JPWO2009031344A1 - カーボンナノチューブ分散膜 - Google Patents
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Abstract
Description
103: 基板上に形成された凹凸
102、402: 溶媒
202: ピラー
202−1: 溝
302: ナノ粒子
203、303: ゲート絶縁膜
204、304: ゲート電極
205、305: ドレイン電極
206、306: ソース電極
110、210、310: プラスチック基板
図2は、本発明のカーボンナノチューブ分散膜をトランジスタのチャネルに応用した例である。図2(b)は平面図、図2(a)は図2(b)のA−A’断面図である。図2(a)において、プラスチック基板(210)上には、ピラー(202)を周期的に形成してある。これは、フォトレジスト法によりピラー部分にレジストを形成し、基板を異方性エッチングし、溝(202−1)を掘ることにより形成した。ピラーは数百nm角で数百nm間隔で並んでいることが望ましく、溝の深さは数十nm程度から100nm程度とすることが望ましい。ピラーを形成した凹凸面に、カーボンナノチューブ溶液を塗布することにより、分散膜(201)を形成する。溶液の溶媒としてはジクロロエタン等の有機溶媒を使用し、濃度は1ppmから10ppmの薄いものを用いることにより、トランジスタのオン・オフ比率を高めることが可能である。液滴を滴下すると、基板の凹凸により、前述したように、均一な分散膜が形成できる。分散膜は溝(202−1)内に入り込んでいるが、多数のカーボンナノチューブでネットワークが形成され、チャネルを形成する。その後、例えばパリレン膜によるゲート絶縁膜(203)を形成し、金属のゲート電極(204)、ドレイン電極(205)、ソース電極(206)を形成することで、特性のばらつきが少ない電界効果トランジスタが形成できる。
図3は、本発明のカーボンナノチューブ分散膜をトランジスタのチャネルに応用した例である。図3(b)は平面図、図3(a)は図3(b)のA−A’断面図である。図3(a)において、プラスチック基板(310)上には、ナノ銀粒子(302)が形成してある。ナノ銀粒子の径は数十nm、粒子間の間隔は100nm程度となるように配置することができる。このナノ銀粒子により凹凸面を形成するには、有機銀を塗布し、100から200℃の熱処理により焼成することで形成できる。そこに、カーボンナノチューブ溶液を塗布することにより、分散膜(301)を形成する。溶液の溶媒としてはジクロロエタン等の有機溶媒を使用し、濃度は1ppmから10ppmの薄いものを用いることにより、トランジスタのオン・オフ比率を高めることが可能である。液滴を滴下すると、ナノ銀粒子による凹凸により、前述したように、均一な分散膜が形成できる。分散膜は金属粒子の間に入り込んでいるが、多数のカーボンナノチューブでネットワークが形成され、チャネルを形成する。その後、例えばパリレン膜によるゲート絶縁膜(303)を形成し、金属のゲート電極(304)、ドレイン電極(305)、ソース電極(306)を形成することで、特性のばらつきが少ない電界効果トランジスタが形成できる。
Claims (5)
- 複数のカーボンナノチューブからなるマット状の分散膜において、前記分散膜は深さ及び幅が1nm以上の凹凸が形成された基板上に形成されていることを特徴とするカーボンナノチューブ分散膜。
- 前記凹凸は、基板上のナノ粒子によって形成されることを特徴とする請求項1に記載のカーボンナノチューブ分散膜。
- 前記凹凸は、基板をサンドブラスト処理することにより形成することを特徴とする請求項1に記載のカーボンナノチューブ分散膜。
- 前記凹凸は、基板をプラズマ処理することにより形成することを特徴とする請求項1に記載のカーボンナノチューブ分散膜。
- 前記凹凸は、リソグラフィー工程により形成することを特徴とする請求項1に記載のカーボンナノチューブ分散膜。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007231375 | 2007-09-06 | ||
JP2007231375 | 2007-09-06 | ||
PCT/JP2008/059715 WO2009031344A1 (ja) | 2007-09-06 | 2008-05-27 | カーボンナノチューブ分散膜 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2009031344A1 true JPWO2009031344A1 (ja) | 2010-12-09 |
Family
ID=40428668
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009531151A Pending JPWO2009031344A1 (ja) | 2007-09-06 | 2008-05-27 | カーボンナノチューブ分散膜 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPWO2009031344A1 (ja) |
WO (1) | WO2009031344A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5698982B2 (ja) | 2008-09-30 | 2015-04-08 | 凸版印刷株式会社 | 照明ランプ及びナノ炭素材料複合基板とその製造方法 |
CN110683508B (zh) * | 2019-10-18 | 2023-05-23 | 北京元芯碳基集成电路研究院 | 一种碳纳米管平行阵列的制备方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002346996A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-12-04 | Fuji Xerox Co Ltd | カーボンナノチューブ構造体の製造方法、並びに、カーボンナノチューブ構造体およびそれを用いたカーボンナノチューブデバイス |
JP2006106499A (ja) * | 2004-10-07 | 2006-04-20 | Ricoh Co Ltd | 複合構造体及び複合構造体の製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4449387B2 (ja) * | 2003-09-25 | 2010-04-14 | 富士ゼロックス株式会社 | 複合材の製造方法 |
JP2006008861A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Fuji Xerox Co Ltd | 電気部品用塗料、および塗布膜の形成方法 |
-
2008
- 2008-05-27 JP JP2009531151A patent/JPWO2009031344A1/ja active Pending
- 2008-05-27 WO PCT/JP2008/059715 patent/WO2009031344A1/ja active Application Filing
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002346996A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-12-04 | Fuji Xerox Co Ltd | カーボンナノチューブ構造体の製造方法、並びに、カーボンナノチューブ構造体およびそれを用いたカーボンナノチューブデバイス |
JP2006106499A (ja) * | 2004-10-07 | 2006-04-20 | Ricoh Co Ltd | 複合構造体及び複合構造体の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2009031344A1 (ja) | 2009-03-12 |
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A621 | Written request for application examination |
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A521 | Written amendment |
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|
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