JPWO2011024276A1 - クロロシランの精製方法 - Google Patents
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- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 title claims abstract description 87
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 87
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000000746 purification Methods 0.000 title claims abstract description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 100
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims abstract description 58
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 58
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 claims abstract description 55
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 claims abstract description 55
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 54
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 28
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 20
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims abstract description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 24
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 43
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 43
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 25
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 11
- 229920001429 chelating resin Polymers 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000003957 anion exchange resin Substances 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 125000003011 styrenyl group Chemical group [H]\C(*)=C(/[H])C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 3
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 2
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 229920006037 cross link polymer Polymers 0.000 description 2
- BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N dichlorosilicon Chemical compound Cl[Si]Cl BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 2
- 229910001423 beryllium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- LCWVIHDXYOFGEG-UHFFFAOYSA-N diboron tetrachloride Chemical compound ClB(Cl)B(Cl)Cl LCWVIHDXYOFGEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000002459 porosimetry Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Images
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
- C01B33/10778—Purification
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
- C01B33/10778—Purification
- C01B33/10784—Purification by adsorption
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Abstract
Description
また、特許文献3に記載されたようなニトリル担持ゼオライトに粗クロロシランを通過させる方法では、吸着剤の入れ替え等にコストがかかる上、吸着剤からの汚染が考えられるという問題があった。
粗クロロシランをイオン交換樹脂に接触させる工程と
粗クロロシランをシリカ系吸着剤に接触させる工程と
を含んでなる方法に関する。
一実施態様では、各接触工程において、クロロシランは、含水率2%以下に管理したイオン交換樹脂及び/又はシリカゲルに接触させる。一実施態様では、イオン交換樹脂は、一般式(1)
-CH2NR1R2 (1)
(ここで、R1、R2は独立して水素又はアルキル基を表す)
で示される官能基を有する。他の実施態様では、シリカ系吸着剤は、任意に200個サンプリングした粒子の75%以上が40〜1000μmの粒子径範囲内にあり、50%表面積平均粒子径が300μm以下である。また、BETでの比表面積が450m2/g以上を有するシリカゲルである。尚、ここで言う粒子径は顕微鏡で測定したシリカゲルの投影面積と等しくなる円相当径である。
ここで、粗クロロシランをイオン交換樹脂及びシリカゲルの何れに最初に接触させるかは任意であり、イオン交換樹脂に最初に接触させた後にシリカゲルに接触させても、シリカゲルに最初に接触させた後にイオン交換樹脂に接触させても構わない。しかしながら、本発明者等は、種々のイオン交換樹脂と種々の特性のシリカゲルを組み合わせて鋭意検討した結果、イオン交換樹脂はボロン吸着能力が比較的低いが、ボロン吸着量は多く、一方、シリカゲルはボロン吸着能力が高いが、ボロン吸着量は比較的少ないことを知見した。よって、高純度の精製を長期に維持するためには、粗クロロシランを、イオン交換樹脂、シリカゲルの順に接触させることが望ましい。
-CH2NR1R2 (1)
(上式中、R1、R2は水素、アルキル基(炭素数は1〜3が望ましく、特に炭素数1が望ましい)を表す)
で表される官能基を結合してなる陰イオン交換樹脂を好適に使用できることが分かった。またかかる陰イオン交換樹脂においても、BETでの比表面積が15m2/g〜20m2/g、水銀圧入法での細孔容積が0.5〜1.0ml/gである、スチレン単位を有する架橋共重合体からなる弱塩基性陰イオン交換樹脂が特に好ましいことが分かった。このような弱塩基性陰イオン交換樹脂としては、例えば、ローム・アンド・ハース社製の「アンバーリストA−21」(登録商標)、三菱化学社製の「ダイヤイオンWA−30」(登録商標)が挙げられる。
かかるシリカゲルとしては、例えば、和光純薬工業株式会社製の「ワコーゲルC−100」(登録商標)、メルク社製「Grade9385」、「Grade7734」(何れも商標)が挙げられる。
かかるクロロシラン精製設備では、粗クロロシランは、最初に弱塩基性陰イオン交換樹脂層を通過した後、シリカゲル層を通過するため、粗クロロシランからのボロン化合物の除去を、高い除去率で簡易に行うことができる。
ボロン濃度3000ppbwの粗トリクロロシランを、イオン交換樹脂(ローム・アンド・ハース社製の「アンバーリストA−21」(登録商標))とシリカゲル(和光純薬工業株式会社製の「ワコーゲルC−100」(登録商標)(粒子の75%以上が100〜450μmの粒子径範囲内にあり、50%表面積平均粒子径254μm、細孔径70Å、比表面積450m2/g)の充填層(イオン交換樹脂充填量=72g、シリカゲル充填量=55g)に135g/hrの流量で通過させた。また、イオン交換樹脂の含水率は1.7%、シリカゲルの含水率は1.5%のものを使用した。また充填層の上流側にイオン交換樹脂を、下流側にシリカゲルを充填した。
ボロン濃度3000ppbwの粗トリクロロシランをイオン交換樹脂(ローム・アンド・ハース社製の「アンバーリストA−21」(登録商標))の充填層(イオン交換樹脂充填量=108g)に135g/hrの流量で通過させた。また、イオン交換樹脂の含水率は1.7%のものを使用した。
ボロン濃度3000ppbwの粗トリクロロシランをシリカゲルの充填層(シリカゲル充填量=165g)に135g/hrの流量で通過させた。充填したシリカゲルは、実施例1におけるものと同じく、和光純薬工業株式会社製の「ワコーゲルC−100」(登録商標)で粒子の75%以上が100〜450μmの粒子径範囲内にあり、50%表面積平均粒子径254μm、細孔径70Å、比表面積450m2/g、含水率1.5%のものを使用した。
ボロン濃度790ppmwの粗テトラクロロシラン50gにイオン交換樹脂2.5gを浸漬した。ローム・アンド・ハース社製の「アンバーリストA−21」(登録商標)、ローム・アンド・ハース社製の「アンバーライトIRA−743」(登録商標)の2種類を使用した。
「アンバーリストA−21」(登録商標)は実施例1におけるものと同じもので、「アンバーライトIRA−743」(登録商標)はスチレン単位を有する架橋重合体からなる基材等に、一般式(2):
-CH2NCH3CH2[CH(OH)]4CH2OH (2)
で表される官能基を結合してなるイオン交換樹脂である。
-CH2NR1R2 (1)
(ここで、R1、R2は独立して水素、アルキル基を表す)
で示される官能基を有するイオン交換樹脂はボロン吸着量が大きいことが判明した。
ボロン濃度13〜24ppbwの粗トリクロロシランをシリカゲル充填層(シリカゲル充填量=約30g)に135g/hrの流量で通過させた。充填したシリカゲルの含水率は1.4〜1.7%で、粒子径の異なるものを3種使用した。
ボロン濃度3000ppbwの粗トリクロロシランを含水率の異なるイオン交換樹脂充填層(イオン交換樹脂充填量=12g;ローム・アンド・ハース社製の「アンバーリストA−21」(登録商標))にフィードし、イオン交換樹脂とクロロシランの初期接触時の発熱を測定した。また、イオン交換樹脂通過前後のクロロシランをサンプリングし、含有ボロン濃度を誘電結合プラズマ発光分析装置(ICP−AES)にて測定し、イオン交換樹脂のボロン吸着量を測定した。結果を表6に示す。
ボロン濃度3000ppbwの粗トリクロロシランを含水率の異なるシリカゲル充填層(シリカゲル充填量=19g;和光純薬工業株式会社製の「ワコーゲルC−100」(登録商標))にフィードした。シリカゲル通過前後のクロロシランをサンプリングし、含有ボロン濃度を誘電結合プラズマ発光分析装置(ICP−AES)にて測定し、シリカゲルのボロン吸着量を測定した。結果を表7に示す。
ボロン濃度3000ppbwの粗トリクロロシランをイオン交換樹脂充填層(イオン交換樹脂充填量=12g;ローム・アンド・ハース社製の「アンバーリストA−21」(登録商標))、及び、シリカゲル充填層(シリカゲル充填量=18g;和光純薬工業株式会社製の「ワコーゲルC−100」(登録商標))にそれぞれ3.24kg/dayの流量で通過させた。充填したイオン交換樹脂の含水率は1.7%、シリカゲルの含水率は1.5%のものを使用した。
2 第二充填塔
3 供給管
4 接続管
5 抜出し管
Claims (5)
- ボロン化合物を含有する粗クロロシランを精製する方法であって、
粗クロロシランをイオン交換樹脂に接触させる工程と
粗クロロシランをシリカ系吸着剤に接触させる工程と
を含んでなる方法。 - ボロン化合物を含有する粗クロロシランをイオン交換樹脂に接触させた後にシリカ系吸着剤に接触させる、請求項1に記載の精製方法。
- 含水率2%以下に管理したイオン交換樹脂及びシリカ系吸着剤にクロロシランを接触させる、請求項1又は2に記載の精製方法。
- イオン交換樹脂が、一般式(1)
-CH2NR1R2 (1)
(ここで、R1、R2は独立して水素又はアルキル基を表す)
で示される官能基を有する、請求項1から3の何れか一項に記載の精製方法。 - シリカ系吸着剤が、粒子の75%以上が40〜1000μmの粒子径範囲内、300μm以下の50%表面積平均粒子径、450m2/g以上の比表面積を有するシリカゲルである、請求項1から4の何れか一項に記載の精製方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2009/064950 WO2011024276A1 (ja) | 2009-08-27 | 2009-08-27 | クロロシランの精製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2011024276A1 true JPWO2011024276A1 (ja) | 2013-01-24 |
JP5513511B2 JP5513511B2 (ja) | 2014-06-04 |
Family
ID=43627403
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011528558A Active JP5513511B2 (ja) | 2009-08-27 | 2009-08-27 | クロロシランの精製方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120148471A1 (ja) |
EP (1) | EP2471740A4 (ja) |
JP (1) | JP5513511B2 (ja) |
KR (1) | KR101629061B1 (ja) |
CN (1) | CN102482106A (ja) |
SG (1) | SG178848A1 (ja) |
TW (1) | TWI485109B (ja) |
WO (1) | WO2011024276A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013067283A2 (en) * | 2011-11-02 | 2013-05-10 | Gtat Corporation | Purification of trichlorosilane |
WO2013070043A1 (ko) * | 2011-11-11 | 2013-05-16 | 주식회사 엘지화학 | 트리할로실란의 정제 장치 |
WO2013163614A1 (en) * | 2012-04-27 | 2013-10-31 | Centrotherm Photovoltaics Usa, Inc. | Advanced off-gas recovery process and system |
CN102701216B (zh) * | 2012-06-19 | 2015-06-03 | 中国恩菲工程技术有限公司 | 一种二氯二氢硅除杂方法 |
CN102701217A (zh) * | 2012-06-19 | 2012-10-03 | 中国恩菲工程技术有限公司 | 一种二氯二氢硅除杂设备 |
JP5886234B2 (ja) * | 2013-04-11 | 2016-03-16 | 信越化学工業株式会社 | シラン化合物またはクロロシラン化合物の精製方法、多結晶シリコンの製造方法、および、弱塩基性イオン交換樹脂の再生処理方法 |
CN103241742B (zh) * | 2013-05-13 | 2015-02-18 | 杨恺 | 高纯度SiCl4提纯方法 |
DE102017125221A1 (de) * | 2017-10-27 | 2019-05-02 | Nexwafe Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Entfernung von Verunreinigungen aus Chlorsilanen |
CN108017060B (zh) * | 2018-02-09 | 2019-06-28 | 浙江博瑞电子科技有限公司 | 一种六氯乙硅烷的纯化方法 |
WO2021104618A1 (de) * | 2019-11-27 | 2021-06-03 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur entfernung einer verunreinigung aus einem chlorsilangemisch |
EP4081480A1 (de) | 2020-11-05 | 2022-11-02 | Wacker Chemie AG | Verfahren zur entfernung einer verunreinigung aus einem chlorsilangemisch |
CN113402640A (zh) * | 2021-06-10 | 2021-09-17 | 青海亚洲硅业半导体有限公司 | 用于氯硅烷除杂的吸附树脂及其制备方法 |
CN113479892B (zh) * | 2021-07-30 | 2023-09-26 | 天津大学 | 三氯氢硅除碳反应-选择性吸附耦合装置及方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3414603A (en) * | 1965-03-16 | 1968-12-03 | Tyco Laboratories Inc | Method of purifying organochlorosilanes |
US3968199A (en) * | 1974-02-25 | 1976-07-06 | Union Carbide Corporation | Process for making silane |
US4676967A (en) * | 1978-08-23 | 1987-06-30 | Union Carbide Corporation | High purity silane and silicon production |
CA1207127A (en) * | 1982-09-29 | 1986-07-08 | Dow Corning Corporation | Purification of chlorosilanes |
US4713230A (en) * | 1982-09-29 | 1987-12-15 | Dow Corning Corporation | Purification of chlorosilanes |
JPH0688771B2 (ja) * | 1985-01-22 | 1994-11-09 | 昭和電工株式会社 | ジクロロシランの精製方法 |
JPH0688772B2 (ja) | 1985-02-27 | 1994-11-09 | 昭和電工株式会社 | ジクロロシランの精製法 |
US4900520A (en) * | 1988-10-31 | 1990-02-13 | Gaf Chemicals Corporation | Process for removal of soluble platinum group metal catalysts from liquid product mixtures |
JP2570409B2 (ja) * | 1988-12-06 | 1997-01-08 | 三菱マテリアル株式会社 | クロロポリシランの精製方法 |
JP2710382B2 (ja) * | 1989-01-25 | 1998-02-10 | 電気化学工業株式会社 | 高純度ジクロロシランの製造方法 |
JP4780284B2 (ja) | 2005-06-21 | 2011-09-28 | 三菱マテリアル株式会社 | 三塩化シランの精製方法 |
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CN101428804A (zh) * | 2008-12-03 | 2009-05-13 | 孙永敏 | 用树脂去除氯硅烷类物料中硼磷离子的方法 |
-
2009
- 2009-08-27 JP JP2011528558A patent/JP5513511B2/ja active Active
- 2009-08-27 EP EP09848724.2A patent/EP2471740A4/en not_active Withdrawn
- 2009-08-27 SG SG2012012191A patent/SG178848A1/en unknown
- 2009-08-27 KR KR1020127007452A patent/KR101629061B1/ko active IP Right Grant
- 2009-08-27 US US13/391,912 patent/US20120148471A1/en not_active Abandoned
- 2009-08-27 WO PCT/JP2009/064950 patent/WO2011024276A1/ja active Application Filing
- 2009-08-27 CN CN2009801611866A patent/CN102482106A/zh active Pending
-
2010
- 2010-08-26 TW TW099128581A patent/TWI485109B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20120090990A (ko) | 2012-08-17 |
TW201119942A (en) | 2011-06-16 |
WO2011024276A1 (ja) | 2011-03-03 |
US20120148471A1 (en) | 2012-06-14 |
EP2471740A1 (en) | 2012-07-04 |
TWI485109B (zh) | 2015-05-21 |
KR101629061B1 (ko) | 2016-06-09 |
SG178848A1 (en) | 2012-04-27 |
EP2471740A4 (en) | 2014-07-30 |
CN102482106A (zh) | 2012-05-30 |
JP5513511B2 (ja) | 2014-06-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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