JPWO2006137473A1

JPWO2006137473A1 - 芳香族スルホン酸化合物の製造法

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Publication number: JPWO2006137473A1
Application number: JP2007522355A
Authority: JP
Inventors: 卓司吉本; 小野　豪; 豪小野; 加藤　拓; 拓加藤
Original assignee: Nissan Chemical Corp
Current assignee: Nissan Chemical Corp
Priority date: 2005-06-24
Filing date: 2006-06-22
Publication date: 2009-01-22
Also published as: TW200718673A; WO2006137473A1

Abstract

式（１）で表される化合物をスルホン化剤として使用し、少なくとも１つの芳香環を含む化合物をスルホン化する芳香族スルホン酸化合物の製造法。これにより、電子デバイス用途の薄膜に使用できる芳香族スルホン酸化合物の製造法を提供できる。〔式中Ａは、式（２）又は（３）（式中、Ｑはヒドロキシル基等を表し、Ｒ1〜Ｒ4及びＲ5〜Ｒ10は、それぞれ独立して、水素、ハロゲン、スルホン酸基、カルボキシル基、ヒドロキシル基、チオール基、アミノ基等を表す。Ｒ1〜Ｒ4及びＲ5〜Ｒ10の置換基において、隣り合う２つ置換基が−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−，−ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−等を形成することにより、それぞれが結合する炭素原子と共に５員環又は６員環を形成してもよい。）を表す。〕

Description

本発明は、芳香族スルホン酸化合物の製造法に関する。

芳香族スルホン酸化合物は、低極性の有機溶媒に対して難溶性を示す場合が多いため、有機溶媒に溶解させて種々の用途に使用する場合、使用可能な溶媒が限られることが課題の一つである。
例として、電子デバイス用途が挙げられる。電荷輸送性材料として、スルホン酸基で置換されたセルフドープ型のポリアニリンが知られているが、このポリアニリンは分子量が大きいことに加え、スルホン酸基を有しているので、有機溶剤への溶解性がほとんどなく、電子デバイス用途の薄膜を作製し難いという問題を抱えている。

芳香族スルホン酸化合物の製造法としては、芳香族化合物をスルホン化する方法が主流である。具体的には、濃硫酸を用いた方法（非特許文献１参照）、発煙硫酸を用いた方法（非特許文献２参照）、クロロ硫酸を用いた方法（非特許文献３参照）等の無機試薬を使用した例が広く知られている。

これらの無機物を用いた芳香族化合物のスルホン化では、試薬として用いた無機物の溶解性と、製造された芳香族スルホン酸化合物の溶解性とが類似しているため、無機物の除去が困難である。また、得られた芳香族スルホン酸化合物は高極性を有するためクロマトグラフィーによる分離も難しく、再結晶以外の方法による無機物の除去には複雑な操作が必要である場合が多い。

一方、有機試薬を用いた例としては、Ｎ−アルキルスルファミド酸を用いた例（非特許文献４参照）、アルキルベンゼンスルホン酸を用いた例（特許文献１参照）がある。
アルキルベンゼンスルホン酸の例では、１００℃以下で反応が進行している。しかし、電子デバイス用途の薄膜は、１００℃を超える温度で焼成して作製されることが多く、低温で反応が進行すると薄膜が形成される前に生成した芳香族スルホン酸化合物が析出してしまうことが考えられる。また、薄膜内でスルホン化反応を行う場合、高沸点溶媒が留去される前に溶媒と反応するなど副反応が生じる場合がある。

このように従来の芳香族スルホン酸化合物の製造方法にはいくつかの問題があり、特に電子デバイス用途の薄膜に使用できる芳香族スルホン酸化合物の製造方法が望まれている。

ジャーナル・オブ・アメリカン・ケミカル・ソサエティ、米国、１９３１年、５３巻、ｐ.１１１４非特許文献２：ジャーナル・オブ・ケミカル・ソサエティ、英国、１９１５年、１０７巻、ｐ．１８１５ジャーナル・オブ・アメリカン・ケミカル・ソサエティ、米国、１９４０年、６２巻、ｐ.２１０５ジャーナル・オブ・ケミカル・ソサエティ・パーキン・トランザクションＩ、英国、１９７２年、ｐ．２６６３国際公開第９２／０６９３５号パンフレット

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、電子デバイス用途の薄膜に使用できる芳香族スルホン酸化合物の製造法を提供することを目的とする。

本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、下記式（１）で示される芳香族スルホン酸化合物が、芳香環のスルホン化に好適であり、電子デバイス用途の薄膜作製に使用可能であることを見出し、本発明を完成した。

すなわち、本発明は、
［１］式（１）で表される化合物をスルホン化剤として使用し、少なくとも１つの芳香環を含む化合物をスルホン化することを特徴とする芳香族スルホン酸化合物の製造法、

〔式中Ａは、式（２）又は（３）

（式中、Ｑは、ヒドロキシル基、チオール基、アミノ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₀アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₀アルキルチオ基又はＣ₁〜Ｃ₁₀アルキルアミノ基を表し、
Ｒ¹〜Ｒ⁴及びＲ⁵〜Ｒ¹⁰は、それぞれ独立して、水素、ハロゲン、スルホン酸基、カルボキシル基、ヒドロキシル基、チオール基、アミノ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₀アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₀アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₀アルキルチオ基又はＣ₁〜Ｃ₁₀アルキルアミノ基を表す。
ただし、Ｒ¹〜Ｒ⁴及びＲ⁵〜Ｒ¹⁰の置換基において、隣り合う２つ置換基が−ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂−，−ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ−，−ＣＨ₂ＯＣＨ₂−，−ＯＣＨ₂Ｏ−，−ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓ−，−ＣＨ₂ＳＣＨ₂−，−ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂−，−ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ−，−ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂−，−ＣＨ₂ＯＣＨ₂Ｏ−，−ＯＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ−又は−ＯＣＨ₂ＣＨ₂Ｓ−を形成することにより、それぞれが結合する炭素原子と共に５員環又は６員環を形成してもよい。）を表す。〕
［２］前記Ｑが、ヒドロキシル基である［１］の芳香族スルホン酸化合物の製造法
を提供する。

本発明の方法を用いることにより、様々な芳香族スルホン酸化合物を容易に製造することができる。また、電子デバイス用途の材料を反応基質に用い、薄膜形成時にスルホン化を行うことができ、これにより、均一性が高く凹凸が発生しにくい、芳香族スルホン酸化合物の薄膜を形成することができる。
芳香族スルホン酸化合物は、通常極性が高く、これを溶解させて使用する場合には、通常の有機溶媒を混入させることが困難であり、液の粘度、表面張力等の物性をコントロールすることが難しい。反応基質である芳香環を有する化合物は、芳香族スルホン酸化合物と比べて低極性の有機溶媒に対して溶解性が高いため、有機溶媒に溶解させてワニスとして使用する場合、予めスルホン化してある芳香族化合物と比べて多くの有機溶媒を使用することが可能である。さらに、基板上で焼成することにより、スルホン化を行って電子受容性や陽イオン伝導性などの種々の機能を発現させることができる。

以下、本発明についてさらに詳しく説明する。
本発明に係る芳香族スルホン酸化合物の製造法は、反応基質である少なくとも一つの芳香環を含む化合物に対し、上記式（１）で表される化合物をスルホン化剤として反応させる方法である。

式（１）において、Ｃ₁〜Ｃ₁₀アルコキシ基としては、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、例えば、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、ｉ−プロポキシ、ｎ−ブトキシ、ｉ−ブトキシ、ｓ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ−ペンチルオキシ、ｎ−ヘキシルオキシ、１，１−ジメチルプロポキシ、１，２−ジメチルプロポキシ、２，２−ジメチルプロポキシ、１−エチルプロポキシ、１，１，２−トリメチルプロポキシ、１，２，２−トリメチルプロポキシ、１−エチル−１−メチルプロポキシ、１−エチル−２−メチルプロポキシ、１−メチルブトキシ、２−メチルブトキシ、３−メチルブトキシ、１−エチルブトキシ、２−エチルブトキシ、１，１−ジメチルブトキシ、１，２−ジメチルブトキシ、１，３−ジメチルブトキシ、２，２−ジメチルブトキシ、２，３−ジメチルブトキシ、３，３−ジメチルブトキシ、１−メチルペンチルオキシ、２−メチルペンチルオキシ、３−メチルペンチルオキシ及び４−メチルペンチルオキシ等が挙げられる。

Ｃ₁〜Ｃ₁₀アルキルチオ基としては、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、例えば、メチルチオ、エチルチオ、ｎ−プロピルチオ、ｉ−プロピルチオ、ｎ−ブチルチオ、ｉ−ブチルチオ、ｓ−ブチルチオ、ｔ−ブチルチオ、ｎ−ペンチルチオ、ｎ−ヘキシルチオ、１，１−ジメチルプロピルチオ、１，２−ジメチルプロピルチオ、２，２−ジメチルプロピルチオ、１−エチルプロピルチオ、１，１，２−トリメチルプロピルチオ、１，２，２−トリメチルプロピルチオ、１−エチル−１−メチルプロピルチオ、１−エチル−２−メチルプロピルチオ、１−メチルブチルチオ、２−メチルブチルチオ、３−メチルブチルチオ、１−エチルブチルチオ、２−エチルブチルチオ、１，１−ジメチルブチルチオ、１，２−ジメチルブチルチオ、１，３−ジメチルブチルチオ、２，２−ジメチルブチルチオ、２，３−ジメチルブチルチオ、３，３−ジメチルブチルチオ、１−メチルペンチルチオ、２−メチルペンチルチオ、３−メチルペンチルチオ及び４−メチルペンチルチオ等が挙げられる。

Ｃ₁〜Ｃ₁₀アルキルアミノ基としては、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、例えば、メチルアミノ、エチルアミノ、ｎ−プロピルアミノ、ｉ−プロピルアミノ、ｎ−ブチルアミノ、ｉ−ブチルアミノ、ｓ−ブチルアミノ、ｔ−ブチルアミノ、ｎ−ペンチルアミノ、ｎ−ヘキシルアミノ、１，１−ジメチルプロピルアミノ、１，２−ジメチルプロピルアミノ、２，２−ジメチルプロピルアミノ、１−エチルプロピルアミノ、１，１，２−トリメチルプロピルアミノ、１，２，２−トリメチルプロピルアミノ、１−エチル−１−メチルプロピルアミノ、１−エチル−２−メチルプロピルアミノ、１−メチルブチルアミノ、２−メチルブチルアミノ、３−メチルブチルアミノ、１−エチルブチルアミノ、２−エチルブチルアミノ、１，１−ジメチルブチルアミノ、１，２−ジメチルブチルアミノ、１，３−ジメチルブチルアミノ、２，２−ジメチルブチルアミノ、２，３−ジメチルブチルアミノ、３，３−ジメチルブチルアミノ、１−メチルペンチルアミノ、２−メチルペンチルアミノ、３−メチルペンチルアミノ及び４−メチルペンチルアミノ等が挙げられる。

Ｃ₁〜Ｃ₁₀アルキル基としては、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｔ−ブチル、ｓ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、２−エチルプロピル、２，２−ジメチルプロピル、１，２−ジメチルプロピル、１，１，２−トリメチルプロピル、１，２，２−トリメチルプロピル、１−エチル−１−メチルプロピル、１−エチル−２−メチルプロピル、１−メチルブチル、２−メチルブチル、３−メチルブチル、１，１−ジメチルブチル、１，２−ジメチルブチル、１，３−ジメチルブチル、２，２−ジメチルブチル、２，３−ジメチルブチル、３，３−ジメチルブチル、１−エチルブチル、２−エチルブチル、１−メチルペンチル、２−メチルペンチル、３−メチルペンチル及び４−メチルペンチル等が挙げられる。
上記において、ｎはノルマルを、ｉはイソを、ｓはセカンダリーを、ｔはターシャリーをそれぞれ表す。

Ｑはヒドロキシル基、チオール基、アミノ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₀アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₀アルキルチオ基又はＣ₁〜Ｃ₁₀アルキルアミノ基を表すが、スルホン酸基の脱離をより促進させるという点から、ヒドロキシル基が好ましく、さらにこのヒドロキシル基はスルホン酸基に対してオルト位またはパラ位にあることが好ましい。
さらに、よりスルホン酸基の脱離を促進させることを考慮すると、Ｒ¹〜Ｒ⁴及びＲ⁵〜Ｒ¹⁰の置換基において、１つまたは２つの置換基がヒドロキシル基であることが好ましい。

好ましい化合物例としては，５−スルホサリチル酸（以下５−ＳＳＡと略す）、２−ヒドロキシベンゼンスルホン酸、４−ヒドロキシベンゼンスルホン酸、４−ヘキシロキシベンゼンスルホン酸、４−ヒドロキシナフタレンスルホン酸、タイロン、１，８−ジヒドロキシ−３，６−ナフタレンジスルホン酸、２−ナフトール−６，８−ジスルホン酸、１−ナフトール−３，６−ジスルホン酸、４−チオフェノールスルホン酸、４−アニリノスルホン酸、Ｎ−ヘキシル−４−アニリノスルホン酸などが挙げられる。

本発明における反応基質は少なくとも１つの芳香環を含む化合物であれば特に限定されない。
ここで芳香環とは、置換もしくは非置換のアニリン、チオフェン、フラン、ピロール、ベンゼン（フェニレン）、ナフタレン、アントラセン、ナフタセン、イミダゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、キノキザリン、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、シロール、ピレン、ペリレン、フェナントロリン、フェナントリジン、キノキサリン、インドール、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、アクリジン、フルオレン、カルバゾール、トリアリールアミン、金属−もしくは無金属−フタロシアニン、及び金属−もしくは無金属−ポルフィリンから選ばれる少なくとも１つ以上の芳香環であり、同種あるいは異種の芳香環を２つ以上含んでもよい。

反応基質の具体例としては、ポリアニリン、オリゴアニリン、アニリン、トリフェニルアミノオリゴアニリン、ポリチオフェン、オリゴチオフェン、チオフェン、ポリフラン、オリゴフラン、フラン、ピレン、キノリノールなどが挙げられる。
なお、芳香環を含む化合物は、溶媒への溶解性を考慮すると、分子量５０００以下の化合物が好ましく、式（１）で表されるスルホン化試薬とともに、任意の溶媒に溶解することが好ましい。

本発明の製造法は、好ましくは溶媒を用いて行われる。
使用可能な溶媒としては、不活性で目的とする反応を妨げないものであれば特に制限されないが、水、メタノール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルイミダゾリジノン、ジメチルスルホキシド、クロロホルム、トルエン及びメタノール等が挙げられる。

また、本発明のスルホン化剤を用いると薄膜作製時にスルホン化を行うこともでき、この場合は、ガラス基板、シリコンウェハー、ＩＴＯ基板又は石英基板等の基板上で反応が行われる。すなわち、反応基質と式（１）のスルホン化剤を含有する溶媒（以下、反応基質とスルホン化剤とを含有する溶液をワニスと呼ぶ。）を、基板上に滴下あるいは任意の塗布法により塗布した後、これを焼成することにより、溶媒の揮発過程、基板上でのスルホン化試薬の熱分解過程及びスルホン酸基の芳香環を含む化合物への移行過程を経てスルホン化と薄膜形成がほぼ同時に進行する。

この際、基板への塗布法としては、例えば、直接滴下、ディップ法、スピンコート法、転写印刷法、ロールコート法、刷毛塗り、インクジェット法、スプレー法等が挙げられる。
溶媒の蒸発法としては、例えば、ホットプレートやオーブンを用いて、適切な雰囲気下、すなわち大気、窒素等の不活性ガス、真空中等で蒸発させる方法が挙げられ、焼成法としても、同様に、ホットプレートやオーブンを用いて、適切な雰囲気下、すなわち大気、窒素等の不活性ガス、真空中等で溶媒の揮発及びスルホン化反応を進行させる手法が採用できる。

式（１）のスルホン化剤の使用量は、特に限定されるものではないが、反応を生じさせようとする芳香環単位に対して、０．１〜１０当量とすることが好ましく、１〜５当量とすることがより好ましい。
反応温度は、スルホン化剤のスルホン酸基が解離される必要があるため、１００℃以上３００℃以下であることが好ましく、１５０℃以上２００℃以下であることがより好ましい。
なお、薄膜作製時にスルホン化を行う場合、効率よくスルホン化反応を進行させるために、基板上での焼成時にスルホン化剤が油状であることが望まれる。そのため、式（１）のスルホン化剤の融点は、２００℃以下であることが好ましく、沸点は３００℃以上であることが好ましい。

また、薄膜を作製する場合は、溶液の粘度調整、基板への濡れ性を向上、溶剤の表面張力の調整、極性の調整、沸点の調整等の目的で焼成時に膜の平坦性を付与するその他の溶媒を１〜９０重量％、好ましくは１〜５０重量％の割合で混合してもよい。

その他の溶媒の具体例としては、シクロヘキサノール、エチレングリコール、エチレングリコールジクリシジルエーテル、１，３−オクチレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、プロピレングリコール、へキシレングリコール、ブチルセロソルブ、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、エチルカルビトール、ジアセトンアルコール、γ−ブチロラクトン及び乳酸エチル等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

反応終了後は、水等の極性溶媒を用いた固−液抽出操作、水と有機溶媒とを用いた液−液抽出操作等により粗物を得ることができる。
さらに、陽イオン交換樹脂や陰イオン交換樹脂を用いたイオン交換操作、再結晶または再沈殿等の常法による精製を行うことで、純粋な目的物を得ることができる。
また、基板上に薄膜を形成した場合、そのまま電子デバイス用途に使用することもできる。

以下、実施例を挙げて、本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
［実施例１］
ピレン１００ｍｇ（０．４９４４ｍｍｏｌ）に対し、５−ＳＳＡ５０３ｍｇ（１．９７８ｍｍｏｌ）及びＤＭＦ４．７８ｇを加えて溶解し、ワニスを調製した（固形分濃度１０重量％）。得られたワニス１ｍｌを５０ｍｍ四方のガラス基板上に滴下し、ホットプレート上１８０℃で1時間、さらに２００℃で１時間焼成した。得られた膜を採取し、マススペクトル（イオン化法：ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ及びＦＡＢ）測定を行ったところ、ピレンスルホン酸が検出された。得られた膜は水に対して完全に溶解した。

分子量（以下Ｍｗと略す）：２８２
ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−：ｍ／ｚ２８１[Ｍ−Ｈ]^-，（以下５−ＳＳＡ由来）１７３，２５３，２９７，３３３（ピレンのＭｗ：２０２ピークなし）
ＦＡＢ−：ｍ／ｚ２８１[Ｍ−Ｈ]^-，（以下５−ＳＳＡ由来）１７３，２５３，２９７，３３３（ピレンのＭｗ：２０２ピークなし）

［実施例２］
４，４’−ビフェノール１００ｍｇ（０．５３７ｍｍｏｌ）に対し、５−ＳＳＡ５４６ｍｇ（１．９８ｍｍｏｌ）及びＤＭＦ５．１２ｇを加えて溶解し、ワニスを調製した（固形分濃度１０重量％）。実施例１に記載の方法により焼成を行って得られた膜を採取し、マススペクトル（イオン化法：ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ及びＦＡＢ）測定を行ったところ、４，４’−ビフェノールスルホン酸が検出された。得られた膜は水に対して完全に溶解した。

Ｍｗ（ｎ＝０）：１８６；（ｎ＝１），２６６；（ｎ＝２），３４６；（ｎ＝３），４２６；（ｎ＝４），５０６：（ｎ＝５），５８６
ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−：ｍ／ｚ２６５[Ｍ−Ｈ]^-（ｎ＝１），３４５[Ｍ−Ｈ]^-（ｎ＝２），４２５[Ｍ−Ｈ]^-（ｎ＝３），５０５[Ｍ−Ｈ]^-（ｎ＝４）（４，４’−ビフェノールのＭｗ：１８６ピークなし）
ＦＡＢ−：ｍ／ｚ２６５[Ｍ−Ｈ]^-（ｎ＝１），３４５[Ｍ−Ｈ]^-（ｎ＝２），４２５[Ｍ−Ｈ]^-（ｎ＝３）（４，４’−ビフェノールのＭｗ：１８６ピークなし）

［実施例３］
８−キノリノール１００ｍｇ（０．６８９）１１２ｍｍｏｌ）に対し、５−ＳＳＡ７００ｍｇ（２．７６ｍｍｏｌ）及びＤＭＦ６．３１ｇを加えて溶解し、ワニスを調製した（固形分濃度１０重量％）。実施例１に記載の方法により焼成を行って得られた膜を採取し、マススペクトル（イオン化法：ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ及びＦＡＢ）測定を行ったところ、８−キノリノールスルホン酸が検出された。得られた膜は水に対して完全に溶解した。

Ｍｗ（ｎ＝０）：１４５；（ｎ＝１），２２５；（ｎ＝２），３０５；（ｎ＝３），３８５
ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−：ｍ／ｚ２２４[Ｍ−Ｈ]^-（ｎ＝１），３０４[Ｍ−Ｈ]^-（ｎ＝２），（以下５−ＳＳＡ由来）１７３，２１７，２５３，２９７，３３３
ＦＡＢ−：ｍ／ｚ２２４[Ｍ−Ｈ]^-（ｎ＝１），３０４[Ｍ−Ｈ]^-（ｎ＝２），（以下ＳＳＡ由来）１７３，２１７，２５３，２９７，３３３

Claims

式（１）で表される化合物をスルホン化剤として使用し、少なくとも１つの芳香環を含む化合物をスルホン化することを特徴とする芳香族スルホン酸化合物の製造法。

〔式中Ａは、式（２）又は（３）

（式中、Ｑは、ヒドロキシル基、チオール基、アミノ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₀アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₀アルキルチオ基又はＣ₁〜Ｃ₁₀アルキルアミノ基を表し、
Ｒ¹〜Ｒ⁴及びＲ⁵〜Ｒ¹⁰は、それぞれ独立して、水素、ハロゲン、スルホン酸基、カルボキシル基、ヒドロキシル基、チオール基、アミノ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₀アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₀アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₀アルキルチオ基又はＣ₁〜Ｃ₁₀アルキルアミノ基を表す。
ただし、Ｒ¹〜Ｒ⁴及びＲ⁵〜Ｒ¹⁰の置換基において、隣り合う２つ置換基が−ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂−，−ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ−，−ＣＨ₂ＯＣＨ₂−，−ＯＣＨ₂Ｏ−，−ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓ−，−ＣＨ₂ＳＣＨ₂−，−ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂−，−ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ−，−ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂−，−ＣＨ₂ＯＣＨ₂Ｏ−，−ＯＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ−又は−ＯＣＨ₂ＣＨ₂Ｓ−を形成することにより、それぞれが結合する炭素原子と共に５員環又は６員環を形成してもよい。）を表す。〕
前記Ｑが、ヒドロキシル基である請求項１記載の芳香族スルホン酸化合物の製造法。