JPWO2009063973A1 - 光電変換素子用電極基板、光電変換素子用電極基板の製造方法、および光電変換素子 - Google Patents
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Abstract
Description
本願は、2007年11月15日に日本国に出願された特願2007−296440号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
また、配線保護層として樹脂系材料が検討されているが、一般に耐熱性に乏しく、色素増感太陽電池の光電極となる酸化物半導体ナノ粒子の高温焼成ができない。特に、硬化性樹脂を用いる場合には、該硬化性樹脂からの揮発成分がナノ粒子表面を汚染して発電特性に影響を及ぼす問題も生じる。
また、配線保護層の形成法においては、保護層として透明導電性金属酸化物を用いる場合、真空装置(スパッタ法、蒸着法など)やCVD装置などの大掛かりな装置が必要となる。また、熱可塑性の樹脂フィルムを用いる手法も検討されているが、特に配線パターンが複雑な場合などでは、位置精度上の問題から、フィルムの貼り合わせが困難である。
前記加熱の工程における加熱温度は、焼成工程における焼成温度より低いことが好ましい。
本発明の光電変換素子用電極基板においては、前記250℃以上の耐熱性を有する絶縁性樹脂は、ポリイミド誘導体、シリコーン化合物、フッ素エラストマー、フッ素樹脂から選択される1種または複数種であることが好ましい。
また、本発明は、上述の光電変換素子用電極基板を備えることを特徴とする光電変換素子を提供する。
11…基板
12…透明導電膜
13…集電配線
14…保護層
15…色素を吸着させた多孔質酸化物半導体層
15A…多孔質酸化物半導体層(色素を吸着させる前のもの)
20…色素増感太陽電池(光電変換素子)
21…対極
22…電解質
図1は、本発明の光電変換素子用電極基板の第1の例を示す断面図である。図2は、本発明の光電変換素子用電極基板の第2の例を示す断面図である。図3A〜図3Dは、図1に示す光電変換素子用電極基板の製造方法を説明する断面工程図である。図4A〜図4Dは、図2に示す光電変換素子用電極基板の製造方法を説明する断面工程図である。図5は、本発明の光電変換素子用電極基板の第3の例を示す断面図である。図6は、本発明の光電変換素子用電極基板の第4の例を示す断面図である。図7は、本発明の光電変換素子の一例を示す断面図である。
まず、基板11上に、透明導電膜12および集電配線13を形成する。この工程においては、透明導電膜12の形成と集電配線13の形成の時間的関係は特に限定されるものではなく、透明導電膜12の後で集電配線13を形成するのでも、集電配線13の後で透明導電膜12を形成するのでも、良い。なお、図2に示すように、集電配線13と多孔質酸化物半導体層15とが透明導電膜12の上に設けられる場合は、多孔質酸化物半導体層15の形成工程を集電配線13の形成より前に行うこともできる。
前記加熱の工程は、保護層14を形成する工程の後に行うこともできる。また、保護層14を形成する絶縁性樹脂が例えば熱硬化性樹脂などで、その硬化反応に加熱を要するものであれば、前記加熱の工程は、保護層14を形成する工程中に行うことも可能である。前記加熱の工程は、保護層14を形成する工程中に行い、さらにその後にも行うようにすることもできる。
◆ガラス基板
i)高歪点ガラス PD200(旭硝子)
ii)耐熱ガラス TEMPAX 8330(SCHOTT)
iii)市販FTOガラス(日本板硝子)
a)ポリイミドワニス(I.S.T)、破断伸び5%以上(約65%)、硬化温度Max350℃〜400℃
b)シリコーンワニス(GE東芝シリコーン)、破断伸び5%以上、硬化温度300℃以下
c)フッ素エラストマーSIFEL(信越化学)、破断伸び5%以上(約200%)、硬化温度300℃以下
d)テフロン(登録商標)コーティング材(日本ファインコーティングス)、破断伸び5%以上、処理温度300℃以下
e)低融点ガラス(福田金属箔粉工業) 破断伸び5%未満、焼成温度450℃f)紫外線硬化型樹脂(スリーボンド)
i)、ii)、iii)のガラス基板(140mm角で、表面にFTO膜を形成したもの)を用意し、FTO膜の上にスクリーン印刷にて銀回路を格子状に形成した。回路形状の設計は、回路幅300μm、膜厚10μmとした。印刷用銀ペーストとしては、焼結後の体積抵抗率が3×10−6Ωcmのものを用い、印刷後130℃で乾燥し、さらに最高温度510℃で銀回路を焼結することにより回路形成した。
デシケータ内に、a)のワニスを一面に塗ったガラス基板とともに、5mm角のチタニア(TiO2)多孔質膜を形成したFTO電極基板を一晩放置し、その後、表1の左欄に示す各処理温度で30分熱処理した後に増感色素を担持した。当該色素担持したFTO電極基板を光電極として、これを対極および電解質と組み合わせて小型セルを作製し、光電変換特性を測定した。その測定結果を表1に示す。
上記構成の電極基板を用いて、色素増感太陽電池を作製し、特性評価を行った。色素増感太陽電池の作製方法および測定条件は以下の通りである。
Claims (5)
- 基板上に、透明導電膜および集電配線を形成する工程と、
前記透明導電膜上において、前記集電配線とは異なる部分に多孔質酸化物半導体層を形成する工程と、
前記多孔質酸化物半導体層を焼成する工程と、
前記焼成後、前記集電配線を覆うように250℃以上の耐熱性を有する絶縁性樹脂からなる保護層を形成する工程と、
前記保護層の形成後、前記多孔質酸化物半導体層に色素を吸着させる工程とを有し、さらに前記保護層を形成する工程中またはその後であって、前記多孔質酸化物半導体層に色素を吸着させる工程の前に、250℃以上で前記基板を加熱する工程を有することを特徴とする光電変換素子用電極基板の製造方法。 - 前記加熱の工程における加熱温度は、焼成工程における焼成温度より低いことを特徴とする請求項1に記載の光電変換素子用電極基板の製造方法。
- 透明導電膜および集電配線を備える基板と、前記透明導電膜上において、前記集電配線とは異なる部分に設けられた多孔質酸化物半導体層と、前記集電配線を覆うように形成された絶縁性樹脂からなる保護層とを備え、
前記保護層が、250℃以上の耐熱性を有する絶縁性樹脂からなることを特徴とする光電変換素子用電極基板。 - 前記250℃以上の耐熱性を有する絶縁性樹脂は、ポリイミド誘導体、シリコーン化合物、フッ素エラストマー、フッ素樹脂から選択される1種または複数種であることを特徴とする請求項3に記載の光電変換素子用電極基板。
- 請求項3または4に記載の光電変換素子用電極基板を備えることを特徴とする光電変換素子。
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