JPWO2010119787A1 - 導体層形成用組成物及び導体基板、並びに導体基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】電気伝導性に優れる導体層とすることができるとともに、導体層を形成する際に、工程数が少なく、かつ高温での処理が不要であり、製造コストが低い導体層形成用組成物、それを用いた導体基板及びその製造方法を提供すること。【解決手段】下記式（１）で表される金属錯体を含む、導体層形成用組成物とすること。

Description

本発明は、導体層形成用組成物及び導体基板、並びに導体基板の製造方法に関する。

ＩＣタグのアンテナ、電磁波シールド、フレキシブルプリント配線板等の導体層を製造する方法としてフォトリソグラフィープロセスが広く利用されている。

単純な印刷のみで導体パターンを形成する方法として、銀等の金属微粒子よりなる導電性インクを印刷する方法が知られている。金属微粒子を用いる場合、十分な電気伝導率を得るには、粒子間を緊密に融合させることが不可欠である。また、金属微粒子のバインダーとして配合した樹脂等の非金属成分を十分に除去する必要があり、多くの場合、１５０℃以上の高温で焼成が施される。

フォトリソグラフィープロセスや導電性インク印刷以外にも、アディティブ法（加法）が知られている。フォトリソグラフィープロセスが、不要な導体層をエッチングで除去する方法（サブトラクティブ法、減法）であるのに対し、アディティブ法は、必要な箇所にだけ無電解めっきで導体層を形成する方法である。当該方法においては、通常、無電解めっきの触媒層を印刷法等によって形成した後、そこに無電解めっきを施す。

例えば特許文献１には、パラジウム、白金、ニッケル、銅錯体を含むインクを印刷する方法が開示されている。特許文献２には、ポリマーと、第１Ｂ属金属又は第８属金属の化合物、錯体又はコロイドとを含む触媒インキを印刷して金属めっきを施す方法が開示されている。

米国特許第４，３６８，２８１号明細書 特表平６−５０８１８１号公報

しかしながら、フォトリソグラフィープロセスは、銅箔積層板にフォトレジストを塗布する工程や、フォトマスクを介した露光でレジストにパターン焼付けする工程や、フォトレジストを現像し、銅箔をエッチングする工程等の多くの工程を要する。

導電性インク印刷は、１５０℃以上の温度で焼成することが必要となるため、ポリエチレンテレフタレート等の汎用プラスチック基材は、耐熱性の点で使用困難であるという問題がある。

アディティブ法については、例えば特許文献１のインクは、必須成分として、溶剤だけでなく接着剤を含有しているため、溶剤を乾燥させる工程だけでなく、接着剤を架橋するための熱処理工程も印刷後に行う必要があるため、工程数が多く煩雑であるという問題がある。特許文献２の方法では、印刷後の乾燥工程に加え、触媒の活性化のために１６０〜５００℃という高温で熱処理する必要があり、基材の樹脂フィルムの変質が避けられないという問題がある。

また、特許文献１及び特許文献２のインクに配合されている成分は、実質的にパラジウム系化合物に限られる。そのため、高価なパラジウムを用いることによるコスト面の不利が避けられないという問題がある。

上述のものをはじめとする従来のインクでは、導体層を形成するための工程数が多く、高温での処理が必要であるといった問題に加え、インク成分が極めて高価であるという問題があり、そうした問題を解決する技術の開発が望まれている。

本発明は、上記事情に鑑みなされたものであり、導電性に優れる導体層とすることができるとともに、導体層を形成する際に、工程数が少なく、かつ高温での処理が不要であり、製造コストが低い導体層形成用組成物、それを用いた導体基板及びその製造方法を提供することを目的とする。

本発明者は、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、特定の構造を有する金属錯体を導体層形成用組成物として用いることにより、工程数が少なく、かつ高温での処理が不要であり、低コストで、電気伝導性に優れた導体層を基材上に形成できることを見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明は下記の通りである。
［１］
下記式（１）で表される金属錯体を含む、導体層形成用組成物。

（式（１）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５は、それぞれ独立に、水素原子、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、ホルミル基、アシル基、ニトロ基、ニトロソ基、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アリール基、ヒドロキシ基、メルカプト基、アルキルスルファニル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、又はアミノ基を表す。Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５は、それらのうち少なくとも２つが互いに結合し飽和環又は不飽和環を形成していてもよく、それぞれ独立に、式（１）で表される化合物から１つの水素原子が脱離した１価の基を置換基として有していてもよい。Ｍは、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｆｅ、Ｉｎ、及びＳｎからなる群より選ばれるいずれか１種以上の金属を表す。ｎは１〜６の整数を表す。）
［２］
前記Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５が、それぞれ独立に、水素原子又はイソプロピル基を表す、［１］の導体層形成用組成物。
［３］
前記Ｍが、Ｃｕを表す、［１］又は［２］の導体層形成用組成物。
［４］
基材と、
［１］〜［３］のいずれか一項の導体層形成用組成物を前記基材に塗布した後、還元することにより形成される導体層と、
を含む、導体基板。
［５］
下記式（１）で表される金属錯体を含む導体層形成用組成物を基材に塗布し、その後還元する工程を含む、導体基板の製造方法。

（式（１）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５は、それぞれ独立に、水素原子、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、ホルミル基、アシル基、ニトロ基、ニトロソ基、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アリール基、ヒドロキシ基、メルカプト基、アルキルスルファニル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、又はアミノ基を表す。Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５は、それらのうち少なくとも２つが互いに結合し飽和環又は不飽和環を形成していてもよく、それぞれ独立に、式（１）で表される化合物から１つの水素原子が脱離した１価の基を置換基として有していてもよい。Ｍは、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｆｅ、Ｉｎ、及びＳｎからなる群より選ばれるいずれか１種以上の金属を表す。ｎは１〜６の整数を表す。）
［６］
前記還元は、水素化ホウ素ナトリウムを用いて行う、［５］の導体基板の製造方法。
［７］
前記還元を行った後に、前記導体層にめっきを施す工程を、更に含む、［５］又は［６］の導体基板の製造方法。
［８］
前記めっきは、無電解めっきである、［７］の導体基板の製造方法。
［９］
前記無電解めっきは、無電解銅めっきである、［８］の導体基板の製造方法。
［１０］
前記導体層形成用組成物を基材に塗布する方法は、フレキソ印刷又はグラビア印刷により行う、［５］〜［９］のいずれかの導体基板の製造方法。

本発明により、導電性に優れる導体層とすることができるとともに、導体層を形成する際に、工程数が少なく、かつ高温での処理が不要であり、製造コストが低い導体層形成用組成物、それを用いた導体基板及びその製造方法を提供することが可能となる。

以下、本発明を実施するための形態（以下、「本実施形態」という。）について詳細に説明する。なお、本発明は、本実施形態に限定して解釈されるものではなく、その要旨の範囲内で適宜に変形して実施することができる。

［金属錯体］
本実施形態の導体層形成用組成物は、下記式（１）で表される金属錯体を含む。本実施形態の導体層形成用組成物は、接着剤を用いなくても基材上に導体層を強固に形成することができる。そして、導体層形成の際に加熱焼成を行わなくともよいので基材等が熱により変質することを防止できるとともに、基材等の耐熱性について考慮する必要がないので、基材等の材料の選択の幅が広い。従来では、導体層を形成する際に、用いる材料を溶液化するために溶解能力が高いハロゲン系溶媒を多量に用いなければならない場合も多かった。この場合、ハロゲン系溶媒が基材に浸透し、基材が変質されるといった問題が生じる。本実施形態の導体層形成用組成物は、幅広い種類の溶媒に対して優れた溶解性を有するので、かかる基材等の変質を抑制することもでき、環境にも優しい。

式（１）において、Ｒ^１〜Ｒ^５は、それぞれ独立に、水素原子、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、ホルミル基、アシル基、ニトロ基、ニトロソ基、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アリール基、ヒドロキシ基、メルカプト基、アルキルスルファニル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、又はアミノ基を表す。

アルコキシカルボニル基としては、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ヒドロキシエトキシカルボニル基が挙げられる。それらの中では、製造の容易さの観点からメトキシカルボニル基が好ましい。
アシル基としては、製造の容易さの観点から、アセチル基が好ましい。
アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基が挙げられる。それらの中では、原料入手の容易性や性能の観点から、メチル基、イソプロピル基が好ましい。メチル基、イソプロピル基の場合、式（１）で表される金属錯体の有機溶剤への溶解性が向上するので、金属をさらに高濃度で含有するインクを調整することが可能であり、その結果、導体層をより効率良く形成することができる。
アルケニル基としては、例えばプロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、イソブテニル基が挙げられる。
シクロアルキル基としては、例えばシクロヘキシル基が挙げられる。
アラルキル基としては、例えばベンジル基が挙げられる。
アルキルスルファニル基としては、例えばメチルスルファニル基、エチルスルファニル基、プロピルスルファニル基、２−メチルスルフィド−エチル基、３−メチルスルフィド−プロピル基が挙げられる。
アリール基としては、製造の容易性の観点から、フェニル基が好ましい。
アルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基が挙げられる。それらの中では、製造の容易さの観点から、メトキシ基が好ましい。
ハロゲン原子としては、製造の容易さの観点から、塩素原子又は臭素原子が好ましい。
アミノ基は置換していなくても置換していてもよい。モノ置換アミノ基としては、例えばメチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ベンジルアミノ基、フェニルアミノ基が挙げられる。それらの中では、原料入手の容易性の観点から、メチルアミノ基が好ましい。ジ置換アミノ基としては、例えばジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジイソブチルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ジベンジルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基が挙げられる。それらの中では、原料入手の容易性の観点から、ジメチルアミノ基が好ましい。

式（１）において、Ｒ^１〜Ｒ^５のうち少なくとも２つが互いに結合し飽和環又は不飽和環を形成していてもよい。そのような飽和環、不飽和環としては、例えばベンゼン環、ピラゾール環、イソオキサゾール環、イソチアゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環のようなアゾール環が挙げられる。また、Ｒ^１〜Ｒ^５は、それぞれ独立に上記式（１）で表される化合物から１つの水素原子が脱離した１価の基を置換基として有していてもよい。

式（１）において、Ｒ^１〜Ｒ^５は上述のもののいかなる組合せであってもよい。Ｒ^１〜Ｒ^５の組合せは限定されず、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アラルキル基、又はアリール基であることが好ましく、水素原子又はイソプロピル基であることがより好ましい。このような化合物は各種有機溶剤への溶解性がより一層優れており好ましい。また、製造の容易さの観点から、Ｒ^１〜Ｒ^５は、それぞれ独立に、水素原子、シアノ基、アルキル基、アルケニル基、ハロゲン原子、又はアミノ基であることが好ましい。

式（１）において、Ｍは、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｆｅ、Ｉｎ、及びＳｎからなる群より選ばれるいずれか１種以上の金属を表す。電気伝導率が高く、且つ無電解めっきにおける自己触媒能が高いという意味で、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、及びＣｏからなる群より選ばれるいずれか１種以上の金属が好ましい。費用対効果の観点より、Ｃｕ、Ｎｉ、及びＣｏからなる群より選ばれるいずれか１種以上の金属がより好ましく、これらの中でも製造の容易さの観点から、Ｃｕが更に好ましい。本実施形態の錯体構造を有することで有機溶剤への溶解性が非常に高くなり、金属含有率の高いインクを得ることができる。これにより、この後の工程である無電解めっきをより良好に行うことができるようになる。

式（１）において、ｎは、金属イオンの価数であり、１〜６の整数を表す。

本実施形態の導体層形成用組成物は、式（１）で表される化合物のうち１種単独を含有してもよいし、２種以上を含有してもよい。本実施形態において、式（１）で表される金属錯体は、下記式（２）で表されるような式（１）と等価な構造も取り得る。式（２）で表される化合物は、式（１）で表される化合物と等価である。

本実施形態の導体層形成用組成物における上記金属錯体の含有量は、特に限定されないが、０．０１〜１００質量％であることが好ましく、０．１〜９０質量％であることがより好ましい。金属錯体の含有量を上記範囲とすることで、効率的に導体層を製造することができる。

［金属錯体の製造方法］
式（１）で表される金属錯体は、公知の方法で製造することができる。例えば配位子であるトロポロン類と金属塩とを有機溶媒中で混合し、溶液として得る方法や、トロポロンのアルカリ金属塩の水溶液に金属塩を添加し、沈殿物として得る方法等が挙げられるが、溶液として得る方法がより好ましい。

［トロポロン類の製造方法］
式（１）で表される金属錯体の配位子であるトロポロン類は、公知の方法の応用で合成できる。例えば「大有機化学、第１３巻、非ベンゼン系芳香族環化合物」（小竹無二雄監修、朝倉書店（株）発行、１９６０年）に記載の方法を応用すれば、様々なトロポロン類用いることが可能である。

［有機溶剤］
本実施形態の導体層形成用組成物は、前記金属錯体以外に、有機溶剤を更に含むことが好ましい。有機溶剤を含むことで、基材への塗布性がより一層向上する。本実施形態の導体層形成用組成物に含まれる金属錯体は、幅広い種類の溶媒に対して優れた溶解性を有するので、溶媒について選択の幅が広い。従来、導体層を形成する材料を溶液化するために溶解能力が高いハロゲン系溶媒を用いなければならない場合が多かった。ハロゲン系溶媒を多量に用いた場合、ハロゲン系溶媒が基材に浸透し、基材等が変質されるといった問題が引き起こされていた。しかしながら、本実施形態の導体層形成用組成物はハロゲン系溶媒を必須としないので、かかる基材等の変質を抑制することができ、環境にも優しい。しかしながら、本実施形態において用いられる有機溶媒は非ハロゲン系溶媒に限定されるものではなく、本実施形態の効果の範囲内において、ハロゲン系及び非ハロゲン系溶媒に関わらず、適宜に公知の有機溶媒を使用することができる。

有機溶剤としては、特に限定されないが、例えばジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル等のエーテル類；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル等のグリコールモノエーテル類（いわゆるセロソルブ類及びカルビトール類）；メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン等のケトン類；酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｉ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−ブチル、前記グリコールモノエーテル類の酢酸エステル（例えばメチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート）、メトキシプロピルアセテート、エトキシプロピルアセテート、シュウ酸ジメチル、乳酸メチル、乳酸エチル等のエステル類；メタノール、エタノール、イソプロパノール、プロパノール、ブタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、グリセリン、テルピネオール等のアルコール類；塩化メチレン、１，１−ジクロロエタン、１，２−ジクロロエチレン、１−クロロプロパン、１−クロロブタン、１−クロロペンタン、クロロベンゼン、ブロムベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、ｍ−ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類；Ｎ−メチルピロリドン等のピロリドン類；γ−ブチロラクトン等のラクトン類；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン等の鎖状又は環状飽和炭化水素類、その他の有機極性溶媒類が挙げられる。さらには、有機溶媒として、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、及び、その他の有機非極性溶媒類が挙げられる。これらの有機溶媒は１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、安全性の観点から、エーテル類、エステル類、アルコール類が好ましく、エーテル類やアルコール類がより好ましい。

有機溶剤の含有量は、特に限定されないが、塗布性や製膜性の観点から、金属錯体１００質量部に対して１０〜１０００００質量部であることが好ましく、５０〜１００００質量部であることがより好ましい。

［無機充填剤］
本実施形態の導体層形成用組成物は、必要に応じて、硫酸バリウム、チタン酸バリウム、酸化ケイ素粉、微粉状酸化ケイ素、無定形シリカ、タルク、クレー、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、酸化アルミニウム、水酸アルミニウム、雲母粉等の公知の無機充填剤を含有してもよい。これにより、導体層と基材との密着性等の各種特性を向上させることができる。

無機充填剤の含有量は、特に限定されないが、塗布性や製膜性の観点から、金属錯体１００質量部に対して０〜１００質量部であることが好ましく、０〜５０質量部であることがより好ましい。

［樹脂成分］
本実施形態の導体層形成用組成物は、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリテトラメチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル系樹脂；縮合型ポリイミド、付加型ポリイミド、高温付加型ポリイミド等のポリイミド系樹脂；ビスフェノールＡ型（ＢＡ型）エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型（ＢＦ型）エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂等のエポキシ樹脂系樹脂；フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン等のフェノール系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリシクロオレフィン等のポリオレフィン系樹脂；ナイロン６，６、ナイロン６、ナイロン６，Ｔ、ナイロン４，６、ナイロン１２、ナイロン６，１２等のポリアミド系樹脂等の他、ポリウレタン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリアセタール系樹脂、ポリフェニレンエーテ系樹脂、ポリ（メタ）アクリレート系樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体系樹脂、ポリフェニレンサルファイド系樹脂、ポリエーテルエーテルケトン系樹脂、ポリエーテルイミド系樹脂、ポリエーテルサルホン系樹脂、ポリベンゾオキサゾール系樹脂等の汎用の樹脂を含有してもよい。これにより、導体層と基材との密着性等の各種特性を向上させることができる。それらの中でも、費用対効果の観点からポリエステル系、ポリウレタン系、ポリ（メタ）アクリレート系の樹脂が好ましい。

樹脂成分の含有量は、特に限定されないが、塗布性や製膜性の観点から、金属錯体１００質量部に対して０〜１０００質量部であることが好ましく、０〜５００質量部であることがより好ましい。

［その他添加剤］
さらに、本実施形態の導体層形成用組成物は、必要に応じて、フタロシアニン・ブルー、フタロシアニン・グリーン、アイオジン・グリーン、ジスアゾイエロー、クリスタルバイオレット、酸化チタン、カーボンブラック、ナフタレンブラック等の着色剤；ハイドロキノン、ハイドロキノンモノメチルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルカテコール、ピロガロール、フェネチアジン等の重合禁止剤；アスベスト、オルベン、ベントン、モンモリロナイト等の増粘剤；シリコーン系、フッ素系、高分子系等の消泡剤；レベリング剤、イミダゾール系、チアゾール系、トリアゾール系、シランカップリング剤等の密着性付与剤等といった添加剤類；ヒンダードフェノール系の酸化防止剤、ヒンダードアミン系光安定剤（ＨＡＬＳ）等のその他添加剤を適宜に含有してもよい。

着色剤の含有量は、特に限定されないが、塗布性や製膜性の観点から、金属錯体１００質量部に対して０〜１００質量部であることが好ましく、０〜５０質量部であることがより好ましい。

本実施形態の導体層形成用組成物は、光硬化性化合物と光重合開始剤を含有させることにより光硬化性組成物としてもよい。光硬化性化合物は、特に限定されず、公知のものを用いることができる。例えば重合性不飽和基を有する化合物が挙げられる。ここで、「重合性不飽和基」とは、ラジカル重合又は付加重合反応に関与する不飽和基を意味する。ラジカル重合反応に関与する重合性不飽和基としては、例えばアクリル基、メタクリル基が挙げられ、付加重合反応に関与する重合性不飽和基としては、例えばエポキシ基、オキセタン基、ビニルエーテル基が挙げられる。

ラジカル重合反応に関与する不飽和基を有する化合物としては、エチレン、プロピレン、スチレン、ジビニルベンゼン等のオレフィン類；（メタ）アクリル酸及びその誘導体；ハロオレフィン類；アクリルニトリル等の不飽和ニトリル類；（メタ）アクリルアミド及びその誘導体；アリルアルコール、アリルイソシアナート等のアリル化合物；無水マレイン酸、マレイン酸、フマル酸等の不飽和ジカルボン酸及びその誘導体；酢酸ビニル類；Ｎ−ビニルピロリドン；Ｎ−ビニルカルバゾール等が挙げられる。それらの中でも（メタ）アクリル酸又はその誘導体が好ましい。ラジカル重合反応に関与する不飽和基を有する化合物は、目的に応じて１種又は２種以上の化合物を併用することができる。

（メタ）アクリル酸の誘導体としては、例えば以下のアルコール性水酸基を有する化合物と、（メタ）アクリル酸とのエステル化物等が挙げられる。
上記のアルコール性水酸基を有する化合物としては、シクロアルキルアルコール、ビシクロアルキルアルコール、シクロアルケニルアルコール、ビシクロアルケニルアルコール等の脂環式の骨格を有する化合物；ベンジルアルコール、フェノール、フルオレニルアルコール等の芳香族の骨格を有する化合物；アルキルアルコール、ハロゲン化アルキルアルコール、アルコキシアルキルアルコール、フェノキシアルキルアルコール、ヒドロキシアルキルアルコール、アミノアルキルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、アリルアルコール、グリシドール、アルキレングリコール、ポリオキシアルキレングリコール、（アルキル／アリルオキシ）ポリアルキレングリコールやトリメチロールプロパン等の多価アルコール等が挙げられる。

（メタ）アクリル酸の誘導体の具体例としては、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールブチルエーテル（メタ）アクリレート、エチレングリコールフェニルエーテル（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパン（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート等が挙げられる。

（メタ）アクリル酸の誘導体が芳香族の骨格を有する化合物とのエステルである化合物の場合には、窒素、硫黄等をヘテロ原子として含有した複素芳香族化合物とのエステル化物であってもよい。

付加重合反応に関与する不飽和基を有する化合物としては、開環付加重合反応するエポキシ基を有する化合物があげられる。開環付加反応するエポキシ基を有する化合物としては、種々のジオールやトリオール等のポリオールにエピクロルヒドリンを反応させて得られる化合物、分子中のエチレン結合に過酸を反応させて得られるエポキシ化合物等が挙げられる。具体的には、エチレングリコールジグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、トリエチレングリコールジグリシジルエーテル、テトラエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、グリセリンジグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、ビスフェノールＦジグリシジルエーテル、ビスフェノールＳプロピレンオキサイドジグリシジルエーテル、水添化ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、ビスフェノールＡにエチレンオキサイド又はプロピレンオキサイドが付加した化合物のジグリシジルエーテル、ポリテトラメチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリ（プロピレングリコールアジペート）ジオールジグリシジルエーテル、ポリ（エチレングリコールアジペート）ジオールジグリシジルエーテル、ポリ（カプロラクトン）ジオールジグリシジルエーテル、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３’，４’−エポキシシクロヘキシルカルボキシレート、１−メチル−３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−１’−メチル−３’，４’−エポキシシクロヘキシルカルボキシレート、アジピン酸ビス［１−メチル−３，４−エポキシシクロヘキシル］エステル、ビニルシクロヘキセンジエポキシド、ポリブタジエンやポリイソプレン等のポリジエンに過酢酸を反応させて得られるポリエポキシ化合物、エポキシ化大豆油等が挙げられる。

付加重合反応に関与する不飽和基を有する化合物は、目的に応じて１種又は２種以上の化合物を併用することができる。

光硬化性化合物の含有量は、特に限定されないが、塗布性や製膜性の観点から、上記金属錯体１００質量部に対して０〜１０００質量部であることが好ましく、０〜５００質量部であることがより好ましい。

本実施形態の導体層形成用組成物は、光重合開始剤を更に含有してもよい。光重合開始剤は公知のものから適宜選択すればよい。光重合開始剤としては、例えばベンゾイン、ベンゾインエチルエーテル等のベンゾインアルキルエーテル類；２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノン、４’−イソプロピル−２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン等のアセトフェノン類；１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノ−プロパン−１−オン、フェニルグリオキシル酸メチル、ベンゾフェノン、ベンジル、ジアセチル、ジフェニルスルフィド、エオシン、チオニン、アントラキノン類等の光ラジカル重合開始剤；光を吸収して酸を発生する芳香族ジアゾニウム塩、芳香族ヨードニウム塩、芳香族スルホニウム塩等の光カチオン重合開始剤；光を吸収して塩基を発生する光アニオン重合開始剤等が挙げられる。光アニオン重合開始剤としては、光塩基発生剤が有用であり、例えば国際公開第２００８／０７２６５１号公報に開示された化合物等が挙げられる。

光重合開始剤の含有量は、特に限定されないが、塗布性や製膜性の観点から、金属錯体１００質量部に対して０〜１００質量部であることが好ましく、０〜５０質量部であることがより好ましい。

［導体基板］
本実施形態の導体層形成用組成物を基材すなわち、本実施形態では、基材と、上述した導体層形成用組成物を前記基材に塗布した後、還元することにより形成される導体層と、を含む導体基板とすることができる。例えば、式（１）で表される金属錯体を含む導体層形成用組成物を基材上で還元することで、導体パターンを基材上に形成することができる。更に、還元した後に、導体パターンをめっきすることで、導電性に優れた導体基板とすることもできる。

［基材］
本実施形態の導体層形成用組成物を塗布する基材は特に限定されない。その具体例としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリテトラメチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル系基材；縮合型ポリイミド、付加型ポリイミド、高温付加型ポリイミド等のポリイミド系基材；ＢＡ型エポキシ樹脂、ＢＦ型エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂等のエポキシ樹脂系基材；フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン等のフェノール樹脂系基材；ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリシクロオレフィン等のポリオレフィン系基材；ナイロン６，６、ナイロン６、ナイロン６，Ｔ、ナイロン４，６、ナイロン１２、ナイロン６，１２等のポリアミド系基材等の他、ポリウレタン系基材、ポリカーボネート系基材、ポリアセタール系基材、ポリフェニレンエーテ系基材、ポリ（メタ）アクリレート系基材、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体系基材、ポリフェニレンサルファイド系基材、ポリエーテルエーテルケトン系基材、ポリエーテルイミド系基材、ポリエーテルサルホン系基材、ポリベンゾオキサゾール系基材、ガラス繊維等で強化した樹脂基材、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｓｎ等の金属系基材等が挙げられる。本実施形態の導体層形成用組成物は、基材上に導体層を形成する際に１５０℃以上で焼結する必要がでないため、基材の耐熱性等について制限を受けない。従って、上記したような種々の樹脂を用いることができる。

導体層形成用組成物を塗布する基材の形態は特に制限されない。その具体例としては、フィルム状、シート状、テープ状、微粒子状、積層板、立体的成型品、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｓｎ等の金属をパターニングしたプリント配線板やフィルム、テープ等が挙げられる。したがって、かかる基材を用いた本実施形態の導体基板の形態についても特に限定されず、使用用途等に応じて適宜選択することができ、フィルム状、シート状、テープ状、微粒子状、積層板、立体的成型品、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｓｎ等の金属をパターニングしたプリント配線板やフィルム、テープ等とすることができる。

本実施形態では、上記導体層が形成された側の基材の表面に樹脂層を更に備えてもよい。特に粗面化された基材上に導体層を形成する場合には、粗面化された面上に、基材と屈折率が近似した樹脂層を形成することにより、導体基板の透明性を向上することができる。その結果、プラズマディスプレイ用電磁波シールドフィルム等、高い透明性を要求される用途にも好適な導体基板を製造することも可能となる。

基材表面に形成する樹脂層の種類は特に限定されず、例えばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂やビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、テトラヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、レゾルシン型エポキシ樹脂、ポリアルコール・ポリグリコール型エポキシ樹脂、ポリオレフィン型エポキシ樹脂、脂環式やハロゲン化ビスフェノール等のエポキシ樹脂；天然ゴム、ポリイソプレン、ポリ１，２−ブタジエン、ポリイソブテン、ポリブテン、ポリ−２−ヘプチル−１，３−ブタジエン、ポリ−２−ｔ−ブチル−１，３−ブタジエン、ポリ−１，３−ブタジエン等の（ジ）エン類；ポリオキシエチレン、ポリオキシプロピレン、ポリビニルエチルエーテル、ポリビニルヘキシルエーテル、ポリビニルブチルエーテル等のポリエーテル類；ポリビニルアセテート、ポリビニルプロピオネート等のポリエステル類；ポリウレタン、エチルセルロース、ポリ塩化ビニル、ポリアクリロニトリル、ポリスチレン、ポリメタクリロニトリル、ポリスルホン、ポリスルフィド、フェノキシ樹脂、ポリエチルアクリレート、ポリブチルアクリレート、ポリ−２−エチルヘキシルアクリレート、ポリ−ｔ−ブチルアクリレート、ポリ−３−エトキシプロピルアクリレート、ポリオキシカルボニルテトラメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリイソプロピルメタクリレート、ポリドデシルメタクリレート、ポリテトラデシルメタクリレート、ポリ−ｎ−プロピルメタクリレート、ポリ−３，３，５−トリメチルシクロヘキシルメタクリレート、ポリエチルメタクリレート、ポリ−２−ニトロ−２−メチルプロピルメタクリレート、ポリテトラカルバニルメタクリレート、ポリ−１，１−ジエチルプロピルメタクリレート、ポリメチルメタクリレート等のポリ（メタ）アクリル酸エステル、エポキシアクリレート、ウレタンアクリレート、ポリエーテルアクリレート、ポリエステルアクリレート等の共重合樹脂等が挙げられる。これらの中でも、接着性の観点から、エポキシアクリレート、ポリエーテルアクリレートが好ましい。

エポキシアクリレートとしては、特に限定されず、例えば、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、アリルアルコールジグリシジルエーテル、レゾルシノールジグリシジルエーテル、アジピン酸ジグリシジルエステル、フタル酸ジグリシジルエステル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールテトラグリシジルエーテル、ソルビトールテトラグリシジルエーテル等の（メタ）アクリル酸付加物等が挙げられる。

ポリエーテルアクリレートとしては、特に限定されず、例えばポリエチレングリコールアクリレート、ポリプロピレングリコールアクリレート等が挙げられる。

以上の樹脂は、２種以上共重合してもよいし、２種類以上をブレンドして使うこともできる。

［導体基板の製造方法］
本実施形態の導体基板の製造方法は、式（１）で表される金属錯体を含む導体層形成用組成物を、基材に塗布し、その後還元する工程を含むものである。上記導体層形成用組成物を用いることにより、温和な条件で精細度の高いパターンを有する導体層を製造することができる。

［塗布工程］
本実施形態の導体基板の製造方法において、式（１）で表される金属錯体を含む導体層形成用組成物を、基材に塗布する。本実施形態の導体層形成用組成物を基材に塗布する方法は特に限定されない。その具体例としては、例えばフレキソ印刷法、グラビア印刷法、オフセット印刷法、グラビアオフセット印刷法、スクリーン印刷法、インクジェット法、スプレー法、スピンコート法、ロールコート法、静電塗装法、カーテンコート法等の公知の方法が挙げられる。これらの中でも、フレキソ印刷法及びグラビア印刷法が好ましい。これらの印刷法によって導体層形成用組成物を基材に塗布することで、無電解めっきを施すのに好適な膜厚の導体層を、高い位置精度で形成することができる。

従来では、例えばエッチング法等を用いて基材上に導体層を形成する方法が用いられていたが、基材表面に形成された導体層をＩＣタグのアンテナの形状等にするため、不要な導体層部分をエッチングで除去しなければならない。しかし、本実施形態の製造方法では、塗布工程で必要な箇所にのみ選択的に導体層を形成することができるため、このような煩雑な工程が不要である。

［還元工程］
本実施形態の導体基板の製造方法において、導体層形成用組成物を基材に塗布した後、塗布した導体層形成用組成物を還元する。式（１）の金属錯体は、還元処理によりその構造が変化する。還元処理により、式（１）の金属錯体のｎ価の金属イオンが、（ｎ−１）以下の金属イオン又は金属に還元される。それに伴い、配位子であるトロポロン類の陰イオン（トロポロナートイオン）が金属イオンから解離し、フリーのトロポロン類もしくはフリーのトロポロナートイオンとなる。このように、導体層形成用組成物は還元されることにより、式（１）中のｎ価の金属イオンが０価の金属となる。

還元の方法は特に限定されず、公知の方法を採用すればよい。例えば水素等の還元性のガスと接触させる方法や、還元剤の溶液に浸漬する方法等が挙げられるが、設備の簡便さや効率を考慮すると後者が好ましい。本実施形態の導体層形成用組成物は、還元処理によって、式（１）中のｎ価の金属イオンが０価の金属となるので、後述する無電解めっき等のめっきを更に行うことが可能となる。

式（１）で表される金属錯体は、有機溶剤等への溶解性に優れるので、高濃度の溶液を調製することができる。従って、それを導体形成用組成物として用いれば、基材上に式（１）の金属錯体を高密度で塗布することが可能であり、その結果、還元により電気伝導性に優れた高密度の導体層を形成することが可能である。また、本実施形態の金属錯体は、広範囲の有機溶剤への溶解性が高いので、溶解力の強いハロゲン系有機溶剤を敢えて使用する必要がない。ハロゲン系有機溶剤は基材への浸透力が強いので、基材が変質し易いという問題に加え、人体への有害性が高いという問題をも併せ持つが、本実施形態の金属錯体を用いれば、そうしたハロゲン系有機溶剤の問題を回避することが可能である。

還元剤の種類は特に限定されず、例えば次亜リン酸ナトリウム、次亜リン酸カリウム、塩化チタン等の無機塩類、ジメチルアミンボラン、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カリウム等のホウ素化合物、ホルムアルデヒド、ヒドラジン等の還元性有機化合物等が挙げられる。この中でも、ジメチルアミンボラン、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カリウム等のホウ素化合物、ヒドラジンは、高温処理が不要で基材の変質を抑制できる観点から好ましい。さらに反応性の高さにおいてホウ素化合物が好ましく、安全性及び費用対効果の点から水素化ホウ素ナトリウム（ＮａＢＨ_４）が特に好ましい。還元剤の溶液に浸漬する方法において、溶媒の種類は特に限定されず、安全性を考慮すると、水又はエタノールを用いるのが好ましく、水がより好ましい。上記の金属錯体は、有機溶剤への溶解性には優れる一方で水への溶解性は低い。このことから、水を用いた還元方法であっても、基材上に塗布された金属錯体が水中へ溶出することなく、塗布された状態が維持されるので、基材上でめっきを行うことが可能となる。また、上記の金属錯体は、基材への密着性に優れるので、接着剤等、基材との密着性を確保するための樹脂成分を配合する必要がない。樹脂成分を配合した場合には、当該成分を架橋するための高温処理が必要となり、その結果、基材の変質が問題となる場合が多いが、上記した高温処理が不要なので、基材の変質を防ぐことができる。そして、使用する基材は必ずしも耐熱性が高い必要がないので、基材の材質の選択の幅が広い。

［めっき工程］
本実施形態の導体基板の製造方法においては、還元により製造した導体層に対し、めっきを施すことができる。めっきの方法は特に限定されず、銅めっき、ニッケルめっき、クロムめっき、亜鉛めっき、スズ及びスズ合金めっき、金めっき、銀めっき、白金族めっき等の電気めっき、若しくは、無電解ニッケルめっき、無電解銅めっき、無電解パラジウムめっき、無電解金めっき、自己触媒型無電解金めっき、無電解コバルトめっき等の無電解めっきを、公知の方法で実施すればよいが、電極と接合する必要がなく簡便であるという観点から無電解めっきが好ましい。これらの中でも、安価な資材を用いて高い導電性を有する導体層が形成できる観点から、無電解銅めっき又は無電解ニッケルめっきがより好ましく、無電解銅めっきが更に好ましい。

本実施形態の導体層形成用組成物を用いて基材上に導体層を製造する場合、（１）少なくとも基材表面に導体層形成用組成物を塗布し還元すればよいため、工程数が少ない（例えば、エッチング処理等を必須としない）、（２）リソグラフィーのようにフォトレジストの現像廃液やエッチング廃液等が発生することがない、（３）高温焼結等の高温処理が必須ではないため、基材の材料選択の制限が緩和される、（４）パラジウム等の高価なインク成分を用いなくてもよいため、低コストである、等といった利点を有する。このように、本実施形態の製造方法は、簡便かつ低コストに導体基板を製造することができる。

本実施形態の導体層形成用組成物及び導体基板は、ＲＦＩＤ用ＩＣタグのアンテナ回路、フレキシブル、リジッド、リジッドフレックス等のプリント配線板の回路、電磁波シールド用微細配線、半導体の配線、トランジスタの配線、コンデンサーの配線、抵抗器の配線、電池の配線や電極、有機ＥＬディスプレイにおける配線や電極、無機ＥＬディスプレイにおける配線や電極、デジタルサイネージにおける配線や電極、電子ペーパーにおける配線や電極、液晶ディスプレイにおける配線や電極、プラズマディスプレイの配線や電極、有機ＥＬ等の面発光照明の配線や電極等の用途に応用できる。

上記の中でも、本実施形態の導体基板の好適な態様として、ＩＣタグアンテナ回路基板やフレキシブル配線基板が挙げられる。それらの基板においては、樹脂フィルム上に高精度の導体層を形成する必要がある。しかも、近年の低価格化傾向を背景として、いかに低コストで生産できるかが重要である。本実施形態の導体基板の製造においては、高温での焼成が不要なので、樹脂フィルム上に高精度で導体層が形成できることに加え、エッチング工程が不要なので、高効率で導体層を形成できる。そのため、本実施形態の導体基板は、ＩＣタグアンテナ回路基板やフレキシブル配線基板として好適である。

本実施形態の導体層形成用組成物及び導体基板は、導体層を形成する基板等の材料について制限を受けることが少ないため、これらの用途における所望の耐熱性、寸法安定性、絶縁性等の各種特性に応じて、その組成を調整できる。

以下、本発明を実施例によって更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

［実施例１］
＜金属錯体溶液の合成＞
４−イソプロピルトロポロン（旭化成ファインケム（株）製、ヒノキチオール）１．８ｇ（１１ｍｍｏｌ）を２５℃にてエタノール２０ｇに溶解した。当該溶液に対し、酢酸銅１水和物１．０ｇ（５ｍｍｏｌ）を加え、５０℃で１時間撹拌し、４−イソプロピルトロポロン銅錯体の溶液を得た。４−イソプロピルトロポロン銅錯体の確認は、元素分析（装置名：パーキンエルマー社製、ＣＨＮＳ）によって行った。

＜塗布＞
凸部線幅１ｍｍの直線パターンを刻んだフレキソ印刷版を用い、前記金属錯体溶液を、厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート製フィルム（開成工業（株）製、「サンドマット加工ＰＥＴフィルム」、表面粗さ：Ｒａ＝０．６４１μｍ、Ｒｍａｘ＝７．７３２μｍ）に、直線状に塗布した。なお、印刷機として、アイジーティ・テスティングシステムズ社製、ＩＧＴ 印刷適性試験機 Ｍｏｄｅｌ Ｆ１を用い、印刷速度１８ｍ／分で印刷した。

＜還元＞
金属錯体が塗布された前記ポリエチレンテレフタレート製フィルムを、５質量％ＮａＢＨ_４水溶液に２５℃で２分間浸漬することにより、当該金属錯体を還元して、ポリエチレンテレフタレート製フィルム上に、直線状の金属銅パターンを形成させた。

＜無電解めっき＞
硫酸銅５水和物３．０ｇと、エチレンジアミン４酢酸２ナトリウム２水和物７．０ｇ、３７質量％ホルムアルデヒド水溶液１８．７ｇと、１Ｍ水酸化ナトリウム１００ｍＬとからなる無電解銅めっき浴（５０℃）に、表面に金属銅パターンが形成された前記ポリエチレンテレフタレート製フィルムを１０分間浸漬することにより、ポリエチレンテレフタレート製フィルム上に直線状の導体パターンを形成させた。得られた導体パターンの電気伝導率は、５３×１０^６Ｓ／ｍと極めて良好な導電性を示した。導体パターンの電気伝導率の測定は、三和電気計器（株）製、マルチテスタＣＰ−７Ｄによって行った。

なお、電気伝導率σは、以下の式（ａ）及び（ｂ）によって求めた。
σ［Ｓ／ｃｍ］＝１／ρｖ ・・・（ａ）
ρｖ＝Ｒ×ｗ×ｔ／Ｌ ・・・（ｂ）
ρｖ：体積抵抗率［Ω・ｃｍ］
Ｒ：導体層抵抗値［Ω］
ｗ：導体層幅［ｃｍ］
ｔ：導体層厚み［ｃｍ］
Ｌ：導体層長さ［ｃｍ］

［実施例２］
＜金属錯体溶液の合成＞
エタノールの代わりにエチルセロソルブを用いた以外は、実施例１と同様にして４−イソプロピルトロポロン銅錯体の溶液を得た。
＜塗布＞
実施例１と同様の条件で実施し、直線状に金属錯体溶液を基板に塗布した。
＜還元＞
実施例１と同様の条件で実施し、金属銅パターンを基板上に形成させた。
＜無電解めっき＞
実施例１と同様の条件で実施し、導体パターンを基板上に形成させた。得られた導体パターンの電気伝導率は、５４×１０^６Ｓ／ｍと極めて良好な導電性を示した。

［実施例３］
＜金属錯体溶液の合成＞
４−イソプロピルトロポロン（旭化成ファインケム（株）製、ヒノキチオール）１．８ｇ（１１ｍｍｏｌ）を２５℃にてエタノール２０ｇに溶解した。当該溶液に対し、硫酸ニッケル６水和物１．３ｇ（５ｍｍｏｌ）を加え、５０℃で１時間撹拌し、４−イソプロピルトロポロンニッケル錯体の溶液を得た。
＜塗布＞
実施例１と同様の条件で実施し、直線状に金属錯体溶液を基板に塗布した。
＜還元＞
実施例１と同様の条件で実施し、金属ニッケルパターンを基板上に形成させた。
＜無電解めっき＞
硫酸ニッケル６水和物２０ｇ／Ｌと、次亜リン酸ナトリウム１水和物１５ｇ／Ｌと、クエン酸３アンモニウム３０ｇ／Ｌとからなる無電解ニッケルめっき浴（ｐＨ＝９、５０℃）に、表面に金属ニッケルのパターンが形成された前記ポリエチレンテレフタレート製フィルムを１０分間浸漬することにより、ポリエチレンテレフタレート製フィルム上に直線状の導体パターンを形成させた。得られた導体パターンの電気伝導率は、２×１０^６Ｓ／ｍと良好な導電性を示した。

［実施例４］
＜金属錯体溶液の合成＞
公知の方法（「新実験化学講座」、丸善（株）、１９７７年発行、ｐ．９１４）により合成した３−イソプロペニルトロポロン１．７８ｇ（１１ｍｍｏｌ）を２５℃にてテルピネオール２０ｇに溶解した。当該溶液に対し、酢酸銅１水和物１．０ｇ（５ｍｍｏｌ）を加え、５０℃で１時間撹拌し、３−イソプロペニルトロポロン銅錯体の溶液を得た。３−イソプロペニルトロポロン銅錯体の確認は、元素分析によって行った。
＜塗布＞
実施例１と同様の条件で実施し、直線状に金属錯体溶液を基板に塗布した。
＜還元＞
実施例１と同様の条件で実施し、金属銅パターンを基板上に形成させた。
＜無電解めっき＞
実施例１と同様の条件で実施し、導体パターンを基板上に形成させた。得られた導体パターンの電気伝導率は、５３×１０^６Ｓ／ｍと極めて良好な導電性を示した。

［実施例５］
＜金属錯体溶液の合成＞
公知の方法（「新実験化学講座」、丸善（株）、１９７７年発行、ｐ．９１３）により合成した４−メチルトロポロン１．５ｇ（１１ｍｍｏｌ）を２５℃にてエタノール３０ｇに溶解した。当該溶液に対し、酢酸銅１水和物１．０ｇ（５ｍｍｏｌ）を加え、５０℃で１時間撹拌し、４−メチルトロポロン銅錯体の溶液を得た。４−メチルトロポロン銅錯体の確認は、元素分析によって行った。
＜塗布＞
実施例１と同様の条件で実施し、直線状に金属錯体溶液を基板に塗布した。
＜還元＞
実施例１と同様の条件で実施し、金属銅パターンを基板上に形成させた。
＜無電解めっき＞
実施例１と同様の条件で実施し、導体パターンを基板上に形成させた。得られた導体パターンの電気伝導率は、５０×１０^６Ｓ／ｍと極めて良好な導電性を示した。

［実施例６］
＜金属錯体溶液の合成＞
トロポロン（東京化成工業（株）製）１．３４ｇ（１１ｍｍｏｌ）を２５℃にてエタノール４０ｇに溶解した。当該溶液に対し、酢酸銅１水和物１．０ｇ（５ｍｍｏｌ）を加え、５０℃で１時間撹拌し、トロポロン銅錯体の溶液を得た。トロポロン銅錯体の確認は、元素分析によって行った。
＜塗布＞
実施例１と同様の条件で実施し、直線状に金属錯体溶液を基板に塗布した。
＜還元＞
実施例１と同様の条件で実施し、金属銅パターンを基板上に形成させた。
＜無電解めっき＞
実施例１と同様の条件で実施し、導体パターンを基板上に形成させた。得られた導体パターンの電気伝導率は、５０×１０^６Ｓ／ｍと極めて良好な導電性を示した。

［実施例７］
＜金属錯体溶液の合成＞
公知の方法（「新実験化学講座」、丸善（株）、１９７７年発行、ｐ．９１９）により合成した５−アミノトロポロン１．５１ｇ（１１ｍｍｏｌ）、エタノール４０ｇ及び酢酸銅１水和物１．０ｇ（５ｍｍｏｌ）を混合し、５０℃で１時間撹拌し、５−アミノトロポロン銅錯体の溶液を得た。５−アミノトロポロン銅錯体の確認は、元素分析によって行った。
＜塗布＞
実施例１と同様の条件で実施し、直線状に金属錯体溶液を基板に塗布した。
＜還元＞
実施例１と同様の条件で実施し、金属銅パターンを基板上に形成させた。
＜無電解めっき＞
実施例１と同様の条件で実施し、導体パターンを基板上に形成させた。得られた導体パターンの電気伝導率は、４５×１０^６Ｓ／ｍと極めて良好な導電性を示した。

［実施例８］
＜金属錯体溶液の合成＞
公知の方法（「新実験化学講座」、丸善（株）、１９７７年発行、ｐ．９２０）により合成した５−ブロモトロポロン２．２１ｇ（１１ｍｍｏｌ）、エタノール４０ｇ及び酢酸銅１水和物１．０ｇ（５ｍｍｏｌ）を混合し、５０℃で１時間撹拌し、５−ブロモトロポロン銅錯体の溶液を得た。５−ブロモトロポロン銅錯体の確認は、元素分析によって行った。
＜塗布＞
実施例１と同様の条件で実施し、直線状に金属錯体溶液を基板に塗布した。
＜還元＞
実施例１と同様の条件で実施し、金属銅パターンを基板上に形成させた。
＜無電解めっき＞
実施例１と同様の条件で実施し、導体パターンを基板上に形成させた。得られた導体パターンの電気伝導率は、４７×１０^６Ｓ／ｍと極めて良好な導電性を示した。

［実施例９］
＜金属錯体溶液の合成＞
公知の方法（「大有機化学 第１３巻 非ベンゼン系芳香環化合物」、（株）朝倉書店、１９６０年発行、ｐ．３７５）により合成した５−シアノトロポロン１．６２ｇ（１１ｍｍｏｌ）、エタノール４０ｇ及び酢酸銅１水和物１．０ｇ（５ｍｍｏｌ）を混合し、５０℃で１時間撹拌し、５−シアノトロポロン銅錯体の溶液を得た。５−シアノトロポロン銅錯体の確認は、元素分析によって行った。
＜塗布＞
実施例１と同様の条件で実施し、直線状に金属錯体溶液を基板に塗布した。
＜還元＞
実施例１と同様の条件で実施し、金属銅パターンを基板上に形成させた。
＜無電解めっき＞
実施例１と同様の条件で実施し、導体パターンを基板上に形成させた。得られた導体パターンの電気伝導率は、４８×１０^６Ｓ／ｍと極めて良好な導電性を示した。

［実施例１０］
＜金属錯体溶液の合成＞
公知の方法（「新実験化学講座」、丸善（株）、１９７７年発行、ｐ．９０９）により合成した４，５−ベンゾトロポロン１．９ｇ（１１ｍｍｏｌ）、エタノール４０ｇ及び酢酸銅１水和物１．０ｇ（５ｍｍｏｌ）を混合し、５０℃で１時間撹拌し、４，５−ベンゾトロポロン銅錯体の溶液を得た。４，５−ベンゾトロポロン銅錯体の確認は、元素分析によって行った。
＜塗布＞
実施例１と同様の条件で実施し、直線状に金属錯体溶液を基板に塗布した。
＜還元＞
実施例１と同様の条件で実施し、金属銅パターンを基板上に形成させた。
＜無電解めっき＞
実施例１と同様の条件で実施し、導体パターンを基板上に形成させた。得られた導体パターンの電気伝導率は、４６×１０^６Ｓ／ｍと極めて良好な導電性を示した。

［比較例１］
＜金属錯体溶液の合成＞
銅（ＩＩ）アセチルアセトナート（東京化成工業（株）製）１．３ｇ（５ｍｍｏｌ）とエタノール２０ｇを混合し、５０℃で１時間撹拌したが、不溶物が多く、懸濁状態となった。不溶分をろ別し、銅（ＩＩ）アセチルアセトナート溶液を得た。
＜塗布＞
実施例１と同様の条件で実施し、直線状に金属錯体溶液を基板に塗布した。
＜還元＞
実施例１と同様の条件で実施したが、金属銅パターンの析出は認められなかった。
＜無電解めっき＞実施例１と同様の条件で実施したが、導体パターンの形成は認められなかった。

［比較例２］
＜金属錯体溶液の合成＞
１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオン（東京化成工業（株）製）２．５ｇ（１１ｍｍｏｌ）を２５℃にてトルエン２０ｇに溶解させた。当該溶液に対し、酢酸銅１水和物１．０ｇ（５ｍｍｏｌ）を加え、５０℃で１時間撹拌したが、不溶物が多く、懸濁状態となった。不溶分をろ別し、１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオン銅（ＩＩ）錯体溶液を得た。
＜塗布＞
実施例１と同様の条件で実施し、直線状に金属錯体溶液を基板に塗布した。
＜還元＞
実施例１と同様の条件で実施したが、金属銅パターンの析出は認められなかった。
＜無電解めっき＞
実施例１と同様の条件で実施したが、導体パターンの形成は認められなかった。

以上より、実施例１〜１０の導体層形成用組成物は、いずれも基板上に金属パターンを形成でき、めっきすることにより導電性が優れた導体基板とできることが確認された。一方、比較例１及び２の導体層形成用組成物は、いずれも基板上に金属パターンを形成させることができず、めっきにより導体を基板上に形成することもできないことが確認された。

本出願は、２００９年４月１４日に日本国特許庁へ出願された日本特許出願（特願２００９−０９７９０２）に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。

本発明に係る導体層形成用組成物、それを用いた導体基板、及び導体基板の製造方法は、ＩＣタグのアンテナ、電磁波シールド、フレキシブルプリント配線板等の導体層を製造する技術として幅広い分野で利用することが可能である。

Claims (10)

1. 下記式（１）で表される金属錯体を含む、導体層形成用組成物。
   

   

   
   （式（１）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５は、それぞれ独立に、水素原子、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、ホルミル基、アシル基、ニトロ基、ニトロソ基、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アリール基、ヒドロキシ基、メルカプト基、アルキルスルファニル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、又はアミノ基を表す。Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５は、それらのうち少なくとも２つが互いに結合し飽和環又は不飽和環を形成していてもよく、それぞれ独立に、式（１）で表される化合物から１つの水素原子が脱離した１価の基を置換基として有していてもよい。Ｍは、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｆｅ、Ｉｎ、及びＳｎからなる群より選ばれるいずれか１種以上の金属を表す。ｎは１〜６の整数を表す。）
2. 前記Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５が、それぞれ独立に、水素原子又はイソプロピル基を表す、請求項１に記載の導体層形成用組成物。
3. 前記Ｍが、Ｃｕを表す、請求項１又は２に記載の導体層形成用組成物。
4. 基材と、
   請求項１〜３のいずれか一項に記載の導体層形成用組成物を前記基材に塗布した後、還元することにより形成される導体層と、
   を含む、導体基板。
5. 下記式（１）で表される金属錯体を含む導体層形成用組成物を基材に塗布し、その後還元する工程を含む、導体基板の製造方法。
   

   

   
   （式（１）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５は、それぞれ独立に、水素原子、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、ホルミル基、アシル基、ニトロ基、ニトロソ基、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アリール基、ヒドロキシ基、メルカプト基、アルキルスルファニル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、又はアミノ基を表す。Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５は、それらのうち少なくとも２つが互いに結合し飽和環又は不飽和環を形成していてもよく、それぞれ独立に、式（１）で表される化合物から１つの水素原子が脱離した１価の基を置換基として有していてもよい。Ｍは、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｆｅ、Ｉｎ、及びＳｎからなる群より選ばれるいずれか１種以上の金属を表す。ｎは１〜６の整数を表す。）
6. 前記還元は、水素化ホウ素ナトリウムを用いて行う、請求項５記載の導体基板の製造方法。
7. 前記還元を行った後に、前記導体層にめっきを施す工程を、更に含む、請求項５又は６に記載の導体基板の製造方法。
8. 前記めっきは、無電解めっきである、請求項７記載の導体基板の製造方法。
9. 前記無電解めっきは、無電解銅めっきである、請求項８記載の導体基板の製造方法。
10. 前記導体層形成用組成物を基材に塗布する方法は、フレキソ印刷又はグラビア印刷により行う、請求項５〜９のいずれか一項に記載の導体基板の製造方法。