JPWO2007043509A1 - 撮像装置 - Google Patents

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Abstract

低コストで製造でき、ゴミなどの付着の問題を回避し、高画質な画像を形成できる撮像装置を提供するために、基板52上に載置されたイメージセンサ51に対して、所定の間隔でレンズL1を仮固定し、更にその周囲に流した樹脂PLを固化させることで、レンズL1を内包し且つイメージセンサ51の周囲に固定された樹脂材30を形成し、それによりゴミ付着などの問題を抑制しつつ、製造工程の短縮化を図ることができる。

Description

本発明は、撮像装置に関し、例えばCCD型イメージセンサあるいはCMOS型イメージセンサ等の固体撮像素子を用いた撮像装置などに用いられると好適な撮像装置に関する。
近年、CCD(Charge Coupled Device)型あるいはCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)型の固体撮像素子を用いた撮像装置の高性能化に伴い、オートフォーカス機構(以降AF機構という)を備えた撮像装置が搭載された携帯電話が普及しつつある。
ここで、特許文献1には、光学素子の脚部を固体撮像素子の受光面以外の領域に突き当てることで、光軸方向の位置を調整可能な撮像装置が開示されている。
特開2003−46825号公報
しかるに、特許文献1の構成によれば、固体撮像素子の受光面にゴミなどが付着しないように、クリーンルームで光学素子を組み付ける必要があり、製造コストが高くなるという問題がある。これに対し、予め半導体製造工程において、基板に対して固体撮像素子を実装し、更に固体撮像素子を基準面を有するカバーガラスで覆いつつ、周囲に溶融した樹脂を流した後で固化させてセンサユニットを形成する試みがある。かかる試みによれば、一般的な半導体製造工程はクリーンルーム内で行われるので、それにより形成される固体撮像素子の受光面にゴミなどが付着することが抑制され、且つカバーガラスが装着された状態でセンサユニットが供給されれば、搬送時や組み付け時にゴミが付着することも回避される。しかしながら、部品点数を削減し、製造工程をより短縮化したいという要求がある。
また、固化した樹脂は一般的には精度が悪いので、どのようにして光学素子を位置決めするかが問題となる。
更に、耐熱性を考慮して、ガラスモールド等によりレンズを作製した場合、成形精度の制約から、レンズの焦点位置に対してフランジ面を精度良く形成することが困難な場合がある。そのようなレンズの焦点位置に対して、固体撮像素子をどのようにして合わせ込むかという問題がある。
本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、低コストで製造でき、ゴミなどの付着の問題を回避し、高画質な画像を形成できる撮像装置を提供することを目的とするものである。
請求の範囲第1項に記載の撮像装置は、
基板に対して固体撮像素子を実装し、該固体撮像素子に対し、撮像レンズを所定の間隔で配置し、更にその周囲に溶融した樹脂を流した後で固化させることにより、前記固体撮像素子を、前記基板と前記撮像レンズと前記樹脂とで封止したことを特徴とする。
本発明によれば、前記固体撮像素子に対して、溶融した樹脂を固化させることで前記撮像レンズを封止することができ、それによりゴミ付着などの問題を抑制しつつ、製造工程の短縮化を図ることができる。又、前記撮像レンズは前記固化された樹脂により保持されるので、別個に鏡筒等を設ける必要がなく、部品点数の削減や撮像装置のコンパクト化を図ることもできる。
請求の範囲第2項に記載の撮像装置は、請求の範囲第1項に記載の発明において、前記固体撮像素子と前記撮像レンズとの間には、スペーサが配置されていることを特徴とするので、前記固体撮像素子に対して前記撮像レンズを光軸方向に精度良く位置決めできる。
請求の範囲第3項に記載の撮像装置は、請求の範囲第1項に記載の発明において、前記固体撮像素子と前記撮像レンズとの間に、IRカットフィルタが設けられていることを特徴とする。
請求の範囲第4項に記載の撮像装置は、請求の範囲第3項に記載の発明において、前記撮像レンズとIRカットフィルタとを、溶融した樹脂を流した後で固化させて固定したことを特徴とするので、別個に鏡筒等を設ける必要がなく、部品点数の削減や撮像装置のコンパクト化が可能となる。
請求の範囲第5項に記載の撮像装置は、
基板に対して固体撮像素子を実装し、この固体撮像素子に対し基準面を有する第1の光学素子を所定の間隔で配置し、前記固体撮像素子と前記第1の光学素子の周囲に溶融した樹脂を流した後で固化させたセンサユニットと、前記第1の光学素子の基準面に、一部を突き当てた第2の光学素子と、を有することを特徴とする。
本発明によれば、前記第1の光学素子の基準面に、一部を突き当てた第2の光学素子を有するので、前記固体撮像素子と前記第1の光学素子とを予め光軸方向に精度良く位置決めした前記センサユニットとし、前記第1の光学素子の基準面に、前記第2の光学素子の一部を突き当てることによって、前記固体撮像素子と前記第2の光学素子との光軸方向の位置決めを高精度に行うことができる。又、前記第1の光学素子を保持する鏡筒が不要となるので、撮像装置のコンパクト化を図ることもできる。又、前記第1の光学素子及び第2の光学素子の素材は限定されないが、ガラスや温度変化に対する屈折率変化が少ないプラスチックが望ましい。更に、レンズを熱に強い材料、例えばガラスや耐熱性樹脂材料により構成することで、撮像装置をそのままリフローにより基板に実装することも可能となる。
請求の範囲第6項に記載の撮像装置は、請求の範囲第5項に記載の発明において、前記固化した樹脂に対して取り付けられ、前記第2の光学素子を保持する鏡筒を有することを特徴とするので、それにより前記第2の光学素子を固定することができる。
請求の範囲第7項に記載の撮像装置は、請求の範囲第6項に記載の発明において、前記固化した樹脂には突起もしくは凹部が形成され、前記鏡筒には凹部もしくは突起が形成され、前記突起と前記凹部とを係合させることにより、前記鏡筒は前記固化した樹脂に取り付けられることを特徴とするので、前記鏡筒の位置決めを容易にでき且つ取り付け強度を高めることができる。
請求の範囲第8項に記載の撮像装置は、請求の範囲第7項に記載の発明において、前記固化した樹脂には、別部材がインサート成形されており、前記鏡筒は、前記インサート成形された別部材を介して前記固化した樹脂に取り付けられていることを特徴とするので、前記鏡筒の位置決めを容易にでき且つ取り付け強度を高めることができる。
請求の範囲第9項に記載の撮像装置は、請求の範囲第6項〜第8項に記載のいずれかの発明において、前記鏡筒は、空気を内在する空間を含むことを特徴とするので、空気の断熱性を利用して、前記第2の光学素子に外部の熱が伝わりにくくでき、安定した光学特性を発揮させることができると共に、レンズを耐熱性が高くない樹脂材料から形成した場合でも、撮像装置をそのままリフローにより基板に実装することも可能となる。
請求の範囲第10項に記載の撮像装置は、請求の範囲第5項〜第9項に記載のいずれかの発明において、前記鏡筒と前記第2の光学素子との間に、前記鏡筒よりも熱伝導性が低い部材を配置したことを特徴とするので、前記部材の断熱性を利用して、前記光学素子に外部の熱が伝わりにくくでき、安定した光学特性を発揮させることができると共に、レンズを耐熱性が高くない樹脂材料から形成した場合でも、撮像装置をそのままリフローにより基板に実装することも可能となる。
請求の範囲第11項に記載の撮像装置は、請求の範囲第5項〜第10項に記載のいずれかの発明において、光軸直交方向において、前記固化した樹脂の寸法は、前記鏡筒の寸法より大きいことを特徴とするので、周囲部品との干渉を抑制できる。又、前記第2の光学素子の光軸の芯ズレを抑えるために光軸直交方向に変位させやすい構成となっている。
請求の範囲第12項に記載の撮像装置は、
基板に対して固体撮像素子を実装し、この固体撮像素子に対し基準面を有する第1の光学素子を、所定の厚さの第1のスペーサ手段を介して配置し、更にその周囲に溶融した樹脂を流した後で固化させることにより、前記固体撮像素子と前記第1の光学素子の前記基準面との光軸方向の位置決めを行い、前記基準面を基準として撮影レンズを配置したことを特徴とする。
本発明によれば、前記第1のスペーサ手段により、前記固体撮像素子と前記第1の光学素子の基準面との光軸方向の間隔を調整でき、更に樹脂を固化することでその状態を維持できる。即ち、前記第1のスペーサ手段の厚みを厚くすれば、前記固体撮像素子と前記第1の光学素子の基準面との光軸方向の間隔を広くでき、前記第1のスペーサ手段の厚みを薄くすれば、前記固体撮像素子と前記第1の光学素子の基準面との光軸方向の間隔を狭くできる。従って、予め前記固体撮像素子と前記第1の光学素子の基準面との光軸方向の間隔を異ならせた複数種類のユニットを作製しておき、それに対して組み付ける第2の光学素子の焦点位置に対して、最適な間隔を有するユニットを選別することにより、かかる第2の光学素子を前記第1の光学素子の基準面に突き当て等するだけで、前記固体撮像素子と前記第2の光学素子との光軸方向の間隔を合わせ込むことができる。
請求の範囲第13項に記載の撮像装置は、請求の範囲第12項に記載の発明において、前記第1の光学素子は、IRカットフィルタであることを特徴とする。
請求の範囲第14項に記載の撮像装置は、請求の範囲第12項又は第13項に記載の発明において、前記第1のスペーサ手段は接着剤であり、接着剤の量を変化させることで、前記固体撮像素子と前記第1の光学素子の前記基準面との光軸方向の間隔を設定することを特徴とする。
請求の範囲第15項に記載の撮像装置は、請求の範囲第12項又は第13項に記載の発明において、前記第1の光学素子の光軸方向厚さを変更することで、前記固体撮像素子と前記第1の光学素子の基準面との光軸方向の間隔を設定することを特徴とする。
請求の範囲第16項に記載の撮像装置は、請求の範囲第12項〜第15項のいずれかに記載の発明において、前記撮影レンズは第2の光学素子を含み、前記第1の光学素子の前記基準面に対し、前記第2の光学素子に一体的に形成された所定の光軸方向長さを有する脚部を当接させて配置したことを特徴とする。
請求の範囲第17項に記載の撮像装置は、請求の範囲第12項〜第15項のいずれかに記載の発明において、前記撮影レンズは第2の光学素子を含み、前記第1の光学素子に対し、前記第2の光学素子を所定の光軸方向厚さの第2のスペーサ手段を介して配置したことを特徴とする。
請求の範囲第18項に記載の撮像装置は、請求の範囲第13項又は第14項に記載の発明において、前記撮影レンズはガラスモールドレンズを含み、ガラスモールドレンズに応じて前記固体撮像素子と前記第1の光学素子の前記基準面との光軸方向の間隔が設定されていることを特徴とする。
請求の範囲第19項に記載の撮像装置は、請求の範囲第16項に記載の発明において、前記撮影レンズはガラスモールドレンズを含み、ガラスモールドレンズに応じて前記第2の光学素子に一体的に形成された前記脚部の所定の光軸方向長さ、レンズ軸上厚さ又はレンズ間隔が設定されていることを特徴とする。
請求の範囲第20項に記載の撮像装置は、請求の範囲第17項に記載の発明において、前記撮影レンズはガラスモールドレンズを含み、ガラスモールドレンズに応じて前記第2のスペーサ手段の所定の光軸方向厚さが設定されていることを特徴とする。
前記第1の光学素子及び第2の光学素子の素材は限定されないが、ガラスや温度変化に対する屈折率変化が少ないプラスチックが望ましい。更に、レンズを熱に強い材料、例えばガラスや耐熱性樹脂材料により構成することで、撮像装置をそのままリフローにより基板に実装することも可能となる。
本発明によれば、低コストで製造でき、ゴミなどの付着の問題を回避し、高画質な画像を形成できる撮像装置を提供することができる。
第1の実施の形態にかかる撮像装置50の斜視図である。 図1の撮像装置50をII−II線を含む面で切断して矢印方向に見た図である。 撮像装置50の製造工程を示す図である。 撮像装置50を携帯端末としての携帯電話機100に装備した状態を示す図である。 携帯電話機100の制御ブロック図である。 第1の実施の形態の変形例にかかる撮像装置の断面図である。 第1の実施の形態の変形例にかかる撮像装置の断面図である。 第2の実施の形態にかかる撮像装置150の斜視図である。 図8の撮像装置150をII−II線を含む面で切断して矢印方向に見た図である。 センサユニットSUの製造工程を示す図である。 第2の実施の形態の変形例にかかる撮像装置の断面図である。 第2の実施の形態の変形例にかかる撮像装置の断面図である。 第2の実施の形態の変形例にかかる撮像装置の断面図である。 第2の実施の形態の変形例にかかる撮像装置の断面図である。 第3の実施の形態にかかる撮像装置250の斜視図である。 図15の撮像装置250をII−II線を含む面で切断して矢印方向に見た図である。 第3の実施の形態の変形例にかかる撮像装置の断面図である。
符号の説明
21 鏡筒
30 樹脂材
42 スペーサ(第2のスペーサ手段)
50、150、250 撮像装置
51 イメージセンサ
51a 光電変換部
52 基板
52a 外部接続用端子
60 入力部
70 表示部
80 無線通信部
92 記憶部
100 上記携帯電話機
100 携帯電話機
101 制御部
BT ボタン
EF 電気炉
F IRカットフィルタ
FR 枠
H ヒータ
L1 第1レンズ
L1f フランジ部
L2 第2レンズ
L2f フランジ部
L2g 脚部
NZ ノズル
PL 樹脂
S 開口絞り
SM 遮光部材
SP スペーサ
W ワイヤ
以下、本発明に係る第1の実施の形態を図面に基づいて説明する。図1は、第1の実施の形態にかかる撮像装置50の斜視図であり、図2は、図1の撮像装置50をII−II線を含む面で切断して矢印方向に見た図である。
第1の実施の形態に係る撮像装置50は、光電変換部51aを有する固体撮像素子としてのCMOS型イメージセンサ51と、このイメージセンサ51の光電変換部51aに被写体像を撮像させるレンズL1からなる撮像レンズ(撮影レンズとも称す)と、表面にイメージセンサ51を保持すると共にその電気信号の送受を行う外部接続用端子52aを裏面に有する基板52と、撮像レンズを支持する樹脂材30とを備え、これらが一体的に形成されている。
上記イメージセンサ51は、その受光側の平面の中央部に、画素(光電変換素子)が2次元的に配置された、受光部としての光電変換部51aが形成されており、その周囲には信号処理回路(不図示)が形成されている。かかる信号処理回路は、各画素を順次駆動し信号電荷を得る駆動回路部と、各信号電荷をデジタル信号に変換するA/D変換部と、このデジタル信号を用いて画像信号出力を形成する信号処理部等から構成されている。また、イメージセンサ51の受光側の平面の外縁近傍には、多数のパッド(図示略)が配置されており、ワイヤWを介して基板52に接続されている。イメージセンサ51は、光電変換部51aからの信号電荷をデジタルYUV信号等の画像信号等に変換し、ワイヤWを介して基板52上の所定の回路に出力する。ここで、Yは輝度信号、U(=R−Y)は赤と輝度信号との色差信号、V(=B−Y)は青と輝度信号との色差信号である。なお、撮像素子は上記CMOS型のイメージセンサに限定されるものではなく、CCD等の他のものを使用しても良い。
基板52は、表面に設けられた多数の信号伝達用パッドを有しており、これが前述したイメージセンサ51からのワイヤWと接続され、更に裏面の外部接続用端子52aと接続されている。
外部接続用端子52aは 基板52と外部回路(例えば、撮像装置を実装した上位装置が有する制御回路)とを接続し、外部回路からイメージセンサ51を駆動するための電圧やクロック信号の供給を受けたり、また、デジタルYUV信号を外部回路へ出力したりすることを可能とする。
遮光性を有する樹脂材30は、後述するようにして形成され、光学素子であるレンズL1を保持すると共に、基板52上に取り付けられている。レンズL1のフランジ部L1fの下面は、スペーサSPを介してイメージセンサ51の上面に当接している。レンズL1の光学面には、IRカット膜(赤外光カット膜)が設けられている。
撮像装置50の組立方法について説明する。図3は、撮像装置50の製造工程を示す図である。図3(a)において、クリーンルーム内において、基板52上にイメージセンサ51を配置し、ワイヤWにより結線する。続いて、イメージセンサ51の上面に、周方向に切れ目がない所定の厚さのスペーサSP(接着剤であると好ましい)を配置し、レンズL1を載置する。かかる状態で、基板52の四方を枠FRで覆い、上部のノズルNZから溶融した熱可塑性の樹脂PLを流し込む。かかる樹脂PLは、レンズL1のフランジ部L1fの上面と約面一となるまで供給される。
その後、図3(b)に示すように、基板52をレンズL1を載置したまま電気炉EF内に投入し、ヒータHにより加熱することで、熱硬化性の樹脂(紫外線硬化性の樹脂でもよい)PLを固化させる。樹脂PLが固化して樹脂材30となった後に枠FRを外して取り出すことで、撮像装置50が完成する。
本実施の形態によれば、基板52上に載置されたイメージセンサ51に対して、所定の間隔でレンズL1を仮固定し、更にその周囲に流した樹脂PLを固化させることで、レンズL1を内包し且つイメージセンサ51の周囲に固定された樹脂材30を形成し、それによりゴミ付着などの問題を抑制しつつ、製造工程の短縮化を図ることができる。
更に、レンズL1を熱に強い材料、例えばガラスや耐熱性樹脂材料により構成することで、樹脂PLの固化の際、光学性能の劣化を防ぐことができる。又、撮像装置50をそのままリフローにより基板に実装することも可能となる。
上述した撮像装置50の使用態様について説明する。図4は、撮像装置50を携帯端末としての携帯電話機100に装備した状態を示す図である。また、図5は携帯電話機100の制御ブロック図である。
撮像装置50は、例えば、図4に示したように携帯電話機100の背面(液晶表示部側を正面とする)に、被写体光入射側を向けて設けられ、液晶表示部の下方に相当する位置になるよう配設される。
撮像装置50の外部接続用端子52aは、携帯電話機100の制御部101と接続され、輝度信号や色差信号等の画像信号を制御部101側に出力する。
一方、携帯電話機100は、図5に示すように、各部を統括的に制御すると共に、各処理に応じたプログラムを実行する制御部(CPU)101と、番号等をキーにより指示入力するための入力部60と、所定のデータの他に撮像した画像や映像等を表示する表示部70と、外部サーバとの間の各種清報通信を実現するための無線通信部80と、携帯電話機100のシステムプログラムや各種処理プログラム及び端末ID等の必要な諸データを記憶している記憶部(ROM)91と、制御部101によって実行される各種処理プログラムやデータ、若しくは処理データ、或いは撮像装置50により撮像データ等を一時的に格納する作業領域として用いられる及び一時記憶部(RAM)92とを備えている。
携帯電話機100を把持する撮影者が、被写体に対して撮像装置50の撮像レンズ10の光軸を向け、所望のシャッタチャンスで、図4に示すボタンBTを押すことでレリーズが行われ、画像信号が撮像装置50に取り込まれることとなる。撮像装置50から入力された画像信号は、上記携帯電話機100の制御系に送信され、記憶部91に記憶されたり、或いは表示部70で表示され、さらには、無線通信部80を介して映像情報として外部
に送信されることとなる。
図6は、第1の実施の形態の変形例にかかる撮像装置の断面図である。本変形例においては、撮像レンズ(光学素子)が2枚のレンズL1,L2からなっている。第1レンズL1の下面のフランジ部L1fは、第2レンズL2のフランジ部L2fの上部に突き当てられると共に、径方向で嵌合している。又、第2レンズの脚部L2gが、所定の厚さのスペーサSPを介してイメージセンサ51の上面に突き当てられている。この状態で、図3に示す態様と同様にして、イメージセンサ51は樹脂材30により封止され、それによりレンズ間距離の調整と光軸方向の位置決めがなされている。本例においては、レンズL1、L2の光学面のうちのいずれかの面に、IRカット膜(赤外光カット膜)が設けられる。
図7は、第1の実施の形態の変形例にかかる撮像装置の断面図である。本例は、イメージセンサ51とレンズL2との間に、IRカットフィルタ(赤外光カットフィルタ)Fを設けた例である。本例においては、第2レンズの脚部L2gが、IRカットフィルタFの上面に直接突き当てられ、IRカットフィルタFが、所定の厚さのスペーサSPを介してイメージセンサ51の上面に突き当てられた状態で、図3に示す態様と同様にして、イメージセンサ51は樹脂材30により封止され、それによりレンズ間距離の調整と光軸方向の位置決めがなされている。それ以外の構成に関しては、上述した実施の形態と同様であるので説明を省略する。
なお、イメージセンサ51とレンズL2との間に、IRカットフィルタ(赤外光カットフィルタ)を設けた例で説明したが、IRカットフィルタFを最も物体側に配置して、樹脂材30により封止する構成でもよい。
以上説明したように、基板に対して固体撮像素子を実装し、この固体撮像素子に対し、撮像レンズを所定の間隔で配置し、更にその周囲に溶融した樹脂を流した後で固化させることにより、固体撮像素子を、基板と撮像レンズと樹脂とで封止することにより、ゴミ付着などの問題を解消し、製造工程の短縮化を図ることができる。又、前記撮像レンズは前記固化された樹脂により保持されるので、別個に鏡筒等を設ける必要がなく、部品点数の削減や撮像装置のコンパクト化を計ることができる。
なお、本発明に係る撮像装置は、上記の実施の形態に限定して解釈されるべきではなく、適宜変更・改良が可能であることはもちろんである。例えば、熱硬化性の樹脂PLは発泡樹脂であっても良く、それにより樹脂材30に、外部の熱の影響をレンズに及ぶことを抑制するような断熱性を持たせることができる。更に、レンズを耐熱性が高くない樹脂材料から形成した場合でも、撮像装置をそのままリフローにより基板に実装することも可能となる。
以下、本発明に係る第2の実施の形態を図面に基づいて説明する。図8は、第2実施の形態にかかる撮像装置を含む撮像装置150の斜視図であり、図9は、図8の撮像装置150をII−II線を含む面で切断して矢印方向に見た図である。
第2の実施の形態に係る撮像装置150は、光電変換部51aを有する固体撮像素子としてのCMOS型イメージセンサ51(固体撮像素子ともいう)と、このイメージセンサ51の光電変換部51aに被写体像を撮像させるレンズL1、L2で構成された撮像レンズと、イメージセンサ51と撮像レンズとの間に配置されたIRカットフィルタ(第1の光学素子ともいう)Fと、表面にイメージセンサ51を保持すると共にその電気信号の送受を行う外部接続用端子52aを裏面に有する基板52と、撮像レンズを支持する組立筐体20とを備えている。基板52と、イメージセンサ51と、IRカットフィルタFとは樹脂材30により固定されて一体となっている。
上記イメージセンサ51は、その受光側の平面の中央部に、画素(光電変換素子)が2次元的に配置された、受光部としての光電変換部51aが形成されており、その周囲には信号処理回路(不図示)が形成されている。かかる信号処理回路は、各画素を順次駆動し信号電荷を得る駆動回路部と、各信号電荷をデジタル信号に変換するA/D変換部と、このデジタル信号を用いて画像信号出力を形成する信号処理部等から構成されている。また、イメージセンサ51の受光側の平面の外縁近傍には、多数のパッド(図示略)が配置されており、ワイヤWを介して基板52に接続されている。イメージセンサ51は、光電変換部51aからの信号電荷をデジタルYUV信号等の画像信号等に変換し、ワイヤWを介して基板52上の所定の回路に出力する。ここで、Yは輝度信号、U(=R−Y)は赤と輝度信号との色差信号、V(=B−Y)は青と輝度信号との色差信号である。なお、撮像素子は上記CMOS型のイメージセンサに限定されるものではなく、CCD等の他のものを使用しても良い。
基板52は、表面に設けられた多数の信号伝達用パッドを有しており、これが前述したイメージセンサ51からのワイヤWと接続され、更に裏面の外部接続用端子52aと接続されている。
外部接続用端子52aは 基板52と外部回路(例えば、撮像装置を実装した上位装置が有する制御回路)とを接続し、外部回路からイメージセンサ51を駆動するための電圧やクロック信号の供給を受けたり、また、デジタルYUV信号を外部回路へ出力したりすることを可能とする。
基板52とイメージセンサ51とIRカットフィルタFとは、後述するようにして、その周囲に充填された樹脂材30により封止され、それによりセンサユニットSUが形成されている。
遮光性部材からなる組立筐体20は、IRカットフィルタFを囲うようにして配置され樹脂材30に対して接着剤Bを用いて下端が接着されてなる鏡筒21と、鏡筒21の上部に取り付けられた開口絞りSを有する蓋部材22とからなる。蓋部材22の中央開口が開口絞りSとなっている。
第1レンズL1の下面のフランジ部L1fは、第2レンズL2のフランジ部L2fの上部に突き当てられ、径方向では嵌合して固定されている。又、第2レンズL2の脚部L2gは、IRカットフィルタFの上面(ここでは基準面を構成する)に突き当てられており、それによりレンズ間距離の調整と光軸方向の位置決めがなされている。又、第2レンズL2の外周面は、鏡筒22の内周面に嵌合し、それにより光軸直交方向にガタなく取り付けられている。第1レンズL1と第2レンズL2は、イメージセンサ51に対して被写体像の結像を行うための撮像レンズ(第2の光学素子ともいう)を構成している。開口絞りSは、撮像レンズ全系のFナンバーを決定する部材である。撮像レンズとイメージセンサ51との間において配置されたIRカットフィルタFは、例えば略矩形状や円形状に形成された部材である。
さらに、第1レンズL1と第2レンズL2の間に、遮光部材SMが配置されており、それにより固体撮像素子に近いレンズ有効径の外側に不要光が入射することを防止し、ゴーストやフレアの発生を抑えることができる。又、レンズL1,L2を熱に強い材料、例えばガラスや耐熱性樹脂材料により構成することで、撮像装置150をそのままリフローにより基板に実装することも可能となる。この場合、鏡筒21、蓋部材22も熱に強い材料、例えば耐熱性樹脂材料により形成されていることが好ましい。
撮像装置150の組立方法について説明する。まず、センサユニットSUの製造態様について説明する。図10は、センサユニットSUの製造工程を示す図である。図10(a)において、クリーンルーム内において、基板52上にイメージセンサ51を配置し、ワイヤWにより結線する。続いて、イメージセンサ51の上面に、周方向に切れ目なく所定の厚さの接着剤B(単なるスペーサでも良い)を塗布し、IRカットフィルタFを載置する。かかる状態で、基板52の四方を枠FRで覆い、上部のノズルNZから溶融した熱硬化性の樹脂(紫外線硬化性の樹脂でもよい)PLを流し込む。かかる樹脂PLは、IRカットフィルタFの上面と約面一となるまで供給される。
その後、図10(b)に示すように、センサユニットSUを電気炉EF内に投入し、ヒータHにより加熱することで、熱硬化性の樹脂PLを固化させる。樹脂PLが固化して樹脂材30となった後に枠FRを外して取り出すことで、センサユニットSUが完成する。
かかる時点では、イメージセンサ51とIRカットフィルタFとは、接着剤Bにより所定間隔をおいて配置され、且つ樹脂材30により固定されているので、IRカットフィルタFの基準面である上面に、第1レンズL1と共に第2レンズL2の脚部L2gを突き当てることにより、イメージセンサ51と撮像レンズである第1レンズL1と第2レンズL2との光軸方向の位置決めを精度良く行うことができる。その後、鏡筒21を樹脂材30に接着することで撮像装置150が完成する。なお、鏡筒21の外径は、樹脂材30の光軸直交方向寸法より小さいので、イメージセンサ51に対する撮像レンズの光軸直交方向位置を調整しても、樹脂材30の外方に張り出すことが抑制され、撮像装置150の周囲部品との干渉を抑制できる。又、センサユニットSUが完成した時点で、イメージセンサ51は、基板52とIRカットフィルタFと樹脂材30とにより封止されているので、外部からゴミが侵入する恐れが抑制され、取り扱いやすく高画質な画像を形成できる撮像装置とすることができる。
上述した撮像装置150の使用態様については、図4、図5で説明したものと同様であるので説明を省略する。
図11は、第2の実施の形態の変形例にかかる撮像装置の断面図である。本変形例においては、樹脂材30の上面に突起30aを形成しており、鏡筒21の下端に凹部21aを形成している。突起30aを凹部21aに係合させることにより、鏡筒21を樹脂材30に対してしっかりと取り付けることができる。それ以外の構成に関しては、上述した実施の形態と同様であるので説明を省略する。
図12は、第2の実施の形態の変形例にかかる撮像装置の断面図である。本変形例においては、樹脂材30の上面に凹部30bを形成しており、鏡筒21の下端に突起21bを形成している。突起21bを凹部30bに係合させることにより、鏡筒21を樹脂材30に対してしっかりと取り付けることができる。それ以外の構成に関しては、上述した実施の形態と同様であるので説明を省略する。
なお、樹脂材30に金属部材をインサート成形し、かかる金属部材を用いて鏡筒21を取り付けることもできる。
図13は、第2の実施の形態の変形例にかかる撮像装置の断面図である。本変形例においては、鏡筒21を蓋部材と一体的に形成し、なお且つ鏡筒21の周壁の内部に空気を封入した空間21cを形成している。本変形例によれば、空間21c内の空気の断熱性により、撮像レンズ10に外部の熱が伝わりにくくなり、安定した光学特性を発揮させることができる。それ以外の構成に関しては、上述した実施の形態と同様であるので説明を省略する。
図14は、第2の実施の形態の変形例にかかる撮像装置150の断面図である。本変形例においては、鏡筒21とレンズL1、L2との間に、鏡筒21より熱伝達性の低い部材FM(例えば発泡材)を配置している。本変形例によれば、部材FMの断熱性により、撮像レンズであるレンズL1、L2に外部の熱が伝わりにくくなり、安定した光学特性を発揮させることができる。それ以外の構成に関しては、上述した実施の形態と同様であるので説明を省略する。
なお、図9、図11〜図14に示す第2の実施の形態に係る撮像装置150は、不図示であるが、付勢部材を有しており第1レンズL1及び第2レンズL2をIRカットフィルタF側に押圧している。
以下、本発明に係る第3の実施の形態を図面に基づいて説明する。図15は、第3の実施の形態にかかる撮像装置250の斜視図であり、図16は、図15の撮像装置250をII−II線を含む面で切断して矢印方向に見た図である。
第3の実施の形態に係る撮像装置250は、光電変換部51aを有する固体撮像素子としてのCMOS型イメージセンサ51(固体撮像素子ともいう)と、このイメージセンサ51の光電変換部51aに被写体像を撮像させるレンズL1、L2で構成された撮像レンズと、イメージセンサ51と撮像レンズとの間に配置されたIRカットフィルタ(第1の光学素子ともいう)Fと、表面にイメージセンサ51を保持すると共にその電気信号の送受を行う外部接続用端子52aを裏面に有する基板52と、撮像レンズを支持する鏡筒21とを備えている。基板52と、イメージセンサ51と、IRカットフィルタFとは樹脂材30により固定されて一体となっている。
上記イメージセンサ51は、その受光側の平面の中央部に、画素(光電変換素子)が2次元的に配置された、受光部としての光電変換部51aが形成されており、その周囲には信号処理回路(不図示)が形成されている。かかる信号処理回路は、各画素を順次駆動し信号電荷を得る駆動回路部と、各信号電荷をデジタル信号に変換するA/D変換部と、このデジタル信号を用いて画像信号出力を形成する信号処理部等から構成されている。また、イメージセンサ51の受光側の平面の外縁近傍には、多数のパッド(図示略)が配置されており、ワイヤWを介して基板52に接続されている。イメージセンサ51は、光電変換部51aからの信号電荷をデジタルYUV信号等の画像信号等に変換し、ワイヤWを介して基板52上の所定の回路に出力する。ここで、Yは輝度信号、U(=R−Y)は赤と輝度信号との色差信号、V(=B−Y)は青と輝度信号との色差信号である。なお、撮像素子は上記CMOS型のイメージセンサに限定されるものではなく、CCD等の他のものを使用しても良い。
基板52は、表面に設けられた多数の信号伝達用パッドを有しており、これが前述したイメージセンサ51からのワイヤWと接続され、更に裏面の外部接続用端子52aと接続されている。
外部接続用端子52aは 基板52と外部回路(例えば、撮像装置を実装した上位装置が有する制御回路)とを接続し、外部回路からイメージセンサ51を駆動するための電圧やクロック信号の供給を受けたり、また、デジタルYUV信号を外部回路へ出力したりすることを可能とする。
基板52とイメージセンサ51とIRカットフィルタFとは、後述するようにして、その周囲に充填された樹脂材30により封止され、それによりセンサユニットSUが形成されている。
遮光性部材からなる鏡筒21は、IRカットフィルタFを囲うようにして配置され樹脂材30に対して接着剤Bを用いて下端が接着されている。鏡筒21は円筒状部21aと、開口部Sを有する蓋部21bとが一体的に形成されている。
第1レンズL1のフランジ部下面と、第2レンズL2のフランジ部上面との間に環状のマスク部材SMが配置されており、それによりレンズ間距離の調整と共に、固体撮像素子に近いレンズ有効径の外側に不要光が入射することを防止し、ゴーストやフレアの発生を抑えることができる。又、第1レンズL1と第2レンズL2は、固体撮像素子に対して被写体像の結像を行うための撮像レンズ(第2の光学素子ともいう)を構成する。開口絞りSは、撮像レンズ全系のFナンバーを決定する部材である。撮像レンズとイメージセンサ51との間において配置されたIRカットフィルタFは、例えば略矩形状や円形状に形成された部材である。なお、レンズL1,L2を熱に強い材料、例えばガラスモールドレンズ(又は耐熱性樹脂素材レンズ)とすることで、撮像装置250をそのままリフローにより基板に実装することも可能となる。この場合、鏡筒21も熱に強い材料、例えば耐熱性樹脂材料により形成されていることが好ましい。
撮像装置250の組立方法について説明する。センサユニットSUの製造工程は図10で説明したものと同様であり、説明を省略する。なお本例では、図10に示すイメージセンサ51とIRカットフィルタFの間に塗布された接着剤Bが第1のスペーサ手段に相当する。
センサユニットSUの状態において、イメージセンサ51とIRカットフィルタFの上面とは、イメージセンサ51とIRカットフィルタFの間に塗布された接着剤Bにより所定間隔をおいて光軸方向に位置決めされ、且つ樹脂材30により固定されている。かかるセンサユニットSUに対して、第2の光学素子である第2レンズL2の焦点位置を精度良く合わせ込む態様について説明する。
イメージセンサ51とIRカットフィルタFの間に塗布された接着剤Bの量を変えることで、イメージセンサ51とIRカットフィルタFの上面との間隔を異ならせた複数種類のセンサユニットSUを予め作製しておき、ペンキなどを付して区別する。まず、イメージセンサ51とIRカットフィルタFの上面との間隔が範囲の中央であるセンサユニットSUのIRカットフィルタFの上面に、第1レンズL1と組み合わせた任意の第2レンズL2の一体的に形成され所定の光軸方向長さを有する脚部L2gを当接させ、更に検査光を入射させ、イメージセンサ51から出力される画像データに基づいて、現在の合焦状態を確認する。合焦位置からずれている場合、より厚いもしくは薄い間隔のセンサユニットSUに交換することで、撮像レンズ10の焦点位置をイメージセンサ51に合わせ込むことができ、最適な合焦状態を得ることができる。なお、第2レンズL2において、脚部L2gの光軸方向長さを測定し、異なる長さごとに複数のグループに分け、ペンキなどを付して区別して管理することで、センサユニットSUの選別を効率的に行うこともできる。その後、第2のレンズL2及び第1のレンズL1に嵌合させるようにして鏡筒21を樹脂材30に接着することで、撮像装置250が完成する。
なお、鏡筒21の外径は、樹脂材30の光軸直交方向寸法より小さいので、イメージセンサ51に対する撮像レンズの光軸直交方向位置を調整しても、樹脂材30の外方に張り出すことが抑制され、撮像装置250の周囲部品との干渉を抑制できる。又、センサユニットSUが完成した時点で、イメージセンサ51は、基板52とIRカットフィルタFと樹脂材30とにより封止されているので、外部からゴミが侵入する恐れが抑制され、取り扱いやすく高画質な画像を形成できる撮像装置が得られる。
上述した撮像装置250の使用態様については、図4、図5で説明したものと同様であるので説明を省略する。
図17は、第3の実施の形態の変形例にかかる撮像装置の断面図である。本例においては、IRカットフィルタFと、第2のレンズL2との間に、所定の厚さのスペーサ(ここでは第2のスペーサ手段)42を配置している点が異なる。それ以外の構成に関しては、上述した実施の形態と同様であるので、同じ符号を付して説明を省略する。
本例においては、第2のレンズL2の脚部を異ならせる代わりに、異なる光軸方向厚さのスペーサ42を、IRカットフィルタFの上面と第2のレンズL2との間に配置することで、焦点位置を合わせ込むものである。より具体的には、鏡筒21を固定する前に、センサユニットSUのIRカットフィルタFの上面に、厚さ範囲の中央の光軸方向厚さを有するスペーサ42を介して第2のレンズL2及び第1のレンズL1を配置し更に検査光を入射させ、イメージセンサ51から出力される画像データを元にして、現在の合焦状態を確認できる。合焦位置からずれている場合、より厚いもしくは薄いスペーサ42に交換することで、最適な合焦状態を得ることができる。その後、第2のレンズL2及び第1のレンズL1に嵌合させるようにして鏡筒21を樹脂材30に接着することで、撮像装置250が完成する。
以上、第2〜第3の実施の形態を図面を参照して説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定して解釈されるべきではなく、適宜変更・改良が可能であることはもちろんである。例えば、前記IRカットフィルタは、単なるガラス製の平行平板であり、撮像レンズの光学面にIRカット膜を設けるようにしても良い。また、撮像レンズは2枚に限られないのは言うまでもない。又、鏡筒21を断熱性の高い発泡材などから形成したり、樹脂PLの加熱固化時のみ光学素子を断熱材で覆うなどすることで、ヒータHの熱を光学素子に伝えにくくすることができ、光学性能の低下を抑制できる。

Claims (20)

  1. 基板に対して固体撮像素子を実装し、該固体撮像素子に対し撮像レンズを所定の間隔で配置し、更にその周囲に溶融した樹脂を流した後で固化させることにより、前記固体撮像素子を、前記基板と前記撮像レンズと前記樹脂とで封止したことを特徴とする撮像装置。
  2. 前記固体撮像素子と前記撮像レンズとの間には、スペーサが配置されていることを特徴とする請求の範囲第1項に記載の撮像装置。
  3. 前記固体撮像素子と前記撮像レンズとの間に、IRカットフィルタが設けられていることを特徴とする請求の範囲第1項に記載の撮像装置。
  4. 前記撮像レンズとIRカットフィルタとを、溶融した樹脂を流した後で固化させて固定したことを特徴とする請求の範囲第3項に記載の撮像装置。
  5. 基板に対して固体撮像素子を実装し、この固体撮像素子に対し基準面を有する第1の光学素子を所定の間隔で配置し、前記固体撮像素子と前記第1の光学素子の周囲に溶融した樹脂を流した後で固化させたセンサユニットと、前記第1の光学素子の基準面に、一部を突き当てた第2の光学素子と、を有することを特徴とする撮像装置。
  6. 前記固化した樹脂に対して取り付けられ、前記第2の光学素子を保持する鏡筒を有することを特徴とする請求の範囲第5項に記載の撮像装置。
  7. 前記固化した樹脂には突起もしくは凹部が形成され、前記鏡筒には凹部もしくは突起が形成され、前記突起と前記凹部とを係合させることにより、前記鏡筒は前記固化した樹脂に取り付けられることを特徴とする請求の範囲第6項に記載の撮像装置。
  8. 前記固化した樹脂には、別部材がインサート成形されており、前記鏡筒は、前記インサート成形された別部材を介して前記固化した樹脂に取り付けられていることを特徴とする請求の範囲第7項に記載の撮像装置。
  9. 前記鏡筒は、空気を内在する空間を含むことを特徴とする請求の範囲第6項〜第8項のいずれか1項に記載の撮像装置。
  10. 前記鏡筒と前記第2の光学素子との間に、前記鏡筒よりも熱伝導性が低い部材を配置したことを特徴とする請求の範囲第5項〜第9項のいずれか1項に記載の撮像装置。
  11. 光軸直交方向において、前記固化した樹脂の寸法は、前記鏡筒の寸法より大きいことを特徴とする請求の範囲第5項〜第10項のいずれか1項に記載の撮像装置。
  12. 基板に対して固体撮像素子を実装し、この固体撮像素子に対し基準面を有する第1の光学素子を、所定の厚さの第1のスペーサ手段を介して配置し、更にその周囲に溶融した樹脂を流した後で固化させることにより、前記固体撮像素子と前記第1の光学素子の前記基準面との光軸方向の位置決めを行い、前記基準面を基準として撮影レンズを配置したことを特徴とする撮像装置。
  13. 前記第1の光学素子は、IRカットフィルタであることを特徴とする請求の範囲第12項に記載の撮像装置。
  14. 前記第1のスペーサ手段は接着剤であり、接着剤の量を変化させることで、前記固体撮像素子と前記第1の光学素子の前記基準面との光軸方向の間隔を設定することを特徴とする請求の範囲第12項又は第13項に記載の撮像装置。
  15. 前記第1の光学素子の光軸方向厚さを変更することで、前記固体撮像素子と前記第1の光学素子の基準面との光軸方向の間隔を設定することを特徴とする請求の範囲第12項又は第13項に記載の撮像装置。
  16. 前記撮影レンズは第2の光学素子を含み、前記第1の光学素子の前記基準面に対し、前記第2の光学素子に一体的に形成された所定の光軸方向長さを有する脚部を当接させて配置したことを特徴とする請求の範囲第12項〜第15項のいずれか1項に記載の撮像装置。
  17. 前記撮影レンズは第2の光学素子を含み、前記第1の光学素子に対し、前記第2の光学素子を所定の光軸方向厚さの第2のスペーサ手段を介して配置したことを特徴とする請求の範囲第12項〜第15項のいずれか1項に記載の撮像装置。
  18. 前記撮影レンズはガラスモールドレンズを含み、ガラスモールドレンズに応じて前記固体撮像素子と前記第1の光学素子の前記基準面との光軸方向の間隔が設定されていることを特徴とする請求の範囲第13項又は第14項に記載の撮像装置。
  19. 前記撮影レンズはガラスモールドレンズを含み、ガラスモールドレンズに応じて前記第2の光学素子に一体的に形成された前記脚部の所定の光軸方向長さ、レンズ軸上厚さ又はレンズ間隔が設定されていることを特徴とする請求の範囲第16項に記載の撮像装置。
  20. 前記撮影レンズはガラスモールドレンズを含み、ガラスモールドレンズに応じて前記第2のスペーサ手段の所定の光軸方向厚さが設定されていることを特徴とする請求の範囲第17項に記載の撮像装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11161291B2 (en) 2016-06-06 2021-11-02 Ningbo Sunny Opotech Co., Ltd. Molded circuit board of camera module, manufacturing equipment and manufacturing method for molded circuit board

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4673721B2 (ja) * 2005-10-21 2011-04-20 富士通セミコンダクター株式会社 撮像装置及びその製造方法
CN101730863B (zh) * 2007-04-24 2011-12-28 弗莱克斯电子有限责任公司 相机模块及其制造方法
JP2009098506A (ja) * 2007-10-18 2009-05-07 Konica Minolta Opto Inc 撮像装置の製造方法、撮像レンズの製造方法、成形型及び撮像レンズ
WO2009057491A1 (ja) * 2007-11-02 2009-05-07 Konica Minolta Opto, Inc. 光学素子の製造方法及び光学素子
KR100945445B1 (ko) 2008-05-16 2010-03-05 삼성전기주식회사 웨이퍼 레벨 카메라 모듈 및 그 제조방법
JP2010114731A (ja) * 2008-11-07 2010-05-20 Toshiba Corp カメラモジュールの製造方法
JP5315028B2 (ja) * 2008-12-04 2013-10-16 ルネサスエレクトロニクス株式会社 電子装置および電子装置の製造方法
JP5596293B2 (ja) * 2009-03-03 2014-09-24 オリンパス株式会社 撮像ユニット
KR20120024698A (ko) * 2009-06-05 2012-03-14 코니카 미놀타 옵토 인코포레이티드 촬상 장치 및 촬상 장치의 제조 방법
GB0912126D0 (en) * 2009-07-13 2009-08-26 St Microelectronics Res & Dev Lens assembly and method of assembling lens elements in a lens mounting
US9419032B2 (en) * 2009-08-14 2016-08-16 Nanchang O-Film Optoelectronics Technology Ltd Wafer level camera module with molded housing and method of manufacturing
WO2015087704A1 (ja) * 2013-12-10 2015-06-18 ソニー株式会社 撮像装置および撮像装置の製造方法、並びに電子機器および電子機器の製造方法
KR102380064B1 (ko) 2014-02-18 2022-03-28 에이엠에스 센서스 싱가포르 피티이. 리미티드. 초점 길이 조정 및/또는 기울기의 축소를 위한 고객 맞춤화 가능한 스페이서를 포함하는 광학 모듈, 및 광학 모듈의 제조
JP6215728B2 (ja) * 2014-02-26 2017-10-18 京セラ株式会社 受発光素子モジュール
KR101701060B1 (ko) * 2015-11-03 2017-01-31 삼성전기주식회사 카메라 모듈
EP3193368B1 (en) 2016-01-13 2020-03-18 ams AG An optoelectronic device with a refractive element and a method of producing such an optoelectronic device
EP4231653A3 (en) 2016-03-28 2024-03-06 Ningbo Sunny Opotech Co., Ltd. Camera module and molded photosensitive assembly and manufacturing method therefor, and electronic device
KR102248437B1 (ko) 2016-06-23 2021-05-04 닝보 써니 오포테크 코., 엘티디. 고정 초점 카메라 모듈 및 이의 초점 조정 장치 및 초점 조정 방법
CN206339820U (zh) * 2016-12-10 2017-07-18 瑞声科技(新加坡)有限公司 成像镜头
JP6976751B2 (ja) * 2017-07-06 2021-12-08 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置および撮像装置の製造方法、並びに、電子機器
JP7087541B2 (ja) * 2018-03-26 2022-06-21 株式会社デンソー 光学装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61134187A (ja) * 1984-12-04 1986-06-21 Toshiba Corp 固体撮像デバイス
JPS61154369A (ja) * 1984-12-27 1986-07-14 Toshiba Corp 固体撮像デバイス
JPH0813107B2 (ja) * 1986-09-05 1996-02-07 オリンパス光学工業株式会社 固体撮像装置
JP2987455B2 (ja) * 1991-10-17 1999-12-06 オリンパス光学工業株式会社 固体撮像装置
JPH0843700A (ja) * 1994-08-02 1996-02-16 Olympus Optical Co Ltd 光学素子保持装置
JP3836235B2 (ja) * 1997-12-25 2006-10-25 松下電器産業株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
JP2000049319A (ja) * 1998-07-27 2000-02-18 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像装置
JP2001230397A (ja) * 2000-02-18 2001-08-24 Olympus Optical Co Ltd 熱防止型撮像センサ構造及びその製造方法
JP3651580B2 (ja) * 2000-04-07 2005-05-25 三菱電機株式会社 撮像装置及びその製造方法
JP3846158B2 (ja) * 2000-05-24 2006-11-15 松下電工株式会社 鏡筒及びこれを用いた撮像装置
JP4030048B2 (ja) * 2002-03-28 2008-01-09 シチズン電子株式会社 小型撮像モジュール

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11161291B2 (en) 2016-06-06 2021-11-02 Ningbo Sunny Opotech Co., Ltd. Molded circuit board of camera module, manufacturing equipment and manufacturing method for molded circuit board

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Publication number Publication date
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