JPWO2011089978A1 - 磁気センサ - Google Patents
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Abstract
Description
本発明では上記により、外乱磁場耐性を効果的に改善することが可能である。
各素子部のY方向が感度軸方向であり、前記Y方向にて対向する各素子部の両側面に夫々、各素子部と非接触の前記軟磁性体が設けられており、
前記X方向から作用した外部磁界が、各素子部の両側に位置する前記軟磁性体の間で前記Y方向に変換されて各素子部に流入するように、各素子部の両側に位置する前記軟磁性体が夫々、前記X方向にずれて配置されている構成にすることも出来る。
前記第1磁気抵抗効果素子及び前記第3磁気検出素子は、入力端子に接続され、前記第2磁気抵抗効果素子及び前記第4磁気抵抗効果素子は、グランド端子に接続され、前記第1磁気抵抗効果素子と前記第2磁気抵抗効果素子との間に第1出力端子、及び、前記第3磁気抵抗効果素子と前記第4磁気抵抗効果素子との間に第2出力端子が夫々接続されており、
各磁気抵抗効果素子は同一の膜構成で且つ各磁気抵抗効果素子に設けられる固定磁性層の固定磁化方向は同方向であり、
前記第1磁気抵抗効果素子及び前記第4磁気抵抗効果素子に流入する外部磁界と、前記第2磁気抵抗効果素子及び前記第3磁気抵抗効果素子に流入する外部磁界とが、夫々逆方向となるように、前記第1磁気抵抗効果素子及び第4磁気抵抗効果素子に対する前記軟磁性体の配置と、前記第2磁気抵抗効果素子及び前記第3磁気抵抗効果素子に対する前記軟磁性体の配置とが異なっていることが好ましい。これにより、各磁気抵抗効果素子のTCR(温度係数)差を小さくでき、第1出力端子及び第2出力端子の中点電位差を効果的に小さくできる。
前記X方向の一方を前方、他方を後方としたとき、前記第1磁気抵抗効果素子及び前記第4磁気抵抗効果素子では、前記第1磁気抵抗効果素子及び前記第4磁気抵抗効果素子を構成する各素子部の一方の側面側に配置された前記軟磁性体の前方端部が前記素子部と前記Y方向にて対向し、他方の側面側に配置された前記軟磁性体の後方端部が前記素子部と前記Y方向にて対向しており、前記第2磁気抵抗効果素子及び前記第3磁気抵抗効果素子では、前記第2磁気抵抗効果素子及び前記第3磁気抵抗効果素子を構成する各素子部の一方の側面側に配置された前記軟磁性体の後方端部が前記素子部と前記Y方向にて対向し、前記他方の側面側に配置された前記軟磁性体の前方端部が前記素子部と前記Y方向にて対向していることが好ましい。
なお上記した軟磁性体の配置関係は図3、図4にも同様に適用できる。
P 固定磁性層の固定磁化方向
S 磁気センサ
1〜4 磁気抵抗効果素子
5 入力端子
6 グランド端子
7、8 出力端子
9、9A、50、50A、50B 素子部
10、42 電極層
11、11A、11B、11C、45、52 素子連設体
20、20A、20B、20C、20D、43、53、53A、53B 軟磁性体
20A1、53A1 前方端部
20B1、53B1 後方端部
21 絶縁層
33 反強磁性層
34 固定磁性層
35 非磁性層
36 フリー磁性層
40 第1素子部
41 第2素子部
前記第1磁気抵抗効果素子及び前記第3磁気検出素子は、入力端子に接続され、前記第2磁気抵抗効果素子及び前記第4磁気抵抗効果素子は、グランド端子に接続され、前記第1磁気抵抗効果素子と前記第2磁気抵抗効果素子との間に第1出力端子、及び、前記第3磁気抵抗効果素子と前記第4磁気抵抗効果素子との間に第2出力端子が夫々接続されており、
各磁気抵抗効果素子は同一の膜構成で且つ各磁気抵抗効果素子に設けられる固定磁性層の固定磁化方向は同方向であり、
前記第1磁気抵抗効果素子及び前記第4磁気抵抗効果素子に流入する外部磁界と、前記第2磁気抵抗効果素子及び前記第3磁気抵抗効果素子に流入する外部磁界とが、夫々逆方向となるように、前記第1磁気抵抗効果素子及び第4磁気抵抗効果素子に対する前記軟磁性体の配置と、前記第2磁気抵抗効果素子及び前記第3磁気抵抗効果素子に対する前記軟磁性体の配置とが異なっていることが好ましい。これにより、各磁気抵抗効果素子のTCR(温度係数)差を小さくでき、第1出力端子及び第2出力端子の中点電位差を効果的に小さくできる。
Claims (17)
- 基板上に磁性層と非磁性層とが積層されて成る磁気抵抗効果を発揮する磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子の感度軸方向に対して直交する方向からの外部磁界を前記感度軸方向に変換して前記磁気抵抗効果素子に与える前記磁気抵抗効果素子と非接触の軟磁性体と、を有することを特徴とする磁気センサ。
- 前記磁気抵抗効果素子のY方向が感度軸方向であり、前記磁気抵抗効果素子の前記Y方向の両側に、夫々、前記軟磁性体が設けられ、前記Y方向に直交するX方向から作用した外部磁界が、前記磁気抵抗効果素子の両側に配置された前記軟磁性体の間で前記Y方向に変換されて前記磁気抵抗効果素子に流入するように、前記磁気抵抗効果素子の一方の側面側に配置された第1軟磁性体と、他方の側面側に配置された第2軟磁性体とが互いに前記X方向にずれて配置されている請求項1記載の磁気センサ。
- 前記第1軟磁性体と、前記第2軟磁性体とが、前記Y方向にて対向しないように前記X方向にずれて配置されている請求項2記載の磁気センサ。
- 前記第1軟磁性体及び前記第2軟磁性体は、両軟磁性体の間で、前記外部磁界を感度軸方向に変換する端部を有し、前記第1軟磁性体の前記端部には、X1側に向くX1端面が設けられ、前記X1端面は、前記磁気抵抗効果素子の前記一方の側面である第1側面のX1側縁部からX2方向に離れて位置しており、前記第2軟磁性体の前記端部には、X2側に向くX2端面が設けられ、前記X2端面は、前記磁気抵抗効果素子の前記他方の側面である第2側面のX2側縁部からX1方向に離れて位置している請求項3記載の磁気センサ。
- 前記第1軟磁性体の前記X1端面は、前記磁気抵抗効果素子の前記第1側面のX方向における幅中心からY方向の線上に位置し、前記第2軟磁性体の前記X2端面は、前記磁気抵抗効果素子の前記第2側面のX方向における幅中心からY方向の線上に位置している請求項4記載の磁気センサ。
- 前記磁気抵抗効果素子は、前記X方向に間隔を空けて配置された複数の素子部と、各素子部の間に配置された電極層とを有する前記X方向に延出形成された素子連設体を有して構成されており、各素子部の前記Y方向の両側に夫々、前記X方向にずれて配置された前記軟磁性体が配置される請求項5記載の磁気センサ。
- 前記X方向の一方を前方、他方を後方としたとき、各素子部の一方の側面側に配置された前記軟磁性体の前方端部が各素子部と前記Y方向にて対向し、各素子部の他方の側面側に配置された前記軟磁性体の後方端部が各素子部と前記Y方向にて対向しており、あるいは、各素子部の一方の側面側に配置された前記軟磁性体の後方端部が各素子部と前記Y方向にて対向し、各素子部の他方の側面側に配置された前記軟磁性体の前方端部が各素子部と前記Y方向にて対向している請求項6記載の磁気センサ。
- 前記素子連設体は、前記Y方向に間隔を空けて複数設けられ、各素子連設体の端部同士が連結されてミアンダ形状で形成されており、各素子連設体の間には、隣り合う前記素子連設体にて兼用される複数の前記軟磁性体が前記X方向に間隔を空けて配置されている請求項7記載の磁気センサ。
- 前記磁気抵抗効果素子は、前記Y方向に間隔を空けて配置された複数の素子部と、各素子部の間に位置して、各素子間を繋ぐハードバイアス層とを有し、各素子部にX方向からのバイアス磁界が流入するとともに前記ハードバイアス層を介して接続された一方の前記素子部と、他方の前記素子部とに流入するバイアス磁界の方向が反対方向となるように、前記ハードバイアス層が各素子部のX1側端部間及びX2側端部間に交互に配置されており、各素子部の前記Y方向の両側に夫々、前記X方向にずれて配置された前記軟磁性体が配置される請求項5記載の磁気センサ。
- 各素子部のX1側端部及びX2側端部は、Y方向からX方向に向けて斜めに傾いている請求項9記載の磁気センサ。
- 前記X方向の一方を前方、他方を後方としたとき、各素子部の一方の側面側に配置された前記軟磁性体の前方端部が各素子部と前記Y方向にて対向し、各素子部の他方の側面側に配置された前記軟磁性体の後方端部が各素子部と前記Y方向にて対向しており、あるいは、各素子部の一方の側面側に配置された前記軟磁性体の後方端部が各素子部と前記Y方向にて対向し、各素子部の他方の側面側に配置された前記軟磁性体の前方端部が各素子部と前記Y方向にて対向している請求項10記載の磁気センサ。
- 前記素子部と前記ハードバイアス層とを有し、前記Y方向に延出形成された素子連設体が、前記X方向に間隔を空けて複数設けられ、各素子連設体の端部同士が連結されてミアンダ形状で形成されており、各素子連設体の間には、隣り合う前記素子連設体にて兼用される複数の前記軟磁性体が配置されている請求項11記載の磁気センサ。
- 前記磁気抵抗効果素子は、X方向に間隔を空けて配置された複数の第1素子部と、前記第1素子部に対してX方向にずれるとともに前記X方向に直交するY方向に間隔を空けて配置された複数の第2素子部と、前記第1素子部と前記第2素子部との間を連結する電極層とを有する素子連設体を有して構成しており、
各素子部のY方向が感度軸方向であり、前記Y方向にて対向する各素子部の両側面に夫々、各素子部と非接触の前記軟磁性体が設けられており、
前記X方向から作用した外部磁界が、各素子部の両側に位置する前記軟磁性体の間で前記Y方向に変換されて各素子部に流入するように、各素子部の両側に位置する前記軟磁性体が夫々、前記X方向にずれて配置されている請求項1記載の磁気センサ。 - 前記素子連設体は、前記Y方向に間隔を空けて複数設けられ、各素子連設体のX側端部同士が接続されており、各素子連設体の間には、隣り合う前記素子連設体にて兼用される複数の前記軟磁性体が前記X方向に間隔を空けて配置されている請求項13記載の磁気センサ。
- 第1磁気検出素子、第2磁気検出素子、第3磁気検出素子及び第4磁気抵抗効果素子を備えたブリッジ回路にて構成され、
前記第1磁気抵抗効果素子及び前記第3磁気抵抗効果素子は、入力端子に接続され、前記第2磁気抵抗効果素子及び前記第4磁気抵抗効果素子は、グランド端子に接続され、前記第1磁気抵抗効果素子と前記第2磁気抵抗効果素子との間に第1出力端子、及び、前記第3磁気抵抗効果素子と前記第4磁気抵抗効果素子との間に第2出力端子が夫々接続されており、
各磁気抵抗効果素子は同一の膜構成で且つ各磁気抵抗効果素子に設けられる固定磁性層の固定磁化方向は同方向であり、
前記第1磁気抵抗効果素子及び前記第4磁気抵抗効果素子に流入する外部磁界と、前記第2磁気抵抗効果素子及び前記第3磁気抵抗効果素子に流入する外部磁界とが、夫々逆方向となるように、前記第1磁気抵抗効果素子及び第4磁気抵抗効果素子に対する前記軟磁性体の配置と、前記第2磁気抵抗効果素子及び前記第3磁気抵抗効果素子に対する前記軟磁性体の配置とが異なっている請求項1記載の磁気センサ。 - 各磁気抵抗効果素子のY方向が感度軸方向であり、各磁気抵抗効果素子の前記Y方向の両側には、夫々、前記軟磁性体が設けられ、前記X方向から作用した外部磁界が、各磁気抵抗効果素子の両側に配置された前記軟磁性体の間でY方向に変換されて各磁気抵抗効果素子に流入するように、各磁気抵抗効果素子の両側に配置された前記軟磁性体同士が互いにX方向にずれて配置されるとともに、前記第1磁気抵抗効果素子及び前記第4磁気抵抗効果素子に対する前記軟磁性体の配置と、前記第2磁気抵抗効果素子及び前記第3磁気抵抗効果素子に対する前記軟磁性体の配置とでは、一方の側面側に配置された前記軟磁性体に対して他方の側面側に配置された前記軟磁性体が逆方向にずれている請求項15記載の磁気センサ。
- 各磁気抵抗効果素子は、前記X方向に間隔を空けて配置された複数の素子部と、各素子部の間に配置された電極層とを有する前記X方向に延出形成された素子連設体を有して構成されており、
前記X方向の一方を前方、他方を後方としたとき、前記第1磁気抵抗効果素子及び前記第4磁気抵抗効果素子では、前記第1磁気抵抗効果素子及び前記第4磁気抵抗効果素子を構成する各素子部の一方の側面側に配置された前記軟磁性体の前方端部が前記素子部と前記Y方向にて対向し、他方の側面側に配置された前記軟磁性体の後方端部が前記素子部と前記Y方向にて対向しており、前記第2磁気抵抗効果素子及び前記第3磁気抵抗効果素子では、前記第2磁気抵抗効果素子及び前記第3磁気抵抗効果素子を構成する各素子部の一方の側面側に配置された前記軟磁性体の後方端部が前記素子部と前記Y方向にて対向し、前記他方の側面側に配置された前記軟磁性体の前方端部が前記素子部と前記Y方向にて対向している請求項16記載の磁気センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011550890A JP5297539B2 (ja) | 2010-01-20 | 2011-01-14 | 磁気センサ |
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010009608 | 2010-01-20 | ||
JP2010009608 | 2010-01-20 | ||
JP2010179911 | 2010-08-11 | ||
JP2010179911 | 2010-08-11 | ||
JP2011550890A JP5297539B2 (ja) | 2010-01-20 | 2011-01-14 | 磁気センサ |
PCT/JP2011/050529 WO2011089978A1 (ja) | 2010-01-20 | 2011-01-14 | 磁気センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2011089978A1 true JPWO2011089978A1 (ja) | 2013-05-23 |
JP5297539B2 JP5297539B2 (ja) | 2013-09-25 |
Family
ID=44306782
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011550890A Active JP5297539B2 (ja) | 2010-01-20 | 2011-01-14 | 磁気センサ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120217961A1 (ja) |
JP (1) | JP5297539B2 (ja) |
WO (1) | WO2011089978A1 (ja) |
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---|---|---|---|---|
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CN104656045B (zh) | 2013-11-17 | 2018-01-09 | 爱盛科技股份有限公司 | 磁场感测模块、测量方法及磁场感测模块的制作方法 |
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-
2011
- 2011-01-14 WO PCT/JP2011/050529 patent/WO2011089978A1/ja active Application Filing
- 2011-01-14 JP JP2011550890A patent/JP5297539B2/ja active Active
-
2012
- 2012-05-07 US US13/465,954 patent/US20120217961A1/en not_active Abandoned
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120217961A1 (en) | 2012-08-30 |
JP5297539B2 (ja) | 2013-09-25 |
WO2011089978A1 (ja) | 2011-07-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130611 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130614 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5297539 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |