JPWO2011033698A1 - 電力変換装置 - Google Patents
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- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims abstract description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 47
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 38
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 34
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 101150041001 Lmf2 gene Proteins 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
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Abstract
Description
Siトランジスタと非Siトランジスタとを直列に接続してなる直列回路を備えて成り、Siトランジスタの変換要領が0.1kVA〜200kVAであって、非SiトランジスタがSiCまたはGaN系パワー半導体から成る。このように2つのトランジスタを直列接続することで直列回路全体の耐電圧が向上し、また非Si系のトランジスタの高速動作により直列回路全体でスイッチング損失を低下できる(例えば、特許文献1参照)。
以下、この発明の実施の形態1を図に基づいて説明する。
図1は、この発明の実施の形態1による電力変換装置の構成を示す図である。
図1に示すように、電力変換装置は、第1の単相インバータ1から成る主インバータ(第1のインバータ回路)と、第2の単相インバータ2から成る副インバータ(第2のインバータ回路)とを備えて、単相負荷9に交流電力を供給する。
第1の単相インバータ1には、非Siで、Siよりもバンドギャップが広いワイドバンドギャップ半導体材料、例えばSiCやGaNなどから成るデバイスが用いられる。この場合、第1の単相インバータ1は、SiC−SBD(SiC−ショットキバリアダイオード)4をそれぞれ逆並列に接続した複数個の非Siパワー半導体スイッチング素子としてのSiC−MOSFET3と、第1の直流電圧部としての直流電源5とを備えて、該直流電源5からの直流電力を交流電力に変換して出力する。この第1の単相インバータ1は、単相負荷9へのエネルギの供給源として動作する。
なお、第2の直流電圧部には、図2に示すように直流電源10を用いても良く、その場合は、第2の単相インバータ2も、単相負荷9へのエネルギの供給源として動作する。
第1、第2の単相インバータ1、2は、それぞれ出力として正、負およびゼロの電圧を発生することができる。電力変換装置は、第1の単相インバータ1の交流側出力端と第2の単相インバータ2の交流側出力端とを直列に接続して構成され、各単相インバータ1、2の発生電圧を組み合わせることによって、その総和として所定の電圧波形による交流電力を単相負荷9に供給する。
即ち、直流電源5の電圧Vdc−mainと、コンデンサ8の電圧Vdc−subとは、
Vdc−main>Vdc−sub
Vdc−main+Vdc−sub≧負荷最大電圧
となるように設定される。
図3は、第1の単相インバータ1の出力電圧を示す波形図である。図3(a)、図3(b)は、第1の単相インバータ1の2種の出力電圧を示すもので、図3(a)は半周期に1パルスで出力する場合、図3(b)は半周期に3パルスで出力する場合を示す。図4は、第2の単相インバータ2の出力電圧を示す波形図である。
図に示すように、SiC−MOSFET3を用いた第1の単相インバータ1は、半周期に1パルスから数パルス程度の電圧波形で出力する、即ち第1の単相インバータ1は低周波でのスイッチングにより動作する。また、Si−MOSFET6を用いた第2の単相インバータ2は、高周波PWMによるスイッチングにて動作する。
図5に示すように、電力変換装置全体の目標出力負荷電圧11から、第1の単相インバータ1の出力電圧12(主インバータ出力電圧)を差し引いた差電圧の値を、演算器13にて演算し、該差電圧値を第2の単相インバータ2の目標出力電圧(副インバータ目標電圧)として、PWM回路14にてPWM変換することにより第2の単相インバータ2を駆動するPWM信号(副インバータ駆動信号)を生成する。
このとき、第2の単相インバータ2のコンデンサ8の充放電をバランスさせるため、第2の単相インバータ2の1周期での電力負担が0となるように、第1の単相インバータ1は出力制御される。
なお、電力変換装置全体の目標出力負荷電圧11から差し引くのは、第1の単相インバータ1の出力電圧12の替わりに第1の単相インバータ1の目標出力電圧でも良い。
図6は、SiC−MOSFETとSi−MOSFETとのデバイスの特性を示す図であり、特に素子耐圧と導通損失の関係を示す。
一般に、Siよりバンドギャップが広い非SiであるSiC材料は絶縁耐圧が高いという優れた特性を備えているため、SiC−MOSFETのオン抵抗はSi−MOSFETのそれに比べて1/数100の低い値となる。このため、素子耐圧を大きくすると、Si−MOSFETでは、オン抵抗による導通損失が急激に増大するが、SiC−MOSFETでは導通損失が比較的低く抑えられる。
逆に、SiC−MOSFETは、素子耐圧が600V超と大きくなっても、導通損失が比較的低く抑えられるため、600V超の高い電圧で動作するインバータ回路での用途に適している。
また、Si−MOSFET素子Y(Si−MOSFET6)を用い、電圧Vdc−sub(=mVy)のコンデンサ8を備えた第2の単相インバータ2を高周波で動作させる。このSi−MOSFET素子Yのスイッチング損失は導通損失と比較して十分に小さいため、Si−MOSFET素子Yの全体損失も、ほぼ導通損失Lyと考えることができる。
なお、ここでk、mは、素子耐圧に対するインバータ直流電圧の比率であり、一般には0.5〜0.8の値が選ばれる。また、各素子X、Yは第1、第2の単相インバータ1、2を構成しているので、SiC−MOSFET素子XにはkVx以下の電圧が印加され、Si−MOSFET素子YにはmVy以下の電圧が印加される。
仮に、第1の単相インバータ1に素子耐圧VxのSi−MOSFETを用いた場合と比較すると、この実施の形態では、導通損失は差分C1で大きく低減できる。また第2の単相インバータ1に素子耐圧VyのSiC−MOSFETを用いた場合と比較すると、この実施の形態の方が、導通損失は差分C2で増大しているが、この差分C2は上記C1に対して各段と小さい。
このため、大容量の出力フィルタが不要になり、大電力制御に使用可能な小型で高効率な電力変換装置が得られる。
次に、この発明の実施の形態2を図に基づいて説明する。
図7は、この発明の実施の形態2による電力変換装置の構成を示す図である。
図7に示すように、電力変換装置は、3相インバータ21から成る主インバータ(第1のインバータ回路)の各相交流出力線にそれぞれ単相インバータ22a、22b、22cの交流側出力端を直列接続して、3相負荷29に交流電力を供給する。
3相インバータ21には、非Si、例えばSiCやGaNなどのワイドバンドギャップ半導体材料からなるデバイスが用いられる。この場合、3相インバータ21は、SiC−ダイオード24を逆並列に接続した複数個のSiCパワー半導体スイッチング素子としてのSiC−MOSFET23と、第1の直流電圧部としての直流電源25とを備えて、該直流電源25からの直流電力を交流電力に変換して出力する。この3相インバータ21は、3相負荷29へのエネルギの供給源として動作する。
なお、第2の直流電圧部には、図2に示すように直流電源10を用いても良く、その場合は、各単相インバータ22a〜22cも、3相負荷29へのエネルギの供給源として動作する。
3相インバータ21の各相交流出力線にそれぞれ単相インバータ22a、22b、22cが接続されるため、交流各相にて3相インバータ21と単相インバータ22a〜22cとの発生電圧が組み合わされ、所定の電圧波形による3相交流電力が3相負荷29に供給される。この場合、3相インバータ21の電圧に2つの単相インバータ22a〜22cの電圧を加えた電圧値が、必要な最大線間電圧以上となっていることで、必要な電圧を発生することが可能である。
即ち、直流電源25の電圧Vdc−mainと、コンデンサ28の電圧Vdc−subとは、
Vdc−main>Vdc−sub
Vdc−main+Vdc−sub×2≧負荷最大電圧(最大線間電圧)
となるように設定される。
これにより、上記実施の形態1と同様に、電力変換装置はコスト上昇を抑えて信頼性よく損失低減が図れ、変換効率が向上する。
このため、大容量の出力フィルタが不要になり、大電力制御に使用可能な小型で高効率な電力変換装置が得られる。
次に、この発明の実施の形態3を図に基づいて説明する。
図8は、この発明の実施の形態3による電力変換装置の構成を示す図である。
図8に示すように、電力変換装置は、第1の3相インバータ31から成る主インバータ(第1のインバータ回路)と、第2の3相インバータ32から成る副インバータ(第2のインバータ回路)とを備えて、3相負荷39に交流電力を供給する。3相負荷39は各相が独立した巻線負荷などから成り各相が切り離されている。また第1の3相インバータ31の各相交流出力線が3相負荷39の各相を介して第2の3相インバータ32の各相の交流出力端に直列接続される。即ち、第1、第2の3相インバータ31、32は3相負荷39に両側から電力供給する。
なお、第2の直流電圧部には、図2に示すように直流電源10を用いても良く、その場合は、第2の3相インバータ32も、3相負荷39へのエネルギの供給源として動作する。
電力変換装置は、各相にて第1の3相インバータ31と第2の3相インバータ32との発生電圧を組み合わせることによって、所定の電圧波形による3相交流電力を3相負荷39に供給する。この場合、第1の3相インバータ31の電圧に第2の3相インバータ32の電圧を加えた電圧値が、必要な最大線間電圧以上となっていることで、必要な電圧を発生することが可能である。
即ち、第1の直流電源35の電圧Vdc−mainと、コンデンサ38の電圧Vdc−subとは、
Vdc−main>Vdc−sub
Vdc−main+Vdc−sub≧負荷最大電圧(最大線間電圧)
となるように設定される。
これにより、上記実施の形態1と同様に、電力変換装置はコスト上昇を抑えて信頼性よく損失低減が図れ、変換効率が向上する。
このため、大容量の出力フィルタが不要になり、大電力制御に使用可能な小型で高効率な電力変換装置が得られる。
また、上記実施の形態2、3においても、MOSFETは内部に寄生ダイオードが形成されており、逆並列接続されたダイオードの代わりに寄生ダイオードを用いることで、ダイオードを省略することも可能である。このようにすることで、ダイオード分のコスト低減、実装面積の縮小が可能となる。
さらに、バイポーラトランジスタやGCT等のデバイスでも好ましい効果が得られる。
次に、この発明の実施の形態4について説明する。
この実施の形態4では、図9に示すように、上記実施の形態1で示した第1、第2の単相インバータ1、2の直流電圧部である直流電源5、コンデンサ8と各アームとの間にコンデンサCo、Csを接続する。
一方、低周波で動作する第1の単相インバータ1は、スイッチング速度を速くする必要がないため、サージ電圧による悪影響を考慮する必要が無い。このため、第1の単相インバータ1の直流電源5と各アームとの間に接続するコンデンサCoは、コンデンサCsのようにインダクタンス、インピーダンスが小さい必要は無く、安価なコンデンサを用いることができる。
このように、第1の単相インバータ1の直流電源5から各アームまでの配線のインダクタンスやインピーダンスよりも、第2の単相インバータ2のコンデンサ8から各アームまでの配線のインダクタンスやインピーダンスを小さくすることで、信頼性が高く安価な回路構成の電力変換装置が実現できる。
次に、この発明の実施の形態5について説明する。
この実施の形態5では、図10に示すように、上記実施の形態1による第1の単相インバータ1の各アームを構成するSiC素子部1aと第2の単相インバータ2の各アームを構成するSi素子部2aとを1つのパワーモジュール40に収納する。
第1の単相インバータ1のSiC素子部1aは、SiC−MOSFET3とSiC−ダイオード4とで構成され、第2の単相インバータ2のSi素子部2aは、Si−MOSFET6とSi−ダイオード7とで構成される。なお、Ps、Nsは第1の単相インバータ1の直流母線であり、Pf、Nfは第2の単相インバータ2の直流母線である。また、パワーモジュール内のSiC素子部1aの2つのアームの各配線インダクタンスをLms1、Lms2で示し、Si素子部2aの2つのアームの各配線インダクタンスをLmf1、Lmf2で示した。
この実施の形態では、Lms1>Lmf1、Lms2>Lmf2を満たすように、各素子および配線を配設する。これにより、安価な回路構成でSi素子部2aの配線インダクタンスLmf1、Lmf2を小さくでき、サージ電圧が抑制された信頼性の高い電力変換装置が実現できる。
このように上記実施の形態2、3による回路構成の電力変換装置に適用した場合も、この実施の形態と同様に、安価な回路構成でサージ電圧が抑制された信頼性の高い電力変換装置が実現できると共に、電力変換装置の小型化も促進できる。
Claims (19)
- 第1の直流電圧部と非Siによる複数の半導体素子とを備えた第1のインバータ回路と、
上記第1の直流電圧部より小さな電圧を有する第2の直流電圧部と複数の半導体素子とを備えた第2のインバータ回路とを備え、
上記第1のインバータ回路の交流側出力端と上記第2のインバータ回路の交流側出力端とを直列に接続し、上記第1、第2のインバータ回路の出力の合成により所定の電圧波形による交流電力を負荷に供給する電力変換装置。 - 上記第2のインバータ回路の上記複数の半導体素子がSiによる素子である請求項1に記載の電力変換装置。
- 上記第1のインバータ回路を駆動するスイッチング周波数は、上記第2のインバータ回路を駆動するスイッチング周波数より小さい請求項1に記載の電力変換装置。
- 上記第1のインバータ回路を駆動するスイッチング周波数は、上記第2のインバータ回路を駆動するスイッチング周波数より小さい請求項2に記載の電力変換装置。
- 上記第1、第2のインバータ回路の内、上記第2のインバータ回路のみが高周波PWM制御される請求項3または4に記載の電力変換装置。
- 上記第1のインバータ回路および上記第2のインバータ回路は、それぞれ単相インバータで構成される請求項1〜4のいずれか1項に記載の電力変換装置。
- 上記第1のインバータ回路はn相インバータで構成され、上記第2のインバータ回路は少なくともn個の単相インバータで構成され、
上記第1のインバータ回路の各相交流出力線に、上記第2のインバータ回路の上記各単相インバータの交流側出力端を直列に接続し、各相にて上記第1、第2のインバータ回路の出力を合成し、所定の電圧波形によるn相交流電力をn相負荷に供給する請求項1〜4のいずれか1項に記載の電力変換装置。 - 上記第1のインバータ回路の交流側出力端と上記第2のインバータ回路の交流側出力端とは、上記負荷を挟んで直列に接続され、上記第1のインバータ回路と上記第2のインバータ回路とで上記負荷に両側から電力供給する請求項1〜4のいずれか1項に記載の電力変換装置。
- 上記第1のインバータ回路は、上記非Siによる複数の半導体素子として複数の非Si半導体スイッチング素子を備える請求項1〜4のいずれか1項に記載の電力変換装置。
- 上記第1のインバータ回路内の上記各非Si半導体スイッチング素子の耐圧は600V以上である請求項9に記載の電力変換装置。
- 上記第1のインバータ回路は、2つの非Si半導体スイッチング素子の直列接続体を少なくとも一対有し、該直列接続体の一方の非Si半導体スイッチング素子のオフ動作完了から次のオン動作直前までの間に、他方の非Si半導体スイッチング素子をオンさせる請求項9に記載の電力変換装置。
- 上記第1のインバータ回路内の上記各非Si半導体スイッチング素子にSiC−MOSFETを用いた請求項9に記載の電力変換装置。
- 上記第1のインバータ回路内の上記各非Si半導体スイッチング素子にバイポーラデバイスを用いた請求項9に記載の電力変換装置。
- 上記第2のインバータ回路は、上記複数の半導体素子として複数のSi半導体スイッチング素子を備え、該各Si半導体スイッチング素子および上記第1のインバータ回路内の上記各非Si半導体スイッチング素子に、ユニポーラデバイスを用いた請求項9に記載の電力変換装置。
- 上記第1のインバータ回路は、複数の半導体スイッチング素子および複数のダイオードを備え、該複数のダイオードが上記非Siによる複数の半導体素子である請求項1〜4のいずれか1項に記載の電力変換装置。
- 上記複数のダイオードは、SiC−ショットキバリアダイオードである請求項15に記載の電力変換装置。
- 上記第2のインバータ回路は、上記Siによる複数の半導体素子としての複数の半導体スイッチング素子と、非Siによる複数のダイオードとを備える請求項2に記載の電力変換装置。
- 上記第2のインバータ回路における上記第2の直流電圧部から該第2のインバータ回路の各アームまでの配線インダクタンスは、上記第1のインバータ回路における上記第1の直流電圧部から該第1のインバータ回路の各アームまでの配線インダクタンスよりも小さい請求項1〜4のいずれか1項に記載の電力変換装置。
- 上記第1のインバータ回路内の上記非Siによる複数の半導体素子と上記第2のインバータ回路内の複数の半導体素子とを、同一のモジュール内に収納した請求項1〜4のいずれか1項に記載の電力変換装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011531762A JP5450635B2 (ja) | 2009-09-16 | 2010-05-07 | 電力変換装置 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009214411 | 2009-09-16 | ||
JP2009214411 | 2009-09-16 | ||
JP2011531762A JP5450635B2 (ja) | 2009-09-16 | 2010-05-07 | 電力変換装置 |
PCT/JP2010/003126 WO2011033698A1 (ja) | 2009-09-16 | 2010-05-07 | 電力変換装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2011033698A1 true JPWO2011033698A1 (ja) | 2013-02-07 |
JP5450635B2 JP5450635B2 (ja) | 2014-03-26 |
Family
ID=43758317
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011531762A Active JP5450635B2 (ja) | 2009-09-16 | 2010-05-07 | 電力変換装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8861235B2 (ja) |
JP (1) | JP5450635B2 (ja) |
CN (1) | CN102511123B (ja) |
DE (1) | DE112010003664T5 (ja) |
WO (1) | WO2011033698A1 (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9007789B2 (en) * | 2011-12-12 | 2015-04-14 | Chen Na | Electric circuit for high voltage power conversion |
DE102012101156A1 (de) * | 2012-02-14 | 2013-08-14 | Lti Drives Gmbh | Netzeinspeisevorrichtung, Energieeinspeisesystem sowie Verfahren zum Betrieb einer Netzeinspeisevorrichtung |
JP6009833B2 (ja) * | 2012-06-19 | 2016-10-19 | 株式会社東芝 | 電力変換装置 |
CN103516239B (zh) * | 2012-06-29 | 2016-04-20 | 通用电气公司 | 改进的变流器调制系统和方法 |
US9248751B2 (en) * | 2013-03-15 | 2016-02-02 | Qualcomm Incorporated | Mixed semiconductor H-bridge power converters and methods related thereto |
WO2014199422A1 (ja) * | 2013-06-10 | 2014-12-18 | 株式会社 日立製作所 | 電力変換装置 |
CN103475244A (zh) * | 2013-09-06 | 2013-12-25 | 西安电子科技大学 | 单相逆变器的主电路 |
CN103475253A (zh) * | 2013-09-06 | 2013-12-25 | 西安电子科技大学 | 单相逆变器 |
WO2016031037A1 (ja) * | 2014-08-29 | 2016-03-03 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | インバータ |
US9837921B2 (en) | 2014-09-08 | 2017-12-05 | Infineon Technologies Austria Ag | Multi-cell power conversion method and multi-cell power converter |
US9584034B2 (en) | 2014-09-08 | 2017-02-28 | Infineon Technologies Austria Ag | Power converter circuit and method with asymmetrical half bridge |
US9929662B2 (en) | 2014-09-08 | 2018-03-27 | Infineon Technologies Austria Ag | Alternating average power in a multi-cell power converter |
US9762134B2 (en) | 2014-09-08 | 2017-09-12 | Infineon Technologies Austria Ag | Multi-cell power conversion method and multi-cell power converter |
US20160072395A1 (en) * | 2014-09-08 | 2016-03-10 | Infineon Technologies Austria Ag | Multi-cell power conversion method and multi-cell power converter |
CN104533725B (zh) * | 2015-01-19 | 2017-09-15 | 台达电子工业股份有限公司 | 风力发电系统 |
SE541525C2 (en) * | 2015-11-18 | 2019-10-29 | Abb Schweiz Ag | Active filter topology for cascaded inverters |
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JP6997660B2 (ja) * | 2018-03-26 | 2022-01-17 | 株式会社Soken | 電動機駆動システム |
CN109873424B (zh) | 2019-04-17 | 2019-11-22 | 山东大学 | 一种混合式级联apf拓扑结构及其控制方法 |
DE102022205304A1 (de) | 2022-05-25 | 2023-11-30 | Vitesco Technologies GmbH | Fahrzeugantrieb-Inverter mit hybrider Transistortechnologie und leistungsabhängiger Transistornutzung |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000072433A1 (fr) | 1999-05-19 | 2000-11-30 | Kansai Research Institute | Circuit de commutation |
JP4468840B2 (ja) * | 2005-02-25 | 2010-05-26 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置 |
US7602626B2 (en) | 2005-02-25 | 2009-10-13 | Mitsubishi Electric Corporation | Power conversion apparatus |
EP1852964B1 (en) * | 2005-02-25 | 2012-01-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Power conversion apparatus |
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JP5770412B2 (ja) * | 2008-01-31 | 2015-08-26 | ダイキン工業株式会社 | 電力変換装置 |
US8866342B2 (en) * | 2008-03-19 | 2014-10-21 | Mitsubishi Electric Corporation | Power converting apparatus |
-
2010
- 2010-05-07 WO PCT/JP2010/003126 patent/WO2011033698A1/ja active Application Filing
- 2010-05-07 DE DE112010003664T patent/DE112010003664T5/de not_active Withdrawn
- 2010-05-07 JP JP2011531762A patent/JP5450635B2/ja active Active
- 2010-05-07 US US13/382,707 patent/US8861235B2/en active Active
- 2010-05-07 CN CN201080035951.2A patent/CN102511123B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2011033698A1 (ja) | 2011-03-24 |
JP5450635B2 (ja) | 2014-03-26 |
US20120099353A1 (en) | 2012-04-26 |
US8861235B2 (en) | 2014-10-14 |
CN102511123A (zh) | 2012-06-20 |
CN102511123B (zh) | 2014-09-24 |
DE112010003664T5 (de) | 2012-08-02 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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