JPWO2009057422A1 - 銅アノード又は含燐銅アノード、半導体ウエハへの電気銅めっき方法及びパーティクル付着の少ない半導体ウエハ - Google Patents
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- 239000010949 copper Substances 0.000 title claims abstract description 186
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 182
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 174
- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims abstract description 111
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 65
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 36
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 41
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 29
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 23
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 8
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 8
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 46
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 13
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 8
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 8
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 7
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 6
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 4
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 238000007323 disproportionation reaction Methods 0.000 description 3
- 150000003017 phosphorus Chemical class 0.000 description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 3
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010802 sludge Substances 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N dioxoiridium Chemical compound O=[Ir]=O HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 229910000457 iridium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C9/00—Alloys based on copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/10—Electrodes, e.g. composition, counter electrode
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/12—Semiconductors
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
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Abstract
半導体ウエハへの電気銅めっきに使用する銅アノード又は含燐銅アノードであって、銅アノード又は燐を除く含燐銅アノードの純度が９９．９９ｗｔ％以上であり、不純物であるシリコンの含有量が１０ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする半導体ウエハへの電気銅めっきに使用する銅アノード又は含燐銅アノード。電気銅めっきの際に、被めっき物、特に半導体ウエハへのパーティクルの付着を効率良く防止できる電気銅めっき方法、電気銅めっき用含燐銅アノード及びこれらを用いて電気銅めっきされたパーティクル付着の少ない銅層を備えた半導体ウエハを提供する。
Description
本発明は、電気銅めっきの際に、被めっき物、特に半導体ウエハへのパーティクルの付着を防止する電気銅めっき方法、電気銅めっき用含燐銅アノード及びこれらを用いて電気銅めっきされたパーティクル付着の少ない銅層を備えた半導体ウエハに関する。
一般に、電気銅めっきは、ＰＷＢ（プリント配線板）等において銅配線形成用として使用されているが、最近では半導体の銅配線形成用として使用されるようになってきた。電気銅めっきは歴史が長く、多くの技術的蓄積があり今日に至っているが、この電気銅めっきを半導体の銅配線形成用として使用する場合には、ＰＷＢでは問題にならなかった新たな不都合が出てきた。
通常、電気銅めっきを行う場合、アノードとして含燐銅が使用されている。これは、白金、チタン、酸化イリジウム製等の不溶性アノードを使用した場合、めっき液中の添加剤がアノード酸化の影響を受けて分解し、めっき不良が発生するためである。一方、可溶性アノードの電気銅や無酸素銅を使用した場合は、溶解時に、一価の銅の不均化反応に起因する金属銅や酸化銅からなるスラッジ等のパーティクルが発生し、被めっき物を汚染してしまうことがあるためである。
これに対して、含燐銅アノードを使用した場合、電解によりアノード表面に燐化銅や塩化銅等からなるブラックフィルムが形成され、一価の銅の不均化反応による金属銅や酸化銅の生成を抑え、パーティクルの付着が少ない銅層を形成することができるためである。
しかし、上記のようにアノードとして含燐銅を使用しても、ブラックフィルムの脱落やブラックフィルムの薄い部分での金属銅や酸化銅の生成があるので、完全にパーティクルの生成が抑えられるわけではない。
しかし、上記のようにアノードとして含燐銅を使用しても、ブラックフィルムの脱落やブラックフィルムの薄い部分での金属銅や酸化銅の生成があるので、完全にパーティクルの生成が抑えられるわけではない。
このようなことから、通常アノードバッグと呼ばれる濾布でアノードを包み込んで、パーティクルがめっき液に到達するのを防いでいる。ところが、このような方法を、特に半導体ウエハへのめっきに適用した場合、上記のようなＰＷＢ等への配線形成では問題にならなかった微細なパーティクルが半導体ウエハに到達し、これが半導体に付着してめっき不良の原因となる問題が発生した。
このような問題を解決するための方法を、本発明者らはいくつかの解決策を提案した（特許文献１−４参照）。これらは、従来の含燐銅アノードを使用した半導体ウエハへのめっきに比べ、格段にパーティクル発生を防止できる効果があった。しかし、このような解決策を講じても、なおかつ微細なパーティクル発生が多少とも存在するという問題があった。
特開２０００−２６５２６２号公報
特開２００１−９８３６６号公報
特開２００１−１２３２６６号公報
特開平３−１８０４６８号公報
本発明は、電気銅めっきの際に、被めっき物、特に半導体ウエハへのパーティクルの付着を効率良く防止できる電気銅めっき方法、電気銅めっき用含燐銅アノード及びこれらを用いて電気銅めっきされたパーティクル付着の少ない銅層を備えた半導体ウエハを提供することを課題とする。
本願は、以下の発明を提供する。
１）半導体ウエハへの電気銅めっきに使用する銅アノード又は含燐銅アノードであって、銅アノード又は燐を除く含燐銅アノードの純度が９９．９９ｗｔ％以上であり、不純物であるシリコンの含有量が１０ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする半導体ウエハへの電気銅めっきに使用する銅アノード又は含燐銅アノード。
２）不純物であるシリコンの含有量が１ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする上記１）記載の半導体ウエハへの電気銅めっきに使用する銅アノード又は含燐銅アノード。
３）不純物である硫黄の含有量が１０ｗｔｐｐｍ以下、鉄の含有量が１０ｗｔｐｐｍ以下、マンガンの含有量が１ｗｔｐｐｍ以下、亜鉛の含有量が１ｗｔｐｐｍ以下、鉛の含有量が１ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする上記１）又は２）記載の半導体ウエハへの電気銅めっきに使用する銅アノード又は含燐銅アノード。
４）前記含燐銅アノードの燐含有率が１００〜１０００ｗｔｐｐｍであることを特徴とする上記１）〜３）のいずれか一に記載の電気銅めっき用含燐銅アノード。
１）半導体ウエハへの電気銅めっきに使用する銅アノード又は含燐銅アノードであって、銅アノード又は燐を除く含燐銅アノードの純度が９９．９９ｗｔ％以上であり、不純物であるシリコンの含有量が１０ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする半導体ウエハへの電気銅めっきに使用する銅アノード又は含燐銅アノード。
２）不純物であるシリコンの含有量が１ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする上記１）記載の半導体ウエハへの電気銅めっきに使用する銅アノード又は含燐銅アノード。
３）不純物である硫黄の含有量が１０ｗｔｐｐｍ以下、鉄の含有量が１０ｗｔｐｐｍ以下、マンガンの含有量が１ｗｔｐｐｍ以下、亜鉛の含有量が１ｗｔｐｐｍ以下、鉛の含有量が１ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする上記１）又は２）記載の半導体ウエハへの電気銅めっきに使用する銅アノード又は含燐銅アノード。
４）前記含燐銅アノードの燐含有率が１００〜１０００ｗｔｐｐｍであることを特徴とする上記１）〜３）のいずれか一に記載の電気銅めっき用含燐銅アノード。
また、本願は、以下の発明を提供する。
５）銅アノード又は燐を除く含燐銅アノードの純度が９９．９９ｗｔ％以上であり、不純物であるシリコンの含有量が１０ｗｔｐｐｍ以下である銅アノード又は含燐銅アノードを用いて半導体ウエハへの電気銅めっきを行い、半導体ウエハ上にパーティクル付着の少ない銅めっき層を形成することを特徴とする半導体ウエハへの電気銅めっき方法。
６）不純物であるシリコンの含有量が１ｗｔｐｐｍ以下である銅アノード又は燐含有銅アノードを用いることを特徴とする上記５）記載の半導体ウエハへの電気銅めっき方法。
７）不純物である硫黄の含有量が１０ｗｔｐｐｍ以下、鉄の含有量が１０ｗｔｐｐｍ以下、マンガンの含有量が１ｗｔｐｐｍ以下、亜鉛の含有量が１ｗｔｐｐｍ以下、鉛の含有量が１ｗｔｐｐｍ以下である銅アノード又は燐含有銅アノードを用いることを特徴とする上記５）又は６）記載の半導体ウエハへの電気銅めっき方法。
５）銅アノード又は燐を除く含燐銅アノードの純度が９９．９９ｗｔ％以上であり、不純物であるシリコンの含有量が１０ｗｔｐｐｍ以下である銅アノード又は含燐銅アノードを用いて半導体ウエハへの電気銅めっきを行い、半導体ウエハ上にパーティクル付着の少ない銅めっき層を形成することを特徴とする半導体ウエハへの電気銅めっき方法。
６）不純物であるシリコンの含有量が１ｗｔｐｐｍ以下である銅アノード又は燐含有銅アノードを用いることを特徴とする上記５）記載の半導体ウエハへの電気銅めっき方法。
７）不純物である硫黄の含有量が１０ｗｔｐｐｍ以下、鉄の含有量が１０ｗｔｐｐｍ以下、マンガンの含有量が１ｗｔｐｐｍ以下、亜鉛の含有量が１ｗｔｐｐｍ以下、鉛の含有量が１ｗｔｐｐｍ以下である銅アノード又は燐含有銅アノードを用いることを特徴とする上記５）又は６）記載の半導体ウエハへの電気銅めっき方法。
さらに、本願は、下記の発明を提供する。
８）前記請求項１〜４の銅アノード又は含燐銅アノードを用いて半導体ウエハ上に形成されたパーティクルの発生の少ない銅層を備えた半導体ウエハ。
８）前記請求項１〜４の銅アノード又は含燐銅アノードを用いて半導体ウエハ上に形成されたパーティクルの発生の少ない銅層を備えた半導体ウエハ。
本発明は、電気銅めっきを行う際に、パーティクル付着の少ない半導体ウエハへの電気銅めっきを安定して行うことができるという優れた特徴を有する。本発明のアノードを使用した電気銅めっきは、細線化が進む他の分野の銅めっきにおいても、パーティクルに起因するめっき不良率を低減させる方法として有効である。さらに、本発明の銅アノード又は含燐銅アノードは、被めっき物へのパーティクルの付着及び汚染を著しく減少させるという効果があるが、さらに従来不溶性アノードを使用することによって発生していた、めっき液中の添加剤の分解及びこれによるめっき不良が発生することもない、という効果を有する。
一般に、半導体ウエハの電気銅めっきを実施する場合には、硫酸銅めっき液を有するめっき槽、アノードとして銅アノード又は含燐銅アノードを使用し、カソードにはめっきを施すための、例えば半導体ウエハとする。
上記のように、電気めっきを行う際、アノードとして含燐銅を使用する場合には、表面に燐化銅及び塩化銅を主成分とするブラックフィルムが形成され、該アノード溶解時の、一価の銅の不均化反応に起因する金属銅や酸化銅等からなるスラッジ等のパーティクルの生成を抑制する機能を持つ。本願発明は、通常の銅アノードを用いて銅めっきする場合にも有効であるが、特に有効であるアノードとして含燐銅を使用する場合を例に説明する。
上記のように、電気めっきを行う際、アノードとして含燐銅を使用する場合には、表面に燐化銅及び塩化銅を主成分とするブラックフィルムが形成され、該アノード溶解時の、一価の銅の不均化反応に起因する金属銅や酸化銅等からなるスラッジ等のパーティクルの生成を抑制する機能を持つ。本願発明は、通常の銅アノードを用いて銅めっきする場合にも有効であるが、特に有効であるアノードとして含燐銅を使用する場合を例に説明する。
ブラックフィルムの生成速度は、アノードの電流密度、結晶粒径、燐含有率等の影響を強く受け、電流密度が高いほど、結晶粒径が小さいほど、また燐含有率が高いほど速くなり、その結果、ブラックフィルムは厚くなる傾向がある。
逆に、電流密度が低いほど、結晶粒径が大きいほど、燐含有率が低いほど生成速度は遅くなり、その結果、ブラックフィルムは薄くなる。
逆に、電流密度が低いほど、結晶粒径が大きいほど、燐含有率が低いほど生成速度は遅くなり、その結果、ブラックフィルムは薄くなる。
上記の通り、ブラックフィルムは金属銅や酸化銅等のパーティクル生成を抑制する機能を持つが、ブラックフィルムが厚すぎる場合には、それが剥離脱落して、それ自体がパーティクル発生の原因となるという大きな問題が生ずる。
逆に、薄すぎると金属銅や酸化銅等の生成を抑制する効果が低くなるという問題がある。したがって、アノードからのパーティクルの発生を抑えるためには、電流密度、結晶粒径、燐含有率のそれぞれを最適化し、適度な厚さの安定したブラックフィルムを形成すること、そしてそれが脱落しないアノードの表面状態（結晶粒径）にすることが必要であるという認識であった。
逆に、薄すぎると金属銅や酸化銅等の生成を抑制する効果が低くなるという問題がある。したがって、アノードからのパーティクルの発生を抑えるためには、電流密度、結晶粒径、燐含有率のそれぞれを最適化し、適度な厚さの安定したブラックフィルムを形成すること、そしてそれが脱落しないアノードの表面状態（結晶粒径）にすることが必要であるという認識であった。
しかし、半導体ウエハ等被めっき物へのパーティクル付着状況を観察すると、アノードは、それだけでは不十分であり、必ずしも被めっき物へのパーティクル付着が減少していないことが分かった。
これを検討した結果、銅アノード又は含燐銅アノードの純度が大きく影響しており、銅アノード又は含燐銅アノードの純度を９９．９９ｗｔｐｐｍ以上、さらには９９．９９５ｗｔｐｐｍ以上が必要であることが分かった。しかし、これだけでは、まだ不十分で、さらにパーティクル付着状況の観察を進めた結果、パーティクルを増加させる大きな原因は、銅アノード又は含燐銅アノードに含有するシリコン（Ｓｉ）であることが分かった。
これを検討した結果、銅アノード又は含燐銅アノードの純度が大きく影響しており、銅アノード又は含燐銅アノードの純度を９９．９９ｗｔｐｐｍ以上、さらには９９．９９５ｗｔｐｐｍ以上が必要であることが分かった。しかし、これだけでは、まだ不十分で、さらにパーティクル付着状況の観察を進めた結果、パーティクルを増加させる大きな原因は、銅アノード又は含燐銅アノードに含有するシリコン（Ｓｉ）であることが分かった。
以上から、半導体ウエハへの電気銅めっきに使用する銅アノード又は含燐銅アノードは、銅アノード又は燐を除く含燐銅アノードの純度が、９９．９９ｗｔ％以上であり、不純物であるシリコンの含有量が１０ｗｔｐｐｍ以下であることが極めて有効であることが確認できた。不純物であるシリコンが微量に含有されていても、それが銅アノード又は含燐銅アノードの中で偏析し易く、この偏析したシリコンが、抜け落ちて空洞を形成し、めっき液中でのパーティクル発生の主原因であることをつきとめた。
半導体ウエハへの電気銅めっきに使用する銅アノード又は含燐銅アノードについては、このようなアノードの純度が大きな要因であるということには、全く気付いておらず、このような純度を実現した銅アノード又は含燐銅アノードは存在していない。特に含燐銅アノードについては、ブラックフィルム層が表面に現れるため、アノード内部の問題、すなわちアノードの純度に気付くことは無かったと言える。
上記から明らかなように、銅のアノードの純度とシリコンの低減が、パーティクル発生防止の効果を有するものであるから、銅アノード又は含燐銅アノードを特に区別する必要は無く、双方に有効であることが理解できると考える。
さらに、銅アノード又は含燐銅アノードの純度は、９９．９９５ｗｔ％以上で、不純物であるシリコンの含有量が１ｗｔｐｐｍ以下であることが、特に望ましいと言える。
さらに、銅アノード又は含燐銅アノードの純度は、９９．９９５ｗｔ％以上で、不純物であるシリコンの含有量が１ｗｔｐｐｍ以下であることが、特に望ましいと言える。
一般に、銅アノード又は含燐銅アノードに含有する不純物は、シリコンの影響が大であるが、その他の不純物も大なり小なり、パーティクル発生に影響を与えるものである。したがって、シリコンの低減は第一義的ものではあるが、他の不純物、すなわち不純物である硫黄の含有量を１０ｗｔｐｐｍ以下、鉄の含有量を１０ｗｔｐｐｍ以下、マンガンの含有量を１ｗｔｐｐｍ以下、亜鉛の含有量を１ｗｔｐｐｍ以下、鉛の含有量を１ｗｔｐｐｍ以下とすることも、有効である。
本願発明は、より好適な条件として、上記の各種不純物を低減することを提案するものである。しかし、これらが、上記の範囲を超える場合でも、銅アノード又は含燐銅アノードの総合的な純度を維持し、さらに上記シリコン量上限値を維持できれば、それほど大きな影響を与えるものでないが、より好ましい条件であることが分かる。
本願発明は、上記の通り銅アノード又は含燐銅アノードの不純物低減が、発明の大きな構成要件であるが、半導体ウエハへの電気銅めっき方法及びパーティクル付着の少ない半導体ウエハも亦、本願発明の要件であることは理解されるべきことである。
本願発明は、上記の通り銅アノード又は含燐銅アノードの不純物低減が、発明の大きな構成要件であるが、半導体ウエハへの電気銅めっき方法及びパーティクル付着の少ない半導体ウエハも亦、本願発明の要件であることは理解されるべきことである。
上記の通り、本発明のアノードを使用して電気銅めっきを行うことにより、パーティクルが半導体ウエハに到達して、それが半導体ウエハに付着してめっき不良の原因となるようなことがなくなる。
このような銅アノード又は含燐銅アノードを使用した電気銅めっきは、細線化が進む他の分野の銅めっきにおいても、パーティクルに起因するめっき不良率を低減させる方法として有効である。
このような銅アノード又は含燐銅アノードを使用した電気銅めっきは、細線化が進む他の分野の銅めっきにおいても、パーティクルに起因するめっき不良率を低減させる方法として有効である。
上記の通り、本発明の銅アノード又は含燐銅アノードは、パーティクルの大量発生による被めっき物の汚染を著しく減少させるという効果があるが、従来不溶性アノードを使用することによって発生していた、めっき液中の添加剤の分解及びこれによるめっき不良が発生することもないという利点もある。
めっき液として、硫酸銅：１０〜７０ｇ／Ｌ（Ｃｕ）、硫酸：１０〜３００ｇ／Ｌ、塩素イオン２０〜１００ｍｇ／Ｌ、添加剤：（日鉱メタルプレーティング製ＣＣ−１２２０：１ｍＬ／Ｌ等）を適量使用することができる。
その他、めっき浴温１５〜３５°Ｃ、陰極電流密度０．５〜１０Ａ／ｄｍ２、陽極電流密度０．５〜１０Ａ／ｄｍ２とする。上記に、めっき条件の好適な例を示すが、必ずしも上記の条件に制限される必要はない。
その他、めっき浴温１５〜３５°Ｃ、陰極電流密度０．５〜１０Ａ／ｄｍ２、陽極電流密度０．５〜１０Ａ／ｄｍ２とする。上記に、めっき条件の好適な例を示すが、必ずしも上記の条件に制限される必要はない。
本発明の実施例について説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例に制限されるものではない。すなわち、本発明の技術思想の範囲内で、実施例以外の態様あるいは変形を全て包含するものである。
（実施例１）
純度が９９．９９５ｗｔ％であり、シリコンの含有量を５ｗｔｐｐｍとした含燐銅アノードを使用した。また、この含燐銅アノードの燐含有率を４６０ｗｔｐｐｍとした。また、陰極に半導体ウエハを使用した。合計の不純物量は、０．００５ｗｔ％（５０ｗｔｐｐｍ）である。
めっき液として、硫酸銅：２０ｇ／Ｌ（Ｃｕ）、硫酸：２００ｇ／Ｌ、塩素イオン６０ｍｇ／Ｌ、添加剤［光沢剤、界面活性剤］（日鉱メタルプレーティング社製：商品名ＣＣ−１２２０）：１ｍＬ／Ｌを使用した。めっき液中の硫酸銅の純度は９９．９９％であった。
めっき条件は、めっき浴温３０°Ｃ、陰極電流密度３．０Ａ／ｄｍ２、陽極電流密度３．０Ａ／ｄｍ２、めっき時間１ｍｉｎである。
純度が９９．９９５ｗｔ％であり、シリコンの含有量を５ｗｔｐｐｍとした含燐銅アノードを使用した。また、この含燐銅アノードの燐含有率を４６０ｗｔｐｐｍとした。また、陰極に半導体ウエハを使用した。合計の不純物量は、０．００５ｗｔ％（５０ｗｔｐｐｍ）である。
めっき液として、硫酸銅：２０ｇ／Ｌ（Ｃｕ）、硫酸：２００ｇ／Ｌ、塩素イオン６０ｍｇ／Ｌ、添加剤［光沢剤、界面活性剤］（日鉱メタルプレーティング社製：商品名ＣＣ−１２２０）：１ｍＬ／Ｌを使用した。めっき液中の硫酸銅の純度は９９．９９％であった。
めっき条件は、めっき浴温３０°Ｃ、陰極電流密度３．０Ａ／ｄｍ２、陽極電流密度３．０Ａ／ｄｍ２、めっき時間１ｍｉｎである。
めっき後、パーティクルの発生量及びめっき外観を観察した。なお、パーティクル数は、上記電解条件で電解を行った後、半導体ウエハを交換し、１分間めっきを行い、１２インチφ半導体ウエハに付着した０．２μｍ以上のパーティクルをパーティクルカウンターで測定した。
また、めっき外観は、上記電解条件で電解を行った後、半導体ウエハを交換し、１分間のめっきを行い、ヤケ、曇り、フクレ、異常析出、異物付着等の有無を目視観察した。埋め込み性はアスペクト比５（ビア径０．２μｍ）の半導体ウエハのビア埋め込み性を電子顕微鏡で断面観察した。
以上の結果、本実施例１ではパーティクル数が７個／枚であり、極めて少なく、まためっき外観及び埋め込み性も良好であった。
また、めっき外観は、上記電解条件で電解を行った後、半導体ウエハを交換し、１分間のめっきを行い、ヤケ、曇り、フクレ、異常析出、異物付着等の有無を目視観察した。埋め込み性はアスペクト比５（ビア径０．２μｍ）の半導体ウエハのビア埋め込み性を電子顕微鏡で断面観察した。
以上の結果、本実施例１ではパーティクル数が７個／枚であり、極めて少なく、まためっき外観及び埋め込み性も良好であった。
（実施例２）
次に、純度が９９．９９７ｗｔ％であり、シリコンの含有量を０．０３ｗｔｐｐｍとした含燐銅アノードを使用すると共に、硫黄の含有量を３．４ｗｔｐｐｍ、鉄の含有量を４．４ｗｔｐｐｍ、マンガンの含有量を０．１ｗｔｐｐｍ、亜鉛の含有量を０．０５ｗｔｐｐｍ、鉛の含有量を０．１７ｗｔｐｐｍとし、これらの合計不純物量を８．１５ｗｔｐｐｍとした。他の不純物量を含めた不純物の総計を約０．００３ｗｔ％（３０ｗｔｐｐｍ）とした。
また、この含燐銅アノードの燐含有率を４６０ｗｔｐｐｍとした。陰極に半導体ウエハを使用した。めっき液及びめっき条件は、実施例１と同様とした。
次に、純度が９９．９９７ｗｔ％であり、シリコンの含有量を０．０３ｗｔｐｐｍとした含燐銅アノードを使用すると共に、硫黄の含有量を３．４ｗｔｐｐｍ、鉄の含有量を４．４ｗｔｐｐｍ、マンガンの含有量を０．１ｗｔｐｐｍ、亜鉛の含有量を０．０５ｗｔｐｐｍ、鉛の含有量を０．１７ｗｔｐｐｍとし、これらの合計不純物量を８．１５ｗｔｐｐｍとした。他の不純物量を含めた不純物の総計を約０．００３ｗｔ％（３０ｗｔｐｐｍ）とした。
また、この含燐銅アノードの燐含有率を４６０ｗｔｐｐｍとした。陰極に半導体ウエハを使用した。めっき液及びめっき条件は、実施例１と同様とした。
めっき後、パーティクルの発生量及びめっき外観を観察した。パーティクル数は、上記電解条件で電解を行った後、半導体ウエハを交換し、１分間めっきを行い、１２インチφ半導体ウエハに付着した０．２μｍ以上のパーティクルをパーティクルカウンターで測定した。
めっき外観は、上記電解条件で電解を行った後、半導体ウエハを交換し、１分間のめっきを行い、ヤケ、曇り、フクレ、異常析出、異物付着等の有無を目視観察した。埋め込み性はアスペクト比５（ビア径０．２μｍ）の半導体ウエハのビア埋め込み性を電子顕微鏡で断面観察した。
以上の結果、本実施例２ではパーティクル数が３個／枚であり、極めて少なく、まためっき外観及び埋め込み性も良好であり、実施例１に比べさらに改善された。
めっき外観は、上記電解条件で電解を行った後、半導体ウエハを交換し、１分間のめっきを行い、ヤケ、曇り、フクレ、異常析出、異物付着等の有無を目視観察した。埋め込み性はアスペクト比５（ビア径０．２μｍ）の半導体ウエハのビア埋め込み性を電子顕微鏡で断面観察した。
以上の結果、本実施例２ではパーティクル数が３個／枚であり、極めて少なく、まためっき外観及び埋め込み性も良好であり、実施例１に比べさらに改善された。
（比較例１）
次に、純度が９９．９９ｗｔ％であり、シリコンの含有量を１０．９ｗｔｐｐｍとした含燐銅アノードを使用すると共に、硫黄の含有量を１４．７ｗｔｐｐｍ、鉄の含有量を１１ｗｔｐｐｍ、マンガンの含有量を１６ｗｔｐｐｍ、亜鉛の含有量を３．３ｗｔｐｐｍ、鉛の含有量を１．８ｗｔｐｐｍとし、これらの合計不純物量を５７．７ｗｔｐｐｍとした。そして、他の不純物量を含めた不純物の総計を約０．０１ｗｔ％（１００ｗｔｐｐｍ）とした含燐銅アノードを使用した。また、この含燐銅アノードの燐含有率を４６０ｗｔｐｐｍとした。陰極に半導体ウエハを使用した。
次に、純度が９９．９９ｗｔ％であり、シリコンの含有量を１０．９ｗｔｐｐｍとした含燐銅アノードを使用すると共に、硫黄の含有量を１４．７ｗｔｐｐｍ、鉄の含有量を１１ｗｔｐｐｍ、マンガンの含有量を１６ｗｔｐｐｍ、亜鉛の含有量を３．３ｗｔｐｐｍ、鉛の含有量を１．８ｗｔｐｐｍとし、これらの合計不純物量を５７．７ｗｔｐｐｍとした。そして、他の不純物量を含めた不純物の総計を約０．０１ｗｔ％（１００ｗｔｐｐｍ）とした含燐銅アノードを使用した。また、この含燐銅アノードの燐含有率を４６０ｗｔｐｐｍとした。陰極に半導体ウエハを使用した。
めっき液として、上記実施例と同様に、硫酸銅：２０ｇ／Ｌ（Ｃｕ）、硫酸：２００ｇ／Ｌ、塩素イオン６０ｍｇ／Ｌ、添加剤［光沢剤、界面活性剤］（日鉱メタルプレーティング社製：商品名ＣＣ−１２２０）：１ｍＬ／Ｌを使用した。めっき液中の硫酸銅の純度は９９．９９％であった。
めっき条件は、実施例と同様に、めっき浴温３０°Ｃ、陰極電流密度３．０Ａ／ｄｍ２、陽極電流密度３．０Ａ／ｄｍ２、めっき時間１ｍｉｎである。
めっき後、パーティクルの発生量及びめっき外観を観察した。パーティクル数、めっき外観、埋め込み性を実施例と同様にして評価した。
以上の結果、比較例１ではめっき外観及び埋め込み性が良好であったが、パーティクル数が、２７個／枚であり、半導体ウエハへの付着が著しく、悪い結果となった。
めっき条件は、実施例と同様に、めっき浴温３０°Ｃ、陰極電流密度３．０Ａ／ｄｍ２、陽極電流密度３．０Ａ／ｄｍ２、めっき時間１ｍｉｎである。
めっき後、パーティクルの発生量及びめっき外観を観察した。パーティクル数、めっき外観、埋め込み性を実施例と同様にして評価した。
以上の結果、比較例１ではめっき外観及び埋め込み性が良好であったが、パーティクル数が、２７個／枚であり、半導体ウエハへの付着が著しく、悪い結果となった。
（実施例３）
純度が９９．９９５ｗｔ％であり、シリコンの含有量が０．０２ｗｔｐｐｍ、硫黄の含有量が２．０ｗｔｐｐｍ、鉄の含有量が２．５ｗｔｐｐｍ、マンガン、亜鉛、鉛の含有量がそれぞれ０．１ｗｔｐｐｍ、（以上の不純物含有量は合計で４．８２ｗｔｐｐｍ、その他の不純物含有量が３０ｗｔｐｐｍ）である純銅アノードを使用した。また、陰極に半導体ウエハを使用した。上記から、合計の不純物量は、３４．８２ｗｔｐｐｍである。
めっき液として、硫酸銅：２０ｇ／Ｌ（Ｃｕ）、硫酸：２００ｇ／Ｌ、塩素イオン６０ｍｇ／Ｌ、添加剤［光沢剤、界面活性剤］（日鉱メタルプレーティング社製：商品名ＣＣ−１２２０）：１ｍＬ／Ｌを使用した。めっき液中の硫酸銅の純度は９９．９９％であった。
めっき条件は、めっき浴温３０°Ｃ、陰極電流密度３．０Ａ／ｄｍ２、陽極電流密度３．０Ａ／ｄｍ２、めっき時間１ｍｉｎである。
純度が９９．９９５ｗｔ％であり、シリコンの含有量が０．０２ｗｔｐｐｍ、硫黄の含有量が２．０ｗｔｐｐｍ、鉄の含有量が２．５ｗｔｐｐｍ、マンガン、亜鉛、鉛の含有量がそれぞれ０．１ｗｔｐｐｍ、（以上の不純物含有量は合計で４．８２ｗｔｐｐｍ、その他の不純物含有量が３０ｗｔｐｐｍ）である純銅アノードを使用した。また、陰極に半導体ウエハを使用した。上記から、合計の不純物量は、３４．８２ｗｔｐｐｍである。
めっき液として、硫酸銅：２０ｇ／Ｌ（Ｃｕ）、硫酸：２００ｇ／Ｌ、塩素イオン６０ｍｇ／Ｌ、添加剤［光沢剤、界面活性剤］（日鉱メタルプレーティング社製：商品名ＣＣ−１２２０）：１ｍＬ／Ｌを使用した。めっき液中の硫酸銅の純度は９９．９９％であった。
めっき条件は、めっき浴温３０°Ｃ、陰極電流密度３．０Ａ／ｄｍ２、陽極電流密度３．０Ａ／ｄｍ２、めっき時間１ｍｉｎである。
めっき後、パーティクルの発生量及びめっき外観を観察した。なお、パーティクル数は、上記電解条件で電解を行った後、半導体ウエハを交換し、１分間めっきを行い、１２インチφ半導体ウエハに付着した０．２μｍ以上のパーティクルをパーティクルカウンターで測定した。
また、めっき外観は、上記電解条件で電解を行った後、半導体ウエハを交換し、１分間のめっきを行い、ヤケ、曇り、フクレ、異常析出、異物付着等の有無を目視観察した。埋め込み性はアスペクト比５（ビア径０．２μｍ）の半導体ウエハのビア埋め込み性を電子顕微鏡で断面観察した。
以上の結果、本実施例１ではパーティクル数が７個／枚であり、極めて少なく、まためっき外観及び埋め込み性も良好であった。
また、めっき外観は、上記電解条件で電解を行った後、半導体ウエハを交換し、１分間のめっきを行い、ヤケ、曇り、フクレ、異常析出、異物付着等の有無を目視観察した。埋め込み性はアスペクト比５（ビア径０．２μｍ）の半導体ウエハのビア埋め込み性を電子顕微鏡で断面観察した。
以上の結果、本実施例１ではパーティクル数が７個／枚であり、極めて少なく、まためっき外観及び埋め込み性も良好であった。
上記実施例以外については、具体的な数値には示さないが、銅アノード又は燐を除く含燐銅アノードの純度が９９．９９ｗｔ％以上であり、不純物であるシリコンの含有量が１０ｗｔｐｐｍ以下である銅アノード又は含燐銅アノードは、いずれもパーティクル数が１０個／枚以下となり、極めて少なく、まためっき外観及び埋め込み性も良好であるという結果が得られた。
電気銅めっきを行う際に、パーティクル付着の少ない電気銅めっきを安定して行うことができるという優れた特徴を有し、本発明のアノードを使用した電気銅めっきは、細線化が進む他の分野の銅めっきにおいても、パーティクルに起因するめっき不良率を低減させる方法として有効である。さらに、本発明の銅アノード又は含燐銅アノードは、被めっき物へのパーティクルの付着及び汚染を著しく減少させるという効果があり、従来不溶性アノードを使用することによって発生していた、めっき液中の添加剤の分解及びこれによるめっき不良が発生することもないという効果を有するので、半導体ウエハへの電気銅めっきとして極めて有用である。
Claims (8)
- 半導体ウエハへの電気銅めっきに使用する銅アノード又は含燐銅アノードであって、銅アノード又は燐を除く含燐銅アノードの純度が９９．９９ｗｔ％以上であり、不純物であるシリコンの含有量が１０ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする半導体ウエハへの電気銅めっきに使用する銅アノード又は含燐銅アノード。
- 不純物であるシリコンの含有量が１ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体ウエハへの電気銅めっきに使用する銅アノード又は含燐銅アノード。
- 不純物である硫黄の含有量が１０ｗｔｐｐｍ以下、鉄の含有量が１０ｗｔｐｐｍ以下、マンガンの含有量が１ｗｔｐｐｍ以下、亜鉛の含有量が１ｗｔｐｐｍ以下、鉛の含有量が１ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体ウエハへの電気銅めっきに使用する銅アノード又は含燐銅アノード。
- 前記含燐銅アノードの燐含有率が１００〜１０００ｗｔｐｐｍであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一に記載の電気銅めっきに使用する含燐銅アノード。
- 銅アノード又は燐を除く含燐銅アノードの純度が９９．９９ｗｔ％以上であり、不純物であるシリコンの含有量が１０ｗｔｐｐｍ以下である銅アノード又は含燐銅アノードを用いて半導体ウエハへの電気銅めっきを行い、半導体ウエハ上にパーティクル付着の少ない銅めっき層を形成することを特徴とする半導体ウエハへの電気銅めっき方法。
- 不純物であるシリコンの含有量が１ｗｔｐｐｍ以下である銅アノード又は燐含有銅アノードを用いることを特徴とする請求項５記載の半導体ウエハへの電気銅めっき方法。
- 不純物である硫黄の含有量が１０ｗｔｐｐｍ以下、鉄の含有量が１０ｗｔｐｐｍ以下、マンガンの含有量が１ｗｔｐｐｍ以下、亜鉛の含有量が１ｗｔｐｐｍ以下、鉛の含有量が１ｗｔｐｐｍ以下である銅アノード又は燐含有銅アノードを用いることを特徴とする請求項５又は６記載の半導体ウエハへの電気銅めっき方法。
- 前記請求項１〜４の銅アノード又は含燐銅アノードを用いて半導体ウエハ上に電気銅めっきされたパーティクルの発生の少ない銅層を備えた半導体ウエハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009538986A JP5066577B2 (ja) | 2007-11-01 | 2008-10-06 | 銅アノード又は含燐銅アノード、半導体ウエハへの電気銅めっき方法及びパーティクル付着の少ない半導体ウエハ |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007285148 | 2007-11-01 | ||
| JP2007285148 | 2007-11-01 | ||
| JP2009538986A JP5066577B2 (ja) | 2007-11-01 | 2008-10-06 | 銅アノード又は含燐銅アノード、半導体ウエハへの電気銅めっき方法及びパーティクル付着の少ない半導体ウエハ |
| PCT/JP2008/068167 WO2009057422A1 (ja) | 2007-11-01 | 2008-10-06 | 銅アノード又は含燐銅アノード、半導体ウエハへの電気銅めっき方法及びパーティクル付着の少ない半導体ウエハ |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012127804A Division JP5709175B2 (ja) | 2007-11-01 | 2012-06-05 | 半導体ウエハ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2009057422A1 true JPWO2009057422A1 (ja) | 2011-03-10 |
| JP5066577B2 JP5066577B2 (ja) | 2012-11-07 |
Family
ID=40590817
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009538986A Active JP5066577B2 (ja) | 2007-11-01 | 2008-10-06 | 銅アノード又は含燐銅アノード、半導体ウエハへの電気銅めっき方法及びパーティクル付着の少ない半導体ウエハ |
| JP2012127804A Active JP5709175B2 (ja) | 2007-11-01 | 2012-06-05 | 半導体ウエハ |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012127804A Active JP5709175B2 (ja) | 2007-11-01 | 2012-06-05 | 半導体ウエハ |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8216438B2 (ja) |
| EP (1) | EP2213772B1 (ja) |
| JP (2) | JP5066577B2 (ja) |
| KR (1) | KR101945043B1 (ja) |
| CN (3) | CN103726097B (ja) |
| TW (1) | TWI492279B (ja) |
| WO (1) | WO2009057422A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4011336B2 (ja) * | 2001-12-07 | 2007-11-21 | 日鉱金属株式会社 | 電気銅めっき方法、電気銅めっき用純銅アノード及びこれらを用いてめっきされたパーティクル付着の少ない半導体ウエハ |
| JP5376168B2 (ja) * | 2010-03-30 | 2013-12-25 | 三菱マテリアル株式会社 | 電気銅めっき用高純度銅アノード、その製造方法および電気銅めっき方法 |
| TWI588900B (zh) * | 2012-04-25 | 2017-06-21 | Markus Hacksteiner | Device and method for wafer metallization |
| CN105586630A (zh) * | 2015-12-23 | 2016-05-18 | 南通富士通微电子股份有限公司 | 半导体封装中提升铜磷阳极黑膜品质的方法 |
| WO2019070783A1 (en) | 2017-10-06 | 2019-04-11 | Corning Incorporated | ASSEMBLY COMPRISING A NANOPOROUS SURFACE LAYER WITH A HYDROPHOBIC LAYER |
| JP6960363B2 (ja) | 2018-03-28 | 2021-11-05 | Ｊｘ金属株式会社 | Ｃｏアノード、Ｃｏアノードを用いた電気Ｃｏめっき方法及びＣｏアノードの評価方法 |
| CN110528042B (zh) * | 2019-08-28 | 2021-02-09 | 深圳赛意法微电子有限公司 | 一种半导体器件电镀方法及用于电镀的活化槽 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03180468A (ja) | 1989-12-08 | 1991-08-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタ用ターゲットの製造方法 |
| JP3703648B2 (ja) | 1999-03-16 | 2005-10-05 | 山陽特殊製鋼株式会社 | Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系スパッタリング用ターゲット材の製造方法 |
| JP2001098366A (ja) | 1999-07-26 | 2001-04-10 | Sanyo Special Steel Co Ltd | Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系スパッタリングターゲット材の製造方法 |
| JP2001123266A (ja) | 1999-10-21 | 2001-05-08 | Sanyo Special Steel Co Ltd | Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系スパッタリングターゲット材の製造方法 |
| JP2001240949A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-09-04 | Mitsubishi Materials Corp | 微細な結晶粒を有する高純度銅加工品素材の製造方法 |
| US6821407B1 (en) * | 2000-05-10 | 2004-11-23 | Novellus Systems, Inc. | Anode and anode chamber for copper electroplating |
| JP4123330B2 (ja) * | 2001-03-13 | 2008-07-23 | 三菱マテリアル株式会社 | 電気メッキ用含燐銅陽極 |
| JP4076751B2 (ja) * | 2001-10-22 | 2008-04-16 | 日鉱金属株式会社 | 電気銅めっき方法、電気銅めっき用含リン銅アノード及びこれらを用いてめっきされたパーティクル付着の少ない半導体ウエハ |
| WO2003044246A1 (en) * | 2001-11-16 | 2003-05-30 | Honeywell International Inc. | Anodes for electroplating operations, and methods of forming materials over semiconductor substrates |
| JP4011336B2 (ja) * | 2001-12-07 | 2007-11-21 | 日鉱金属株式会社 | 電気銅めっき方法、電気銅めっき用純銅アノード及びこれらを用いてめっきされたパーティクル付着の少ない半導体ウエハ |
| JP4064121B2 (ja) * | 2002-02-13 | 2008-03-19 | 日鉱金属株式会社 | 含リン銅アノードを使用する電気銅めっき方法 |
| JP4034095B2 (ja) * | 2002-03-18 | 2008-01-16 | 日鉱金属株式会社 | 電気銅めっき方法及び電気銅めっき用含リン銅アノード |
| US20030188975A1 (en) * | 2002-04-05 | 2003-10-09 | Nielsen Thomas D. | Copper anode for semiconductor interconnects |
-
2008
- 2008-10-06 EP EP08843371.9A patent/EP2213772B1/en active Active
- 2008-10-06 CN CN201310598092.3A patent/CN103726097B/zh active Active
- 2008-10-06 CN CN200880005572.1A patent/CN101796224B/zh active Active
- 2008-10-06 WO PCT/JP2008/068167 patent/WO2009057422A1/ja active Application Filing
- 2008-10-06 US US12/524,623 patent/US8216438B2/en active Active
- 2008-10-06 JP JP2009538986A patent/JP5066577B2/ja active Active
- 2008-10-06 CN CN2013101381909A patent/CN103266337A/zh active Pending
- 2008-10-06 KR KR1020097015831A patent/KR101945043B1/ko active IP Right Grant
- 2008-10-21 TW TW097140271A patent/TWI492279B/zh active
-
2012
- 2012-06-05 JP JP2012127804A patent/JP5709175B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5066577B2 (ja) | 2012-11-07 |
| EP2213772A4 (en) | 2012-01-11 |
| JP5709175B2 (ja) | 2015-04-30 |
| KR20090096537A (ko) | 2009-09-10 |
| TWI492279B (zh) | 2015-07-11 |
| US8216438B2 (en) | 2012-07-10 |
| CN103266337A (zh) | 2013-08-28 |
| CN101796224A (zh) | 2010-08-04 |
| CN101796224B (zh) | 2014-06-18 |
| US20100096271A1 (en) | 2010-04-22 |
| KR101945043B1 (ko) | 2019-02-01 |
| EP2213772A1 (en) | 2010-08-04 |
| JP2012188760A (ja) | 2012-10-04 |
| CN103726097B (zh) | 2016-08-17 |
| EP2213772B1 (en) | 2016-08-17 |
| WO2009057422A1 (ja) | 2009-05-07 |
| TW200924037A (en) | 2009-06-01 |
| CN103726097A (zh) | 2014-04-16 |
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| A529 | Written submission of copy of amendment under article 34 pct |
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| A621 | Written request for application examination |
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| A711 | Notification of change in applicant |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| S531 | Written request for registration of change of domicile |
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| S533 | Written request for registration of change of name |
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|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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