JPWO2011040324A1 - 半導体素子基板 - Google Patents
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Abstract
Description
好ましくは、前記重合体(A)が、前記一般式(1)で表される単量体と共重合可能な単量体の単位(a2)をさらに含む。
好ましくは、前記共重合可能な単量体の単位(a2)が、プロトン性極性基を有する環状オレフィン単量体の単位であり、より好ましくは、カルボキシ基含有環状オレフィン単量体の単位である。
好ましくは、前記重合体(A)が、前記一般式(1)で表される単量体と、前記プロトン性極性基を有する環状オレフィン単量体と、を開環共重合してなる重合体又は該重合体の水素添加物である。
好ましくは、前記架橋剤(B)が、アミノ基含有化合物と、エポキシ基含有化合物とを併用してなるものである。前記エポキシ基含有化合物としては、脂環構造を有するエポキシ基含有化合物が好ましい。
好ましくは、前記半導体素子基板は、アクティブマトリックス基板又は有機EL素子基板である。
以下においては、まず、本発明で用いる感放射線性樹脂組成物について説明する。
本発明で用いる感放射線性樹脂組成物は、本発明の半導体素子基板に実装される半導体素子表面、又は半導体素子に含まれる半導体層と接触して形成される樹脂膜を形成するための樹脂組成物であり、下記一般式(1)で表される単量体の単位(a1)を含んでなる重合体(A)、架橋剤(B)及び感放射線化合物(C)を含有する。
本発明において、プロトン性極性基を有する環状オレフィン樹脂に結合しているプロトン性極性基の数に特に限定はなく、また、相異なる種類のプロトン性極性基が含まれていてもよい。
シアノ基を有する環状オレフィンとしては、例えば、9−シアノテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、9−メチル−9−シアノテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、5−シアノビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン等が挙げられる。
ハロゲン原子を有する環状オレフィンとしては、例えば、9−クロロテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、9−メチル−9−クロロテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン等が挙げられる。
これら単量体(a2−2)は、それぞれ単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
これら単量体(a2−3)は、それぞれ単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
これらの環状オレフィン以外の単量体(a2−4)は、それぞれ単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
プロトン性極性基を有しない重合体は、上述した単量体(a2−2)〜(a2−4)を任意に組み合わせて重合することによって得ることができる。
このような化合物の具体例としては、アクリル酸、メタクリル酸、アンゲリカ酸、チグリン酸、オレイン酸、エライジン酸、エルカ酸、ブラシジン酸、マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸、イタコン酸、アトロパ酸、ケイ皮酸等の不飽和カルボン酸;アリルアルコール、メチルビニルメタノール、クロチルアルコール、メタリルアルコール、1−フェニルエテン−1−オール、2−プロペン−1−オール、3−ブテン−1−オール、3−ブテン−2−オール、3−メチル−3−ブテン−1−オール、3−メチル−2−ブテン−1−オール、2−メチル−3−ブテン−2−オール、2−メチル−3−ブテン−1−オール、4−ペンテン−1−オール、4−メチル−4−ぺンテン−1−オール、2−ヘキセン−1−オール等の不飽和アルコール;等が挙げられる。
これら変性剤を用いた重合体の変性反応は、常法に従えばよく、通常、ラジカル発生剤の存在下で行われる。
本発明で用いる架橋剤(B)は、加熱により架橋剤分子間に架橋構造を形成するものや、重合体(A)と反応して樹脂分子間に架橋構造を形成するものであり、具体的には、2以上の反応性基を有する化合物が挙げられる。このような反応性基としては、例えば、アミノ基、カルボキシ基、水酸基、エポキシ基、イソシアネート基等が挙げられ、より好ましくはアミノ基、エポキシ基及びイソシアネート基であり、さらに好ましくはアミノ基及びエポキシ基であり、特に、アミノ基を有する化合物と、エポキシ基を有する化合物とを併用することが好ましい。
本発明で用いる感放射線化合物(C)は、紫外線や電子線等の放射線の照射により、化学反応を引き起こすことのできる化合物である。本発明において感放射線化合物(C)は、樹脂組成物から形成されてなる樹脂膜のアルカリ溶解性を制御できるものが好ましく、特に、光酸発生剤を使用することが好ましい。
これらの中でも、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロライドとフェノール性水酸基を有する化合物との縮合物が好ましく、1,1,3−トリス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−3−フェニルプロパン(1モル)と1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロライド(1.9モル)との縮合物がより好ましい。
これらの感放射線化合物は、それぞれ単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
酸性基を2つ有する化合物としては、エタン二酸、プロパン二酸、ブタン二酸、ペンタン二酸、ヘキサン二酸、1,2―シクロヘキサンジカルボン酸、ベンゼン−1,2−ジカルボン酸(「フタル酸」ともいう。)、ベンゼン−1,3−ジカルボン酸(「イソフタル酸」ともいう。)、ベンゼン−1,4−ジカルボン酸(「テレフタル酸」ともいう。)ビフェニル−2,2’−ジカルボン酸、2−(カルボキシメチル)安息香酸、3−(カルボキシメチル)安息香酸、4−(カルボキシメチル)安息香酸、2−メルカプト安息香酸、4−メルカプト安息香酸、2−メルカプト−6−ナフタレンカルボン酸、2−メルカプト−7−ナフタレンカルボン酸、1,2−ジメルカプトベンゼン、1,3−ジメルカプトベンゼン、1,4−ジメルカプトベンゼン、1,4−ナフタレンジチオール、1,5−ナフタレンジチオール、2,6−ナフタレンジチオール、2,7−ナフタレンジチオールの2つの酸性基を有する芳香族化合物;ピロール−2,3−ジカルボン酸、ピロール−2,4−ジカルボン酸、ピロール−2,5−ジカルボン酸、ピロール−3,4−ジカルボン酸、イミダゾール−2,4−ジカルボン酸-、イミダゾール−2,5−ジカルボン酸、イミダゾール−4,5−ジカルボン酸、ピラゾール−3,4−ジカルボン酸、ピラゾール−3,5−ジカルボン、チオフェン−2,3−ジカルボン酸、チオフェン−2,4−ジカルボン酸、チオフェン−2,5−ジカルボン酸、チオフェン−3,4−ジカルボン酸、チアゾール−2,4−ジカルボン酸、チアゾール−2,5−ジカルボン酸、チアゾール−4,5−ジカルボン酸、イソチアゾール−3,4−ジカルボン酸、イソチアゾール−3,5−ジカルボン酸、1,2,4−チアジアゾール−2,5−ジカルボン酸、1,3,4−チアジアゾール−2,5−ジカルボン酸、(5−メルカプト−1,2,4−チアジアゾール−3−イルチオ)酢酸、(5−メルカプト−1,3,4−チアジアゾール−2−イルチオ)酢酸、ピリジン−2,3−ジカルボン酸、ピリジン−2,4−ジカルボン酸、ピリジン−2,5−ジカルボン酸、ピリジン−2,6−ジカルボン酸、ピリジン−3,4−ジカルボン酸、ピリジン−3,5−ジカルボン酸、ピリダジン−3,4−ジカルボン酸、ピリダジン−3,5−ジカルボン酸、ピリダジン−3,6−ジカルボン酸、ピリダジン−4,5−ジカルボン酸、ピリミジン−2,4−ジカルボン酸、ピリミジン−2,5−ジカルボン酸、ピリミジン−4,5−ジカルボン酸、ピリミジン−4,6−ジカルボン酸、ピラジン−2,3−ジカルボン酸、ピラジン−2,5−ジカルボン酸、ピリジン−2,6−ジカルボン酸、トリアジン−2,4−ジカルボン酸の2つの酸性基を有する複素環化合物;が好ましい。
テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−n−プロポキシシラン、テトラ−i−プロポキシシラン、テトラ−n−ブトキシシランなどのテトラアルコキシシラン類、
メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、n−プロピルトリメトキシシラン、n-プロピルトリエトキシシラン、i−プロピルトリメトキシシラン、i−プロピルトリエトキシシラン、n−ブチルトリメトキシシラン、n−ブチルトリエトキシシラン、n−ペンチルトリメトキシシラン、n−ヘキシルトリメトキシシラン、n−ヘプチルトリメトキシシラン、n−オクチルトリメトキシシラン、n−デシルトリメトキシシラン、p−スチリルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、シクロヘキシルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、3−クロロプロピルトリメトキシシラン、3−クロロプロピルトリエトキシシラン、3,3,3−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、3,3,3−トリフルオロプロピルトリエトキシシラン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、2−ヒドロキシエチルトリメトキシシラン、2−ヒドロキシエチルトリエトキシシラン、2−ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン、2−ヒドロキシプロピルトリエトキシシラン、3−ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン、3−ヒドロキシプロピルトリエトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、3−イソシアナートプロピルトリメトキシシラン、3−イソシアナートプロピルトリエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリエトキシシラン、3−(メタ)アクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、3−(メタ)アクリルオキシプロピルトリエトキシシラン、3−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、3−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、3−エチル(トリメトキシシリルプロポキシメチル)オキセタン、3−エチル(トリエトキシシリルプロポキシメチル)オキセタン、3−トリエトキシシリル−N−(1,3−ジメチル−ブチリデン)プロピルアミン、ビス(トリエトキシシリルプロピル)テトラスルフィドなどのトリアルコキシシラン類、
ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジ−n−プロピルジメトキシシラン、ジ−n−プロピルジエトキシシラン、ジ−i−プロピルジメトキシシラン、ジ−i−プロピルジエトキシシラン、ジ−n−ブチルジメトキシシラン、ジ−n−ペンチルジメトキシシラン、ジ−n−ペンチルジエトキシシラン、ジ−n−ヘキシルジメトキシシラン、ジ−n−ヘキシルジエトキシシラン、ジ−n−へプチルジメトキシシラン、ジ−n−ヘプチルジエトキシシラン、ジ−n−オクチルジメトキシシラン、ジ−n−オクチルジエトキシシラン、ジ−n−シクロヘキシルジメトキシシラン、ジ−n−シクロヘキシルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、3−メタクリルオキシプロピルメチルジメトキシシラン、3−アクリルオキシプロピルメチルジメトキシシラン、3−メタクリルオキシプロピルメチルジエトキシシラン、3−アクリルオキシプロピルメチルジエトキシシラン、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルメチルジメトキシシランなどのジアルコキシシラン類の他、
メチルトリアセチルオキシシラン、ジメチルジアセチルオキシシラン、商品名X−12−414、KBP−44(信越化学工業株式会社製)、217FLAKE、220FLAKE、233FLAKE、z6018(東レダウコーニング株式会社製)等のケイ素原子含有化合物;
(アセトアルコキシアルミウムジイソプロピレート)等のアルミニウム原子含有化合物;
(テトラノルマルプロポキシジルコニウム、テトラノルマルブトキシジルコニウム、ジルコニウムテトラアセチルアセトネート、ジルコニウムトリブトキシアセチルアセトネート、ジルコニウムものブトキシアセチルアセトネートビス(エチルアセトアセテート)、ジルコニウムジブトキシビス(エチルアセトアセテート)、ジルコニウムテトラアセチルアセトネート、ジルコニウムトリブトキシステアレート)等のジルコニウム原子含有化合物;が挙げられる。
混合の方法は特に限定されないが、感放射線性樹脂組成物を構成する各成分を溶剤に溶解又は分散して得られる溶液又は分散液を混合するのが好ましい。これにより、感放射線性樹脂組成物は、溶液又は分散液の形態で得られる。
次いで、本発明の半導体素子基板について、説明する。本発明の半導体素子基板は、上述した感放射線性樹脂組成物からなる樹脂膜を有し、該樹脂膜は、半導体素子基板に実装されている半導体素子表面、又は半導体素子に含まれる半導体層と接触して形成される。
潜像パターンを有する樹脂膜に現像液を接触させる方法としては、例えば、パドル法、スプレー法、ディッピング法等の方法が用いられる。現像は、通常、0〜100℃、好ましくは5〜55℃、より好ましくは10〜30℃の範囲で、通常、30〜180秒間の範囲で適宜選択される。
さらに、必要に応じて、感放射線化合物(C)を失活させるために、半導体素子基板全面に、活性放射線を照射することもできる。活性放射線の照射には、上記潜像パターンの形成に例示した方法を利用できる。照射と同時に、又は照射後に樹脂膜を加熱してもよい。加熱方法としては、例えば、半導体素子基板をホットプレートやオーブン内で加熱する方法が挙げられる。温度は、通常、100〜300℃、好ましくは120〜200℃の範囲である。
特に、本発明の半導体素子基板が、アクティブマトリックス基板である場合には、ゲート電極の電圧の増加に対して、ソース電極/ドレイン電極間の電流が直線的に立ち上がるという特性を備えるものとすることができ、しかも高温高湿環境下に長時間保持しても、リーク電流特性や閾値電圧が変化せず、そのため、アクティブマトリックス基板を、長寿命かつ低消費電力であり、さらには高コントラストなものとすることができる。
なお、各特性の定義及び評価方法は、以下のとおりである。
感放射線性樹脂組成物をシリコンウェハ上にスピンコートした後、ホットプレートを用いて100℃で2分間プリベークして、2.5μm厚の樹脂膜を形成した。次いで、この樹脂膜に、5μm×5μmのホールパターンのマスクを介して、365nmにおける光強度が5mW/cm2である紫外線を、40秒間、空気中で照射した。次いで、0.4重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて、23℃、60秒間現像処理を行った後、超純水で30秒間リンスしてコンタクトホールのパターンを形成した。
そして、このようにして得られたコンタクトホールのパターンを有する樹脂膜について、走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて、コンタクトホール内における、溶解残渣の有無、及び未露光部表面の荒れの有無の評価を行った。溶解残渣及び未露光部表面の荒れのいずれも観測されない方が、現像によるパターン形成性に優れるため、好ましい。
上記と同様にして得られたコンタクトホールのパターンを有する樹脂膜に、365nmにおける光強度が5mW/cm2である紫外線を、90秒間、空気中で照射し、次いで、オーブンを用いて230℃、1時間ポストベークを行なった。そして、得られたポストベーク後の樹脂膜について、光学顕微鏡により、コンタクトホールを観察し、以下の基準に従って、焼成時ホール状態の評価を行った。
○:コンタクトホールの埋没、及びコンタクトホールの形状の歪みが観察されない。
×:コンタクトホールが埋まっている、又はコンタクトホールの形状が歪んでいる。
また、上記とは別に、得られたポストベーク後の樹脂膜について、鉛筆硬度を測定することにより、焼成時膜硬度の評価を行った。焼成時膜硬度は高いほど好ましい。
感放射線性樹脂組成物をシリコンウェハ上にスピンコートした後、ホットプレートを用いて100℃で2分間プリベークして、0.12μm厚の樹脂膜を形成した。次いで、樹脂膜全面に高圧水銀灯を用いて光を照射し、樹脂膜中に残存する分解していない感放射線化合物を分解させた。次いで、窒素雰囲気中において230℃で1時間ホットプレートで加熱することにより、樹脂膜が形成されシリコンウェハからなる試験用試料を得た。
そして、得られた試験用試料を用いて、JIS C6481に準じて、10KHz(室温)で、樹脂膜の比誘電率を測定した。比誘電率は低いほど好ましい。
上記比誘電率の評価と同様にして、試験用試料を作製し、得られた試験用試料を用いて、樹脂膜の絶縁破壊電圧を測定した。なお、本実施例においては、樹脂膜に、直流電圧を50V/分で印加し、漏れ電流が1×10−6mA/cm3以上となったときの電圧を絶縁破壊電圧とした。絶縁破壊電圧は高いほど好ましい。
上記比誘電率の評価と同様にして、試験用試料を作製し、得られた試験用試料について、分光光度計(日本分光株式会社製、紫外可視分光光度計V−560)を用いて、波長400nmでの透過率の測定を行うことで、樹脂膜の透明性を評価した。
アクティブマトリックス基板のソース電極とドレイン電極の間に20Vの電圧を印加し、ゲート電極に印加する電圧を−20〜+30Vに変化させて、ソース電極とドレイン電極との間に流れる電流を、マニュアルプローバー及び半導体パラメータアナライザー(Agilent社製、4156C)を用いて測定することで、リーク電流および閾値電圧の測定を行なった。なお、測定は、初期状態(高温、高湿環境に保持する前)のアクティブマトリックス基板、及び50℃、80%RHの高温、高湿環境に100時間保持した後のアクティブマトリックス基板のそれぞれについて行なった。
N−(2−エチルヘキシル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド(NEHI)40モル%、および8−ヒドロキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3−エン(TCDC)60モル%からなる単量体混合物100部、1,5−ヘキサジエン2部、(1,3−ジメシチルイミダゾリン−2−イリデン)(トリシクロヘキシルホスフィン)ベンジリデンルテニウムクロリド(Org.Lett.,第1巻,953頁,1999年 に記載された方法で合成した)0.02部、及びジエチレングリコールメチルエチルエーテル400部を、窒素置換したガラス製耐圧反応器に仕込み、攪拌しつつ80℃にて4時間反応させて重合反応液を得た。
N−(2−エチルヘキシル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド(NEHI)の配合割合を50モル%、8−ヒドロキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3−エン(TCDC)の配合割合を50モル%に変更した以外は、合成例1と同様にして、重合体(II)を得た。得られた重合体(II)の重合転化率は99.5%、重量平均分子量は5670、数平均分子量は3520、分子量分布は1.61、水素添加率は、99.9%であった。
<感放射線性樹脂組成物の調製>
合成例1で得られた重合体(I)100部、溶剤としてのジエチレングリコールエチルメチルエーテル(EDM)550部、架橋剤(B)としてのN,N,N’,N’,N’’,N’’−(ヘキサアルコキシアルキル)メラミン系架橋剤(商品名「サイメル370」、サイテックインダストリーズ社製)15部、同じく架橋剤(B)としての2,2−ビス(ヒドロキシメチル)1−ブタノールの1,2−エポキシ−4−(2−オキシラニル)シクロヘキサン付加物(商品名「EHPE3150」、ダイセル化学工業社製、シクロヘキサン骨格及び末端エポキシ基を有する15官能性の脂環式エポキシ樹脂)10部、感放射線化合物(C)としての1,1,3−トリス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−3−フェニルプロパン(1モル)と1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロライド(1.9モル)との縮合物30部、及び、カップリング剤としての(3−グリシジルオキシプロピル)トリメトキシシラン(商品名「SH6040」、東レ・ダウコーニング社製)40部を混合し、溶解させた後、孔径0.45μmのポリテトラフルオロエチレン製フィルターでろ過して感放射線性樹脂組成物を調製した。
ガラス基板(商品名「コーニング1737」、コーニング社製)上に、スパッタリング装置を用いて、クロムを200nmの膜圧で形成し、フォトリソグラフィによリパターニングを行い、ゲート電極、ゲート信号線及びゲート端子部を形成した。次いで、CVD装置により、ゲート電極とゲート電極を覆って、ゲート絶縁膜となるシリコン窒化物膜を450nmの厚さ、半導体層となるa−Si層(アモルファスシリコン層)を250nmの厚さ、オーミックコンタクト層となるn+Si層を50nmの厚さで連続形成し、n+Si層とa−Si層をアイランド状にパターニングした。さらに、ゲート絶縁膜とn+Si層上にスパッタリング装置で、クロムを200nmの膜厚で形成し、フォトリソグラフィにより、ソース電極、ソース信号線、ドレイン電極、及びデータ端子部を形成し、ソース電極とドレイン電極の間の不要なn+Si層を除去してバックチャネルを形成し、ガラス基板上に複数の薄膜トランジスタが形成されたアレイ基板を得た。
合成例1で得られた重合体(I)100部、溶剤としてのジエチレングリコールエチルメチルエーテル(EDM)550部、架橋剤(B)としてのN,N,N’,N’,N’’,N’’−(ヘキサアルコキシアルキル)メラミン系架橋剤(商品名「サイメル232」、サイテックインダストリーズ社製)30部、同じく架橋剤(B)としてのエポキシ化ブタンテトラカルボン酸テトラキス(3−シクロヘキセニルメチル)修飾ε−カプロラクトン(商品名「エポリードGT401」、ダイセル化学工業社製、脂肪族環状4官能性のエポキシ樹脂)10部、感放射線化合物(C)としての1,1,3−トリス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−3−フェニルプロパン(1モル)と1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロライド(1.9モル)との縮合物30部、及び酸性化合物としての2,4,6−トリメルカプト−s−トリアジン(商品名「Zisnet−F」、三共化成社製)5部を混合し、溶解させた後、孔径0.45μmのポリテトラフルオロエチレン製フィルターでろ過して感放射線性樹脂組成物を調製した。また、得られた感放射線性樹脂組成物を用いて、実施例1と同様にして、アクティブマトリックス基板を得た。
そして、上記にて得られた感放射線性樹脂組成物及びアクティブマトリックス基板を用いて、実施例1と同様にして各評価を行った。結果を表1に示す。
合成例2で得られた重合体(II)100部、溶剤としてのジエチレングリコールエチルメチルエーテル(EDM)550部、架橋剤(B)としてのN,N,N’,N’,N’’,N’’−(ヘキサアルコキシアルキル)メラミン系架橋剤(商品名「サイメル370」、サイテックインダストリーズ社製)40部、同じく架橋剤(B)としてのエポキシ化ブタンテトラカルボン酸テトラキス(3−シクロヘキセニルメチル)修飾ε−カプロラクトン(商品名「エポリードGT401」、ダイセル化学工業社製、脂肪族環状4官能性のエポキシ樹脂)10部、感放射線化合物(C)としての1,1,3−トリス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−3−フェニルプロパン(1モル)と1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロライド(1.9モル)との縮合物30部、酸性化合物としてのピラジン−2,3−ジカルボン酸1部、及びカップリング剤としての(3−グリシジルオキシプロピル)トリメトキシシラン(商品名「SH6040」、東レ・ダウコーニング社製)10部を混合し、溶解させた後、孔径0.45μmのポリテトラフルオロエチレン製フィルターでろ過して感放射線性樹脂組成物を調製した。また、得られた感放射線性樹脂組成物を用いて、実施例1と同様にして、アクティブマトリックス基板を得た。
そして、上記にて得られた感放射線性樹脂組成物及びアクティブマトリックス基板を用いて、実施例1と同様にして各評価を行った。結果を表1に示す。
合成例1で得られた重合体(I)100部の代わりに、シクロオレフィン重合体(商品名「ARTON (F5023)」、JSR社製)100部を用い、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル(EDM)550部の代わりに、メシチレン900部を用いた以外は、実施例1と同様にして、感放射線性樹脂組成物を調製した。また、得られた感放射線性樹脂組成物を用いて、実施例1と同様にして、アクティブマトリックス基板を得た。
そして、上記にて得られた感放射線性樹脂組成物及びアクティブマトリックス基板を用いて、実施例1と同様にして各評価を行った。結果を表1に示す。
比較例2においては、感放射線性樹脂組成物として、アクリル樹脂を含有する感放射線性樹脂組成物(商品名「オプトマー (PC403)」、JSR社製)を準備した。また、準備した感放射線性樹脂組成物を用いて、実施例1と同様にして、アクティブマトリックス基板を得た。
そして、上記にて準備したアクリル樹脂を含有する感放射線性樹脂組成物及び上記にて得られたアクティブマトリックス基板を用いて、実施例1と同様にして各評価を行った。結果を表1に示す。
比較例3においては、感放射線性樹脂組成物として、ポリイミド樹脂を含有する感放射線性樹脂組成物(商品名「フォトニースPW−2100」、東レ社製)を準備した。また、準備した感放射線性樹脂組成物を用いて、実施例1と同様にして、アクティブマトリックス基板を得た。
そして、上記にて準備したポリイミド樹脂を含有する感放射線性樹脂組成物及び上記にて得られたアクティブマトリックス基板を用いて、実施例1と同様にして各評価を行った。結果を表1に示す。
これらの結果より、本発明所定の感放射線性樹脂組成物を用いて得られる樹脂膜は、半導体素子基板、特に、アクティブマトリックス基板の樹脂膜として好適であるといえる。
また、比較例2,3の結果より、感放射線性樹脂組成物に含有させる樹脂として、アクリル樹脂やポリイミド樹脂を用いた場合には、絶縁破壊電圧が低く、また、リーク電流も大きくなる結果となった。なお、比較例2,3においては、リーク電流が大き過ぎたため、高温、高湿条件保持後のリーク電流、及び閾値電圧については、測定不能であった。
実施例4においては、実施例1において調製した感放射線性樹脂組成物からなる封止膜を有する有機EL素子基板を、以下の方法により、作製した。
すなわち、まず、表面にパターニングされたクロム電極層12を有する25mm×75mm×1.1mmサイズのガラス板上に、厚さ1.0μmの遮光膜を介して、膜厚3.5μmの逆テーパ型樹脂隔壁層が設けられた構造を有した有機EL素子用の基板を準備した。そして、該基板を、市販の蒸着装置[日本真空技術社製]の基板ホルダーに固定すると共に、モリブデン製抵抗加熱ボートにN,N'−ビス(3−メチルフェニル)−N,N'−ジフェニル−[1,1'−ビフェニル]−4,4'−ジアミン(以下、TPDと略記する)200mgを入れ、また別のモリブデン製抵抗加熱ボートに4,4'−ビス(2,2'−ジフェニルビニル)ビフェニル(以下、DPVBiと略記する)200mgを入れたのち、真空槽を1×10−4Paまで減圧した。
Claims (10)
- 前記重合体(A)中における、前記一般式(1)で表される単量体の単位(a1)の含有割合が、10〜90モル%である請求項1に記載の半導体素子基板。
- 前記重合体(A)が、前記一般式(1)で表される単量体と共重合可能な単量体の単位(a2)をさらに含む請求項1又は2に記載の半導体素子基板。
- 前記共重合可能な単量体の単位(a2)が、プロトン性極性基を有する環状オレフィン単量体の単位である請求項3に記載の半導体素子基板。
- 前記プロトン性極性基を有する環状オレフィン単量体の単位が、カルボキシ基含有環状オレフィン単量体の単位である請求項4に記載の半導体素子基板。
- 前記重合体(A)が、前記一般式(1)で表される単量体と、前記プロトン性極性基を有する環状オレフィン単量体と、を開環共重合してなる重合体である請求項4又は5に記載の半導体素子基板。
- 前記重合体(A)が、前記一般式(1)で表される単量体と、前記プロトン性極性基を有する環状オレフィン単量体と、を開環共重合してなる重合体の水素添加物である請求項6に記載の半導体素子基板。
- 前記架橋剤(B)が、アミノ基含有化合物と、エポキシ基含有化合物とを併用してなるものである請求項1〜7のいずれかに記載の半導体素子基板。
- 前記エポキシ基含有化合物が、脂環構造を有するエポキシ基含有化合物である請求項8に記載の半導体素子基板。
- アクティブマトリックス基板又は有機EL素子基板である請求項1〜9のいずれかに記載の半導体素子基板。
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