JPWO2010134432A1 - 有機光電変換素子 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の有機光電変換素子は、第1の電極と第2の電極と、両者に挟まれた光電変換層(p型半導体とn型半導体が混合された層であり、バルクヘテロジャンクション層、またはBHJ層、i層とも言う)が少なくとも1層以上あり、光を照射すると電流を発生する素子である。
(a)第1の電極/EBL1/HTL/EBL2/光電変換層/第2の電極
(b)第1の電極/EBL1/HTL/EBL2/光電変換層/ETL/第2の電極
(c)第1の電極/EBL1/HTL1/EBL2/HTL2/光電変換層/第2の電極
(d)第1の電極/HTL1/EBL1/HTL2/EBL2/光電変換層/第2の電極
(e)第1の電極/EBL1/HTL1/EBL2/HTL2/光電変換層/ETL/HBL/第2の電極
(f)第1の電極/HTL/光電変換層/HBL1/ETL/HBL2/第2の電極
(g)第1の電極/HTL/光電変換層/ETL1/HBL1/ETL2/HBL2/第2の電極
(h)第1の電極/EBL1/HTL1/EBL2/HTL2/光電変換層/ETL1/HBL1/ETL2/HBL2/第2の電極
上記層構成の中で、最も好ましい層構成は(h)の層構成である。また、層の作製順序は、第1の電極側から作製しても、第2の電極側から作製しても良い。
電子ブロック層に用いる材料としては、電子供与性有機材料を好ましく用いることができる。電子供与性化合物でなくとも、十分な電子ブロック性を有する化合物であれば用いることは可能である。ここで、電子ブロック性とは、光電変換層に用いられるn型半導体材料のLUMO準位よりもエネルギー準位が浅いLUMO準位を有することで、光電変換層で発生した電子を第1の電極側に輸送せず、結果として優れた整流特性を示す素子ができる。このような整流特性を電子ブロック能とも呼ぶ。
本発明の正孔輸送層HTLを構成する材料としては、電子供与性材料を好ましく用いることができる。ホールの移動度を高めるために、様々なドープが施された材料も本発明では好ましく用いることができる。
正孔ブロック層には、電子受容性有機材料を用いることができる。電子受容性化合物でなくとも、十分な正孔ブロック性を有する化合物であれば用いることは可能である。ここで、正孔ブロック性とは、光電変換層に用いられるp型半導体材料のHOMO準位よりもエネルギー準位が深いHOMO準位を有することで、光電変換層で発生した正孔を第2の電極側に輸送せず、結果として優れた整流特性を示す素子ができる。このような整流特性を正孔ブロック能とも呼ぶ。
本発明の電子輸送層ETLを構成する材料としては、電子受容性材料を好ましく用いることができる。ここで電子輸送層に好ましく用いることが出来る材料と、正孔ブロック層に好ましく用いる材料の区別は、主に素子の直列抵抗に対する膜厚依存性の大きさから判断される。特に、電子輸送層に好ましく用いられる材料は、正孔ブロック能が比較的高くなくても、膜厚に対して直列抵抗値が大きく変化せず、高い電子輸送性を有していることが好ましい。
光電変換層は正孔を輸送するp型半導体材料と、電子を輸送するn型半導体材料を含有する。光吸収によって発生した励起子を効率よく電荷分離させるために、これらp型半導体材料とn型半導体材料との、2層構造を有することが基本となる。更に、本発明においては、光電変換層の1層に該p型半導体材料とn型半導体材料とを混合した状態のバルクヘテロジャンクション構造を形成させることが光電変換効率の点で好ましい。
本発明の発電層(バルクヘテロジャンクション層)に用いられるp型半導体材料としては、種々の縮合多環芳香族低分子化合物や共役系ポリマー・オリゴマーが挙げられる。
本発明のバルクヘテロジャンクション層に用いられるn型半導体材料としては、特に限定されないが、例えば、フラーレン、オクタアザポルフィリン等、p型半導体のパーフルオロ体(パーフルオロペンタセンやパーフルオロフタロシアニン等)、ナフタレンテトラカルボン酸無水物、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド、ペリレンテトラカルボン酸無水物、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド等の芳香族カルボン酸無水物やそのイミド化物を骨格として含む高分子化合物等を挙げることができる。
光電変換層203に外部光を入射させるためには、前記基板及び第1の電極201、もしくは第2の電極205が発電に寄与する光の波長域に対して実質透明であることが好ましい。基板と第1の電極201が透明で、且つ、第2の電極205が、第1の電極側から入射して光電変換層203を透過してきた光を反射させる構成であることがより好ましい。また、基板及び第1の電極201、第2の電極205が共に透明である構成も、本発明において好ましく用いることができる。
本発明の第1の電極(透明電極)は、陰極、陽極は特に限定せず、素子構成により選択することができるが、好ましくは透明電極を陽極として用いることである。例えば、陽極として用いる場合、好ましくは380〜800nmの光を透過する電極である。材料としては、例えば、インジウムチンオキシド(ITO)、SnO2、ZnO等の透明導電性金属酸化物、金、銀、白金等の金属薄膜、金属ナノワイヤー、カーボンナノチューブ等を用いることができる。
本発明の第2の電極(対電極)は導電材単独層であっても良いが、導電性を有する材料に加えて、これらを保持する樹脂を併用しても良い。対電極の導電材としては、仕事関数の小さい(4eV以下)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子の取り出し性能及び酸化等に対する耐久性の点から、これら金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。対電極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、膜厚は通常10nm〜5μm、好ましくは50〜200nmの範囲で選ばれる。
基板側から光電変換される光が入射する場合、基板はこの光電変換される光を透過させることが可能な、即ちこの光電変換すべき光の波長に対して透明な部材であることが好ましい。基板は、例えば、ガラス基板や樹脂基板等が好適に挙げられるが、軽量性と柔軟性の観点から透明樹脂フィルムを用いることが望ましい。本発明で透明基板として好ましく用いることができる透明樹脂フィルムには特に制限がなく、その材料、形状、構造、厚み等については公知のものの中から適宜選択することができる。例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)変性ポリエステル等のポリエステル系樹脂フィルム、ポリエチレン(PE)樹脂フィルム、ポリプロピレン(PP)樹脂フィルム、ポリスチレン樹脂フィルム、環状オレフィン系樹脂等のポリオレフィン類樹脂フィルム、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂フィルム、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)樹脂フィルム、ポリサルホン(PSF)樹脂フィルム、ポリエーテルサルホン(PES)樹脂フィルム、ポリカーボネート(PC)樹脂フィルム、ポリアミド樹脂フィルム、ポリイミド樹脂フィルム、アクリル樹脂フィルム、トリアセチルセルロース(TAC)樹脂フィルム等を挙げることができるが、可視域の波長(380〜800nm)における透過率が80%以上である樹脂フィルムであれば、本発明に係る透明樹脂フィルムに好ましく適用することができる。中でも透明性、耐熱性、取り扱いやすさ、強度及びコストの点から、二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム、二軸延伸ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリエーテルサルホンフィルム、ポリカーボネートフィルムであることが好ましく、二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム、二軸延伸ポリエチレンナフタレートフィルムであることがより好ましい。
本発明の有機光電変換素子は、太陽光のより効率的な受光を目的として、各種の光学機能層を有していて良い。光学機能層としては、たとえば、反射防止膜、マイクロレンズアレイ等の集光層、陰極で反射した光を散乱させて再度発電層に入射させることができるような光拡散層などを設けても良い。
電子受容体と電子供与体とが混合された光電変換層、および輸送層・電極の形成方法としては、蒸着法、塗布法(キャスト法、スピンコート法を含む)等を例示することができる。このうち、光電変換層の形成方法としては、蒸着法、塗布法(キャスト法、スピンコート法を含む)等を例示することができる。このうち、前述の正孔と電子が電荷分離する界面の面積を増大させ、高い光電変換効率を有する素子を作製するためには、塗布法が好ましい。また塗布法は、製造速度にも優れている。
本発明に係る電極、発電層、正孔輸送層、電子輸送層、ブロック層等をパターニングする方法やプロセスには特に制限はなく、公知の手法を適宜適用することができる。
作製した有機光電変換素子が大気中の酸素、水分等で劣化しないために、有機光電変換素子だけでなく有機エレクトロルミネッセンス素子などで公知の手法によって封止することが好ましい。例えば、アルミまたはガラスでできたキャップを接着剤によって接着することによって封止する手法、アルミニウム、酸化ケイ素、酸化アルミニウム等のガスバリア層が形成されたプラスチックフィルムと有機光電変換素子上を接着剤で貼合する手法、ガスバリア性の高い有機高分子材料(ポリビニルアルコール等)をスピンコートする方法、ガスバリア性の高い無機薄膜(酸化ケイ素、酸化アルミニウム等)または有機膜(パリレン等)を真空下で堆積する方法、及びこれらを複合的に積層する方法等を挙げることができる。
ガラス基板上に、インジウム・スズ酸化物(ITO)透明導電膜を150nm堆積したもの(シート抵抗10Ω/□)を、通常のフォトリソグラフィ技術と湿式エッチングとを用いて2mm幅にパターニングし第1の電極を形成した。パターン形成した第1の電極を、界面活性剤と超純水による超音波洗浄、超純水による超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。
(LiF、IP:約−2.5eV)
〔有機光電変換素子SC−102の作製〕
前記SC−101の作製において、第1の電極を洗浄後、基板を真空蒸着装置チャンバー内に移動し、1×10−4Pa以下まで真空蒸着装置内を減圧した後、蒸着速度0.05nm/秒で銅フタロシアニン(アルドリッチ製:CuPc)(HOMO:−5.3eV、LUMO:−3.6eV)を25nm積層して正孔輸送層を形成し、大気圧に戻した後、そのまま窒素チャンバーに移動し、光電変換層の製膜工程に移した以外はSC−101の作製と同様にして、封止済み有機光電変換素子SC−102を得た。
前記SC−102の作製において、光電変換層を形成した後、上記一連の機能層を製膜した基板を真空蒸着装置チャンバー内に移動し、1×10−4Pa以下まで真空蒸着装置内を減圧した後、蒸着速度0.05nm/秒でC60(フロンティアカーボン社製:フラーレンC60、HOMO:−6.2eV、LUMO:−4.5eV)を40nm積層して電子輸送層を形成し、続けて蒸着速度0.05nm/秒でBCP(HOMO:−6.5eV、LUMO:−3.0eV)を5nm蒸着しブロック層を形成し、更に続けて、2mm幅のシャドウマスクを通して(受光部が2×2mmに成るように直行させて蒸着)、蒸着速度0.2nm/秒でAlメタルを100nm積層することで第2の電極を形成した以外は、前記SC−102と同様にして、封止済み有機光電変換素子SC−103を得た。
前記SC−103の作製において、光電変換層を形成した後、SC−103と同様にして、BCPを2nm、C60を40nm、BCPを2nmの順でそれぞれ蒸着させて電子輸送層、およびブロック層を形成させた以外はSC−103と同様にしてSC−104を得た。
前記SC−104の作製において、光電変換層を形成した後、SC−104と同様にして、BCPを2nm、C60を40nm、LiFを0.6nmの順でそれぞれ蒸着させて電子輸送層、およびブロック層を形成させた以外はSC−104と同様にしてSC−105を得た。
(LiF、IP:約−2.5eV)
〔有機光電変換素子SC−106の作製〕
前記SC−104の作製において、光電変換層を形成した後、SC−104と同様にして、C60を10nm、BCPを2nm、C60を20nm、BCPを2nmの順でそれぞれ蒸着させて電子輸送層、およびブロック層を形成させた以外はSC−104と同様にしてSC−106を得た。
前記SC−104の作製において、光電変換層を形成した後、SC−104と同様にして、C60を10nm、BCPを5nm、C60を10nm、BCPを5nmの順でそれぞれ蒸着させて電子輸送層、およびブロック層を形成させた以外はSC−104と同様にしてSC−107を得た。
前記SC−104の作製において、光電変換層を形成した後、SC−104と同様にして、C60を10nm、m−MTDATA(HOMO:−5.1eV、LUMO:−2.0eV)を2nm、C60を10nm、BCPを2nmの順でそれぞれ蒸着させて電子輸送層、およびブロック層を形成させた以外はSC−104と同様にしてSC−108を得た。
前記SC−103の作製において、正孔輸送層を形成前に、第1の電極上にm−MTDATAを上述の方法と同様にして5nm蒸着しブロック層を形成した後、正孔輸送層としてCuPcを20nm積層させた以外は、SC−103と同様にしてSC−109を得た。
前記SC−109の作製において、第1の電極上にm−MTDATAを2nm、CuPcを10nm、m−MTDATAを2nm、CuPcを10nmの順でそれぞれ蒸着させて正孔輸送層、およびブロック層を形成させた以外はSC−109と同様にしてSC−110を得た。
前記SC−110の作製において、光電変換層を形成後、上述の方法と同様にして、C60を10nm、BCPを2nm、C60を20nm、BCPを2nmの順でそれぞれ蒸着させて電子輸送層、およびブロック層を形成させた以外はSC−110と同様にしてSC−111を得た。
前記SC−111の作製において、m−MTDATAに替わりα−NPD(HOMO:−5.7eV、LUMO:−2.6eV)を使用し、BCPの替わりにTAZ(3−(4−ビフェニリル)−4−フェニル−5−ターシャリーブチルフェニル−1,2,4−トリアゾール)(HOMO:−6.6eV、LUMO:−2.6eV)を使用した以外はSC−111と同様にしてSC−112を得た。
上記作製した光電変換素子について、ソーラーシミュレーター(AM1.5Gフィルタ)の100mW/cm2の強度の光を照射し、有効面積を4.0mm2にしたマスクを受光部に重ね、IV特性を評価することで、短絡電流密度Jsc(mA/cm2)、開放電圧Voc(V)及びフィルファクターFFを、同素子上に形成した4箇所の受光部をそれぞれ測定し、下記式1に従って求めたエネルギー変換効率PCE(%)の4点平均値を見積もった。PCEの値を表1に示す。
PCE(%)=〔Jsc(mA/cm2)×Voc(V)×FF(%)〕/光強度(mW/cm2)
《耐久性の評価》
上記作製した素子を、100Wハロゲンランプの光に1000時間暴露した。続いて、暴露後の素子について、上述の方法と同様にして短絡電流密度Jscを見積もり、式2に従って保持率を求め、表1に示した。
保持率(%)=暴露後の短絡電流密度/暴露前の短絡電流密度×100
101 第1の電極
102 正孔輸送層
103 バルクヘテロジャンクション型の発電層(光電変換層)
104 電子輸送層
105 第2の電極
20 光電変換素子
201 第1の電極
202 正孔輸送層
203 バルクヘテロジャンクション型の発電層(光電変換層)
204 電子輸送層
205 第2の電極
206 第1の電子ブロック層
206′ 第1の電子ブロック層
207 第1の正孔ブロック層
207′ 第2の正孔ブロック層
Claims (5)
- 透明な第1の電極と、第1の電極に対向する形で配置される第2の電極との間に、p型半導体材料と、n型半導体材料とが混合された、バルクヘテロジャンクション構造を有する光電変換層を含み、該光電変換層と第1の電極間、もしくは光電変換層と第2の電極間に、正孔または電子のいずれかの電荷を主に輸送する正孔輸送層または電子輸送層を少なくとも有する有機光電変換素子であって、かつ、該正孔輸送層に隣接した2〜4層のブロック層を有してなる有機光電変換素子、または、該電子輸送層に隣接した2〜4層のブロック層を有してなる有機光電変換素子であることを特徴とする有機光電変換素子。
- 前記ブロック層の少なくとも1層は、前記第1の電極、もしくは第2の電極と接する形で形成されることを特徴とする請求項1記載の有機光電変換素子。
- 前記正孔または電子のいずれかの電荷を主に輸送する正孔輸送層または電子輸送層の膜厚をanm、前記絶縁性材料からなるブロック層をbnm、としたときに、50nm>anm>3×bnmの関係が成り立つことを特徴とする請求項1又は2記載の有機光電変換素子。
- 前記電子輸送層側のブロック層の材料のLUMO準位が、前記n型半導体材料のLUMO準位よりも0.5eV以上浅い(絶対値が小さい)エネルギー準位であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項記載の有機光電変換素子。
- 前記正孔輸送層側のブロック層の材料のHOMO準位が、前記p型半導体材料のHOMO準位よりも0.5eV以上深い(絶対値が大きい)エネルギー準位であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項記載の有機光電変換素子。
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