JPWO2008120314A1 - 表示装置、表示パネル、表示パネルの検査方法及び表示パネルの製造方法 - Google Patents
表示装置、表示パネル、表示パネルの検査方法及び表示パネルの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2008120314A1 JPWO2008120314A1 JP2009507306A JP2009507306A JPWO2008120314A1 JP WO2008120314 A1 JPWO2008120314 A1 JP WO2008120314A1 JP 2009507306 A JP2009507306 A JP 2009507306A JP 2009507306 A JP2009507306 A JP 2009507306A JP WO2008120314 A1 JPWO2008120314 A1 JP WO2008120314A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- organic electroluminescent
- layer
- light
- sealing layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 34
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 14
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 156
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 85
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 18
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 17
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 20
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 9
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 13
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 12
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 8
- 230000006870 function Effects 0.000 description 8
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- 229910017107 AlOx Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 Alq 3 Chemical compound 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006735 deficit Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000004141 dimensional analysis Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
【課題】発光封止層に生じた欠陥を容易に視覚的に認識することができるようにすること。【解決手段】基板45上に積層した少なくとも一方が透明な複数の電極46,52と、複数の電極46,52間に積層されており、印加電圧によって複数の電極46,52間に生じさせた電界によって発光する有機電界発光層49と、この基板45、これら複数の電極46,52及びこの有機電界発光層49を封止する部材であって光励起により発光する発光封止層8,11とを有する。
Description
本発明は、複数の電極に生じさせた電界によって有機電界発光層が発光する有機電界発光素子を有する表示装置、表示パネル、表示パネルの検査方法及び表示パネルの製造方法に関する。
近年、液晶ディスプレイに代わる次世代のディスプレイとして、いわゆる有機電界発光素子を用いた表示装置が開発されている。この有機電界発光素子を用いたディスプレイ(以下「有機ELディスプレイ」という)は、印加電圧が小さくても高輝度な発光を実現することができる特徴を有する表示装置である。
この有機ELディスプレイは、自発光の面状表示素子として注目されており、発光効率が高く、単純な素子構造で発光するという特徴を有する。具体的には、この有機ELディスプレイの有機電界発光素子は、対向する複数の電極から各々注入された正孔及び電子が有機物質を用いた発光層内で結合し、そのエネルギーで発光層中の蛍光物質を励起して発光を行うものである。
近年の有機電界発光素子においては、上記電極や有機電界発光層が形成された基板上に、防湿性、ガスバリア性の封止層を成膜する封止技術(一般的に「膜封止」と呼ばれている)が用いられている。この封止技術の原理としては、防湿性、ガスバリア性の封止層でEL基板を覆うことにより、封止能力を得るというものであり、多層構造を用いることにより、さらに封止性能を増すことができる。
その際に起こる欠陥としては、ダークスポットと呼ばれる有機電界発光素子の非発光領域の拡大を挙げることができる。成膜時におけるピンホールなどを主な原因として、点欠陥から透湿などが起こり、有機電界発光素子の非発光点が円形に拡大する。この円形の非発光欠陥が、その後の透湿により拡大するか否かは、封止層における欠陥の有無と、その欠陥部分の大きさにより決定される。このようなダークスポットなどを減らすための先行技術においては、その封止層構成として、欠陥部を被覆するバッファ層(平坦化層)を設けることなどが知られている(特許文献1参照)。
このような封止技術によって、従来の有機電界発光素子においては、封止層の欠陥数を減らすことができる。しかしながら、一般的に、バッファ層によって覆いきれなかった点欠陥が存在した場合、製品出荷前に表示装置の大きな発光不良として認識できるまでに時間がかかる。従って、その前に行われる検査段階においては、有機電界発光素子の欠陥品を完全に選別することができない問題点があった。
本発明が解決しようとする課題には、上記した問題が一例として挙げられる。
上記課題を解決するために、請求項1記載の発明は、基板上に積層した一方が透明な複数の電極と、前記複数の電極間に積層されており、印加電圧によって前記複数の電極間に生じさせた電界によって発光する有機電界発光層と、前記複数の電極及び前記有機電界発光層を封止する部材であって光励起により発光する発光封止層とを備える有機電界発光素子が配列する表示パネルと、入力された画像データに応じて前記複数の電極間に印加電圧を与えることで、前記表示パネルの各前記有機電界発光素子を駆動する駆動回路とを有することを特徴とする。
上記課題を解決するために、請求項8記載の発明は、基板上に積層した少なくとも一方が透明な複数の電極と、前記複数の電極間に積層されており、印加電圧によって前記複数の電極間に生じさせた電界によって発光する有機電界発光層と、前記基板、前記複数の電極及び前記有機電界発光層を封止する部材であって光励起により発光する発光封止層とを有する有機電界発光素子が配列していることを特徴とする。
上記課題を解決するために、請求項9記載の発明は、基板上に積層した一方が透明な複数の電極と、前記複数の電極間に積層されており、印加電圧によって前記複数の電極間に生じさせた電界によって発光する有機電界発光層と、前記複数の電極及び前記有機電界発光層を封止する部材であって光励起により発光する発光封止層とを備える有機電界発光素子が配列する表示パネルの各前記有機電界発光素子の前記発光封止層に対して、光を照射する光照射ステップと、前記発光封止層の発光状態に応じて、前記発光封止層に非発光点を発見した場合に前記発光封止層に欠陥が存在すると判断し、前記発光封止層に非発光点を発見しない場合に前記発光封止層に欠陥が存在しないと判断する欠陥検査ステップとを有する。
上記課題を解決するために、請求項10記載の発明は、基板上に透明な第1電極を積層する第1電極形成ステップと、前記第1電極上に、電界によって発光する有機電界発光層を形成する発光層形成ステップと、前記有機電界発光層上に第2電極を形成する第2電極形成ステップと、前記第1電極、前記有機電界発光層及び前記第2電極を封止するための封止基材であって光励起によって発光する発光封止層を形成する発光封止層形成ステップと、前記基板、前記第1電極、前記有機電界発光層、前記第2電極及び前記発光封止層を有する有機電界発光素子が配列する表示パネルの各有機電界発光素子の前記発光封止層に対して光を照射する光照射ステップとを有することを特徴とする。
以下、本発明の一実施の形態を図面を参照しつつ説明する。
<第1実施形態>
図1は、第1実施形態としての有機電界発光素子3を備える表示装置1の外観の一例を示す正面図である。
表示装置1は、筐体2及び脚部5を有する。筐体2は、脚部5によって設置面において支えられている。この筐体2は、その外観上、表示パネル7及び2つのスピーカー4を備えている。この表示パネル7は、筐体2の中央部に設けられており、筐体2の中央部において、外部から入力された画像データに基づく映像を表示する機能を有する。この筐体2の下部には、その右側及び左側に各々スピーカー4が設けられている。
<第1実施形態>
図1は、第1実施形態としての有機電界発光素子3を備える表示装置1の外観の一例を示す正面図である。
表示装置1は、筐体2及び脚部5を有する。筐体2は、脚部5によって設置面において支えられている。この筐体2は、その外観上、表示パネル7及び2つのスピーカー4を備えている。この表示パネル7は、筐体2の中央部に設けられており、筐体2の中央部において、外部から入力された画像データに基づく映像を表示する機能を有する。この筐体2の下部には、その右側及び左側に各々スピーカー4が設けられている。
このスピーカー4は、表示パネル7に表示された映像に同期して音を出力する機能を有する。この筐体2は、その内部に駆動回路6を備えている。この駆動回路6は、上記画像データに基づく映像を表示パネル7に表示させるための駆動制御を行う。
上記表示パネル7は、いわゆる有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)を用いた表示パネルである。本実施形態においては、この有機エレクトロルミネッセンス素子を「有機電界発光素子」と呼ぶ。この表示パネル7は、多数の有機電界発光素子がマトリクス状に配列した構成となっている。これらマトリクス状に配列した有機電界発光素子は、上記駆動回路6の制御によって各画素ごとに駆動制御されている。
図2は、図1に示す表示パネル7に配列する有機電界発光素子1の構成例を示す断面図である。
有機電界発光素子3は、例えばボトムエミッション型の有機電界発光素子であり、例えば赤色、緑色及び青色に対応させて各々形成される。なお、この有機電界発光素子3は、トップエミッション型の有機電界発光素子であってもよい。この有機電界発光素子3は、ガラス基板45上に、陽極46(透明な電極)、発光層49(有機電界発光層)及び陰極52(電極)が順に積層されているとともに、これらが封止層8によって封止された構造となっている。
有機電界発光素子3は、例えばボトムエミッション型の有機電界発光素子であり、例えば赤色、緑色及び青色に対応させて各々形成される。なお、この有機電界発光素子3は、トップエミッション型の有機電界発光素子であってもよい。この有機電界発光素子3は、ガラス基板45上に、陽極46(透明な電極)、発光層49(有機電界発光層)及び陰極52(電極)が順に積層されているとともに、これらが封止層8によって封止された構造となっている。
これら陽極46及び陰極52(電極)は、ガラス基板45上に積層した一方が透明な構成となっている。またこれら陽極46及び陰極52は、各々、例えばITO(Indium Tin Oxide)及びAlを材質としている。なお、この有機電界発光素子3は、発光層49内に電荷及び励起子を各々閉じ込めるための電荷及び励起子拡散層が積層された構造を採用しても良い。図示の有機電界発光素子3は、1画素分に相当している。
このガラス基板45は、透明な材質によって形成されている。上記陽極46は、上記ITOの代わりにIZOを材質としてもよい。この陽極46は、後述するように発光層49が放射した光Lを透過する透明な電極を構成している。上記陽極46(複数の電極の一方)は、ガラス基板45に沿って広くこのガラス基板45上に形成されている。この陽極46は、後述する発光層49に対して正孔を供給する機能を有する。
上記発光層49は、電界発光現象、つまり、いわゆるエレクトロルミネッセンス(EL:Electroluminescence)現象を使った発光素子である。この発光層49は、複数の電極46,52の間において積層されており、印加電圧によって複数の電極46,52間に生じた電界によって発光する機能を有する。この発光層49は、その外部から電界を用いて受け取ったエネルギーに基づく光を放出する現象を利用し、自ら光Lを出力する。
本実施形態のように有機電界発光素子3が、例えばボトムエミッションタイプである場合、この発光層49は、主として下方に光L(外部光)を放射する。このように発光層49が放射した光Lは、外部光として有機電界発光素子3の外部に取り出されるばかりでなく、有機電界発光素子3内において消失してしまう場合もある。
上記封止層8(発光封止層)は、複数の電極46,52及び発光層49(有機電界発光層)を封止する部材であって光励起により発光する機能を有する。本実施形態においては、この封止層8を「発光封止層8」と呼称する。この発光封止層8は、母体となるべき封止基材に発光中心をドーピングして構成されている。この母体としては、例えばSiOx、SiNx、AlOx又はAlNx(Xは正数を表す)などを挙げることができる。この母体には、例えばガスバリア性を有していることが望ましい。
この発光中心は、例えば希土類元素又は遷移金属である。具体的には、この発光中心は、例えばTb(緑色発光)、Eu(赤色発光)、Er(緑若しくは赤外光)などの希土類元素、又は、Mn(オレンジ色発光)、Cr(赤外光)などの遷移金属元素などを採用することができる。なお、この発光封止層8の厚さは、例えば少なくとも10nm以上100μm以下であり、好ましくは、例えば100nm以上10μm以下である。
<有機電界発光素子3の動作例>
有機電界発光素子3及びこれを内蔵する表示装置1は以上のような構成であり、次に有機電界発光素子3及びこれを内蔵する表示装置1の動作例について説明する。
有機電界発光素子3及びこれを内蔵する表示装置1は以上のような構成であり、次に有機電界発光素子3及びこれを内蔵する表示装置1の動作例について説明する。
図1に示す表示装置1は、その表示パネル7においてこのような有機電界発光素子3がマトリクス状に多数配列しており、これら多数の有機電界発光素子3は駆動回路6の制御によって次のように動作する。
まずこの駆動回路6は、入力された画像データに基づいて、この画像データに基づく画像を表示パネル7に表示させるべく、各有機電界発光素子3を駆動する。すると、各有機電界発光素子3においては、この駆動回路6が、図2に示す陽極46と陰極52の間に、図示しない所定の電源から直流電圧を印加する。
このように陽極46と陰極52に直流電圧が印加されると、この陽極46は正孔を放出する。この陽極46から放出された正孔は、上記発光層49に到達する。このようにして発光層49は陽極49から正孔を受け取ることができる。一方、上記陰極52は電子を上記発光層49に対して注入する。このようにして発光層49は、陰極46から放出された電子を受け取ることができる。
この発光層49は、このように注入された正孔と電子によって次のように動作する。これら注入された正孔及び電子は、この発光層49内において再結合して不安定な高いエネルギー状態である励起状態となる。さらにこの発光層49は、その後すぐに元の安定した低いエネルギー状態である基底状態に戻る。このとき、発光層49は、これら励起状態及び基底状態におけるエネルギー差に基づいて光Lを放出する。
このようにすると、図1に示す表示装置1は、上記駆動回路6の制御によって各有機電界発光素子3に対応する画素から光Lを放出し、この表示パネル7に所定の画像を表示させることができる。このときこの画像の表示に同期させて、表示装置1は、そのスピーカー4から音を出力することができる。
<表示パネルの製造方法>
有機電界発光素子3及び表示装置1の動作例は以上のようであり、次に図2を参照しつつ、表示パネル7に配列する有機電界発光素子3の製造方法の一例について説明する。なお、この表示パネル7の製造方法は、この有機電界発光素子3の検査方法を含んでいる。
有機電界発光素子3及び表示装置1の動作例は以上のようであり、次に図2を参照しつつ、表示パネル7に配列する有機電界発光素子3の製造方法の一例について説明する。なお、この表示パネル7の製造方法は、この有機電界発光素子3の検査方法を含んでいる。
図3〜図8は、それぞれ、上記製造方法によって表示パネル7の有機電界発光素子3が製造される様子の一例を示す断面図である。
まず最初に、図3に示すようにガラス基板45を用意し、このガラス基板45には、図4に示すように透明な陽極46が成膜される(第1電極形成ステップ)。このように成膜された陽極46上には、図5に示すように有機電界発光素子3を形成すべき位置に、発光層49が成膜される(発光層形成ステップ)。
まず最初に、図3に示すようにガラス基板45を用意し、このガラス基板45には、図4に示すように透明な陽極46が成膜される(第1電極形成ステップ)。このように成膜された陽極46上には、図5に示すように有機電界発光素子3を形成すべき位置に、発光層49が成膜される(発光層形成ステップ)。
さらに、図6に示すように、この発光層49上には陰極52が成膜される(第2電極形成ステップ)。さらに、陰極52上にはこの陰極52のみならず、発光層49及び陰極52を覆うように封止基材が形成される(発光封止層形成ステップの一部)。この封止基材は、例えばCVD(Chemical Vapour Deposion)又はスパッタを用いた気相成膜法によって形成されても良いし、例えば真空蒸着を用いた蒸着法を用いて形成されても良い。以上のようにして有機電界発光素子3が製造される。
このように構成した有機電界発光素子3においては、図7に示すように、その発光封止層8の母体となるべき封止基材に発光中心がドーピングされる(発光封止層形成ステップの一部)。スパッタで成膜する場合のターゲットとしては、Alなどの金属に、例えば発光中心の原料としてMnを5wt%(重量パーセント)含有させたものを用いている。また発光封止層8の形成にあたっては、反応性ガスをN2として、反応性スパッタによりAlN:Mn層を300nm形成した。
このようにして発光封止層8が形成されるが、このように発光封止層8によって封止した際、この発光封止層8には、図示のような欠陥2が生じてしまう場合がある。この欠陥2は、例えば微少であり、そのままでは視覚的に認識しにくい程度の大きさとなっている。本実施形態では、さらに、次のようにして発光封止層8による封止状態に関して検査を行う。
<検査工程>
まず最初に、図8に示すように有機電界発光素子3は、その発光封止層8に励起光が照射される。この発光封止層8は、このように照射された励起光(例えばHgランプによる紫外線L)を吸収して光励起によりその全体が発光する。具体的には、この発光封止層8は、例えばMnである発光中心から放出された、580nmの波長をピークとするオレンジ色の発光を確認することができた。そして、ある表示装置1においては、その表示パネル7の画素(有機電界発光素子3)中に約3μm径の非発光点、すなわち発光封止層8の欠陥2を検出することができた。
まず最初に、図8に示すように有機電界発光素子3は、その発光封止層8に励起光が照射される。この発光封止層8は、このように照射された励起光(例えばHgランプによる紫外線L)を吸収して光励起によりその全体が発光する。具体的には、この発光封止層8は、例えばMnである発光中心から放出された、580nmの波長をピークとするオレンジ色の発光を確認することができた。そして、ある表示装置1においては、その表示パネル7の画素(有機電界発光素子3)中に約3μm径の非発光点、すなわち発光封止層8の欠陥2を検出することができた。
この発光封止層8は、欠陥2の部分において光励起が生じず、この発光封止層8全体のうちこの欠陥2の部分のみが暗点(非発光点)として視覚的に認識することができる。つまり、この欠陥2では、その発光封止層8(ガスバリア膜)が発光しないので、点欠陥であることを認識することができるのである。なお、このような3μm径程度の欠陥2がある場合、有機電界発光素子3の非発光領域(いわゆるダークスポットに相当)が、その後数百時間以内に室温で視覚的に認識できる程度の大きさに拡大するため、その表示装置1を欠陥品として除去することができる。
従って、このような欠陥2は非発光点として視覚的に認識することができるようになるため、この検査工程(検査方法)によれば、例えば表示パネル7を有する表示装置1の出荷前に、室温で時間の経過とともに広がっていく特性を有する(拡大性の)点状の欠陥2の有無を素早く容易に確認することができる。このようにして欠陥2のある有機電界発光素子3を内蔵する表示パネル7を用いた表示装置1(欠陥品)が市場に流出することを防止することができる。
このように本実施形態では、封止部材に、光励起により発光する材料を含ませておいた発光封止層8を用いているため、検査工程において、この発光封止層8上から紫外線などの励起照射により、欠陥2を非発光点又は発光異常点として検出することができる。
ここで発光封止層8はガスバリアを担う層である。この発光封止層8にある程度の大きさ、例えば1μm径程度以上の欠陥2がある場合、その表示装置1の表示パネル7においては、非発光点であるダークスポットが拡大してしまう。よって本実施形態では、例えば1μm径程度以上の欠陥2が生じている表示パネル7を内蔵する表示装置1を欠陥品として除去することにより、このような欠陥品が市場に流出することを防止することができる。これとともに、本実施形態では、段階的に、それ以下の径の欠陥2が生じた表示パネル7を内蔵する表示装置1を欠陥品として除去せず、市場に出荷することもできる。
上記実施形態における表示装置1は、基板45(ガラス基板)上に積層した一方が透明な複数の電極46,52と、上記複数の電極46,52間に積層されており、印加電圧によって上記複数の電極46,52間に生じさせた電界によって発光する有機電界発光層(発光層)49と、上記複数の電極46,52及び上記有機電界発光層49を封止する部材であって光励起により発光する発光封止層8とを備える有機電界発光素子3が配列する表示パネル7と、入力された画像データに応じて上記複数の電極46,52間に印加電圧を与えることで、上記表示パネル7の各上記有機電界発光素子3を駆動する駆動回路6とを有することを特徴とする。
上記実施形態における表示パネル7は、基板45(ガラス基板)上に積層した一方が透明な複数の電極46,52と、上記複数の電極間に積層されており、印加電圧によって前記複数の電極間に生じさせた電界によって発光する有機電界発光層(発光層)と、上記複数の電極46,52及び上記有機電界発光層49を封止する部材であって光励起により発光する発光封止層8とを有する有機電界発光素子3が配列していることを特徴とする。
このような構成によれば、その発光封止層8に光が照射されると、この発光封止層8が、この光を吸収して光励起により全体的に発光する。その発光封止層8に欠陥2が生じている場合には、その欠陥2の部分のみが発光せず、非発光点(暗点)として容易に視覚的に認識することができる。このようにすると、発光封止層8に光を照射するという簡単な方法によって、この発光封止層8に欠陥2があるか否かについて視覚的に容易に検査することができる。
ここで、出荷前に欠陥2(ダークスポット)が拡大性の点欠陥か否かを選別するには、一般的な公知の解析手法として、AFMや白色干渉顕微鏡などによる表面形状解析が挙げられる。これらの手法では、表示パネル7の全面において発光封止層8の凹凸形状を計測し、欠陥2の大きさを検出することは可能だが、表示パネル7の全面において極小の欠陥2を検出することは困難であった。しかしながら本実施形態によれば、容易に極小の欠陥2を検出することができるようになる。また、このような欠陥2の有無に関する解析は、表示パネル7(有機ELパネル)の面積が広いと、三次元の解析を用いた場合に多くの時間を必要とし、高さ情報だけで発光封止層8における欠陥2の有無を判断することは困難だったが、本実施形態によれば、容易に欠陥2を短時間で検出可能であり、発光封止層8における欠陥2か否かを特定することが出来る。
上記実施形態における表示装置1及び表示パネル7においては、各々、上記構成において、上記発光封止層8は、母体となるべき封止基材に発光中心をドーピングして構成したことを特徴とする。
このような構成によれば、発光封止層8は、その内部に存在する有機電界発光層49(発光層)などの気密保持性(ガスバリア性)を維持しつつ形成することができる。
上記実施形態における表示装置1及び表示パネル7においては、各々、上記構成において、上記発光中心は、希土類元素又は遷移金属であることを特徴とする。
このような構成によれば、発光中心として希土類元素又は遷移元素を用いて容易に封止発光層8を形成することができる。
上記実施形態における表示装置1及び表示パネル7においては、各々、上記構成において、上記発光封止層8は、気相成膜法により成膜されていることを特徴とする。
このようにすると、一般的な成膜法を用いて簡単に発光封止層8を成膜することができる。
上記実施形態における表示装置1及び表示パネル7においては、各々、上記構成において、上記発光封止層8は、蒸着法により成膜されていることを特徴とする。
このようにすると、発光封止層8を、真空蒸着などの蒸着法を採用して形成した場合、水分に弱い有機電界発光層49を水分に触れさせず、有機電界発光層49を損傷しないようにしつつ発光封止層8を形成することができる。
上記実施形態における表示パネル7の検査方法は、基板45(ガラス基板)上に積層した一方が透明な複数の電極46,52と、上記複数の電極46,52間に積層されており、印加電圧によって上記複数の電極46,52間に生じさせた電界によって発光する有機電界発光層49(発光層)と、上記複数の電極46,52及び上記有機電界発光層49を封止する部材であって光励起により発光する発光封止層8とを備える有機電界発光素子3が配列する表示パネル7の各前記有機電界発光素子3の発光封止層8に対して、光を照射する光照射ステップと、上記発光封止層8の発光状態に応じて、上記発光封止層8に非発光点を発見した場合に上記発光封止層8に欠陥が存在すると判断し、上記発光封止層8に非発光点を発見しない場合に上記発光封止層8に欠陥が存在しないと判断する欠陥検査ステップとを有することを特徴とする。
このようにすると、その発光封止層8に光が照射されると、この発光封止層8が、この光を吸収して光励起により全体的に発光する。その発光封止層8に欠陥2が生じている場合には、その欠陥2の部分のみが発光せず、非発光点(暗点)として容易に視覚的に認識することができる。このようにすると、発光封止層8に光を照射するという簡単な方法によって、この発光封止層8に欠陥2があるか否かについて視覚的に容易に検査することができる。
また上述のようなAFMや白色干渉顕微鏡などによる表面形状解析を用いた場合に比べ、本実施形態によれば、上述のように容易に極小の欠陥2を検出することができるようになる。また、このような欠陥2の有無に関する解析は、上述のような理由により高さ情報だけで発光封止層8における欠陥2の有無を判断することが困難だったが、本実施形態によれば、容易に欠陥2を短時間で検出可能であり、発光封止層8における欠陥2か否かを特定することが出来る。
上記実施形態における表示装置1の製造方法は、基板45上に透明な第1電極46を積層する第1電極形成ステップと、上記第1電極46上に、印加電圧によって上記複数の電極46,52間に生じさせた電界によって発光する有機電界発光層49(発光層)を形成する発光層形成ステップと、上記有機電界発光層49上に第2電極52を形成する第2電極形成ステップと、上記基板45、上記第1電極46、上記有機電界発光層49及び上記第2電極52を封止するための封止基材であって光励起によって発光する発光封止層8を形成する発光封止層形成ステップと、上記基板45、上記第1電極46、上記有機電界発光層49、上記第2電極52及び上記発光封止層8を有する有機電界発光素子3が配列する表示パネル7の各有機電界発光素子3の上記発光封止層8に対して光を照射する光照射ステップとを有することを特徴とする
このような製造方法によって製造された表示装置1は、その発光封止層8に光が照射されると、この発光封止層8が、この光を吸収して光励起により全体的に発光する。その発光封止層8に欠陥2が生じている場合には、その欠陥2の部分のみが発光せず、非発光点(暗点)として容易に視覚的に認識することができる。このようにすると、発光封止層8に光を照射するという簡単な方法によって、この発光封止層8に欠陥2があるか否かについて視覚的に容易に検査することができる。
また上述のようなAFMや白色干渉顕微鏡などによる表面形状解析を用いた場合に比べ、本実施形態によれば、上述のように容易に極小の欠陥2を検出することができるようになる。また、このような欠陥2の有無に関する解析は、上述のような理由により高さ情報だけで発光封止層8における欠陥2の有無を判断することが困難だったが、本実施形態によれば、容易に欠陥2を短時間で検出可能であり、発光封止層8における欠陥2か否かを特定することが出来る。
<第2実施形態>
図9は、第2実施形態における表示装置1aが内蔵する有機電界発光素子3aの構成例を示す断面図である。
この有機電界発光素子3aは、第1実施形態とほぼ同様の構成でありほぼ同様の動作であるとともにほぼ同様の製造方法であることから、同一の構成、同一の動作及び同一の製造方法については、各々第1実施形態における図1乃至図8と同一の符号を用いるとともに、その説明を省略し、以下の説明では異なる点を中心として説明する。
図9は、第2実施形態における表示装置1aが内蔵する有機電界発光素子3aの構成例を示す断面図である。
この有機電界発光素子3aは、第1実施形態とほぼ同様の構成でありほぼ同様の動作であるとともにほぼ同様の製造方法であることから、同一の構成、同一の動作及び同一の製造方法については、各々第1実施形態における図1乃至図8と同一の符号を用いるとともに、その説明を省略し、以下の説明では異なる点を中心として説明する。
第2実施形態における有機電界発光素子3aは、第1実施形態とは異なり、その発光封止層8が、上述したように1層として構成されている代わりに多層に構成されている。具体的には、第2実施形態では、図9に示すように、上述した発光封止層8を被覆するように別の発光封止層11が形成されている。
ここで第2実施形態では、これら複数の発光封止層8,11が、例えば、各々、異なる波長で発光する発光材料により構成されている。この発光封止層11は、第1実施形態における発光封止層8と同様に、CVD、スパッタなどの気相成膜法で成膜されてもよいし、又は、真空蒸着などの蒸着法により成膜されても良い。
<検査工程>
図10〜図13は、各々、検査工程において検出した欠陥2の一例を示す断面図である。なお、これら図10〜図13においては、上記有機電界発光素子3aがさらに他の発光封止層13によって封止された構成である有機電界発光素子3bを例示する。
図10〜図13は、各々、検査工程において検出した欠陥2の一例を示す断面図である。なお、これら図10〜図13においては、上記有機電界発光素子3aがさらに他の発光封止層13によって封止された構成である有機電界発光素子3bを例示する。
<ピンホール形状の欠陥>
図10に示すように欠陥2が、製造工程中における成膜時に生じた膜のピンホール形状である場合には次のように検出される。すなわち、有機電界発光素子3bは、上記検査工程において照射された紫外線によって発光封止層8,11,13が各々光励起により赤色、緑色及び青色で発光する。なお、発光封止層11,13は、各々、透明又は半透明の部材である。つまり、これら発光封止層11,13は、発光封止層8が放射した光を透過するとともに、発光封止層11は、発光封止層13が放射した光を透過する。
図10に示すように欠陥2が、製造工程中における成膜時に生じた膜のピンホール形状である場合には次のように検出される。すなわち、有機電界発光素子3bは、上記検査工程において照射された紫外線によって発光封止層8,11,13が各々光励起により赤色、緑色及び青色で発光する。なお、発光封止層11,13は、各々、透明又は半透明の部材である。つまり、これら発光封止層11,13は、発光封止層8が放射した光を透過するとともに、発光封止層11は、発光封止層13が放射した光を透過する。
すると、この有機電界発光素子3bにおいては、赤色の光内において非発光点を視覚的に認識することができることから、発光封止層13に欠陥2aを検出することができるとともに、緑色の光内において非発光点を視覚的に認識することができることから、発光封止層11に欠陥2bを検出することができる。
<ゴミの欠陥>
図11に示すように欠陥2が、製造工程中に混入したゴミを核とする場合、次のように検出される。すなわち、有機電界発光素子3bは、上記検査工程において上記同様に照射された紫外線によって発光封止層8,11,13が各々光励起により赤色、緑色及び青色で発光する。
図11に示すように欠陥2が、製造工程中に混入したゴミを核とする場合、次のように検出される。すなわち、有機電界発光素子3bは、上記検査工程において上記同様に照射された紫外線によって発光封止層8,11,13が各々光励起により赤色、緑色及び青色で発光する。
すると、この有機電界発光素子3bにおいては、ある特定の部分において、赤色の光内においてやや小さな非発光点を視覚的に認識することができ、同一箇所で緑色の光内においてやや大きな非発光点を視覚的に認識することができ、同一箇所で青色の光内においてやや小さな非発光点を視覚的に認識することができる。すると、この有機電界発光素子3bは、発光封止層8,11,13に渡る大きな球形状の欠陥2が検出される。
<製造工程中の欠損>
図12に示すように欠陥2が、製造工程中にガラス基板45に接触する場などして欠損した場合、次のように検出される。すなわち、有機電界発光素子3bは、上記検査工程において上記同様に照射された紫外線によって発光封止層8,11,13が各々光励起により赤色、緑色及び青色で発光する。
図12に示すように欠陥2が、製造工程中にガラス基板45に接触する場などして欠損した場合、次のように検出される。すなわち、有機電界発光素子3bは、上記検査工程において上記同様に照射された紫外線によって発光封止層8,11,13が各々光励起により赤色、緑色及び青色で発光する。
すると、この有機電界発光素子3bにおいては、ある特定の部分において、赤色の光内において大きな非発光点を視覚的に認識することができ、同一箇所で緑色の光内においてやや大きな非発光点を視覚的に認識することができ、同一箇所で青色の光内においてやや小さな非発光点を視覚的に認識することができる。すると、この有機電界発光素子3bは、発光封止層8,11,13に渡る逆三角形形状の欠陥2が検出される。
<駆動時の局所短絡による欠陥>
図13に示すように欠陥2が、有機電界発光素子3aの駆動時に局所的な短絡が生じた場合、その短絡部12が破壊され、その物理的な剥離力によって発光封止層8が同時に破壊されてしまったとき、次のように検出される。すなわち、有機電界発光素子3bは、上記検査工程において上記同様に照射された紫外線によって発光封止層8,11,13が各々光励起により赤色、緑色及び青色で発光する。
図13に示すように欠陥2が、有機電界発光素子3aの駆動時に局所的な短絡が生じた場合、その短絡部12が破壊され、その物理的な剥離力によって発光封止層8が同時に破壊されてしまったとき、次のように検出される。すなわち、有機電界発光素子3bは、上記検査工程において上記同様に照射された紫外線によって発光封止層8,11,13が各々光励起により赤色、緑色及び青色で発光する。
すると、この有機電界発光素子3bにおいては、ある特定の部分において、赤色の光内において小さな非発光点を視覚的に認識することができ、同一箇所で緑色の光内においてやや大きな非発光点を視覚的に認識することができ、同一箇所で青色の光内において大きな非発光点を視覚的に認識することができる。すると、この有機電界発光素子3bは、発光封止層8,11,13に渡る三角形形状の欠陥2が検出される。
有機電界発光素子3bは、その発光封止層8,11,13においてこれらのような欠陥2が生じている場合においては、初期駆動時は欠陥2としての非発光領域は小さいものの、上記検査工程で検出しないと、その後の透湿などにより陰極52が劣化し、非発光領域が拡大してしまう。
従って第2実施形態によれば、これらの場合においても、欠陥2を有する有機電界発光素子3bを製品として出荷しないようにしたり、欠陥2の大きさ及び種類の少なくとも一方に応じて製品として出荷しないようにすることができる。
上記実施形態における有機電界発光素子3aにおいては、第1実施形態における有機電界発光素子3の構成に加えてさらに、上記発光封止層8は、多層に積層されていることを特徴とする。
このような構成によれば、各発光封止層8,11ごとに欠陥2が存在するか否かを判別し、必要に応じて異なる判断基準によって、この欠陥2が実用上問題があるか否かを判断することができる。このため、単に欠陥2が存在するか否かを判断する場合に比べて歩留まりを向上することができる。
上記実施形態における有機電界発光素子3aにおいては、上記構成に加えてさらに、複数の発光封止層8は、各々、異なる波長で発光する発光材料により構成されていることを特徴とする。
このような構成とすると、複数の発光封止層8,11のうちどの発光封止層に欠陥があるのかを視覚的に容易に認識することができる。
なお、本実施形態は、上記に限られず、種々の変形が可能である。以下、そのような変形例を順を追って説明する。
上記実施形態においては、有機電界発光素子3,3aが、各々、陽極46と陰極52との間に発光層49を挟み込んだ形態を例示しているが、このような形態に限られず、次のような形態を採用しても良い。
上記実施形態においては、有機電界発光素子3,3aが、各々、陽極46と陰極52との間に発光層49を挟み込んだ形態を例示しているが、このような形態に限られず、次のような形態を採用しても良い。
すなわち、この有機電界発光素子3,3aにおいては、それぞれ、陽極46と発光層49との間に正孔注入層47及び正孔輸送層48が挟み込まれた形態、及び、発光層9と陰極52との間に電子輸送層50及び電子注入層51が挟み込まれた形態の少なくとも一方を採用した形態であっても良い。これら正孔注入層47、正孔輸送層48、電子輸送層50及び電子注入層51は、それぞれ、CuPc、NPB、Alq3、LiFを材質としても良い。
上記正孔注入層47は、この陽極46から正孔を取り出しやすいようにするために積層されている。上記正孔輸送層48は、正孔注入層47によって陽極46から折り出された正孔を、その発光層49に輸送する機能を有する。この正孔注入層47は、主として陽極46上に積層されている。この正孔輸送層48は、この正孔注入層47上に積層されている。
この発光層49上には、上記電子輸送層50が積層されている。さらに、この電子輸送層50上には電子注入層51が積層されている。またこの電子注入層51上には陰極52が形成されている。これらのうち電子注入層51は、その陰極52から電子を取り出しやすくする機能を有する。また電子輸送層50は、この電子注入層51によって陰極52から取り出された電子を効率的に発光層49に輸送する機能を有する。
上記実施形態における封止技術は、有機電界発光素子3,3aの他にも、有機メモリ、センサ又は太陽電池などの封止にも適用することができる。また、上記実施形態においては、上述の説明において触れた部分以外の構成は様々な形態を採用することができる。上記実施形態では、基板としてガラス基板45を例示しているがこれに限られず、様々な材質を採用することができる。また上記実施形態では、特に表示装置1の駆動方法についても限定されない。
また上記実施形態では、検査工程において欠陥2を検出するために照射すべき励起光は紫外線に限定されず、様々な波長を採用することもできる。具体的には、上記実施形態では、この励起光として、好ましくは最も発光効率のよい励起光波長であるのが望ましい。さらに上記実施形態では、この励起光として、有機電界発光素子3などに与えるダメージの少ない長波長の励起光を採用するのが望ましい。
1 表示装置
3 有機電界発光素子
3a 有機電界発光素子
8 発光封止層
11 発光封止層
45 ガラス基板(基板)
46 陽極(複数の電極の一方、透明な電極、第1電極)
49 発光層(有機電界発光層)
52 陰極(複数の電極の他方、第2電極)
3 有機電界発光素子
3a 有機電界発光素子
8 発光封止層
11 発光封止層
45 ガラス基板(基板)
46 陽極(複数の電極の一方、透明な電極、第1電極)
49 発光層(有機電界発光層)
52 陰極(複数の電極の他方、第2電極)
Claims (10)
- 基板上に積層した一方が透明な複数の電極と、
前記複数の電極間に積層されており、印加電圧によって前記複数の電極間に生じさせた電界によって発光する有機電界発光層と、
前記複数の電極及び前記有機電界発光層を封止する部材であって光励起により発光する発光封止層と
を備える有機電界発光素子が配列する表示パネルと、
入力された画像データに応じて前記複数の電極間に印加電圧を与えることで、前記表示パネルの各前記有機電界発光素子を駆動する駆動回路と
を有することを特徴とする表示装置。 - 請求項1記載の表示装置において、
前記発光封止層は、母体となるべき封止基材に発光中心をドーピングして構成したことを特徴とする表示装置。 - 請求項2記載の表示装置において、
前記発光中心は、希土類元素又は遷移金属であることを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか記載の表示装置において、
前記発光封止層は、多層に積層されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項4記載の表示装置において、
複数の前記発光封止層は、各々、異なる波長で発光する発光材料により構成されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項1記載の表示装置において、
前記発光封止層は、気相成膜法により成膜されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項1記載の表示装置において、
前記発光封止層は、蒸着法により成膜されていることを特徴とする表示装置。 - 基板上に積層した少なくとも一方が透明な複数の電極と、
前記複数の電極間に積層されており、印加電圧によって前記複数の電極間に生じさせた電界によって発光する有機電界発光層と、
前記基板、前記複数の電極及び前記有機電界発光層を封止する部材であって光励起により発光する発光封止層と
を有する有機電界発光素子が配列していることを特徴とする表示パネル。 - 基板上に積層した一方が透明な複数の電極と、前記複数の電極間に積層されており、印加電圧によって前記複数の電極間に生じさせた電界によって発光する有機電界発光層と、前記複数の電極及び前記有機電界発光層を封止する部材であって光励起により発光する発光封止層とを備える有機電界発光素子が配列する表示パネルの各前記有機電界発光素子の前記発光封止層に対して、光を照射する光照射ステップと、
前記発光封止層の発光状態に応じて、前記発光封止層に非発光点を発見した場合に前記発光封止層に欠陥が存在すると判断し、前記発光封止層に非発光点を発見しない場合に前記発光封止層に欠陥が存在しないと判断する欠陥検査ステップと
を有することを特徴とする表示パネルの検査方法。 - 基板上に透明な第1電極を積層する第1電極形成ステップと、
前記第1電極上に、電界によって発光する有機電界発光層を形成する発光層形成ステップと、
前記有機電界発光層上に第2電極を形成する第2電極形成ステップと、
前記第1電極、前記有機電界発光層及び前記第2電極を封止するための封止基材であって光励起によって発光する発光封止層を形成する発光封止層形成ステップと、
前記基板、前記第1電極、前記有機電界発光層、前記第2電極及び前記発光封止層を有する有機電界発光素子が配列する表示パネルの各有機電界発光素子の前記発光封止層に対して光を照射する光照射ステップと
を有することを特徴とする表示パネルの製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2007/056646 WO2008120314A1 (ja) | 2007-03-28 | 2007-03-28 | 表示装置、表示パネル、表示パネルの検査方法及び表示パネルの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2008120314A1 true JPWO2008120314A1 (ja) | 2010-07-15 |
JP4859075B2 JP4859075B2 (ja) | 2012-01-18 |
Family
ID=39807907
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009507306A Expired - Fee Related JP4859075B2 (ja) | 2007-03-28 | 2007-03-28 | 表示装置、表示パネル、表示パネルの検査方法及び表示パネルの製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100141628A1 (ja) |
JP (1) | JP4859075B2 (ja) |
WO (1) | WO2008120314A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009026649A (ja) * | 2007-07-20 | 2009-02-05 | Rohm Co Ltd | 有機el発光装置 |
CN111725284B (zh) * | 2020-06-29 | 2023-06-27 | 合肥维信诺科技有限公司 | 一种显示面板、显示终端及检测显示面板失效的方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001110573A (ja) * | 1999-10-13 | 2001-04-20 | Toppan Printing Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示素子用基板およびエレクトロルミネッセンス表示素子 |
US6781567B2 (en) * | 2000-09-29 | 2004-08-24 | Seiko Epson Corporation | Driving method for electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus |
JP2002182203A (ja) * | 2000-12-12 | 2002-06-26 | Nec Corp | 表示装置、その表示方法、およびその製造方法 |
JP2003142262A (ja) * | 2001-11-06 | 2003-05-16 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、膜状部材、積層膜、低屈折率膜、多層積層膜、電子機器 |
US7242140B2 (en) * | 2002-05-10 | 2007-07-10 | Seiko Epson Corporation | Light emitting apparatus including resin banks and electronic device having same |
US7554712B2 (en) * | 2005-06-23 | 2009-06-30 | E Ink Corporation | Edge seals for, and processes for assembly of, electro-optic displays |
JP2005044613A (ja) * | 2003-07-28 | 2005-02-17 | Seiko Epson Corp | 発光装置の製造方法および発光装置 |
JP2005310466A (ja) * | 2004-04-20 | 2005-11-04 | Toppan Printing Co Ltd | 有機el素子の製造方法 |
JP2005319678A (ja) * | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Nippon Zeon Co Ltd | 積層体、発光素子及びその使用 |
JP2006278021A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Pioneer Electronic Corp | 有機機能素子封止膜検査方法及び構造 |
JP4859074B2 (ja) * | 2007-03-28 | 2012-01-18 | パイオニア株式会社 | 表示装置、表示パネル、表示パネルの検査方法及び表示パネルの製造方法 |
-
2007
- 2007-03-28 US US12/593,546 patent/US20100141628A1/en not_active Abandoned
- 2007-03-28 JP JP2009507306A patent/JP4859075B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-03-28 WO PCT/JP2007/056646 patent/WO2008120314A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100141628A1 (en) | 2010-06-10 |
JP4859075B2 (ja) | 2012-01-18 |
WO2008120314A1 (ja) | 2008-10-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI448194B (zh) | 有機發光元件,含彼之顯示元件,及含彼之照明裝置 | |
JP6751459B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス照明パネル、その製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス照明装置 | |
JP2001237079A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
US7514861B2 (en) | Organic electro-luminescent device | |
JP5019644B2 (ja) | 有機el装置 | |
JP2007067361A (ja) | 有機エレクトロルミネッセント素子および正孔輸送層の材料 | |
KR20070024409A (ko) | 유기 el 패널 및 그 제조 방법 | |
JP2007103164A (ja) | 自発光パネル、および自発光パネルの製造方法。 | |
JP2008097828A (ja) | 有機el素子の製造方法およびこれにより得られた有機el素子 | |
JP2002170678A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2004281085A (ja) | フレキシブル有機elデバイスおよびフレキシブル有機elディスプレイ | |
JP4859075B2 (ja) | 表示装置、表示パネル、表示パネルの検査方法及び表示パネルの製造方法 | |
US10177333B2 (en) | Organic light-emitting display panel and device | |
JP2012059962A (ja) | 有機el素子 | |
CN102376894B (zh) | 有机发光二极管显示器 | |
JP4859074B2 (ja) | 表示装置、表示パネル、表示パネルの検査方法及び表示パネルの製造方法 | |
KR20090029007A (ko) | 유기발광소자 및 그 구동방법 | |
JP2007180376A (ja) | 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置 | |
JP2013229411A (ja) | 有機el素子 | |
JP2003217849A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
US20080090014A1 (en) | Organic light emitting display having light absorbing layer and method for manufacturing same | |
JP2005005223A (ja) | 発光素子および表示デバイス | |
KR100811502B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시 장치 | |
JP4752457B2 (ja) | 有機el素子 | |
JP2010073311A (ja) | 有機el素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111027 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111027 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141111 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |