JPWO2006106872A1 - プラズマドーピング方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
Description
そこで、特許文献2に示すようなプラズマ処理装置を用いてプラズマドーピングを試みたが、基板の中心部のドーズ量が大きく、基板の周辺部のドーズ量が小さくなる結果となり、均一性が悪かった。
本発明は、上記従来の問題点に鑑み、試料表面に導入される不純物濃度の均一性に優れたプラズマドーピング方法及び装置を提供することを目的としている。
このような構成により、試料表面に導入される不純物濃度の均一性に優れたプラズマドーピング方法を実現できる。
本願の第1発明のプラズマドーピング方法において、好適には、試料の中心部に向けて吹き出すガスの流量が、試料の周辺部に向けて吹き出すガスの流量の1/2以下であることが望ましい。このような構成により、試料表面に導入される不純物濃度の均一性が更に優れたプラズマドーピング方法を実現できる。
このような構成により、試料表面に導入される不純物濃度の均一性に優れたプラズマドーピング方法を実現できる。
このような構成により、試料表面に導入される不純物濃度の均一性に優れたプラズマドーピング方法を実現できる。
このような構成により、試料表面に導入される不純物濃度の均一性に優れたプラズマドーピング方法を実現できる。
このような構成により、超微細なシリコン半導体デバイスを製造することができる。
このような構成により、試料表面に導入される不純物濃度の均一性に優れたプラズマドーピング装置を実現できる。
また、好適には、試料電極に対向して設けられたガス吹き出し口の開口部面積の合計が、試料電極が設けられた面における試料電極の外側に対向して設けられたガス吹き出し口の開口部面積の合計の1/2以下であることが望ましい。このような構成により、試料表面に導入される不純物濃度の均一性が更に優れたプラズマドーピング装置を実現できる。
2 ガス供給装置
3 ターボ分子ポンプ
4 調圧弁
5 プラズマ源用高周波電源
6 試料電極
7 誘電体窓
8 コイル
9 基板
10 試料電極用高周波電源
11 排気口
12 支柱
13 ガス導入経路
14 ガス主経路
15 ガス吹き出し口
(実施の形態1)
以下、本発明の実施の形態1について、図1から図3を参照して説明する。
図1に、本発明の実施の形態1において用いたプラズマドーピング装置の断面図を示す。図1において、真空容器1内に、ガス供給装置2から所定のガスを導入しつつ、排気装置としてのターボ分子ポンプ3により排気を行い、調圧弁4により真空容器1内を所定の圧力に保つことができる。高周波電源5により13.56MHzの高周波電力を試料電極6に対向した誘電体窓7の近傍に設けられたコイル8(図1中には、コイルの断面部が図示されている)に供給することにより、真空容器1内に誘導結合型プラズマを発生させることができる。試料電極6上に、試料としてのシリコン基板9を載置する。また、試料電極6に高周波電力を供給するための高周波電源10が設けられており、これは、試料としての基板9がプラズマに対して負の電位をもつように、試料電極6の電位を制御する電圧源として機能する。このようにして、プラズマ中のイオンを試料の表面に向かって加速し衝突させて試料の表面に不純物を導入することができる。なお、ガス供給装置2から供給されたガスは、排気口11からポンプ3へ排気される。ターボ分子ポンプ3及び排気口11は、試料電極6の直下に配置されており、また、調圧弁4は、試料電極6の直下で、かつ、ターボ分子ポンプ3の直上に位置する昇降弁である。試料電極6は、基板9を載置する略正方形状の台座となり、各辺において支柱12により真空容器1に固定され、計4本の支柱12により、真空容器1に固定されている。
また、試料電極の中心部に対向して設けられたガス吹き出し口の開口部面積の合計が、試料電極の周辺部に対向して設けられたガス吹き出し口の開口部面積の合計の1/2以下である場合、すなわち、試料の中心部に向けて吹き出すガスの流量が、試料の周辺部に向けて吹き出すガスの流量の1/2以下である場合に、良好な均一性が得られることを実験的に確かめた。この場合、試料電極の中心部に対向してガス吹き出し口を設けない場合にも、良好な均一性が得られる条件が存在した。
以下、本発明の実施の形態2について、図4から図6を参照して説明する。
図4に、本発明の実施の形態2において用いたプラズマドーピング装置の断面図を示す。図4において、真空容器1内に、ガス供給装置2から所定のガスを導入しつつ、排気装置としてのターボ分子ポンプ3により排気を行い、調圧弁4により真空容器1内を所定の圧力に保つことができる。高周波電源5により13.56MHzの高周波電力を試料電極6に対向した誘電体窓7の近傍に設けられたコイル8に供給することにより、真空容器1内に誘導結合型プラズマを発生させることができる。試料電極6上に、試料としてのシリコン基板9を載置する。また、試料電極6に高周波電力を供給するための高周波電源10が設けられており、これは、試料としての基板9がプラズマに対して負の電位をもつように、試料電極6の電位を制御する電圧源として機能する。このようにして、プラズマ中のイオンを試料の表面に向かって加速し衝突させて試料の表面に不純物を導入することができる。なお、ガス供給装置2から供給されたガスは、排気口11からポンプ3へ排気される。ターボ分子ポンプ3及び排気口11は、試料電極6の直下に配置されており、また、調圧弁4は、試料電極6の直下で、かつ、ターボ分子ポンプ3の直上に位置する昇降弁である。試料電極6は、基板9を載置する略正方形状の台座となり、各辺において支柱12により真空容器1に固定され、計4本の支柱12により、真空容器1に固定されている。
以下、本発明の実施の形態3について、図7を参照して説明する。
図7に、本発明の実施の形態3において用いたプラズマドーピング装置の断面図を示す。図7において、真空容器1内に、第1ガス供給装置2及び第2ガス供給装置18から所定のガスを導入しつつ、排気装置としてのターボ分子ポンプ3により排気を行い、調圧弁4により真空容器1内を所定の圧力に保つことができる。高周波電源5により13.56MHzの高周波電力を試料電極6に対向した誘電体窓7の近傍に設けられたコイル8に供給することにより、真空容器1内に誘導結合型プラズマを発生させることができる。試料電極6上に、試料としてのシリコン基板9を載置する。また、試料電極6に高周波電力を供給するための高周波電源10が設けられており、これは、試料としての基板9がプラズマに対して負の電位をもつように、試料電極6の電位を制御する電圧源として機能する。このようにして、プラズマ中のイオンを試料の表面に向かって加速し衝突させて試料の表面に不純物を導入することができる。なお、第1ガス供給装置2及び第2ガス供給装置18から供給されたガスは、排気口11からポンプ3へ排気される。ターボ分子ポンプ3及び排気口11は、試料電極6の直下に配置されており、また、調圧弁4は、試料電極6の直下で、かつ、ターボ分子ポンプ3の直上に位置する昇降弁である。試料電極6は、基板9を載置する略正方形状の台座となり、各辺において支柱12により真空容器1に固定され、計4本の支柱12により、真空容器1に固定されている。
以下、本発明の実施の形態4について、図8を参照して説明する。
図8に、本発明の実施の形態4において用いたプラズマドーピング装置の断面図を示す。図8において、真空容器1内に、第1ガス供給装置2及び第2ガス供給装置18から所定のガスを導入しつつ、排気装置としてのターボ分子ポンプ3により排気を行い、調圧弁4により真空容器1内を所定の圧力に保つことができる。高周波電源5により13.56MHzの高周波電力を試料電極6に対向した誘電体窓7の近傍に設けられたコイル8に供給することにより、真空容器1内に誘導結合型プラズマを発生させることができる。試料電極6上に、試料としてのシリコン基板9を載置する。また、試料電極6に高周波電力を供給するための高周波電源10が設けられており、これは、試料としての基板9がプラズマに対して負の電位をもつように、試料電極6の電位を制御する電圧源として機能する。このようにして、プラズマ中のイオンを試料の表面に向かって加速し衝突させて試料の表面に不純物を導入することができる。なお、第1ガス供給装置2及び第2ガス供給装置18から供給されたガスは、排気口11からポンプ3へ排気される。ターボ分子ポンプ3及び排気口11は、試料電極6の直下に配置されており、また、調圧弁4は、試料電極6の直下で、かつ、ターボ分子ポンプ3の直上に位置する昇降弁である。試料電極6は、基板9を載置する略正方形状の台座となり、各辺において支柱12により真空容器1に固定され、計4本の支柱12により、真空容器1に固定されている。
また、試料に向けて吹き出すガスに含まれる不純物原料ガスの流量を、試料が載置された面における試料の外側に向けて吹き出すガスに含まれる不純物原料ガスの流量の1/2以下とした場合に、良好な均一性が得られることを実験的に確かめた。
以上述べた本発明の実施形態においては、本発明の適用範囲のうち、真空容器の形状、プラズマ源の方式及び配置等に関して様々なバリエーションのうちの一部を例示したに過ぎない。本発明の適用にあたり、ここで例示した以外にも様々なバリエーションが考えられることは、いうまでもない。
また、ヘリウム以外の不活性ガスを用いてもよく、ネオン、アルゴン、クリプトンまたはキセノン(ゼノン)のうち少なくともひとつのガスを用いることができる。これらの不活性ガスは、試料への悪影響が他のガスよりも小さいという利点がある。
本出願は、2005年3月30日出願の日本特許出願、出願番号2005−099103に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
そこで、特許文献2に示すようなプラズマ処理装置を用いてプラズマドーピングを試みたが、基板の中心部のドーズ量が大きく、基板の周辺部のドーズ量が小さくなる結果となり、均一性が悪かった。
本発明は、上記従来の問題点に鑑み、試料表面に導入される不純物濃度の均一性に優れたプラズマドーピング方法及び装置を提供することを目的としている。
このような構成により、試料表面に導入される不純物濃度の均一性に優れたプラズマドーピング方法を実現できる。
本願の第1発明のプラズマドーピング方法において、好適には、試料の中心部に向けて吹き出すガスの流量が、試料の周辺部に向けて吹き出すガスの流量の1/2以下であることが望ましい。このような構成により、試料表面に導入される不純物濃度の均一性が更に優れたプラズマドーピング方法を実現できる。
このような構成により、試料表面に導入される不純物濃度の均一性に優れたプラズマドーピング方法を実現できる。
このような構成により、試料表面に導入される不純物濃度の均一性に優れたプラズマドーピング方法を実現できる。
このような構成により、試料表面に導入される不純物濃度の均一性に優れたプラズマドーピング方法を実現できる。
このような構成により、超微細なシリコン半導体デバイスを製造することができる。
このような構成により、試料表面に導入される不純物濃度の均一性に優れたプラズマドーピング装置を実現できる。
また、好適には、試料電極に対向して設けられたガス吹き出し口の開口部面積の合計が、試料電極が設けられた面における試料電極の外側に対向して設けられたガス吹き出し口の開口部面積の合計の1/2以下であることが望ましい。このような構成により、試料表面に導入される不純物濃度の均一性が更に優れたプラズマドーピング装置を実現できる。
(実施の形態1)
以下、本発明の実施の形態1について、図1から図3を参照して説明する。
図1に、本発明の実施の形態1において用いたプラズマドーピング装置の断面図を示す。図1において、真空容器1内に、ガス供給装置2から所定のガスを導入しつつ、排気装置としてのターボ分子ポンプ3により排気を行い、調圧弁4により真空容器1内を所定の圧力に保つことができる。高周波電源5により13.56MHzの高周波電力を試料電極6に対向した誘電体窓7の近傍に設けられたコイル8(図1中には、コイルの断面部が図示されている)に供給することにより、真空容器1内に誘導結合型プラズマを発生させることができる。試料電極6上に、試料としてのシリコン基板9を載置する。また、試料電極6に高周波電力を供給するための高周波電源10が設けられており、これは、試料としての基板9がプラズマに対して負の電位をもつように、試料電極6の電位を制御する電圧源として機能する。このようにして、プラズマ中のイオンを試料の表面に向かって加速し衝突させて試料の表面に不純物を導入することができる。なお、ガス供給装置2から供給されたガスは、排気口11からポンプ3へ排気される。ターボ分子ポンプ3及び排気口11は、試料電極6の直下に配置されており、また、調圧弁4は、試料電極6の直下で、かつ、ターボ分子ポンプ3の直上に位置する昇降弁である。試料電極6は、基板9を載置する略正方形状の台座となり、各辺において支柱12により真空容器1に固定され、計4本の支柱12により、真空容器1に固定されている。
また、試料電極の中心部に対向して設けられたガス吹き出し口の開口部面積の合計が、試料電極の周辺部に対向して設けられたガス吹き出し口の開口部面積の合計の1/2以下である場合、すなわち、試料の中心部に向けて吹き出すガスの流量が、試料の周辺部に向けて吹き出すガスの流量の1/2以下である場合に、良好な均一性が得られることを実験的に確かめた。この場合、試料電極の中心部に対向してガス吹き出し口を設けない場合にも、良好な均一性が得られる条件が存在した。
以下、本発明の実施の形態2について、図4から図6を参照して説明する。
図4に、本発明の実施の形態2において用いたプラズマドーピング装置の断面図を示す。図4において、真空容器1内に、ガス供給装置2から所定のガスを導入しつつ、排気装置としてのターボ分子ポンプ3により排気を行い、調圧弁4により真空容器1内を所定の圧力に保つことができる。高周波電源5により13.56MHzの高周波電力を試料電極6に対向した誘電体窓7の近傍に設けられたコイル8に供給することにより、真空容器1内に誘導結合型プラズマを発生させることができる。試料電極6上に、試料としてのシリコン基板9を載置する。また、試料電極6に高周波電力を供給するための高周波電源10が設けられており、これは、試料としての基板9がプラズマに対して負の電位をもつように、試料電極6の電位を制御する電圧源として機能する。このようにして、プラズマ中のイオンを試料の表面に向かって加速し衝突させて試料の表面に不純物を導入することができる。なお、ガス供給装置2から供給されたガスは、排気口11からポンプ3へ排気される。ターボ分子ポンプ3及び排気口11は、試料電極6の直下に配置されており、また、調圧弁4は、試料電極6の直下で、かつ、ターボ分子ポンプ3の直上に位置する昇降弁である。試料電極6は、基板9を載置する略正方形状の台座となり、各辺において支柱12により真空容器1に固定され、計4本の支柱12により、真空容器1に固定されている。
以下、本発明の実施の形態3について、図7を参照して説明する。
図7に、本発明の実施の形態3において用いたプラズマドーピング装置の断面図を示す。図7において、真空容器1内に、第1ガス供給装置2及び第2ガス供給装置18から所定のガスを導入しつつ、排気装置としてのターボ分子ポンプ3により排気を行い、調圧弁4により真空容器1内を所定の圧力に保つことができる。高周波電源5により13.56MHzの高周波電力を試料電極6に対向した誘電体窓7の近傍に設けられたコイル8に供給することにより、真空容器1内に誘導結合型プラズマを発生させることができる。試料電極6上に、試料としてのシリコン基板9を載置する。また、試料電極6に高周波電力を供給するための高周波電源10が設けられており、これは、試料としての基板9がプラズマに対して負の電位をもつように、試料電極6の電位を制御する電圧源として機能する。このようにして、プラズマ中のイオンを試料の表面に向かって加速し衝突させて試料の表面に不純物を導入することができる。なお、第1ガス供給装置2及び第2ガス供給装置18から供給されたガスは、排気口11からポンプ3へ排気される。ターボ分子ポンプ3及び排気口11は、試料電極6の直下に配置されており、また、調圧弁4は、試料電極6の直下で、かつ、ターボ分子ポンプ3の直上に位置する昇降弁である。試料電極6は、基板9を載置する略正方形状の台座となり、各辺において支柱12により真空容器1に固定され、計4本の支柱12により、真空容器1に固定されている。
以下、本発明の実施の形態4について、図8を参照して説明する。
図8に、本発明の実施の形態4において用いたプラズマドーピング装置の断面図を示す。図8において、真空容器1内に、第1ガス供給装置2及び第2ガス供給装置18から所定のガスを導入しつつ、排気装置としてのターボ分子ポンプ3により排気を行い、調圧弁4により真空容器1内を所定の圧力に保つことができる。高周波電源5により13.56MHzの高周波電力を試料電極6に対向した誘電体窓7の近傍に設けられたコイル8に供給することにより、真空容器1内に誘導結合型プラズマを発生させることができる。試料電極6上に、試料としてのシリコン基板9を載置する。また、試料電極6に高周波電力を供給するための高周波電源10が設けられており、これは、試料としての基板9がプラズマに対して負の電位をもつように、試料電極6の電位を制御する電圧源として機能する。このようにして、プラズマ中のイオンを試料の表面に向かって加速し衝突させて試料の表面に不純物を導入することができる。なお、第1ガス供給装置2及び第2ガス供給装置18から供給されたガスは、排気口11からポンプ3へ排気される。ターボ分子ポンプ3及び排気口11は、試料電極6の直下に配置されており、また、調圧弁4は、試料電極6の直下で、かつ、ターボ分子ポンプ3の直上に位置する昇降弁である。試料電極6は、基板9を載置する略正方形状の台座となり、各辺において支柱12により真空容器1に固定され、計4本の支柱12により、真空容器1に固定されている。
また、試料に向けて吹き出すガスに含まれる不純物原料ガスの流量を、試料が載置された面における試料の外側に向けて吹き出すガスに含まれる不純物原料ガスの流量の1/2以下とした場合に、良好な均一性が得られることを実験的に確かめた。
以上述べた本発明の実施形態においては、本発明の適用範囲のうち、真空容器の形状、プラズマ源の方式及び配置等に関して様々なバリエーションのうちの一部を例示したに過ぎない。本発明の適用にあたり、ここで例示した以外にも様々なバリエーションが考えられることは、いうまでもない。
また、ヘリウム以外の不活性ガスを用いてもよく、ネオン、アルゴン、クリプトンまたはキセノン(ゼノン)のうち少なくともひとつのガスを用いることができる。これらの不活性ガスは、試料への悪影響が他のガスよりも小さいという利点がある。
本出願は、2005年3月30日出願の日本特許出願、出願番号2005-099103に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
2 ガス供給装置
3 ターボ分子ポンプ
4 調圧弁
5 プラズマ源用高周波電源
6 試料電極
7 誘電体窓
8 コイル
9 基板
10 試料電極用高周波電源
11 排気口
12 支柱
13 ガス導入経路
14 ガス主経路
15 ガス吹き出し口
Claims (24)
- 真空容器内の試料電極に試料を載置し、試料の対向面より試料に向けて概ね等方的にガスを吹き出しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内にプラズマを発生させ、プラズマ中の不純物イオンを試料の表面に衝突させて試料の表面に不純物イオンを導入するプラズマドーピング方法であって、
前記試料の中心部に向けて吹き出すガスの流量を、試料の周辺部に向けて吹き出すガスの流量よりも少なくしたことを特徴とするプラズマドーピング方法。 - 前記試料の中心部が、試料の中心を含み、かつ、試料の面積の1/2の面積を有する部分として定義され、試料の周辺部が、試料の中心を含まない残りの部分として定義されることを特徴とする、請求項1記載のプラズマドーピング方法。
- 前記試料の中心部に向けて吹き出すガスの流量が、試料の周辺部に向けて吹き出すガスの流量の1/2以下であることを特徴とする、請求項1記載のプラズマドーピング方法。
- 真空容器内の試料電極に試料を載置し、試料の対向面より試料が載置された面に向けて概ね等方的にガスを吹き出しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内にプラズマを発生させ、プラズマ中の不純物イオンを試料の表面に衝突させて試料の表面に不純物イオンを導入するプラズマドーピング方法であって、試料に向けて吹き出すガスの流量を、試料が載置された面における試料の外側に向けて吹き出すガスの流量よりも少なくしたことを特徴とするプラズマドーピング方法。
- 前記試料に向けて吹き出すガスの流量が、試料が載置された面における試料の外側に向けて吹き出すガスの流量の1/2以下であることを特徴とする、請求項4記載のプラズマドーピング方法。
- 真空容器内の試料電極に試料を載置し、試料の対向面より試料に向けて概ね等方的にガスを吹き出しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内にプラズマを発生させ、プラズマ中の不純物イオンを試料の表面に衝突させて試料の表面に不純物イオンを導入するプラズマドーピング方法であって、試料の中心部に向けて吹き出すガスの流量と、試料の周辺部に向けて吹き出すガスの流量とを、別個の流量制御系にて制御し、かつ、試料の中心部に向けて吹き出すガスに含まれる不純物原料ガスの流量を、試料の周辺部に向けて吹き出すガスに含まれる不純物原料ガスの流量よりも少なくしたことを特徴とするプラズマドーピング方法。
- 前記試料の中心部が、試料の中心を含み、かつ、試料の面積の1/2の面積を有する部分として定義され、試料の周辺部が、試料の中心を含まない残りの部分として定義されることを特徴とする、請求項6記載のプラズマドーピング方法。
- 試料の中心部に向けて吹き出すガスに含まれる不純物原料ガスの流量が、試料の周辺部に向けて吹き出すガスに含まれる不純物原料ガスの流量の1/2以下であることを特徴とする、請求項6記載のプラズマドーピング方法。
- 真空容器内の試料電極に試料を載置し、試料の対向面より試料が載置された面に向けて概ね等方的にガスを吹き出しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内にプラズマを発生させ、プラズマ中の不純物イオンを試料の表面に衝突させて試料の表面に不純物イオンを導入するプラズマドーピング方法であって、試料の中心部に向けて吹き出すガスの流量と、試料が載置された面における試料の外側に向けて吹き出すガスの流量とを、別個の流量制御系にて制御し、かつ、試料の中心部に向けて吹き出すガスに含まれる不純物原料ガスの流量を、試料が載置された面における試料の外側に向けて吹き出すガスに含まれる不純物原料ガスの流量よりも少なくしたことを特徴とするプラズマドーピング方法。
- 前記試料の中心部に向けて吹き出すガスに含まれる不純物原料ガスの流量が、試料の周辺部に向けて吹き出すガスに含まれる不純物原料ガスの流量の1/2以下であることを特徴とする、請求項9記載のプラズマドーピング方法。
- プラズマ源に高周波電力を供給することによって真空容器内にプラズマを発生させることを特徴とする、請求項1、4、6または9のいずれかに記載のプラズマドーピング方法。
- 前記試料がシリコンよりなる半導体基板であることを特徴とする、請求項1、4、6または9記載のプラズマドーピング方法。
- 前記不純物が砒素、燐、ボロン、アルミニウムまたはアンチモンであることを特徴とする、請求項1、4、6または9のいずれかに記載のプラズマドーピング方法。
- 真空容器と、試料電極と、真空容器内にガスを供給するガス供給装置と、ガス供給装置に接続され、かつ、試料電極に対向して設けられた複数のガス吹き出し口と、真空容器内を排気する排気装置と、真空容器内の圧力を制御する圧力制御装置と、試料電極に電力を供給する試料電極用電源を備えたプラズマドーピング装置であって、複数のガス吹き出し口が概ね等方的に配置され、試料電極の中心部に対向して設けられたガス吹き出し口の開口部面積の合計が、試料電極の周辺部に対向して設けられたガス吹き出し口の開口部面積の合計よりも小さいことを特徴とするプラズマドーピング装置。
- 各々のガス吹き出し口の開口面積が概ね等しく、かつ、試料電極の中心部に対向して設けられたガス吹き出し口の数が、試料電極の周辺部に対向して設けられたガス吹き出し口の数よりも少ないことを特徴とする、請求項14記載のプラズマドーピング装置。
- 前記試料電極の中心部が、試料電極の中心を含み、かつ、試料電極の面積の1/2の面積を有する部分として定義され、試料電極の周辺部が、試料電極の中心を含まない残りの部分として定義されることを特徴とする、請求項14記載のプラズマドーピング装置。
- 前記試料電極の中心部に対向して設けられたガス吹き出し口の開口部面積の合計が、試料電極の周辺部に対向して設けられたガス吹き出し口の開口部面積の合計の1/2以下であることを特徴とする、請求項14記載のプラズマドーピング装置。
- 真空容器と、試料電極と、真空容器内にガスを供給するガス供給装置と、ガス供給装置に接続され、かつ、試料電極が設けられた面に対向して設けられた複数のガス吹き出し口と、真空容器内を排気する排気装置と、真空容器内の圧力を制御する圧力制御装置と、試料電極に電力を供給する試料電極用電源を備えたプラズマドーピング装置であって、複数のガス吹き出し口が概ね等方的に配置され、試料電極に対向して設けられたガス吹き出し口の開口部面積の合計が、試料電極が設けられた面における試料電極の外側に対向して設けられたガス吹き出し口の開口部面積の合計よりも小さいことを特徴とするプラズマドーピング装置。
- 各々のガス吹き出し口の開口面積が概ね等しく、かつ、試料電極に対向して設けられたガス吹き出し口の数が、試料電極が設けられた面における試料電極の外側に対向して設けられたガス吹き出し口の数よりも少ないことを特徴とする、請求項18記載のプラズマドーピング装置。
- 前記試料電極に対向して設けられたガス吹き出し口の開口部面積の合計が、試料電極が設けられた面における試料電極の外側に対向して設けられたガス吹き出し口の開口部面積の合計の1/2以下であることを特徴とする、請求項18記載のプラズマドーピング装置。
- 真空容器と、試料電極と、真空容器内にガスを供給する第1及び第2ガス供給装置と、第1ガス供給装置に接続され、かつ、試料電極の中心部に対向して設けられたガス吹き出し口と、第2ガス供給装置に接続され、かつ、試料電極の周辺部に対向して設けられたガス吹き出し口と、真空容器内を排気する排気装置と、真空容器内の圧力を制御する圧力制御装置と、試料電極に電力を供給する試料電極用電源を備えたプラズマドーピング装置であって、ガス吹き出し口が概ね等方的に配置されていることを特徴とするプラズマドーピング装置。
- 前記試料電極の中心部が、試料電極の中心を含み、かつ、試料電極の面積の1/2の面積を有する部分として定義され、試料電極の周辺部が、試料電極の中心を含まない残りの部分として定義されることを特徴とする、請求項21記載のプラズマドーピング装置。
- 真空容器と、試料電極と、真空容器内にガスを供給する第1及び第2ガス供給装置と、
第1ガス供給装置に接続され、かつ、試料電極に対向して設けられたガス吹き出し口と、
第1ガス供給装置に接続され、かつ、試料電極が設けられた面における試料電極の外側に
対向して設けられたガス吹き出し口と、真空容器内を排気する排気装置と、真空容器内の圧力を制御する圧力制御装置と、試料電極に電力を供給する試料電極用電源を備えたプラズマドーピング装置であって、ガス吹き出し口が概ね等方的に配置されていることを特徴とするプラズマドーピング装置。 - プラズマ源と、プラズマ源に高周波電力を供給するプラズマ源用高周波電源を備えたことを特徴とする、請求項14、18、21または23のいずれか記載のプラズマドーピング装置。
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