる磁気特性を対称な磁気特性、そうでない磁気特性を非対称な磁気特性と呼ぶ。
図4(a)には非対称な磁気特性を持つMTJの電気特性、図4(b)には対称な磁気特性をもつMTJの電気特性をそれぞれ示す。電流の正方向およびIC+、IC−の定義は図35(b)と同じである。磁気特性を対称にした場合、IC+>1.5×IC−となることが知られている。これはP状態からAP状態に書き込む場合はP状態からAP状態に書き込む場合と比較して書き込み効率が低下するという原理に基づいている。上記を加味すると図4(a)に示すとおり磁気特性が非対称の場合にはIC+〜IC−を実現可能である。このような電気特性を持つTMRは書き込み電流が対称であることから書き込み動作が容易である点で好ましいが、図3で説明したとおり、高温における記憶保持の観点から好ましくない。高温における記憶保持を重視すると図4(b)に示す電気特性を持つMTJとなり、この場合、IC+>IC−のように、電気的なスイッチング特性が非対称になる。なお、図4(b)に示したMTJの特徴は図5(a)に示す通り実際の測定でも観測され、確かめられている。
このように、情報記憶の熱安定性の面から電気特性をP状態からAP状態とする方のしきい電流を大きいMTJを用いることが望ましい。この場合、P状態からAP状態とする書き込み電流を階段状の電流を流し、AP状態からP状態とする書き込み電流は、1段階の電流を流すことにより、P状態からAP状態の書き込み電流の最大値を小さくすることが可能となる。また、プリチャージ方式を用いることによりプリチャージパルス時間を隠蔽することが可能となる。
更に、本実施例では、SLからBL方向に読出し電流を設定している。図4(a)に示す通り、磁気特性を非対称化した場合、電気特性は対称化することが可能であり、この場合は読出し電流の方向をBLからSLの方向に設定することが知られている(非特許文献1)。これは読出し電流による誤書き込みの確率を減らすためにはBLからSL方向に読出し電流を流すほうが良いからである。ここで、図6(a)でMTJの電気特性(右上方向に延びる2本(P状態とAP状態)の線)とセルトランジスタの負荷曲線(右下方向に延びる線)の交点が読み出し動作点となる。ただし、高温での安定した記憶保持特性を実現するためには図6(a)の読出し方法は適切でない。図4(b)に示すように磁気特性が対称の場合、SLからBL方向に読出し電流を設定した方が良い。これはP状態の読出しディスターブが小さくなるためである。また、図2に示す制御を行った場合、プリチャージパルスを読出し電流として使うことができる。つまり書き込みの時のプリチャージパルスの電流方向と読み出しパルスの電流方向が同じにできるからである。これにより読出し回路を簡素化できる。WLを立ち上げるだけで読出しパルスが印加されるため、読出しに関する制御回路を簡素化できるためである。また、AP化方向に読み出す場合にはPMOSトランジスタを使うことも考えられるが、セルトランジスタにNMOSを用いたほうがチップ面積の増大やばらつきの増大を抑えることが可能である。
図7は、実施例1における半導体装置の全体像を示す図である。そのメモリチップCHIP全体の構成は、例えば図7に示すように、制御回路CNTLと、メモリバンクBANKに大きく分けられる。制御回路CNTLには、クロック、アドレス、制御信号がメモリチップCHIP外から入力され、メモリチップCHIPの動作モードの決定やアドレスのプリデコード等が行われる。またCNTLは入出力バッファ等を備え、メモリチップCHIP外部からライトデータが入力され、メモリチップCHIP外部へリードデータを出力する。
メモリバンクBANKには、例えば図8に示すように、複数のアレイ状に配置されたメモリセルアレイMCAが配置され、その周囲にはサブワードドライバ列SWDA、センスアンプ列SAA、行制御回路XPが配置される。また、メモリバンクBANKの外周には、センスアンプ列SAAと平行に列デコーダYDEC、アレイ制御回路ACC、メインアンプ列MAAが配置され、サブワードドライバ列SWDAと平行に行デコーダXDEC並びにアレイ制御回路ACCが配置される。MAAとXDECが交わる部分にはバンク制御回路BCCが配置される。
図9は、図7に示す制御回路CNTLの一部を一例として示す。電圧発生回路VGは、メモリセル書込み電圧VW、制御回路電圧VDD、接地電圧VSS、ワード線昇圧電圧VPP、負電圧VKK、読出しドライバ制御電圧SAPG、プリチャージ電圧VPCを生成する。また、タイミングコントロール信号発生回路TCGではカラムイネーブル信号YSE、センスアンプイネーブル元信号SAE0、読出しイネーブル信号RE、書込みイネーブル信号WEが生成される。
図10(a)〜図10(c)は、図8のメモリセルアレイMCAの例を示したものである。図10(a)に示す例では、SMCAの横にローカルビット線選択スイッチ列LBLSAが配置され、LBLSAと対向してSMCAを挟んだ反対側にローカルソース線選択スイッチ列LSLSAが配置される。上記構造により、ビット線、およびソース線を階層化することが可能となり、チップのセル占有率を増大することができる。図10(b)に示す例ではSMCAを更に2分割し、その横にLBLSAを配置し、LBLSAに対向してSMCAを挟むようにLSLSAが配置され、LSLSAが隣接するように上記単位が2つ並んで配置されたMCAの構造となる。LBLSAが2つ隣接するように配置するのも本図に示す例と同類である。図10(c)は、図10(b)に示した例を複数回繰り返したものである。図10(b)や(c)のような構造をとることで、LSLSAやLBLSAの制御信号を効率よく配線することが可能となり、チップ面積を縮小することができる。また、SMCAを小さい単位とすることで、ビット線やソース線を短くすることができるため、配線の寄生抵抗や寄生容量による遅延や消費電力増大を少なくすることができる。ただし、この場合にはセル占有率がかえって低下する可能性も考慮して1つのSMCAのサイズを選ばなければならない。
図11に、メモリセルアレイMCAを構成するサブメモリセルアレイSMCAとローカルビット線選択スイッチ列LBLSAとローカルビット線選択スイッチ列LBLSAの接続関係、及び、MCAとセンスアンプ列SAAと行制御回路XPとサブワードドライバ列SWDAの接続関係を示す。
XPにはメイン入出力ゲートRGCが含まれ、ローカル入出力線LIOがメイン入出力線MIOに接続される。センスアンプ列SAAには複数のセンスアンプSAが含まれ、SAとRGCはローカル入出力線LIOにより接続される。SAは隣接する両隣のメモリセルアレイMCAで共有される構造をもつ。上記構造によりSAAの面積を縮小可能である。LBLSAは複数のローカルビット線選択スイッチLBLSを含みSAとLBLSはグローバルビット線GBLで接続される。SMCAに対してLBLSAと対面して隣接するLSLSAは複数のローカルソース線選択スイッチLSLSを含み、上記と同一のSAとグローバルソース線GSLで接続される。LBLSと複数のメモリセルMCは、ローカルビット線LBLで接続される。LSLSと複数のMCは、ローカルソース線LSLで接続される。SWDAは複数のサブワードドライバSWDを含み、SWDは上下に隣接するSMCAで共有される。上記構造によりSWDAの面積を縮小可能となり、SWDからWL端までの長さをSMCAの行サイズにすることができるため、WLを高速に駆動することができる。
図12(a)は、図10記載のローカルビット線選択スイッチ列LBLSAの構成例を示す。ビット線デコーダによりビット線セレクトBLSが選択されると、対応するローカルビット線選択スイッチLBLSに接続されたローカルビット線BLが選択され、グローバルビット線GBLに接続される構成である。本図の例では8本のBLに対して1本のGBLを選択する構成であるが、8本にこだわらず、4本、2本、16本といった様々な例が考えられる。上記のような構成とすることで、多ビット同時書換えに対応する。またSAを共有することでチップ面積を小さくすることが可能となる。
図12(b)は、図10記載のローカルソース線選択スイッチ列LSLSAの構成例を示す。ソース線デコーダによりソース線セレクトSLSが選択されると、対応するローカルソース線選択スイッチLSLSに接続されたローカルソース線SLが選択され、グローバルソース線GSLに接続される構成である。本図の例では8本のSLに対して1本のGSLを選択する構成であるが、8本にこだわらず、4本、2本、16本といった様々な例が考えられる。上記のような構成とすることで、多ビット同時書換えに対応する。またSAを共有することでチップ面積を小さくすることが可能となる。
図13は、サブメモリセルアレイSMCAの一例を示したものである。サブメモリセルアレイSMCAは、m本のワード線WLと、n本のローカルビット線LBLと、n本のローカルソース線LSLと、WLとLBLおよびLSLの所望の交点に配置されるメモリセルMCから構成される。MTJに記した矢印はメモリセルを高抵抗状態、すなわち“AP”状態に変化させるために流す電流の向きを示している。上記メモリセルMCは、図4(b)に示すような電気特性を示すMTJと選択トランジスタを用いて構成される。
図14にはセンスアンプSAの構成例を示す。なお、図14においては、説明を簡単にするためローカルビット線選択スイッチ列LBLSA、ローカルソース線選択スイッチ列LSLSAがなく、ビット線・ソース線1つにつき、センスアンプSAが一つ存在する(GBL及びGSLの電位がそのままビット線BL、ソース線SLの電位となっている)ものとして説明する。センスアンプSAは読み出し部RAMPと書込み部WDと、ローカル入出力線スイッチLIOGから構成される。RAMPはセンスアンプ右側のグローバルビット線GBLRを駆動する書込み部WDRとセンスアンプ左部のグローバルビット線GBLLを駆動する書込み部WDLとで共有される。RAMPを左右のメモリセルアレイで共有する構造をとっており、センスアンプ回路の面積低減に役立つ。WDとRAMPはアクティブロウのセンスアンプ信号線SABとグローバルソース線GSLで接続される。LIOGとRAMPはSATとSABで接続される。
読み出し部RAMPは、例えば、2つのリードドライバRD、1つのリードバッファRBUF、プリチャージ回路PCC、2つの読出しリファレンス回路REFCから構成される。リードドライバRDは、図2のプリチャージドライバPCDに対応する。RBUFとPCCはGSLRと接続される右側リードドライバRDRと右側リファレンス回路REFCR、および、GSLLと接続される左側リードドライバRDLと左側リファレンス回路REFCLとで共有される。上記構造によりRAMP面積を低減できる。REFCは、例えば1個のNMOSトランジスタとリファレンス負荷REFから構成され、リファレンスイネーブル信号RETで制御される。RBUFはセンスアンプイネーブル信号SAEで制御される。RDは読み出し電流制御線SAPGで制御される。PCCはスタンバイ時にSATおよびSABを書き込み電圧VWに充電するためのプリチャージ回路であり、SAEQによって制御される。なお、ビット線選択スイッチ列LBLSA、ソース線選択スイッチ列LSLSAを設け、複数のビット線・ソース線に対して一つのセンスアンプSAを設けた場合は、(1)リードドライバRDをそれぞれのソース線に設けるか、(2)ソース線選択スイッチ列LSLSAをスタンバイ状態でオンとしておき、ワード線の選択前に、不要な選択スイッチをオフ状態とすればよい。(2)の場合は、リードドライバRDが共通化できる一方、オフとする選択スイッチを制御するソース線セレクトSLSを充放電する必要があるため消費電力が大きくなる。(1)の場合は、多数のリードドライバRDを設ける必要があるが、ソース線セレクトSLSをスタンバイ状態でオフとできるため、1本のみを充放電すればよく消費電力を小さくできる。
以下に読み出し時のRAMPの動作について説明する。一例として右側のメモリセルアレイを読み出す動作について述べる。スタンバイ状態においては、リードドライバRDによりGSLをプリチャージ電位VPCにプリチャージしている。まずセンスアンプイコライズSAEQがロウからハイになりプリチャージが終了する。次に読み出し電流をメモリセルに流す。読み出し電流は、プリチャージ電源VPCと、SAPGによりゲート電位を制御されるPMOS負荷RDによってGSLがプリチャージされているため、読み出すメモリセルのワード線がハイになると同時に流れ始める。SA右側のメモリセルを読み出す場合、RETLが選択され、SA左側のメモリセルを読み出す場合、RETRが選択される。読み出し電流はVPCから負荷PMOSを経由し、GSLに流れる。リファレンス用の電流はVPCから負荷PMOSを経由し、GSLL、メモリセルへの電流経路を模擬したリファレンス負荷REF、左側リファレンスイネーブル信号RETLでゲートを制御されるNMOSを通って接地電位に流れる。読み出すメモリセルの抵抗値が高い場合、すなわち“AP”状態の場合、GSLRの電位はGSLLの電位より高くなる。これはメモリセルでの電圧降下がREFでの電圧降下よりも大きいためである。GSLRとGSLLの電位差は、センスアンプイネーブルSAEによって活性化されるRBUFによってSABが電源電圧VWに、SATが接地電位VSSに増幅される。読み出すメモリセルの抵抗値が低い場合、すなわち“P”状態の場合、GSLRの電位はGSLLの電位よりも低くなる。これはメモリセルでの電圧降下がREFでの電圧降下よりも小さいためである。GSLRとGSLLの電位差は、前記RBUFにおいてSATが接地電位、SABが電源電圧VWに増幅される。カラム選択線YSによってSATおよびSABに読み出されたメモリ情報はローカル入出力線LIOTおよびLIOBに読み出される。
以下に書込み回路WDの動作について説明する。スタンバイ状態においては、リードドライバRDによりGSLをプリチャージ電位VPCにプリチャージしている。WDはメモリセルを高抵抗状態にする場合、すなわち“AP”状態を書き込む場合、カラム選択線YSが選択されると、LIOTによってSATが接地電位に向かって充電され、LIOBによってSABがVWに向かって充電される。RETはロウであり、GSLRおよびGSLLはVPCに近い電位に充電されており、SAEがONするとRBUFによりSATが接地電位に、SABがVWに充電される。アクティブハイのライトイネーブルWETがアクティベートされると、SABがハイなのでWAMPによりGBLが接地電位、GSLがVWに充電され、メモリセルのワード線がONしている間、GSLからGBLに電流が流れる。この結果、メモリセルに“AP”状態が書き込まれる。
メモリセルを低抵抗状態にする場合、すなわち“P”状態に書き込む場合、カラム選択線YSが選択されると、LIOTによってSATがVWに向かって充電され、LIOBによってSABが接地電位に向かって充電される。RETはロウであるので、GSLRおよびGSLLはVDDに近い電位に充電されており、SAEがONするとクロスラッチによりSATがVWに、SABが接地電位に充電される。アクティブハイのライトイネーブルWETがアクティベートされると、SABがロウなのでWAMPによりGBLがVW、GSLがVSSに充電さ、ワード線がONしている間、GBLからGSLに電流が流れる。これによってメモリセルに“P”状態が書き込まれる。
図15は、サブワードドライバ列SWDAの例を示す。図8に示すように、SWDAはメモリセルアレイMCAの周辺に配置され、メモリセルアレイMCAのワード線WLを上下のいずれかのサブワードドライバ列SWDAから駆動するため、片方のサブワードドライバ列SWDAに含まれるサブワードドライバSWDの数は、メモリセルアレイMCAに含まれるワード線WLの数の半数でよい。サブワードドライバSWDは1つのPMOSと2つのNMOSから構成される。上記PMOSは、ゲートがメインワード線MWLBに接続され、ソースがサブワードドライバ選択線FXに接続され、ドレインがワード線WLに接続される。上記NMOSのうち一方は、ゲートがメインワード線、ソースがVSSと等しいかそれより低い負電圧VKK、ドレインがワード線WLに接続される。上記NMOSのもう一方は、ゲートが反転サブワードドライバ選択線FXB、ソースがVKK、ドレインがワード線WLに接続される。SWLの中央にSWDが配置されるため、SWDがSWL端に配置される場合に比較して、SWS端の遅延を減らすことができる。
図16に行制御回路XPの一例を示す。XPはローカル入出力線LIOTおよびLIOBをプリチャージする回路ブロックREQ、ローカル入出力線LIOとメイン入出力線MIO線を接続するRGC、ビット線選択信号ドライバBLSD、ソース線選択信号ドライバSLSD、列選択線ドライバYSD、サブワードドライバ選択線ドライバFXDから構成される。REQは、例えば3個のPMOSで構成され、センスアンプイコライズSAEQがロウになるとLIOTおよびLIOBをVWに充電する。RGCは例えば2個のNMOSスイッチから構成され、SAEQがハイになるとLIOTとMIOT、LIOBとMIOBを接続する。BLSDではリードイネーブル信号RETとライトイネーブル信号WETと列アドレスデコード信号FYによってビット線選択BLSを生成する。例えばRETとWETのOR論理とFYのAND論理をとってBLSを生成する回路構成が考えられる。SLSDではリードイネーブル信号RETとライトイネーブル信号WETと列アドレスデコード信号FYによってソース線選択SLSを生成する。例えばRETとWETのOR論理とFYのAND論理をとってSLSを生成する回路構成が考えられる。YSDでは列選択イネーブルYSEとカラムプリデコード信号CFからYSを選択する。例えばYSEとCFのAND論理を取ってYSを出力する回路構成が考えられる。FXDでは反転サブワードドライバ選択線FXBからサブワードドライバ選択線FXを生成する。例えば、FXBと同じ数のNOT論理から構成される。
図17にアレイコントロール回路ACCの一例を示す。ACCでは図9に示したCNTLで生成されたタイミング信号からセンスアンプを制御する信号群を生成する。マットセレクト反転信号MSBからセンスアンプイコライズ信号SAEQ、MSBとセンスアンプイネーブル元信号SAE0からセンスアンプイネーブル信号SAE、リードイネーブル信号REからセンスアンプSA制御用のリファレンスイネーブル信号RET、ライトイネーブル信号WEからセンスアンプSA制御用のライトイネーブル信号WETを生成する。例えばSAEQはMSBを反転した信号が出力される。SAEはMSBの反転信号とSAE0のAND論理をとって作られる。RETはMSBの反転信号とREのAND論理をとって作られる。WETはMSBの反転信号とWEのAND論理をとって作られる。
図18には図13および図14に示す回路において、センスアンプSAの右側メモリセルに記憶されている情報を読み出す場合の動作波形の一例を示す。まず、スタンバイ状態について説明する。スタンバイ状態ではGSLRとGSLLはVPCに、GBLRはVSSに充電されている。センスアンプアウト信号SAT、SABとローカル入出力信号LIOT、LIOBはVWに充電されている。クロックと同期してACTコマンドが入力されると、図17に示すACCで作られるSAEQとRETがVSSからVDDに充電される。SAの右側メモリセルを読み出す場合なのでリファレンスイネーブルはSAの左側に配置されたリファレンス回路を使用するため、RETLがアクティベートされる。RETLがアクティベートされるとリードドライバRDLからリファレンス回路REFCLに電流が流れ、GSLLの電位がVPCからリファレンス電位VREFになる。メモリセルが選択され、該当するWLがVSSより低い電位VKKからVDDより高い電位VPPにアクティベートされると読み出し電流がGSLRに流れる。読み出し電流が流れると、GSLRの電位がメモリセルの抵抗状態に応じて変化する。メモリセルが低抵抗状態、すなわち“P”状態の場合、VSSに近い電位になり、メモリセルが高抵抗状態、すなわち“AP”状態の場合、VPCからあまり下がらない電位になる。このとき、メモリセルが“P”状態の場合、センスアンプアウトSATとSABの電位はそれぞれVW、VSSに向かって変化し始める。メモリセルが高抵抗状態、すなわち“AP”状態の場合、センスアンプアウトSATとSABの電位はそれぞれVSS、VWに向かって変化し始める。GSLRの電位が定常状態になった後、センスアンプイネーブル信号SAEをONする。するとセンスアンプアウトSABの電位がメモリセルが“AP”状態ならVWに、“P”状態ならVSSに充電される。メモリセルの状態が上記のようにセンスアンプの読出しバッファRBUFでラッチされた状態で、READコマンドが入力されると、列選択信号YSがVKKからVPPに充電され、ローカル入出力線LIOにメモリの読出し情報が出力される。その後PREコマンドが入力されると、WLがVPPからVKKになり、その後SAEがVDDからVSSに下がり、SAEQ、RETがVDDからVSSに下がる。その結果、GSLRとGSLLがVPCになり、SATとSABがVWにプリチャージされ、スタンバイ状態に戻り、読み出し動作が終了する。
図19には図13および図14に示す回路において、メモリセルに情報を書き込む場合の動作波形の一例を示す。スタンバイ状態は図18で説明した状態と同じである。クロックCLKと同期してACTコマンドが入力されると、図9に記載のCNTL回路で発生されたタイミングに同期してセンスアンプイコライズ信号SAEQがVSSからVDDになり、センスアンプのイコライズが終了する。ワード線WLがVSSより低い電位VKKから昇圧電位VPPにアクティベートされるとメモリセルに読出し時と同じ電流が流れる。この電流がプリチャージ効果を果たし、書き込み電流が低減される。なお、書き込み電流低減の効果を確実にするためにワード線が選択された後もリードドライバRDを活性化状態とし、プリチャージ電位を供給することが望ましい。カラム選択線YSが選択されると、書込みを行うセンスアンプが決定し、書き込みを行う情報に応じて充電されたLIO線によりセンスアンプアウトSATおよびSABが所望のレベルに充電される。センスアンプイネーブル信号がVSSからVDDになると、センスアンプのラッチ部分がONし、書込み情報がラッチされ、低抵抗状態、すなわち“P”状態を書く場合にはSABがVSSに、高抵抗状態、すなわち“AP”状態を書く場合にはVWに確定される。ライトイネーブルWETがVSSからVDDになると、センスアンプの書込み部WAMPがONし、“P”状態を書き込む場合にはグローバルビット線GBLにVW、GSLにVSSを、“AP”状態を書き込む場合にはGBLにVSS、GSLにVWを出力する。これによりメモリセルには所望のデジタル情報が書き込まれる。なお、書込み部WAMPが活性化される前にリードライバRDは、非活性化される。PREコマンドがクロックと同期して入力されると、WLがVPPからVKKになり、これを受けてSAEがVDDからVSSになる。その後SAEQがVSSからVDDになり、これによりSATおよびSABがVWにプリチャージされる。WETがVDDからVSSになると書き込みドライバがOFFになり、GSLがVPC、GBLがVSSにプリチャージされる。こうしてスタンバイ状態に戻り、書込み動作が終了する。
図20はメモリセルアレイMCAのレイアウト例であり、図11に示すサブメモリセルアレイの回路図の一部に相当する。ワード線WL2本ごとにダミーワード線DWLをもうける。これにより拡散層N+のマスクを簡略にすることが可能である。ビット線コンタクトBLCはワード線WLとダミーワード線DWLを共有しない隣接メモリセルと共有する。ビット線BLとソース線SLは平行に作成されるが、レイヤーの高さが異なる。点線の四角で囲まれた部分は1ビットのメモリセルMCをあらわしており、その面積はプロセスノードをFとすると6F2となる。最新のDRAMでも、セル面積は6F2で、同等である。しかし、抵抗変化型メモリ素子はDRAMのキャパシタに比べて製造が容易であり、1T1C型DRAMが製造困難な微細プロセスにおいても1T1R型メモリは製造が可能である。
図21はサブメモリセルアレイSMCAの断面図の例を示す。図20におけるAからA‘の直線に沿って切断したときのSMCA部分の断面図を示したものである。図21(a)はローカルビット線LBLがローカルソース線LSLよりも下のレイヤーになっており、図21(b)はLBLがLSLよりも上のレイヤーで、かつマグネティックトンネルジャンクションMTJがLSLよりも上のレイヤーに配置される例である。図21(c)はLBLがLSLよりも上のレイヤーで、かつMTJがLSLよりも下のレイヤーに配置される例である。図21(b)に示す構造はMTJよりも上のレイヤーにおける製造プロセスが少ないため、歩留まりが向上すると考えられる。
図22には、メモリセルMCの変形例を示す。図22は図13に示すSMCAにおいてMCをメモリセルMC2に置き換えたものである。MC2はNMOSトランジスタであるアクセストランジスタ2個と1個のMTJからなる。MTJはBLとトランジスタのドレイン側の間に接続され、トランジスタのソースはSLと接続される。2つのMOSトランジスタのうち、1方のトランジスタのゲートは読出しワード線RWLで制御され、他方のトランジスタのゲートは書き込みワード線WWLにより制御される。本メモリセルでは、読み出し時は読み出しワード線RWLのみが選択され、書き込み時には読み出しワード線RWL及び書き込みワード線WWLの両方が選択される。
図23は、図22のメモリセルの構成に適している図14のセンスアンプSAの変形例である。図23は、図14に記載のSAからRDを取り除いた構成である。プリチャージは、書き込みドライバRWDLを介して書き込み電圧VWが供給される。よって、プリチャージ電圧VPCが不要となり、電源回路を小さくすることができる。ここで、読み出し電流(プリチャージ電流)と書き込み電流は、アクセストランジスタの駆動能力により違いをつける。即ち、読み出し時は、読み出しワード線RWLのみが選択されるため、選択されるMOSトランジスタは、2つのうちの一つとなる。その一方で、書き込み時は、両方のMOSトランジスタが選択される。従って、2つのアクセストランジスタが同じ駆動能力を有する場合、読み出し時に流れる電流は、書き込み時の約1/2となる。
図24は、図22および図23に示す回路においてリストアを行わず読出しを行う場合の波形例である。また、読み出しワード線RWLは図18のワード線WLと同じタイミング動作する。これにより、読出し電位が大きくなり、センス時間が短くなる効果が期待される。
図25は図22および図23に示す回路において、リストアを行う読出しの波形例である。読出し動作では、図24と同様にグローバルソース線GSLが書き込み電圧VWRにプリチャージされる。その後、アクティブコマンドACTが入力されると読み出しワード線RWLが選択される。その結果、グローバルソース線GSLRの電位が記憶された情報に従い変化する。ここで、センスアンプイネーブル信号SAEがVSSからVDDに変化し、読み出しバッファRBUFが読出し情報をラッチする。読出し情報がLIOに出力された後、書き込みイネーブル信号WETをVDDにすることで、読出しワード線RWLはVPPのまま、書込みワード線WWLがVDDとなり、読出しバッファにラッチされている情報をセルに書き戻す動作が実行される。このように、再書込み動作を行うことで読出し電流を大きくして読出しディスターブが増大したことによるエラーを訂正する効果がある。また書き込み動作もプリチャージ方式を用いることができるため少ない書き込み電流で実現可能である。
図26には図22および図23に示す回路において書き込み動作を行う時の波形例である。図25においてリファレンスイネーブルRETを起動しないこと、センスアンプイネーブルSAEを立ち上げる前に書き込みデータをリードバッファにラッチしておく動作が異なる。
以上、実施例1にかかる発明によれば、予め所定の電位差をビット線とソース線に生じるようにプリチャージを行い、ワード線がONとなった際に、所定の電流がメモリセルに流れるようにし、その後に書き込みに必要な電流を流すように構成している。従って、AP状態とする書き込み電流とP状態とする書き込み電流が非対称であってもより多くの電流を必要とする書き込み電流を少なくすることができる。
また、特にAP状態とする書き込み電流を2段階とすることにより、高温における記憶保持特性の良いMTJを使用することが可能となる。
また、上述のプリチャージのための所定の電位差を読み出し時にも使用することにより、読み出し回路面積を低減できる。特に、高温における記憶保持特性を考慮すると、読み出しディスターブの低減も可能となる。
また、2つのアクセストランジスタと1つのMTJでメモリセルを構成することにより、読み出し電位を高くできるとともに、プリチャージ方式を併用することで、しきい電流が非対称であっても不要に大きい電流を流すことがなくなる。
次に、プリチャージパルスを読出しパルスとして利用し、読み出した情報に応じてオーバーライトをしない構成について説明する。オーバーライトしないことで、MTJの信頼性が向上すると共に、消費電力を低減し、チップの発熱を抑えられるという効果が期待される。
図27には読み出し情報と異なる情報を反転書き込みする例を示す。メモリセルMCから読み出された情報は読出しバッファRBにラッチされ、DQピンから入力された書き込みデータは書き込みバッファWBにラッチされる。上記は比較回路CCで比較され、異なった情報の場合には書き込みイネーブルがHになる。これを受けて書き込みドライバWRDが反転情報を書き込む制御を行う。これに対し、図28には読み出し情報と書き込み情報がおなじ場合の例を示す。書き込み情報が同じ場合には比較回路CCから書き込みイネーブルLが出力されるため、書き込みドライバWRDが活性化されない。その結果、プリチャージ電流を利用した読出しのみが行われ、実際の書き込み電流が流れない制御が実現される。
図29には、オーバーライトを行わないためのセンスアンプSAの構成例を示す。図29は、図14に示すSAと比較してLIOが読み出しゲートROGと書き込みゲートWIGに分離している点が異なる。さらに書き込み情報をラッチする書き込みバッファWBUFと比較回路COMP、書き込みイネーブル信号生成回路ECが追加されている点が異なる。これら機能により書き込み時には書き込み情報と読み出された情報をCOMPで比較し、異なる場合のみ反転ライトを行う動作を実現する。
図30は図29に示すSAを制御するためのXPを示している。図29において入出力ゲートが書き込みと読出しで分離されたため、クロスエリアXPにはWIとRO信号を分離するための回路が、図16に比較して追加されている。
図31は図13、図29、図30に示す回路において、AP状態を読み出した場合の書込み波形を示す。まず、アクティブコマンドACTとともに書き込みデータが入力され、MIOBを介して、WIBがVW又はVSSに駆動され、書き込みバッファWBUFが書き込みデータを保持する。次にワード線がONになると図18と同様に情報をメモリセルから読み出し、RBUFで保持する。本例では、AP状態であるためSABは、VWとなる。ここで、SABがVWであるため、比較回路COMPの左側中央のPMOSトランジスタ及びNMOSトランジスタがオン状態となり、右側中央のPMOSトランジスタ及びNMOSトランジスタはオフ状態となる。ここで、書き込みバッファの情報がAP状態である場合には、WIBは、VWとなる。従って、比較回路COMPの左側下のNMOSトランジスタがオンとなり、比較結果信号WDTは、読み出した情報と書き込んだ情報が一致したことを示すVSSとなる。このWDTを受けて書き込みイネーブル信号生成回路ECは、GSLRを駆動しないように書き込みドライバWDRを制御する。一方、書き込みバッファの情報がP状態である場合には、WIBがVSSとなり、比較回路COMPの左側上のPMOSトランジスタがオンとなる。よって、比較結果信号WDTは、読み出した情報と書き込む情報が不一致であることを示すVWとなる。その結果、書き込みイネーブル信号生成回路ECは、GSLRをVSSまで駆動し、GBLRをVWまで駆動するように書き込みドライバWDRを制御する。このように、書き込みバッファの情報がAP状態であれば書き込みを行わず、P状態の時のみ書き込みが行われる動作が実現可能である。
図32は、図13、図29、図30に示す回路において、P状態を読み出した場合の書込み波形を示す。まず、アクティブコマンドACTとともに書き込みデータが入力され、MIOBを介して、WIBがVW又はVSSに駆動され、書き込みバッファWBUFが書き込みデータを保持する。次にワード線がONになると図18と同様に情報をメモリセルから読み出し、RBUFで保持する。本例では、P状態であるためSABは、VSSとなる。ここで、SABがVSSであるため、比較回路COMPの右側中央のPMOSトランジスタ及びNMOSトランジスタがオン状態となり、左側中央のPMOSトランジスタ及びNMOSトランジスタはオフ状態となる。ここで、書き込みバッファの情報がP状態である場合には、WIBはVSSとなり、書き込みバッファWBUFから比較回路COMPの右側上のPMOSトランジスタ及び右側下のNMOSトランジスタに出力される信号は、反転されたVWとなる。従って、比較回路COMPの右側下のNMOSトランジスタがオンとなり、比較結果信号WDTは、読み出した情報と書き込んだ情報が一致したことを示すVSSとなる。このWDTを受けて書き込みイネーブル信号生成回路ECは、GSLRを駆動しないように書き込みドライバWDRを制御する。一方、書き込みバッファの情報がAP状態である場合には、WIBがVW、書き込みバッファWBUFから比較回路COMPの右側列に出力される信号がVSSとなり、比較回路COMPの右側上のPMOSトランジスタがオンとなる。よって、比較結果信号WDTは、読み出した情報と書き込む情報が不一致であることを示すVWとなる。その結果、書き込みイネーブル信号生成回路ECは、GSLRをVSSまで駆動し、GBLRをVWまで駆動するように書き込みドライバWDRを制御する。このように、書き込みバッファの情報がP状態であれば書き込みを行わず、AP状態の時のみ書き込みが行われる動作が実現可能である。
以上のように、実施例2では、プリチャージパルスを読出しパルスとして利用し、読み出した情報に応じてオーバーライトをしない構成としたため、MTJの信頼性が向上すると共に、消費電力を低減し、チップの発熱を抑えられるという効果が期待される。
実施例1において、ICを非対称とする方が情報保持の熱安定性が良いことに言及した。しかし、図33(a)に示すとおり、ICの非対称性は、フリー層磁化の熱安定性に非対称性をもたらす可能性も考えられる。MTJにおいてはICと熱安定性が比例することが知られているため、IC+>IC−の場合、AP状態がP状態に反転してしまうリテンションエラーが発生してしまう可能性がある。このため、10年以上の記憶保持が可能である領域をターゲットとすると、AP状態の一部のセルはターゲット領域から外れてしまう可能性がある。図33(a)に示した課題は、図33(b)に示すとおり実際に確認されている。そこで、本実施例では、このリテンションエラーを補正するECCを用いた発明を提供する。
図34にはリテンションエラーを補正するECC回路を示す。読出しビットのアドレスが入力されるとアドレスバッファがXアドレスデコーダXDECとYアドレスデコーダYDECにアドレスを送ると共にエラーチェック回路ECHKにも該当ビットのアドレスを送る。読み出された情報はエラーチェック回路ECHKにおいてエラーが訂正され、DQより出力される。なお、読み出しは、実施例1、2のようにプリチャージ方式のプリチャージ電流でなく、ワード線が選択された後に読み出し電流を供給してもよいが、プリチャージ方式の考え方を用いた方が書き込み電流を少なくすることができる。即ち、読み出しではもちろんこと、書き込み時においても、ECCを用いた場合には、チェックビットを再生成するためにメモリセルの情報を読み出す必要がある。また、読み出してエラーがあった場合は、そのエラーを訂正するために書き込みを行う方が望ましい。即ち、読み出した後に書き込みを行うという動作が発生する。従って、実施例1、2のように読み出し電流を書き込み動作が行われるまで流し続けることで図1で説明したように書き込み電流を少なくすることが可能となる。
エラー訂正がなされた情報はチェックビット回路でチェックビットが生成付加された後、再びアレイに戻される。ここで、アレイに戻される場合に、全ビット書き込んでもよいが、アレイにおいて、読出し情報がラッチされたままの状態とし、実施例2のように書き込むために送られてきた情報を比較し、異なっていれば反転書き込みを行い、同じであれば(もしくは、エラーがなかった場合には)書き込みが行われないように制御することがよい。これによりECC単位が大きくなるほどオーバーライトが行われないビットが増加することを意味するため、消費電力削減効果が大きくなる。
また、図33(a)に示すとおり、高温での記憶保持特性を重視したMTJではリテンションエラーを起こすのはAP状態のビットである可能性が極めて高い。このため、ECCにおける反転ライトはAP状態を書き込む可能性が極めて高くなる。このときにはAP書き込みはプリチャージ書き込みとなるため、通常書き込みを行う場合に比較して消費電力を低減可能である。
更には、ECC回路によりエラーを発見した場合は、エラーがあったことのみを書き込みドライバに通知し、書き込みドライバは、AP状態のみを書き戻すという制御も有効となる可能性があり、この場合はECC制御方式をさらに簡素化可能である。
本発明の半導体装置は、抵抗変化型メモリに適用して特に有益な技術であり、これに限らず、マイクロプロセッサやDSP(Digital Signal Processor)等のロジックチップに内蔵されるオンチップメモリ等に対しても適用可能である。
DQ0〜DQn:データ、A0〜An:アドレス、I/OB:入出力バッファ、I/OCTL:入出力制御回路、BCC:バンク制御回路、ATC:アドレス変換回路、XAB:行アドレスバッファ、YAB:列アドレスバッファ、MCA:メモリセルアレイ、UL:上部電極、LL:下部電極、CHIP:メモリチップ、BANK:メモリバンク、CNTL:制御回路、DQC:入出力回路、ACC:アレイ制御回路、XP:行制御回路、SLS:ソース線選択信号、BLS:ビット線選択信号、MAA:メインアンプ列、XDEC:Xデコーダ、YDEC:Yデコーダ、SWDA:サブワードドライバアレイ、SAA:センスアンプアレイ、VBH:メモリ素子書込み電圧、VDD:周辺回路電源、VSS:接地電源、VPP:昇圧電源、VKK:負電源、SAPG:読み出し電流制御電源、YSE:列選択イネーブル信号、RE:リードイネーブル信号、PSSb0:周辺回路電源制御元信号、WE:書込みイネーブル信号、WLE0:ワード線イネーブル元信号、MEST:一括消去制御信号、SAE0:センスアンプイネーブル元信号、PSSb:周辺回路電源制御信号、VDDb:バンク周辺回路電源、VBHb:バンクメモリセル書込み電源、VPPb:バンク昇圧電源、LBLSA:ローカルビット線選択スイッチ列、LSLSA:ローカルソース線選択スイッチ列、LIO:ローカル入出力線、MA:メインアンプ、PSW:電源スイッチ、GSL:グローバルソース線、GBL:グローバルビット線、LSL:ローカルソース線、LBL:ローカルビット線、LBLS:ビット線スイッチアレイ、SMCA:サブメモリセルアレイ、SWD:サブワードドライバ、LBLS:ローカルビット線選択スイッチ、LSLS:ローカルソース線選択スイッチ、SN:センスノード、SNREF:リファレンスセンスノード、PCC:プリチャージ回路、SAEQ:センスアンプイコライズ線、RAMP:リードアンプ、WAMP:ライトアンプ、IOG:入出力ゲート、LIOt:ローカル入出力線、LIOb:反転ローカル入出力線、SAOt:センスアンプアウト線、SAOb:反転センスアンプアウト線、SA:センスアンプ、REF:リファレンス負荷回路、WEB:反転書込みイネーブル信号、WET:書込みイネーブル信号、REB:反転リードイネーブル信号、RET:リードイネーブル信号、WLE:ワード線イネーブル信号、FY:列デコード信号、YS:列選択信号、RSW:リードスイッチ、CC:クロスカップル、RD:リードドライバ、RRC:読出しリファレンス回路、MWLB:反転メインワード線、FX:サブワードドライバセレクト信号、FXB:反転サブワードドライバセレクト信号、REQ:ローカル入出力線イコライズ回路、RGC:メイン入出力ゲート、MS:マットセレクト、CF:行プリデコード信号、SLC:ソース線コンタクト、BLC:ビット線コンタクト、DWL:ダミーワード線、N+:拡散層、CONT:拡散層コンタクト、STI:素子分離、SUB:Si基板。
Claims (20)
- ワード線と、
前記ワード線と交差するビット線と、
前記ワード線と交差するソース線と、
前記ビット線と前記ソース線の間に直列に接続されたアクセストランジスタ及びトンネル磁気抵抗素子を有するメモリセルと、
スタンバイ状態において、前記ビット線と前記ソース線との間に第1電位差を発生させるプリチャージ回路と、
前記トンネル磁気抵抗素子に第1情報を書き込む場合に、前記ビット線から前記ソースに向かって電流が流れるように前記ビット線と前記ソース線との間に第2電位差を発生させ、前記トンネル磁気抵抗素子に第2情報を書き込む場合に、前記ソース線から前記ビット線に向かって電流が流れるように前記ビット線と前記ソース線との間に第3電位差を発生させる書き込みドライバと、を具備し、
前記アクセストランジスタのゲートは、前記ワード線に接続され、
前記第1電位差は、前記第2電位差及び前記第3電位差より小さいことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、
前記書き込みドライバは、前記スタンバイ状態から前記ワード線がオン状態となった後、書き込むべき情報に従って、前記第2電位差、又は、前記第3電位差を発生させることを特徴とする半導体装置。 - 請求項2において、
前記トンネル磁気抵抗素子は、固定層と、自由層と、前記固定層と前記自由層の間に設けられた絶縁層とを有し、
前記第1情報は、前記固定層の磁化と前記自由層の磁化が平行状態となることにより記憶され、
前記第2情報は、前記固定層の磁化と前記自由層の磁化が反平行状態となることにより記憶されることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、
前記アクセストランジスタのソースが前記ソース線に接続され、
前記アクセストランジスタのドレインが前記トンネル磁気抵抗素子の一方の電極に接続され、
前記トンネル磁気抵抗素子の他方の電極が前記ビット線に接続され、
前記トンネル磁気抵抗素子は、前記一方の電極側に設けられた固定層と、前記他方の電極側に設けられた自由層と、前記固定層と前記自由層の間に設けられた絶縁層とを有し、
前記プリチャージ回路は、前記ビット線の電位より高いプリチャージ電位を前記ソース線に供給することにより、前記第1電位差を発生させることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、
前記ビット線又は前記ソース線の一方に接続されたセンスアンプを更に具備し、
前記センスアンプは、前記スタンバイ状態から前記ワード線がオン状態となった場合に、前記第1電位差により前記メモリセルに流れる電流を用いて前記メモリセルに記憶された情報を読み出すことを特徴とする半導体装置。 - 請求項5において、
前記センスアンプにより読み出された情報と書き込むべき情報とを比較する比較回路と、
前記比較回路の結果が前記読み出された情報と前記書き込むべき情報が一致した場合に、前記書き込みドライバを非活性化し、前記読み出された情報と前記書き込むべき情報が不一致である場合に、前記書き込みドライバを活性化する書き込みイネーブル信号生成回路と、を更に具備することを特徴とする半導体装置。 - 請求項5において、
前記センスアンプにより読み出された情報にエラーがないかをチェックするECC回路と、
前記センスアンプにより読み出された情報と書き込むべき情報とを比較する比較回路と、
前記ECC回路のチェック結果がエラーなしであり、かつ、前記比較回路の結果が前記読み出された情報と前記書き込むべき情報が一致した場合に、前記書き込みドライバを非活性化し、前記ECC回路のチェック結果がエラーありであり、又は、前記読みだされた情報と前記書き込むべき情報が不一致である場合に、前記書き込みドライバを活性化する書き込みイネーブル信号生成回路と、を具備することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、
前記プリチャージ回路は、前記スタンバイ状態から前記ワード線がオン状態となった後に、前記第1電位差の発生を止めることを特徴とする半導体装置。 - 請求項8において、
前記書き込みドライバは、前記プリチャージ回路が前記第1電位差の発生を止めた後、書き込むべき情報に従って、前記第2電位差、又は、前記第3電位差を発生させることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、
前記トンネル磁気抵抗素子は、前記固定層の磁化と前記自由層の磁化が平行状態とするためのしきい電流と、前記固定層の磁化と前記自由層の磁化が反平行状態とするためのしきい電流が異なることを特徴とする半導体装置。 - 請求項10において、
前記固定層の磁化と前記自由層の磁化が平行状態とするためのしきい電流は、前記固定層の磁化と前記自由層の磁化が反平行状態とするためのしきい電流より大きいことを特徴とする半導体装置。 - 請求項11において、
前記トンネル磁気抵抗素子は、対称な磁気特性を有することを特徴とする半導体装置。 - ワード線と、
前記ワード線と交差する複数のビット線と、
前記ワード線と交差する複数のソース線と、
前記複数のビット線と前記複数のソース線の間に設けられた複数のメモリセルと、
前記複数のビット線と前記複数のソース線との間に第1電位差を発生させるプリチャージ回路と、
前記複数のメモリセルに第1情報を書き込む場合に、前記ビット線から前記ソース線に向かって電流が流れるように前記ビット線と前記ソース線との間に第2電位差を発生させ、前記複数のメモリセルに第2情報を書き込む場合に、前記ソース線から前記ビット線に向かって電流が流れるように前記ビット線と前記ソース線との間に第3電位差を発生させる書き込みドライバと、
前記複数のビット線又は前記複数のソース線の一方に接続され、前記第1電位差により前記メモリセルに流れる読み出し電流を検出して、前記メモリセルに記憶された情報を保持するセンスアンプと、
前記センスアンプに読み出された情報にエラーがないかをチェックし、エラーがあれば訂正するECC回路と、を具備し、
前記複数のメモリセルの夫々は、前記複数のビット線のうち対応する1本と前記複数のソース線のうち対応する1本との間に直列に接続されたアクセストランジスタとトンネル磁気抵抗素子とを有し、
前記トンネル磁気抵抗素子は、前記一方の電極側に設けられた固定層と、前記他方の電極側に設けられた自由層と、前記固定層と前記自由層の間に設けられた絶縁層とを有し、
前記ECC回路によるチェック後、訂正された情報を前記メモリセルに書き込む際に、前記書き込みドライバが活性化されるまで、前記複数のメモリセルに前記読み出しのための電流が流れることを特徴とする半導体装置。 - 請求項13において、
前記トンネル磁気抵抗素子は、
前記読み出し電流が流れる方向は、前記固定層の磁化と前記自由層の磁化が反平行状態となるための書き込み電流と同じ方向であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項14において、
前記ECC回路によりエラーがあることが前記書き込みドライバに通知され、
前記書き込みドライバは、エラーがあることが通知された場合に、前記固定層の磁化と前記自由層の磁化が反平行状態とするための書き込み電流を流すことを特徴とする半導体装置。 - 請求項14において、
前記センスアンプにより読み出された情報と書き込むべき情報とを比較する比較回路と、
前記ECC回路のチェック結果がエラーなしであり、かつ、前記比較回路の結果が前記読み出された情報と前記書き込むべき情報が一致した場合に、前記書き込みドライバを非活性化し、前記ECC回路のチェック結果がエラーありであり、又は、前記読み出された情報と前記書き込むべき情報が不一致である場合に、前記書き込みドライバを活性化する書き込みイネーブル信号生成回路と、を具備することを特徴とする半導体装置。 - 第1及び第2ワード線と、
前記第1及び第2ワード線と交差するビット線と、
前記第1及び第2ワード線と交差するソース線と、
前記ビット線と前記ソース線の間に接続され、第1アクセストランジスタ、第2アクセストランジスタ、及び、トンネル磁気抵抗素子とを有するメモリセルと、
前記メモリセルに第1情報を書き込む場合に、前記ビット線から前記ソースに向かって電流が流れるように前記ビット線と前記ソース線との間に第1電位差を発生させ、前記メモリセルに第2情報を書き込む場合に、前記ソース線から前記ビット線に向かって電流が流れるように前記ビット線と前記ソース線との間に第2電位差を発生させる書き込みドライバと、を具備し、
前記第1アクセストランジスタと前記第2アクセストランジスタは、並列に接続され、
前記トンネル磁気抵抗素子は、前記第1及び第2アクセストランジスタと直列に接続され、
前記第1アクセストランジスタのゲートは、前記第1ワード線に接続され、
前記第2アクセストランジスタのゲートは、前記第2ワード線に接続され、
スタンバイ状態において、前記ビット線及び前記ソース線は、前記ビット線と前記ソース線との間の電位差が第3電位差となるようにプリチャージされ、
前記メモリセルに情報を書き込む際に、前記第2ワード線を非選択状態のまま前記第1ワード線を選択し、その後、前記第1ワード線を選択状態としたまま、前記第2ワード線を選択し、前記書き込みドライバにより前記第2電位差又は前記第3電位差を発生させることを特徴とする半導体装置。 - 請求項17において、
前記書き込みドライバは、前記第1情報を書き込む際に、前記ビット線に書込み電位を供給し、前記第2情報を書き込む際に、前記ソース線に前記書込み電位を供給し、前記スタンバイ状態において、前記書込み電位を前記ソース線に供給することを特徴とする半導体装置。 - 請求項17において、
前記ビット線又はソース線に接続された読出しバッファを更に具備し、
前記読出しバッファは、前記第1ワード線が選択され、前記メモリセルに電流が流れることにより生じた前記ビット線又は前記ソース線の電位変動を検出することにより読出し情報を読出し、
前記半導体装置は、前記読出しバッファに保持された前記読出し情報を前記メモリセルに書き戻すことを特徴とする半導体装置。 - 請求項19において、
前記メモリセルに前記読出し情報を書き戻す際に、前記第1ワード線を選択状態としたまま、前記第2ワード線を選択することを特徴とする半導体装置。
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