JPWO2009008259A1 - 撮像装置の製造方法、撮像装置及び携帯端末 - Google Patents

撮像装置の製造方法、撮像装置及び携帯端末 Download PDF

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Abstract

複数の撮像装置を一体的に形成した後、切断分離して、個々の撮像装置とするに際し、分離後であってもイメージセンサの方向等を容易に識別でき、更に、一体的に形成した際の、どの位置で形成された撮像装置であるかを識別可能とするために、シリコンウェハの一方の面に複数の撮像素子を形成する工程と、撮像素子毎に、撮像光学系で受光画素部を封止する工程と、シリコンウェハを撮像素子毎に切断する工程と、切断された複数の撮像素子を基板上に載置する工程と、基板と複数の撮像素子を電気的に接続する工程と、複数の撮像素子毎に識別マークが形成された金型により、基板と撮像光学系と撮像素子とを一体的にモールディングする工程と、モールディングされた基板を撮像素子毎に切断分離する工程と、を有する撮像装置の製造方法とする。

Description

本発明は、被写体光を導く撮像光学系と、該撮像光学系により導かれた被写体光を光電変換する撮像素子と、を有する撮像装置の製造方法及び撮像装置並びに該撮像装置を備えた携帯端末に関するものである。
従来より小型で薄型の撮像装置が、携帯電話機やＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）等の小型、薄型の電子機器である携帯端末に搭載されるようになり、遠隔地へ音声情報だけでなく画像情報も相互に伝送することが可能となっている。
このような小型の撮像装置の製造方法として、アレイ状に複数のイメージセンサを形成したシリコンウェハ上に、複数の光学レンズが形成されたレンズアレイを接着し、イメージセンサの配列に合わせて分割するものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
一方、従来より半導体装置の識別のために、ソルダーレジストを施して、該ソルダーレジストに印字を行うもの（例えば、特許文献２参照）や、透明樹脂で封止したＩＣパッケージのインナーリード又はタブに捺印領域を形成し、マークを捺印するものが知られている（例えば、特許文献３参照）。
特開２００２−２９０８４２号公報 特開２０００−３３２３７６号公報 特開２００１−１２７２３６号公報
しかしながら、上記特許文献１の製造方法は、シリコンウェハ上の複数のイメージセンサの個々に対応させてレンズアレイを接着した後、切断分離するものであり、分離後は非常に小さく分割され、イメージセンサの方向等を容易に識別できないという問題がある。
一方、識別のために、上記特許文献２のように、後工程にて印字を行うのでは、新たな工程を要し、コスト増となる問題がある。また、撮像装置の場合は遮光性の部材で覆われるため、内部にマーキングをするのでは意味がない。
本発明は上記問題に鑑み、複数の撮像装置を一体的に形成した後、切断分離して、個々の撮像装置とするに際し、分離後であってもイメージセンサの方向等を容易に識別でき、更に、一体的に形成した際の、どの位置で形成された撮像装置であるかを識別可能な撮像装置の製造方法及び撮像装置を得ることを目的とするものである。
上記の目的は、下記に記載する発明により達成される。
１．光学部材で構成された撮像光学系と、複数の受光画素部が形成され前記撮像光学系により導かれた被写体光を光電変換する撮像素子と、を有する撮像装置の製造方法において、シリコンウェハの一方の面に複数の前記撮像素子を形成する工程と、前記撮像素子毎に、前記撮像光学系で前記受光画素部を封止する工程と、前記シリコンウェハを前記撮像素子毎に切断する工程と、切断された複数の前記撮像素子を基板上に載置する工程と、前記基板と複数の前記撮像素子を電気的に接続する工程と、複数の前記撮像素子毎に識別マークが形成された金型により、前記基板と前記撮像光学系と前記撮像素子とを一体的にモールディングする工程と、前記モールディングされた前記基板を前記撮像素子毎に切断分離する工程と、を有することを特徴とする撮像装置の製造方法。
２．前記モールディングする工程で組み込まれる撮像光学系は単玉レンズであり、複数個の前記単玉レンズが腕部により連結されているものが組み込まれることを特徴とする前記１．に記載の撮像装置の製造方法。
３．被写体光を導く撮像光学系と、複数の受光画素部が形成され前記撮像光学系により導かれた被写体光を光電変換する撮像素子と、を有する撮像装置の製造方法において、シリコンウェハの一方の面に複数の前記撮像素子を形成する工程と、前記撮像素子毎に、前記撮像光学系を構成する最も像面側の光学部材により前記受光画素部を封止する工程と、前記シリコンウェハを前記撮像素子毎に切断する工程と、切断された複数の前記撮像素子を基板上に載置する工程と、前記基板と複数の前記撮像素子を電気的に接続する工程と、複数の前記撮像素子毎に識別マークが形成された金型により、前記基板と前記撮像光学系を構成する最も像面側の光学部材と前記撮像素子とを一体的にモールディングする工程と、前記前記撮像光学系を構成する他の光学部材を組み込む工程と、前記モールディングされた前記基板を前記撮像素子毎に切断分離する工程と、を有することを特徴とする撮像装置の製造方法。
４．被写体光を導く撮像光学系と、複数の受光画素部が形成され前記撮像光学系により導かれた被写体光を光電変換する撮像素子と、を有する撮像装置の製造方法において、シリコンウェハの一方の面に複数の前記撮像素子を形成する工程と、前記撮像素子毎に、前記撮像光学系を構成する最も像面側の光学部材により前記受光画素部を封止する工程と、前記シリコンウェハを前記撮像素子毎に切断する工程と、切断された複数の前記撮像素子を基板上に載置する工程と、前記基板と複数の前記撮像素子を電気的に接続する工程と、前記基板と前記撮像光学系を構成する一部の光学部材と前記撮像素子とを一体的にモールディングする工程と、前記撮像光学系を構成する他の光学部材及び、複数の前記撮像素子毎の識別マークが形成された遮光部材ユニットを組み込む工程と、前記モールディングされた前記基板を前記撮像素子毎に切断分離する工程と、を有することを特徴とする撮像装置の製造方法。
５．前記撮像光学系を構成する他の光学部材及び、複数の前記撮像素子毎の識別マークが形成された遮光部材ユニットが、予め一体的に形成されているものであることを特徴とする前記４．に記載の撮像装置の製造方法。
６．前記識別マークは、前記撮像素子の基準ピンの位置を示すもの及び、前記撮像素子の前記基板の上での位置を示すもののうち、少なくとも一方であることを特徴とする前記１．乃至５．のいずれかに記載の撮像装置の製造方法。
７．前記モールディングする工程で組み込まれる光学部材は、複数個の光学部材が腕部により連結されているものが組み込まれることを特徴とする前記３．乃至６．のいずれかに記載の撮像装置の製造方法。
８．前記モールディングする工程の後に組み込まれる光学部材は、複数個の光学部材が腕部により連結されているものが組み込まれることを特徴とする前記３．乃至７．のいずれかに記載の撮像装置の製造方法。
９．前記モールディングする工程の後に組み込まれる光学部材は、前記腕部が可撓性を有するものであることを特徴とする前記８．に記載の撮像装置の製造方法。
１０．前記１．乃至９．のいずれかに記載の撮像装置の製造方法により製造されたことを特徴とする撮像装置。
１１．前記１０．に記載の撮像装置を備えたことを特徴とする携帯端末。
本発明によれば、複数の撮像装置を一体的に形成した後、切断分離して、個々の撮像装置とするに際し、分離後であってもイメージセンサの方向等を容易に識別でき、更に、一体的に形成した際の、どの位置で形成された撮像装置であるかを識別可能な撮像装置の製造方法及び撮像装置を得ることが可能となる。
第１の実施の形態に係る撮像装置の製造方法の初期の工程段階を示す模式図である。 第１の実施の形態に係る撮像装置の製造方法の後期の工程段階を示す模式図である。 個々の撮像装置に形成される識別マークのその他の例を示す図である。 第２の実施の形態に係る撮像装置の製造方法の初期の工程段階を示す模式図である。 第２の実施の形態に係る撮像装置の製造方法の中期の工程段階を示す模式図である。 第２の実施の形態に係る撮像装置の製造方法の後期の工程段階を示す模式図である。 第３の実施の形態に係る撮像装置の製造方法の後期の工程段階を示す模式図である。 レンズ群一体ユニットと遮光部材ユニットを、予め一体的に形成した例を示す図である。 本実施の形態に係る撮像装置を備えた携帯端末の一例である携帯電話機の外観図である。 携帯電話機の制御ブロック図である。
符号の説明
１１ シリコンウェハ
１２ 撮像素子
１３ 接着剤
１４ 光学部材
１９ ダイシングブレード
２１ 基板
２５ 識別マーク
３０ レンズ群一体ユニット
３１ レンズ
３２ 遮光部材ユニット
５０ 撮像装置
１００ 携帯電話機
ＭＤ モールディング
ＹＢ ワイヤボンディング
以下、実施の形態により本発明を詳しく説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
（第１の実施の形態）
図１は、第１の実施の形態に係る撮像装置の製造方法の初期の工程段階を示す模式図である。同図の左列は全体の概略の状態を示し、右列はその内の１個の概略の状態を示す断面図である。
まず同図（ａ）に示すシリコンウェハ１１の一方の面に複数個の撮像素子１２が形成される。この工程は周知の成膜工程、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程、不純物添加工程等を繰り返し、転送電極、絶縁膜、配線等を多層構造で形成し、複数の撮像素子１２をアレイ状に形成する工程である。この撮像素子１２は、例えばＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）型イメージセンサやＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型等のイメージセンサである。
次いで、同図（ｂ）に示すように、シリコンウェハ１１上に形成された複数の撮像素子１２の個々に対応して、撮像光学系である単玉のレンズＬＢが載置され固着される。この単玉のレンズＬＢは、複数個のレンズＬＢが連結部ＬＢｒで連結されて成形されており、一括して個々の撮像素子１２上に載置され接着剤１３により固着される。このようにすることで、レンズＬＢを組み込む工数を削減でき低コスト化でき好ましいが、レンズＬＢが単体であり個別に組み込むような構成であってもよい。また、このレンズＬＢには赤外光カットコーティングが施されている。
次いで、同図（ｃ）に示すように、シリコンウェハ１１をダイシングブレード１９により、撮像素子毎に切断する。これにより、レンズＬＢにより受光画素領域が封止された個々の撮像素子１２のチップとなる。
図２は、第１の実施の形態に係る撮像装置の製造方法の後期の工程段階を示す模式図である。
レンズＬＢが接着された個々の撮像素子１２のチップは、同図（ａ）に示すように、基板２１上に複数個載置される。基板２１は、複数の撮像素子１２のチップが載置可能なように、個々の撮像素子１２のチップに対する配線が複数形成されたものである。
なお、このとき載置される個々の撮像素子１２のチップは、検査により良品と判断されたチップのみが載置される。これにより、これ以降に組み込まれるレンズ等を無駄にすることがなくなる。
次いで、同図（ｂ）に示すように、撮像素子１２のチップと基板２１とがワイヤボンディングＹＢにより電気的に接続される。基板２１の他方の面には、不図示の他の制御基板との接続に用いられる複数の外部電極２１ｂ（例えば、半田ボール）が形成されている。これにより、基板２１に接続される不図示の他の制御基板と撮像素子１２との間で信号の入出力が可能になっている。
この後、同図（ｃ）に示すように、基板２１の撮像素子１２側の面に、樹脂材料ＭＤが注入されて、図示の如く撮像光学系の最も像面側のレンズＬＢのみが露呈するよう一体的にモールディングされる。これにより、図示に示す例では８ユニットの撮像装置が一体的に形成される。
このとき、モールディングに用いる金型には、撮像素子毎に撮像素子の端子のうちの基準ピンの位置を示す識別マーク２５が形成されており、図示の如く、一体的に形成された複数の撮像装置の外観面に、各々の基準ピンの位置を示す識別マーク２５が形成される。この識別マーク２５は凸形状でも凹形状でもよい。
この後、同図（ｃ）に示す破線に沿って切断分離され、同図（ｄ）に示すような個々の撮像装置が完成する。同図（ｄ）に示すように、撮像装置個々には、撮像素子の端子のうちの基準ピン位置を示す識別マーク２５が外観に表示されることとなり、不図示の機器への撮像装置の組み込み時の誤りを防止することができる。
なお、上記では、撮像光学系が単玉である場合で説明したが、複数枚のレンズを接着等で一体化した撮像光学系であってもよい。
図３は、個々の撮像装置に形成される識別マーク２５のその他の例を示す図である。
同図に示す識別マーク２５はアルファベットで表示されており、識別マーク２５の位置により撮像素子の端子のうちの基準ピン位置を示すと共に、複数の撮像装置が一体的に形成された際に、個々の撮像装置が、どの位置にあったものかを示すものである。
このように識別マーク２５をアルファベットや数字等にすることで、個々の撮像装置が一体的に形成されたときの位置を判別することができるようになる。
（第２の実施の形態）
図４は、第２の実施の形態に係る撮像装置の製造方法の初期の工程段階を示す模式図である。同図の左列は全体の概略の状態を示し、右列はその内の１個の概略の状態を示す断面図である。
まず同図（ａ）に示すシリコンウェハ１１の一方の面に複数個の撮像素子１２が形成される。
次いで、同図（ｂ）に示すように、シリコンウェハ１１上に形成された複数の撮像素子１２の個々に接着剤１３が塗布される。この接着剤１３は撮像素子１２の受光画素領域を避けた位置に塗布され、また、この接着剤の塗布量を調整することにより撮像素子１２の受光画素領域の上方に接着される光学部材と撮像面との間隔が決められる。
この後、同図（ｃ）に示すように、撮像光学系を構成する最も像面側の光学部材１４が接着される。この光学部材１４の接着により、撮像素子１２の受光画素領域は封止される。この光学部材１４は、本例では、撮像素子１２の受光画素領域の上方に位置する領域、即ち被写体光の通過する領域は平行平面に形成されている。また、被写体光が通過しない領域には、後に組み込まれるレンズの位置決めを行う、位置決め部が形成されている。この位置決め部は、本例では円形の窪みの面１４ｔとその壁面部１４ｓが相当する。また、この光学部材１４は赤外光カットコーティングが施されている。
次いで、同図（ｄ）に示すように、シリコンウェハ１１をダイシングブレード１９により、撮像素子毎に切断する。これにより、光学部材１４により受光画素領域が封止された個々の撮像素子１２のチップとなる。
図５は、第２の実施の形態に係る撮像装置の製造方法の中期の工程段階を示す模式図である。
上記のように形成された、光学部材１４が接着された個々の撮像素子１２のチップは、同図（ａ）に示すように、基板２１上に複数個載置される。基板２１は、複数の撮像素子１２のチップが載置可能なように、個々の撮像素子１２のチップに対する配線が複数形成されたものである。
なお、このとき載置される個々の撮像素子１２のチップは、検査により良品と判断されたチップのみが載置される。これにより、その後に組み込まれるレンズ等を無駄にすることがなくなる。
次いで、同図（ｂ）に示すように、撮像素子１２のチップと基板２１とがワイヤボンディングＹＢにより電気的に接続される。基板２１の他方の面には、不図示の他の制御基板との接続に用いられる複数の外部電極２１ｂ（例えば、半田ボール）が形成されている。これにより、基板２１に接続される不図示の他の制御基板と撮像素子１２との間で信号の入出力が可能になっている。
この後、同図（ｃ）に示すように、基板２１の撮像素子１２側の面に、樹脂材料ＭＤが注入されて、光学部材１４のみが露呈するよう一体的にモールディングされる。このとき、モールディングに用いる金型には、撮像素子毎に撮像素子の端子のうちの基準ピンの位置及び個々の撮像装置が、どの位置にあったものかを示すアルファベットの識別マーク２５が形成されている。このため、図示の如く、一体的に形成された複数の撮像装置の外観面に、識別マーク２５が形成される。この識別マーク２５は数字でもよく、形状は凸形状でも凹形状でもよい。
図６は、第２の実施の形態に係る撮像装置の製造方法の後期の工程段階を示す模式図である。
同図（ａ）に示すように、複数の撮像素子１２のチップが一体的にモールディングされた状態で、撮像光学系を構成する他の光学部材であるレンズ３１が組み込まれる。撮像光学系は、複数個のレンズ３１が可撓性の腕部３１ｒにより連結されて一体的に形成され、レンズ群一体ユニット３０となっているものである。個々のレンズ３１は、可撓性の腕部３１ｒに連結された状態のまま、光学部材１４の露呈している壁面１４ｓと嵌合して光軸直交方向の位置決めがなされる。また、窪みの面１４ｔに突き当てられて光軸方向の位置決めがなされて組み込まれ、接着等により固着される（図４（ｃ）参照）。
これにより、図示に示す例では８ユニットの撮像装置が一体的に形成される。なお、上記のように可撓性の腕部３１ｒに連結された状態のまま、位置決めがなされて組み込まれることがコスト的にも好ましいが、レンズ３１が単体であり個別に組み込むような構成であってもよい。
この後、同図（ａ）に示す破線部で切断分離することで、同図（ｂ）に示すような単品の撮像装置５０に分離され完成する。
このようにすることで、識別マーク２５の位置により撮像素子の端子のうちの基準ピン位置を示すと共に、複数の撮像装置が一体的に形成された際に、個々の撮像装置が、どの位置にあったものかを示すことができる。これにより、不図示の機器への撮像装置の組み込み時の誤りを防止することができる。
更に、このレンズ群一体ユニット３０のレンズ３１のそれぞれが、いつも同じ識別マークに対応する位置に組み込まれるようにすることで、例えば、レンズ群一体ユニット３０のうち、金型等の問題で特定の位置のレンズ３１が不良である場合、そのレンズが組み込まれた撮像装置を切断分離した後にも判別が可能となる。
なお、光学部材１４に赤外光カットコーティングが施されている例で説明したが、これに限るものでなく、レンズ３１に赤外光カットコーティングを施したものや、別体で赤外光カットフィルタを組み込むようにしてもよい。
また、被写体光が通過しない領域に位置決め部が形成され、被写体光の通過する領域が平行平面に形成された光学部材を用いた例で説明したが、全体が平行平面で形成された光学部材や、レンズであってもよい。
（第３の実施の形態）
第３の実施の形態は、撮像装置の製造方法の初期及び中期の工程段階は第２の実施の形態に係る撮像装置の製造方法と同じである。このため、異なる部分である後期の工程段階に付いてのみ説明する。
図７は、第３の実施の形態に係る撮像装置の製造方法の後期の工程段階を示す模式図である。
図４、図５に示す初期及び中期の工程段階を経た後、図７（ａ）に示すように、複数の撮像素子１２のチップが一体的にモールディングされた状態で、撮像光学系を構成するレンズ３１と遮光部材ユニット３２が組み込まれる。撮像光学系は、複数個のレンズ３１が可撓性の腕部３１ｒにより連結されて一体的に形成され、レンズ群一体ユニット３０となっているものである。個々のレンズ３１は、可撓性の腕部３１ｒに連結された状態のまま、光学部材１４の露呈している壁面１４ｓと嵌合して光軸直交方向の位置決めがなされる。また、窪みの面１４ｔに突き当てられて光軸方向の位置決めがなされて組み込まれる（図４（ｃ）参照）。次いで、レンズ３１を挟むように遮光部材ユニット３２が重ねられて固着される。遮光部材ユニット３２も同様に複数ユニット分が一体的に形成されているものである。これにより、図示に示す例では８ユニットの撮像装置が一体的に形成される。
なお、同図に示すように、遮光部材ユニット３２は、金型等により予め複数の前記撮像素子毎の識別マーク２５が形成されており、レンズ群一体ユニット３０のレンズ３１のそれぞれが、いつも同じ識別マークに対応する位置に組み込まれることが好ましい。
この後、同図（ａ）に示す破線部で切断分離することで、同図（ｂ）に示すような単品の撮像装置５０に分離され完成する。
なお、遮光部材ユニット３２は樹脂成形品のみならず、エッチング等で加工された金属部材等であってもよく、また複数重ねて使用するようなものであってもよい。なお、上記のように可撓性の腕部３１ｒに連結された状態のまま、位置決めがなされて組み込まれることがコスト的にも好ましいが、レンズ３１や遮光部材ユニット３２が単体であり個別に組み込むような構成であってもよい。
このようにすることで、識別マーク２５の位置により撮像素子の端子のうちの基準ピン位置を示すと共に、複数の撮像装置が一体的に形成された際に、個々の撮像装置が、どの位置にあったものかを示すことができる。これにより、不図示の機器への撮像装置の組み込み時の誤りを防止することができる。
更に、このレンズ群一体ユニット３０のレンズ３１のそれぞれが、いつも同じ識別マークに対応する位置に組み込まれるようにすることで、例えば、レンズ群一体ユニット３０のうち、金型等の問題で特定の位置のレンズ３１が不良である場合、そのレンズが組み込まれた撮像装置を切断分離した後にも判別が可能となる。
なお、光学部材１４に赤外光カットコーティングが施されている例で説明したが、これに限るものでなく、レンズ３１に赤外光カットコーティングを施したものや、別体で赤外光カットフィルタを組み込むようにしてもよい。
また、被写体光が通過しない領域に位置決め部が形成され、被写体光の通過する領域が平行平面に形成された光学部材１４を用いた例で説明したが、全体が平行平面で形成された光学部材であってもよい。
図８は、レンズ群一体ユニット３０と遮光部材ユニット３２を、予め一体的に形成した例を示す図である。同図（ａ）は平面図であり、同図（ｂ）は部分断面図である。
同図に示すレンズ群一体ユニット３０と遮光部材ユニット３２は、遮光性を有する樹脂材料で形成された遮光部３３と透光性を有する樹脂材料で形成されたレンズ部３１を二色成形で形成したものである。
同図（ａ）、（ｂ）に示すレンズ群一体ユニット３０は、遮光性を有する樹脂材料でレンズ３１の１つにつき２本の腕部３９ｒと遮光部３３が形成され、透光性を有する樹脂材料でレンズ３１と２本の腕部３１ｒが形成されたものであり、両者を二色成形したものである。遮光部３３の外面には識別マーク２５が形成されている。
このような構成は、予め遮光性を有する樹脂材料で２本の腕部と遮光部３３を第１の金型で成形し、遮光性を有する樹脂材料の成形品を第２の金型内に挿入し、第２の金型で遮光性を有する樹脂材料の２本の腕部と遮光部３３に加えて、透光性を有する樹脂材料でレンズ３１と２本の腕部３１ｒを成形することで形成できる。
このように、レンズと、撮像素子毎の識別マークが形成された遮光部材ユニットと、を予め一体的に形成しておき、複数の撮像素子１２のチップが一体的にモールディングされた後に組み込むようにしてもよい。
なお、上記の第１〜第３の実施の形態においては、８個の撮像装置を一体的に形成した後、切断分離する例で説明したが、一体的に形成する個数はこれに限るものでないのは勿論である。
図９は、本実施の形態に係る撮像装置５０を備えた携帯端末の一例である携帯電話機１００の外観図である。
同図に示す携帯電話機１００は、表示画面Ｄ１及びＤ２を備えたケースとしての上筐体７１と、入力部である操作ボタン６０を備えた下筐体７２とがヒンジ７３を介して連結されている。撮像装置５０は、上筐体７１内の表示画面Ｄ２の下方に内蔵されており、撮像装置５０が上筐体７１の外表面側から光を取り込めるよう配置されている。
なお、この撮像装置の位置は上筐体７１内の表示画面Ｄ２の上方や側面に配置してもよい。また携帯電話機は折りたたみ式に限るものではないのは、勿論である。
図１０は、携帯電話機１００の制御ブロック図である。
同図に示すように、撮像装置５０の外部電極２１ｂを介し、携帯電話機１００の制御部１０１と接続され、輝度信号や色差信号等の画像信号を制御部１０１へ出力する。
一方、携帯電話機１００は、各部を統括的に制御すると共に、各処理に応じたプログラムを実行する制御部（ＣＰＵ）１０１と、番号等を指示入力するための入力部である操作ボタン６０と、所定のデータ表示や撮像した画像を表示する表示画面Ｄ１、Ｄ２と、外部サーバとの間の各種情報通信を実現するための無線通信部８０と、携帯電話機１００のシステムプログラムや各種処理プログラム及び端末ＩＤ等の必要な諸データを記憶している記憶部（ＲＯＭ）９１と、制御部１０１により実行される各種処理プログラムやデータ、若しくは処理データ、撮像装置５０による画像データ等を一時的に格納したり、作業領域として用いられる一時記憶部（ＲＡＭ）９２を備えている。
また、撮像装置５０から入力された画像信号は、携帯電話機１００の制御部１０１により、不揮発性記憶部（フラッシュメモリ）９３に記憶されたり、或いは表示画面Ｄ１、Ｄ２に表示されたり、更には、無線通信部８０を介し画像情報として外部へ送信されるようになっている。

Claims (11)

  1. 光学部材で構成された撮像光学系と、複数の受光画素部が形成され前記撮像光学系により導かれた被写体光を光電変換する撮像素子と、を有する撮像装置の製造方法において、
    シリコンウェハの一方の面に複数の前記撮像素子を形成する工程と、
    前記撮像素子毎に、前記撮像光学系で前記受光画素部を封止する工程と、
    前記シリコンウェハを前記撮像素子毎に切断する工程と、
    切断された複数の前記撮像素子を基板上に載置する工程と、
    前記基板と複数の前記撮像素子を電気的に接続する工程と、
    複数の前記撮像素子毎に識別マークが形成された金型により、前記基板と前記撮像光学系と前記撮像素子とを一体的にモールディングする工程と、
    前記モールディングされた前記基板を前記撮像素子毎に切断分離する工程と、を有することを特徴とする撮像装置の製造方法。
  2. 前記モールディングする工程で組み込まれる撮像光学系は単玉レンズであり、複数個の前記単玉レンズが腕部により連結されているものが組み込まれることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の撮像装置の製造方法。
  3. 被写体光を導く撮像光学系と、複数の受光画素部が形成され前記撮像光学系により導かれた被写体光を光電変換する撮像素子と、を有する撮像装置の製造方法において、
    シリコンウェハの一方の面に複数の前記撮像素子を形成する工程と、
    前記撮像素子毎に、前記撮像光学系を構成する最も像面側の光学部材により前記受光画素部を封止する工程と、
    前記シリコンウェハを前記撮像素子毎に切断する工程と、
    切断された複数の前記撮像素子を基板上に載置する工程と、
    前記基板と複数の前記撮像素子を電気的に接続する工程と、
    複数の前記撮像素子毎に識別マークが形成された金型により、前記基板と前記撮像光学系を構成する最も像面側の光学部材と前記撮像素子とを一体的にモールディングする工程と、
    前記前記撮像光学系を構成する他の光学部材を組み込む工程と、
    前記モールディングされた前記基板を前記撮像素子毎に切断分離する工程と、を有することを特徴とする撮像装置の製造方法。
  4. 被写体光を導く撮像光学系と、複数の受光画素部が形成され前記撮像光学系により導かれた被写体光を光電変換する撮像素子と、を有する撮像装置の製造方法において、
    シリコンウェハの一方の面に複数の前記撮像素子を形成する工程と、
    前記撮像素子毎に、前記撮像光学系を構成する最も像面側の光学部材により前記受光画素部を封止する工程と、
    前記シリコンウェハを前記撮像素子毎に切断する工程と、
    切断された複数の前記撮像素子を基板上に載置する工程と、
    前記基板と複数の前記撮像素子を電気的に接続する工程と、
    前記基板と前記撮像光学系を構成する一部の光学部材と前記撮像素子とを一体的にモールディングする工程と、
    前記撮像光学系を構成する他の光学部材及び、複数の前記撮像素子毎の識別マークが形成された遮光部材ユニットを組み込む工程と、
    前記モールディングされた前記基板を前記撮像素子毎に切断分離する工程と、を有することを特徴とする撮像装置の製造方法。
  5. 前記撮像光学系を構成する他の光学部材及び、複数の前記撮像素子毎の識別マークが形成された遮光部材ユニットが、予め一体的に形成されているものであることを特徴とする請求の範囲第４項に記載の撮像装置の製造方法。
  6. 前記識別マークは、前記撮像素子の基準ピンの位置を示すもの及び、前記撮像素子の前記基板の上での位置を示すもののうち、少なくとも一方であることを特徴とする請求の範囲第１項乃至第５項のいずれか一項に記載の撮像装置の製造方法。
  7. 前記モールディングする工程で組み込まれる光学部材は、複数個の光学部材が腕部により連結されているものが組み込まれることを特徴とする請求の範囲第３項乃至第６項のいずれか一項に記載の撮像装置の製造方法。
  8. 前記モールディングする工程の後に組み込まれる光学部材は、複数個の光学部材が腕部により連結されているものが組み込まれることを特徴とする請求の範囲第３項乃至第７項のいずれか一項に記載の撮像装置の製造方法。
  9. 前記モールディングする工程の後に組み込まれる光学部材は、前記腕部が可撓性を有するものであることを特徴とする請求の範囲第８項に記載の撮像装置の製造方法。
  10. 請求の範囲第１項乃至第９項のいずれか一項に記載の撮像装置の製造方法により製造されたことを特徴とする撮像装置。
  11. 請求の範囲第１０項に記載の撮像装置を備えたことを特徴とする携帯端末。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI425597B (zh) * 2009-12-31 2014-02-01 Kingpak Tech Inc 具有黑色膠體之影像感測器封裝結構
JP5658466B2 (ja) * 2010-02-05 2015-01-28 キヤノン株式会社 固体撮像装置の製造方法
TWI449162B (zh) * 2010-05-17 2014-08-11 Kingpak Tech Inc 具有特定焦距之晶圓級影像感測器模組之製造方法
TWI414060B (zh) * 2010-09-17 2013-11-01 Kingpak Tech Inc 模造成型之免調焦距影像感測器構裝結構及其製造方法
US9632277B2 (en) * 2011-03-28 2017-04-25 Konica Minolta, Inc. Image pickup lens unit and manufacturing method thereof

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06120281A (ja) * 1992-10-08 1994-04-28 Hitachi Ltd モールド金型及びこれを用いたモールド装置
US5817208A (en) * 1995-08-04 1998-10-06 Matsushita Electronics Corporation Resin sealing die, resin-sealed-type semiconductor device and method of manufacturing the device
JP3742211B2 (ja) * 1998-02-09 2006-02-01 シャープ株式会社 半導体装置のモールド金型およびマーキング方法
JP3494948B2 (ja) * 2000-03-22 2004-02-09 シャープ株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
JP5095114B2 (ja) * 2005-03-25 2012-12-12 富士フイルム株式会社 固体撮像装置の製造方法
US20090053850A1 (en) * 2005-03-25 2009-02-26 Fujifilm Corporation Method of manufacturing solid state imaging device

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