JPWO2007111146A1 - 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
一対のプリズムを有し、該一対のプリズムの光軸に沿った間隔を変化させて照明瞳面における光強度分布を変化させるためのプリズム系と、
前記プリズム系と前記被照射面との間の光路中に配置されて、前記一対のプリズムの光軸に沿った間隔の変化に応じて光軸方向に移動可能な1つまたは複数の可動レンズとを備えていることを特徴とする照明光学装置を提供する。
前記光源と前記被照射面との間の光路中に配置されて、前記被照射面に達する主光線の光軸に対する傾きを調整するための調整系と、
前記調整系の調整に応じて前記照明瞳面における光強度分布の形状を整形するために、光軸方向に移動可能な1つまたは複数の可動レンズとを備えていることを特徴とする照明光学装置を提供する。
照明瞳での光強度分布を変化させる光学系と、
前記投影光学系の開口絞りの開口部の大きさを超えないように、前記光学系により形成される前記照明瞳での光強度分布を整形する整形部材とを有することを特徴とする照明光学装置を提供する。
照明瞳での光強度分布を変化させる光学系と、
前記光学系により形成される前記照明瞳での光強度分布のぼけを補正する補正部材とを有することを特徴とする照明光学装置を提供する。
前記基板上での主光線の傾きを調整する調整光学系と、
前記投影光学系の開口絞りの開口部の大きさを超えないように、前記調整光学系の調整に応じて前記照明瞳での光強度分布を整形する整形部材とを有することを特徴とする照明光学装置を提供する。
前記露光工程を経た前記感光性基板を現像する現像工程とを含むことを特徴とするデバイス製造方法を提供する。
3 回折光学素子
4 アフォーカルレンズ
6 円錐アキシコン系
7 ズームレンズ
8 マイクロフライアイレンズ
9 コンデンサー光学系
10 マスクブラインド
11 結像光学系
20 制御部
21〜23 駆動部
M マスク
PL 投影光学系
W ウェハ
Claims (25)
- 光源からの光に基づいて被照射面を照明する照明光学装置において、
一対のプリズムを有し、該一対のプリズムの光軸に沿った間隔を変化させて照明瞳面における光強度分布を変化させるためのプリズム系と、
前記プリズム系と前記被照射面との間の光路中に配置されて、前記一対のプリズムの光軸に沿った間隔の変化に応じて光軸方向に移動可能な1つまたは複数の可動レンズとを備えていることを特徴とする照明光学装置。 - 前記1つまたは複数の可動レンズは、前記照明瞳面における光強度分布の形状を整形することを特徴とする請求項1に記載の照明光学装置。
- 前記1つまたは複数の可動レンズは、前記照明瞳面に形成される光強度分布のぼけを補正することを特徴とする請求項1または2に記載の照明光学装置。
- 前記プリズム系は、凹状断面の屈折面を有する第1プリズムと、該第1プリズムの前記凹状断面の屈折面とほぼ相補的に形成された凸状断面の屈折面を有する第2プリズムとを有し、前記第1プリズムおよび前記第2プリズムのうちの少なくとも一方は光軸方向に移動可能であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の照明光学装置。
- 前記屈折面は、前記光軸を中心とする円錐体の側面に対応する形状、前記光軸を中心とする角錐体の側面に対応する形状、または前記光軸を通る所定の軸線に関してほぼ対称なV字状の断面形状を有することを特徴とする請求項4に記載の照明光学装置。
- アフォーカル光学系を備え、
前記プリズム系は、前記アフォーカル光学系の瞳位置またはその近傍に配置されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の照明光学装置。 - 前記プリズム系と前記被照射面との間の光路中に配置されて、前記照明瞳面における光強度分布の大きさを可変とする変倍光学系を備えていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の照明光学装置。
- 前記プリズム系と前記被照射面との間の光路中に配置されたオプティカルインテグレータを備えていることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の照明光学装置。
- 前記オプティカルインテグレータは、前記被照射面に達する主光線の光軸に対する傾きを調整するために光軸方向に移動可能に構成され、
前記1つまたは複数の可動レンズは、前記一対のプリズムの光軸に沿った間隔の変化と、前記オプティカルインテグレータの光軸方向の移動とに応じて、光軸方向に移動することを特徴とする請求項8に記載の照明光学装置。 - 前記オプティカルインテグレータと前記被照射面との間の光路中に配置されて、前記被照射面に達する主光線の光軸に対する傾きを調整するために光軸方向に移動可能な1つまたは複数の調整レンズを備え、
前記1つまたは複数の可動レンズは、前記一対のプリズムの光軸に沿った間隔の変化と、前記1つまたは複数の調整レンズの光軸方向の移動に応じて、光軸方向に移動することを特徴とする請求項8に記載の照明光学装置。 - 光源からの光に基づいて被照射面を照明する照明光学装置において、
前記光源と前記被照射面との間の光路中に配置されて、前記被照射面に達する主光線の光軸に対する傾きを調整するための調整系と、
前記調整系の調整に応じて前記照明瞳面における光強度分布の形状を整形するために、光軸方向に移動可能な1つまたは複数の可動レンズとを備えていることを特徴とする照明光学装置。 - 前記1つまたは複数の可動レンズは、前記照明瞳面における光強度分布のぼけを補正することを特徴とする請求項11に記載の照明光学装置。
- 前記調整系は、光軸方向に移動可能なオプティカルインテグレータを有し、
前記1つまたは複数の可動レンズは、前記オプティカルインテグレータよりも光源側に配置され、前記オプティカルインテグレータの光軸方向の移動に応じて光軸方向に移動することを特徴とする請求項11または12に記載の照明光学装置。 - オプティカルインテグレータを備え、
前記調整系は、前記オプティカルインテグレータと前記被照射面との間の光路中に配置されて光軸方向に移動可能な1つまたは複数の調整レンズを有し、
前記1つまたは複数の可動レンズは、前記オプティカルインテグレータよりも光源側に配置され、前記1つまたは複数の調整レンズの光軸方向の移動に応じて光軸方向に移動することを特徴とする請求項11または12に記載の照明光学装置。 - 投影光学系を介して所定のパターンを基板に露光する露光装置に用いられる照明光学装置において、
照明瞳での光強度分布を変化させる光学系と、
前記投影光学系の開口絞りの開口部の大きさを超えないように、前記光学系により形成される前記照明瞳での光強度分布を整形する整形部材とを有することを特徴とする照明光学装置。 - 前記整形部材は、光軸方向に移動可能な1つまたは複数の可動レンズを含むことを特徴とする請求項15に記載の照明光学装置。
- 所定のパターンを基板に露光する露光装置に用いられる照明光学装置において、
照明瞳での光強度分布を変化させる光学系と、
前記光学系により形成される前記照明瞳での光強度分布のぼけを補正する補正部材とを有することを特徴とする照明光学装置。 - 前記補正部材は、光軸方向に移動可能な1つまたは複数の可動レンズを含むことを特徴とする請求項17に記載の照明光学装置。
- 前記光学系は、相対的に間隔が可変な第1および第2プリズムを含むことを特徴とする請求項15乃至18のいずれか1項に記載の照明光学装置。
- 前記光学系は、光軸方向に移動可能なオプティカルインテグレータを含むことを特徴とする請求項15乃至19のいずれか1項に記載の照明光学装置。
- 投影光学系を介して所定のパターンを基板に露光する露光装置に用いられる照明光学装置において、
前記基板上での主光線の傾きを調整する調整光学系と、
前記投影光学系の開口絞りの開口部の大きさを超えないように、前記調整光学系の調整に応じて前記照明瞳での光強度分布を整形する整形部材とを有することを特徴とする照明光学装置。 - 前記整形部材は、光軸方向に移動可能な1つまたは複数の可動レンズを含むことを特徴とする請求項21に記載の照明光学装置。
- 前記調整光学系は、光軸方向に移動可能なオプティカルインテグレータを含むことを特徴とする請求項21または22に記載の照明光学装置。
- 請求項1乃至23のいずれか1項に記載の照明光学装置を備え、該照明光学装置により照明された所定のパターンを感光性基板に露光することを特徴とする露光装置。
- 請求項24に記載の露光装置を用いて、前記所定のパターンを前記感光性基板に露光する露光工程と、
前記露光工程を経た前記感光性基板を現像する現像工程とを含むことを特徴とするデバイス製造方法。
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JP7186071B2 (ja) * | 2018-11-22 | 2022-12-08 | 株式会社アマダ | レーザ発振器及びレーザ加工機 |
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Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6885433B2 (en) * | 1990-11-15 | 2005-04-26 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method |
US5719704A (en) * | 1991-09-11 | 1998-02-17 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
US6078380A (en) * | 1991-10-08 | 2000-06-20 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method involving variation and correction of light intensity distributions, detection and control of imaging characteristics, and control of exposure |
US6285443B1 (en) * | 1993-12-13 | 2001-09-04 | Carl-Zeiss-Stiftung | Illuminating arrangement for a projection microlithographic apparatus |
DE19520563A1 (de) * | 1995-06-06 | 1996-12-12 | Zeiss Carl Fa | Beleuchtungseinrichtung für ein Projektions-Mikrolithographie-Gerät |
US20020080338A1 (en) | 1994-03-29 | 2002-06-27 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
JP3991166B2 (ja) * | 1996-10-25 | 2007-10-17 | 株式会社ニコン | 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置 |
JPH11274070A (ja) * | 1998-03-19 | 1999-10-08 | Nikon Corp | 投影露光方法および装置 |
WO2000070660A1 (fr) * | 1999-05-18 | 2000-11-23 | Nikon Corporation | Procede et dispositif d'exposition, et dispositif d'eclairage |
US6771350B2 (en) | 2000-02-25 | 2004-08-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method capable of controlling illumination distribution |
US6717651B2 (en) * | 2000-04-12 | 2004-04-06 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, method for manufacturing thereof and method for manufacturing microdevice |
JP4888819B2 (ja) * | 2000-04-12 | 2012-02-29 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、露光装置の製造方法及びマイクロデバイスの製造方法 |
JP2001324687A (ja) * | 2000-05-17 | 2001-11-22 | Ricoh Co Ltd | 光走査装置 |
JP2001337462A (ja) * | 2000-05-26 | 2001-12-07 | Nikon Corp | 露光装置、露光装置の製造方法、およびマイクロデバイスの製造方法 |
DE10043315C1 (de) * | 2000-09-02 | 2002-06-20 | Zeiss Carl | Projektionsbelichtungsanlage |
JP2002231619A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-08-16 | Nikon Corp | 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置 |
US6737662B2 (en) * | 2001-06-01 | 2004-05-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, device manufactured thereby, control system, computer program, and computer program product |
JP2003068604A (ja) * | 2001-08-23 | 2003-03-07 | Nikon Corp | 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置 |
TW554411B (en) | 2001-08-23 | 2003-09-21 | Nikon Corp | Exposure apparatus |
JP4352458B2 (ja) * | 2002-03-01 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 投影光学系の調整方法、予測方法、評価方法、調整方法、露光方法及び露光装置、露光装置の製造方法、プログラム並びにデバイス製造方法 |
JP2004057742A (ja) * | 2002-07-31 | 2004-02-26 | Nidek Co Ltd | レーザ治療装置 |
TW200412617A (en) * | 2002-12-03 | 2004-07-16 | Nikon Corp | Optical illumination device, method for adjusting optical illumination device, exposure device and exposure method |
US7714983B2 (en) | 2003-09-12 | 2010-05-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system for a microlithography projection exposure installation |
JP4497949B2 (ja) * | 2004-02-12 | 2010-07-07 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
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