JPWO2004076463A1 - 阻害剤 - Google Patents
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Abstract
阻害剤は、ナフチリジンダイマー、ナフチリジン−アザキノロンハイブリッド、トリナフチリジン−アザキノロンハイブリッド、あるいはトリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドの誘導体を含む。例えば、ＲＲＥ１００ナノモル濃度とＲｅｖタンパク１００ナノモル濃度の結合に対して、ナフチリジンダイマーを含む阻害剤であれば１．２マイクロモル濃度〜１２マイクロモル濃度、ナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを含む阻害剤であれば２マイクロモル濃度〜２０マイクロモル濃度、トリナフチリジン−アザキノロンハイブリッド、または、トリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドの誘導体を含む阻害剤であれば２００ナノモル濃度〜２マイクロモル濃度用いる。これにより、ＲＲＥとＲｅｖタンパクとの結合を効果的に阻害できる。
Description
本発明は、ＲＲＥとＲｅｖタンパクとの結合を阻害する阻害剤に関するものである。
ウイルスＨＩＶ−１はＡＩＤＳの原因となり、その感染、発症を抑える薬剤の開発が進められている。
ＨＩＶ−１はレトロウイルスの一種であり、正常細胞に感染するとウイルスのｍＲＭＡを細胞内に送り込み、逆転写酵素によりウイルスのｃＤＮＡを生成し、核内の染色体遺伝子に結合させる。細胞が増殖するために遺伝子が転写されると同時に、ウイルスの遺伝子も転写されＲＮＡとなる。
通常ＲＮＡはスプライシングを受け、熟成ｍＲＮＡとして核外に放出されるが、この際ＨＩＶ−１のＲＮＡはスプライシングされずに核外へ放出されなければならない。このメカニズムで重要になるのがＨＩＶ−１のｍＲＮＡのＲＲＥ（Ｒｅｖ Ｒｅｓｐｏｎｓｉｂｌｅ Ｅｌｅｍｅｎｔ）とＲｅｖタンパクとの相互作用である。（ＲＲＥの塩基配列およびＲｅｖタンパクの構造を、それぞれ図１、図２に示すとともに、ＲＲＥとＲｅｖタンパクとの結合により、ＨＩＶ−１の複製が行われるときの様子を図３に概略的に示す。）
ＲＲＥとＲｅｖタンパクとの結合（相互作用）を阻害すると、ＨＩＶ−１ｍＲＮＡはスプライシングを受け短くなるために、ウイルスが増殖できなくなる。したがって、ＲＲＥとＲｅｖタンパクとの結合を阻害する物質には、ＡＩＤＳの発症を抑える効果があると考えられている。
これまでにも、いくつかの物質が、ＲＲＥとＲｅｖタンパクとの結合を阻害する阻害剤となることが報告されている。このような阻害剤となる物質として、例えば、構造式▲１▼
で表される、天然物である抗生物質のネオマイシンＢ（Ｎｅｏｍｙｃｉｎ Ｂ）が挙げられる。ネオマイシンＢがＲＲＥと強く結合することで、ＲＲＥはＲｅｖと結合できなくなる。
ＲＲＥと結合することが可能な物質の中には人工的に合成されたものもあり、このような物質は、例えば、Ｌｕｅｄｔｋｅ ｅｔ ａｌ．Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ，１２２，９８０（２０００）（以下、「非特許文献１」と称する）やＷｉｌｓｏｎ ｅｔ ａｌ．Ｂｉｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ４０，１１５０（２００１）（以下、「非特許文献２」と称する）に開示されている。非特許文献１および２に開示の物質の構造を示せば、それぞれ、構造式▲２▼，▲３▼に示す通りである。
しかしながら、従来の阻害剤として挙げられる物質は、天然物のスクリーニングにより得られたアミノグリコキシドがほとんどである。また、従来の阻害剤となり得る物質は、ＲＲＥのＲｅｖタンパク結合サイトに特異的に結合するように設計された構造を有していないために、非特異的な結合が強く、また阻害活性も十分ではない。
そこで本発明は、十分な阻害活性を有するとともに、ＲＲＥのＲｅｖタンパク結合サイトに強力に結合する阻害剤を提供することを目的とする。
ＨＩＶ−１はレトロウイルスの一種であり、正常細胞に感染するとウイルスのｍＲＭＡを細胞内に送り込み、逆転写酵素によりウイルスのｃＤＮＡを生成し、核内の染色体遺伝子に結合させる。細胞が増殖するために遺伝子が転写されると同時に、ウイルスの遺伝子も転写されＲＮＡとなる。
通常ＲＮＡはスプライシングを受け、熟成ｍＲＮＡとして核外に放出されるが、この際ＨＩＶ−１のＲＮＡはスプライシングされずに核外へ放出されなければならない。このメカニズムで重要になるのがＨＩＶ−１のｍＲＮＡのＲＲＥ（Ｒｅｖ Ｒｅｓｐｏｎｓｉｂｌｅ Ｅｌｅｍｅｎｔ）とＲｅｖタンパクとの相互作用である。（ＲＲＥの塩基配列およびＲｅｖタンパクの構造を、それぞれ図１、図２に示すとともに、ＲＲＥとＲｅｖタンパクとの結合により、ＨＩＶ−１の複製が行われるときの様子を図３に概略的に示す。）
ＲＲＥとＲｅｖタンパクとの結合（相互作用）を阻害すると、ＨＩＶ−１ｍＲＮＡはスプライシングを受け短くなるために、ウイルスが増殖できなくなる。したがって、ＲＲＥとＲｅｖタンパクとの結合を阻害する物質には、ＡＩＤＳの発症を抑える効果があると考えられている。
これまでにも、いくつかの物質が、ＲＲＥとＲｅｖタンパクとの結合を阻害する阻害剤となることが報告されている。このような阻害剤となる物質として、例えば、構造式▲１▼
ＲＲＥと結合することが可能な物質の中には人工的に合成されたものもあり、このような物質は、例えば、Ｌｕｅｄｔｋｅ ｅｔ ａｌ．Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ，１２２，９８０（２０００）（以下、「非特許文献１」と称する）やＷｉｌｓｏｎ ｅｔ ａｌ．Ｂｉｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ４０，１１５０（２００１）（以下、「非特許文献２」と称する）に開示されている。非特許文献１および２に開示の物質の構造を示せば、それぞれ、構造式▲２▼，▲３▼に示す通りである。
そこで本発明は、十分な阻害活性を有するとともに、ＲＲＥのＲｅｖタンパク結合サイトに強力に結合する阻害剤を提供することを目的とする。
本発明者らは、これまでに、グアニンと相補的な水素結合部位を持つ、ナフチリジンの二量体であるナフチリジンダイマーが、二本鎖ＤＮＡ中のグアニン−グアニンミスマッチ（以下、「ＧＧミスマッチ」という）塩基対に選択的に結合すること、また、ナフチリジンダイマーの一方のナフチリジンを、アデニンと相補的な水素結合部位を持つアザキノロンに変えてなるナフチリジン−アザキノロンハイブリッドが、グアニン−アデニンミスマッチ（以下、「ＧＡミスマッチ」という）塩基対に選択的に結合することを見出している。
本発明を考案するにあたって、本発明者らは、ＲＲＥ中のインターナルループにＧＧミスマッチ塩基対およびＧＡミスマッチ塩基対があることに着目した。そしてＲＲＥのＲｅｖタンパク結合サイトに特異的に結合することでＲＲＥとＲｅｖタンパクとの結合を阻害する、新規な阻害剤を発案した。
具体的には、本発明にかかる阻害剤は、ＲＲＥとＲｅｖタンパクとの結合を阻害する阻害剤であって、一般式（Ａ）
（式中、Ｒ，Ｒ１は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜１５のアルキル基であって該アルキル基中の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいアルキル基、炭素数１〜１５のアルコキシ基であって該アルコキシ基の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいアルコキシ基、または、炭素数１〜１５のモノもしくはジアルキルアミノ基であって該アルキルアミノ基の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいモノもしくはジアルキルアミノ基を示し、Ｘは、任意の二価基を示し、Ｙは、一般式（Ｂ）
で表される置換基、または一般式（Ｃ）
で表される置換基を示す）
で表されるナフチリジン誘導体を含んでいることを特徴としている。また、本発明に係るナフチリジン誘導体は、上記一般式（Ａ）で表されるナフチリジン誘導体である。
上記ナフチリジン誘導体は、１つのナフチリジン部分に加えて、一般式（Ｂ）で表されるナフチリジン部分または一般式（Ｃ）で表されるアザキノロン部分を少なくとも１つ含むことで、ＲＲＥ中のインターナルループに存在するＧＧミスマッチ塩基対に特異的に結合する。これによれば、ＲＲＥと結合することにより、ＲＲＥとＲｅｖタンパクとの結合を阻害することの可能な阻害剤を提供することができる。
本発明にかかる阻害剤は、ＲＲＥとＲｅｖタンパクとの結合を阻害する阻害剤であって、一般式（１）
（式中、Ｒ，Ｒ１は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜１５のアルキル基であって該アルキル基中の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいアルキル基、炭素数１〜１５のアルコキシ基であって該アルコキシ基の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいアルコキシ基、または、炭素数１〜１５のモノもしくはジアルキルアミノ基であって該アルキルアミノ基の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいモノもしくはジアルキルアミノ基を示し、Ｒ２は、炭素数１〜２０のアルキレン基であって該アルキレン基中の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子、硫黄原子、窒素原子、またはカルボニル基で置換されていてもよいアルキレン基を示す）
で表されるナフチリジンダイマーを含んでいることを特徴としている。
また本発明にかかる阻害剤は、一般式（２）
（式中、Ｒ３は、水素原子、炭素数１〜１５のアルキル基であって該アルキル基中の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいアルキル基、炭素数１〜１５のアルコキシ基であって該アルコキシ基の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいアルコキシ基、または、炭素数１〜１５のモノもしくはジアルキルアミノ基であって該アルキルアミノ基の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいモノもしくはジアルキルアミノ基を示し、Ｒ４は、炭素数１〜２０のアルキレン基であって該アルキレン基中の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子、硫黄原子、窒素原子、またはカルボニル基で置換されていてもよいアルキレン基を示す）
で表されるナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを含んでいることを特徴としている。
阻害剤がナフチリジンダイマーを含むことで、該阻害剤は、ＲＲＥ中のインターナルループに存在するＧＧミスマッチ塩基対に特異的に結合する。また、阻害剤がナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを含むことで、該阻害剤は、ＲＲＥ中のインターナルループに存在するＧＡミスマッチ塩基対に特異的に結合する。これによれば、阻害剤がＲＲＥと結合することにより、ＲＲＥとＲｅｖタンパクとの結合を阻害することの可能な阻害剤を提供することができる。
また本発明にかかる阻害剤は、一般式（３）
（式中、Ｒ５〜Ｒ７は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜１５のアルキル基であって該アルキル基中の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいアルキル基、炭素数１〜１５のアルコキシ基であって該アルコキシ基の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいアルコキシ基、または、炭素数１〜１５のモノもしくはジアルキルアミノ基であって該アルキルアミノ基の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいモノもしくはジアルキルアミノ基を示す）
で表されるトリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを含んでいることを特徴としている。
一般式（３）に示すように、トリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドは、２つのナフチリジンおよびアザキノロンを含んでいる。したがって、このトリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを含んでなる阻害剤とすれば、ＲＲＥ中のインターナルループに存在するＧＧミスマッチ塩基対およびＧＡミスマッチ塩基対への特異的な結合が同時に行なわれる。これによれば、ＲＲＥとＲｅｖタンパクとの結合をより効果的に阻害することの可能な阻害剤を提供することができる。
本発明にかかる、トリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを含んでなる阻害剤は、例えば、ナフチリジンダイマーと、アザキノロンハイブリッドとをリンカーで結合することで得られる。本発明にかかる阻害剤は、このリンカーの構造を適宜調整することで得られる、一般式（４）
（式中、Ｒ８〜Ｒ１０は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜１５のアルキル基であって該アルキル基中の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいアルキル基、炭素数１〜１５のアルコキシ基であって該アルコキシ基の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいアルコキシ基、または、炭素数１〜１５のモノもしくはジアルキルアミノ基であって該アルキルアミノ基の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいモノもしくはジアルキルアミノ基を示し、Ｒ１１，Ｒ１２は、それぞれ、炭素数１〜２０のアルキレン基であって該アルキレン基中の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子、硫黄原子、窒素原子、またはカルボニル基で置換されていてもよいアルキレン基を示す）
で表されるトリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドの誘導体を含む構成とすることもできる。このようなリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドの誘導体を含む阻害剤としても、ＲＲＥとＲｅｖタンパクとの結合を効果的に阻害することができる。
本発明にかかるトリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドの誘導体を含む阻害剤は、例えば、ナフチリジンダイマー、あるいは、ナフチリジン−アザキノロンハイブリットと、一般式（Ｄ）
（式中、ＲＡは、炭素数１〜１３のアルキレン基であって該アルキレン基中の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいアルキレン基を示す）
で表されるジアルデヒドとの反応により、アルデヒドを中間体として合成する工程を経て得られる。なお、ここで、ＲＡで示されるアルキレン基は、特に、炭素数１〜３のアルキレン基である。このときのアルデヒドは、具体的には、一般式（５）
（式中、Ｒ１３，Ｒ１４は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜１５のアルキル基であって該アルキル基中の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいアルキル基、炭素数１〜１５のアルコキシ基であって該アルコキシ基の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいアルコキシ基、または、炭素数１〜１５のモノもしくはジアルキルアミノ基であって該アルキルアミノ基の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいモノもしくはジアルキルアミノ基を示し、Ｒ１５，Ｒ１６は、それぞれ、炭素数１〜１８のアルキレン基であって該アルキレン基中の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子、硫黄原子、窒素原子、またはカルボニル基で置換されていてもよいアルキレン基を示し、Ｒ１７は、炭素数１〜１４のアルキレン基であって該アルキレン基中の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいアルキレン基を示す）で表されるナフチリジンダイマー含有アルデヒド、あるいは一般式（６）
（式中、Ｒ１８は、水素原子、炭素数１〜１５のアルキル基であって該アルキル基中の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいアルキル基、炭素数１〜１５のアルコキシ基であって該アルコキシ基の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいアルコキシ基、または、炭素数１〜１５のモノもしくはジアルキルアミノ基であって該アルキルアミノ基の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいモノもしくはジアルキルアミノ基を示し、Ｒ１９，Ｒ２０は、それぞれ、炭素数１〜１８のアルキレン基であって該アルキレン基中の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子、硫黄原子、窒素原子、またはカルボニル基で置換されていてもよいアルキレン基を示し、Ｒ２１は、炭素数１〜１４のアルキレン基であって該アルキレン基中の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいアルキレン基を示す）
で表されるナフチリジン−アザキノロンハイブリッド含有アルデヒドであることを特徴としている。ここで、Ｒ１７およびＲ２１で示されるアルキレン基は、特に、炭素数１〜４のアルキレン基である。
また本発明では、上記ナフチリジンダイマー、ナフチリジン−アザキノロンハイブリッド、トリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドまたはその誘導体を含む化合物群から選ばれる、少なくとも１種の化合物を含んでなる組成物から構成されている基盤を提供する。
このような基盤を用いて、例えばチップ、キュベット、プレート等の器具を構成すれば、これらの器具に、培養液中や血水に含まれるＲＲＥの検出機能を持たせることができる。
また、本発明に係るバイオセンサは、本発明に係るナフチリジン誘導体を、チップ、キュベット、プレート等の担体に固定化してなるものである。
上記バイオセンサによれば、培養液中や血水に含まれるＲＲＥを検出でき、ＨＩＶ−１ウイルスによる感染等を検出できる。
本発明のさらに他の目的、特徴、および優れた点は、以下に示す記載によって充分分かるであろう。また、本発明の利点は、添付図面を参照した次の説明で明白になるであろう。
本発明を考案するにあたって、本発明者らは、ＲＲＥ中のインターナルループにＧＧミスマッチ塩基対およびＧＡミスマッチ塩基対があることに着目した。そしてＲＲＥのＲｅｖタンパク結合サイトに特異的に結合することでＲＲＥとＲｅｖタンパクとの結合を阻害する、新規な阻害剤を発案した。
具体的には、本発明にかかる阻害剤は、ＲＲＥとＲｅｖタンパクとの結合を阻害する阻害剤であって、一般式（Ａ）
で表されるナフチリジン誘導体を含んでいることを特徴としている。また、本発明に係るナフチリジン誘導体は、上記一般式（Ａ）で表されるナフチリジン誘導体である。
上記ナフチリジン誘導体は、１つのナフチリジン部分に加えて、一般式（Ｂ）で表されるナフチリジン部分または一般式（Ｃ）で表されるアザキノロン部分を少なくとも１つ含むことで、ＲＲＥ中のインターナルループに存在するＧＧミスマッチ塩基対に特異的に結合する。これによれば、ＲＲＥと結合することにより、ＲＲＥとＲｅｖタンパクとの結合を阻害することの可能な阻害剤を提供することができる。
本発明にかかる阻害剤は、ＲＲＥとＲｅｖタンパクとの結合を阻害する阻害剤であって、一般式（１）
で表されるナフチリジンダイマーを含んでいることを特徴としている。
また本発明にかかる阻害剤は、一般式（２）
で表されるナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを含んでいることを特徴としている。
阻害剤がナフチリジンダイマーを含むことで、該阻害剤は、ＲＲＥ中のインターナルループに存在するＧＧミスマッチ塩基対に特異的に結合する。また、阻害剤がナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを含むことで、該阻害剤は、ＲＲＥ中のインターナルループに存在するＧＡミスマッチ塩基対に特異的に結合する。これによれば、阻害剤がＲＲＥと結合することにより、ＲＲＥとＲｅｖタンパクとの結合を阻害することの可能な阻害剤を提供することができる。
また本発明にかかる阻害剤は、一般式（３）
で表されるトリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを含んでいることを特徴としている。
一般式（３）に示すように、トリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドは、２つのナフチリジンおよびアザキノロンを含んでいる。したがって、このトリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを含んでなる阻害剤とすれば、ＲＲＥ中のインターナルループに存在するＧＧミスマッチ塩基対およびＧＡミスマッチ塩基対への特異的な結合が同時に行なわれる。これによれば、ＲＲＥとＲｅｖタンパクとの結合をより効果的に阻害することの可能な阻害剤を提供することができる。
本発明にかかる、トリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを含んでなる阻害剤は、例えば、ナフチリジンダイマーと、アザキノロンハイブリッドとをリンカーで結合することで得られる。本発明にかかる阻害剤は、このリンカーの構造を適宜調整することで得られる、一般式（４）
で表されるトリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドの誘導体を含む構成とすることもできる。このようなリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドの誘導体を含む阻害剤としても、ＲＲＥとＲｅｖタンパクとの結合を効果的に阻害することができる。
本発明にかかるトリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドの誘導体を含む阻害剤は、例えば、ナフチリジンダイマー、あるいは、ナフチリジン−アザキノロンハイブリットと、一般式（Ｄ）
で表されるジアルデヒドとの反応により、アルデヒドを中間体として合成する工程を経て得られる。なお、ここで、ＲＡで示されるアルキレン基は、特に、炭素数１〜３のアルキレン基である。このときのアルデヒドは、具体的には、一般式（５）
で表されるナフチリジン−アザキノロンハイブリッド含有アルデヒドであることを特徴としている。ここで、Ｒ１７およびＲ２１で示されるアルキレン基は、特に、炭素数１〜４のアルキレン基である。
また本発明では、上記ナフチリジンダイマー、ナフチリジン−アザキノロンハイブリッド、トリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドまたはその誘導体を含む化合物群から選ばれる、少なくとも１種の化合物を含んでなる組成物から構成されている基盤を提供する。
このような基盤を用いて、例えばチップ、キュベット、プレート等の器具を構成すれば、これらの器具に、培養液中や血水に含まれるＲＲＥの検出機能を持たせることができる。
また、本発明に係るバイオセンサは、本発明に係るナフチリジン誘導体を、チップ、キュベット、プレート等の担体に固定化してなるものである。
上記バイオセンサによれば、培養液中や血水に含まれるＲＲＥを検出でき、ＨＩＶ−１ウイルスによる感染等を検出できる。
本発明のさらに他の目的、特徴、および優れた点は、以下に示す記載によって充分分かるであろう。また、本発明の利点は、添付図面を参照した次の説明で明白になるであろう。
図１は、ＲＲＥの塩基配列を示す図である。
図２は、Ｒｅｖタンパクの構造を示す図である。
図３は、ＲＲＥとＲｅｖタンパクとの結合により、ＨＩＶ−１の複製が行われるときの様子を概略的に示す図である。
図４は、ナフチリジンダイマーおよびナフチリジン−アザキノロンハイブリッドをリンカー結合するときの様子を概略的に示す図である。
図５は、阻害剤としてのナフチリジンダイマーが、ＲＲＥ中のインターナルループにあるＧＧミスマッチ塩基対に結合しているときの様子を示す図である。
図６は、阻害剤としてのナフチリジン−アザキノロンハイブリッドが、ＲＲＥ中のインターナルループにあるＧＡミスマッチ塩基対に結合しているときの様子を示す図である。
図７は、実施例２において、ナフチリジンダイマーおよびＲＲＥを混合させたときのＵＶ吸収スペクトルを示す図である。
図８は、実施例２において、ナフチリジン−アザキノロンハイブリッドおよびＲＲＥを混合させたときのＵＶ吸収スペクトルを示す図である。
図９は、実施例２において、第１キノリン含有化合物およびＲＲＥを混合させたときのＵＶ吸収スペクトルを示す図である。
図１０は、実施例２において、第２キノリン含有化合物およびＲＲＥを混合させたときのＵＶ吸収スペクトルを示す図である。
図１１は、実施例２において、ナフチリジン単独およびＲＲＥを混合させたときのＵＶ吸収スペクトルを示す図である。
図１２は、実施例２において、アザキノロン単独およびＲＲＥを混合させたときのＵＶ吸収スペクトルを示す図である。
図１３は、実施例２において、キノロン単独およびＲＲＥを混合させたときのＵＶ吸収スペクトルを示す図である。
図１４は、実施例３において、ＲＲＥのみ、ＲＲＥにナフチリジンダイマーを添加した場合、ＲＲＥにナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを添加した場合それぞれにおけるＣＤスペクトルを示す図である。
図１５は、実施例３において、ＲＲＥ−ｎｅｇのみ、ＲＲＥ−ｎｅｇにナフチリジンダイマーを添加した場合、ＲＲＥ−ｎｅｇにナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを添加した場合それぞれにおけるＣＤスペクトルを示す図である。
図１６は、実施例３におけるＲＲＥ−ｎｅｇの塩基配列を示す図である。
図１７は、実施例４において、ＳＰＲセンサーチップ上に固定したナフチリジンダイマーに対する、ＲＲＥ，ＲＲＥ−ｎｅｇ、ＴＡＲ、シングルストランドＲＮＡそれぞれの結合を調べるときの様子を概略的に示す図である。
図１８は、実施例４において、ＳＰＲのセンサーチップ上に固定したナフチリジンダイマーに対する、ＲＲＥ、ＲＲＥ−ｎｅｇ、ＴＡＲ、およびシングルストランドＲＮＡそれぞれの結合の強さを示す図である。
図１９は、実施例４におけるＴＡＲの塩基配列を示す図である。
図２０は、実施例４におけるシングルストランドＲＮＡの塩基配列を示す図である。
図２１は、実施例５において、種々の濃度のＲＲＥ存在下でのナフチリジンダイマーのＵＶ吸収スペクトルを示す図である。
図２２は、実施例５において、図２１の３３２ｎｍにおける吸収強度から計算したＲＲＥに結合しているナフチリジンダイマーの加えた全ナフチリジンダイマーに対する割合を示す図である。
図２３は、実施例６にかかる、フルオロセインを用いて蛍光標識したＲｅｖ−Ｆ１が、ＲＲＥと複合体を形成する様子を概略的に示す図である。
図２４は、実施例６におけるＲｅｖ−Ｆ１の構成を示す図である。
図２５は、実施例６において、種々の濃度のＲＲＥ存在下に対する、Ｒｅｖ−Ｆ１のアニソトロピーの変化を示す図である。
図２６は、実施例７において、阻害剤として、ナフチリジンダイマー、ナフチリジン−アザキノロンハイブリッド、ネオマイシンＢを用いた場合の、それぞれの阻害剤の濃度に対するアニソトロピーを示す図である。
図２７は、実施例８において、ＲＲＥのみ、ＲＲＥにナフチリジンダイマーを添加した場合、ＲＲＥにトリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを添加した場合、およびＲＲＥにトリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを添加した場合それぞれにおけるＲＲＥのＣＤスペクトルの変化を示す図である。
図２８は、実施例８において、阻害剤として、ナフチリジンダイマー、ナフチリジン−アザキノロンハイブリッド、ネオマイシンＢ、およびトリアザキノロンハイブリッドを用い、それぞれにおけるアニソトロピーの測定結果を示す図である。
図２は、Ｒｅｖタンパクの構造を示す図である。
図３は、ＲＲＥとＲｅｖタンパクとの結合により、ＨＩＶ−１の複製が行われるときの様子を概略的に示す図である。
図４は、ナフチリジンダイマーおよびナフチリジン−アザキノロンハイブリッドをリンカー結合するときの様子を概略的に示す図である。
図５は、阻害剤としてのナフチリジンダイマーが、ＲＲＥ中のインターナルループにあるＧＧミスマッチ塩基対に結合しているときの様子を示す図である。
図６は、阻害剤としてのナフチリジン−アザキノロンハイブリッドが、ＲＲＥ中のインターナルループにあるＧＡミスマッチ塩基対に結合しているときの様子を示す図である。
図７は、実施例２において、ナフチリジンダイマーおよびＲＲＥを混合させたときのＵＶ吸収スペクトルを示す図である。
図８は、実施例２において、ナフチリジン−アザキノロンハイブリッドおよびＲＲＥを混合させたときのＵＶ吸収スペクトルを示す図である。
図９は、実施例２において、第１キノリン含有化合物およびＲＲＥを混合させたときのＵＶ吸収スペクトルを示す図である。
図１０は、実施例２において、第２キノリン含有化合物およびＲＲＥを混合させたときのＵＶ吸収スペクトルを示す図である。
図１１は、実施例２において、ナフチリジン単独およびＲＲＥを混合させたときのＵＶ吸収スペクトルを示す図である。
図１２は、実施例２において、アザキノロン単独およびＲＲＥを混合させたときのＵＶ吸収スペクトルを示す図である。
図１３は、実施例２において、キノロン単独およびＲＲＥを混合させたときのＵＶ吸収スペクトルを示す図である。
図１４は、実施例３において、ＲＲＥのみ、ＲＲＥにナフチリジンダイマーを添加した場合、ＲＲＥにナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを添加した場合それぞれにおけるＣＤスペクトルを示す図である。
図１５は、実施例３において、ＲＲＥ−ｎｅｇのみ、ＲＲＥ−ｎｅｇにナフチリジンダイマーを添加した場合、ＲＲＥ−ｎｅｇにナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを添加した場合それぞれにおけるＣＤスペクトルを示す図である。
図１６は、実施例３におけるＲＲＥ−ｎｅｇの塩基配列を示す図である。
図１７は、実施例４において、ＳＰＲセンサーチップ上に固定したナフチリジンダイマーに対する、ＲＲＥ，ＲＲＥ−ｎｅｇ、ＴＡＲ、シングルストランドＲＮＡそれぞれの結合を調べるときの様子を概略的に示す図である。
図１８は、実施例４において、ＳＰＲのセンサーチップ上に固定したナフチリジンダイマーに対する、ＲＲＥ、ＲＲＥ−ｎｅｇ、ＴＡＲ、およびシングルストランドＲＮＡそれぞれの結合の強さを示す図である。
図１９は、実施例４におけるＴＡＲの塩基配列を示す図である。
図２０は、実施例４におけるシングルストランドＲＮＡの塩基配列を示す図である。
図２１は、実施例５において、種々の濃度のＲＲＥ存在下でのナフチリジンダイマーのＵＶ吸収スペクトルを示す図である。
図２２は、実施例５において、図２１の３３２ｎｍにおける吸収強度から計算したＲＲＥに結合しているナフチリジンダイマーの加えた全ナフチリジンダイマーに対する割合を示す図である。
図２３は、実施例６にかかる、フルオロセインを用いて蛍光標識したＲｅｖ−Ｆ１が、ＲＲＥと複合体を形成する様子を概略的に示す図である。
図２４は、実施例６におけるＲｅｖ−Ｆ１の構成を示す図である。
図２５は、実施例６において、種々の濃度のＲＲＥ存在下に対する、Ｒｅｖ−Ｆ１のアニソトロピーの変化を示す図である。
図２６は、実施例７において、阻害剤として、ナフチリジンダイマー、ナフチリジン−アザキノロンハイブリッド、ネオマイシンＢを用いた場合の、それぞれの阻害剤の濃度に対するアニソトロピーを示す図である。
図２７は、実施例８において、ＲＲＥのみ、ＲＲＥにナフチリジンダイマーを添加した場合、ＲＲＥにトリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを添加した場合、およびＲＲＥにトリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを添加した場合それぞれにおけるＲＲＥのＣＤスペクトルの変化を示す図である。
図２８は、実施例８において、阻害剤として、ナフチリジンダイマー、ナフチリジン−アザキノロンハイブリッド、ネオマイシンＢ、およびトリアザキノロンハイブリッドを用い、それぞれにおけるアニソトロピーの測定結果を示す図である。
本発明の実施の一形態について、以下に説明する。本発明にかかる阻害剤は、上記一般式（１）で表されるナフチリジンダイマーを含んでいる構成である。
本実施の形態にかかるナフチリジンダイマーは、特に限定されるものではない。したがって、このナフチリジンダイマーを、従来公知の種々の方法によって合成することができる。例えば、１，８−ナフチリジン誘導体を用い、これをリンカーにより結合させることで、一般式（１）で表されるナフチリジンダイマーを得ることができる。
なお、上記１，８−ナフチリジン誘導体は、例えば、２−アミノ−１，８−ナフチリジンまたは２−アミノ−７−メチル−１，８−ナフチリジンをＮ−保護−４−アミノ酪酸の反応性誘導体、例えば酸塩化物を反応させて、２位のアミノ基をアシル化した後、アミノ基を保護基を脱保護することで得ればよい。
本実施形態にかかる阻害剤は、一般式（１）で表されるナフチリジンダイマーの一方のナフチリジンが、アザキノロンとなった、上記一般式（２）で表される、ナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを含んでいる構成とすることもできる。
本実施の形態にかかるナフチリジン−アザキノロンハイブリッドは、特に限定されるものではない。したがって、このナフチリジン−アザキノロンハイブリッドは、従来公知の種々の方法によって合成すればよいものとする。
また、本実施の形態にかかる阻害剤は、上記一般式（３）で表されるトリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを含んで構成されていてもよい。
上記トリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドは、例えば、図４に示すように、ナフチリジンダイマーおよびナフチリジン−アザキノロンハイブリッドをリンカーで結合することで得ればよい。このときのリンカーは特に限定されるものではなく、必要に応じて適宜設定すればよいものとする。また、本実施の形態にかかる阻害剤は、このリンカーの構造を適宜調整することで、上記一般式（４）で表されるトリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドの誘導体を含む構成としてもよい。
トリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドは、例えば、トリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを、ナフチリジンダイマーと、グルタルアルデヒドなどのジアルデヒドとを反応させることによって、上記一般式（５）で表されるナフチリジンダイマー含有アルデヒドを中間体として合成し、このナフチリジンダイマー含有アルデヒドと、ナフチリジン−アザキノロンハイブリッドとを反応させることによって得ることができる。
あるいは、ナフチリジン−アザキノロンハイブリッドと、グルタルアルデヒドなどのジアルデヒドとを反応させることで、上記一般式（６）で表されるナフチリジン−アザキノロンハイブリッド含有アルデヒドを中間体として合成し、このナフチリジン−アザキノロンハイブリッド含有アルデヒドと、ナフチリジンダイマーとを反応させることによって、トリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを得ることもできる。
このように、本実施の形態にかかる阻害剤は、ナフチリジンダイマーおよび／またはナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを含んでいる。したがって、この阻害剤は、ＲＲＥ中のインターナルループに存在するＧＧミスマッチ塩基対および／またはＲＲＥ中のインターナルループに存在するＧＡミスマッチ塩基対に特異的に結合する。
図５に、本実施の形態にかかる阻害剤としてのナフチリジンダイマーが、ＲＲＥ中のインターナルループにあるＧＧミスマッチ塩基対に結合しているときの様子を示す。また図６に、本実施の形態にかかる阻害剤としてのナフチリジン−アザキノロンハイブリッドが、ＲＲＥ中のインターナルループにあるＧＡミスマッチ塩基対に結合しているときの様子を示す。
本実施の形態において、阻害剤がナフチリジンダイマーを含んで構成されているときには、ＲＲＥ１００ナノモル濃度（ｎＭ）とＲｅｖタンパク１００ナノモル濃度（ｎＭ）の結合に対して、該阻害剤を、１．２マイクロモル濃度（μＭ）〜１２マイクロモル濃度（μＭ）の範囲内で用いることが好ましい。
また阻害剤がナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを含んで構成されているときには、ＲＲＥ１００ナノモル濃度（ｎＭ）とＲｅｖタンパク１００ナノモル濃度（ｎＭ）の結合に対して、該阻害剤を、２マイクロモル濃度（μＭ）〜２０マイクロモル濃度（μＭ）の範囲内で用いることが好ましい。
また阻害剤がトリナフチリジン−アザキノロンハイブリッド、または、トリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドの誘導体を含んで構成されているときには、ＲＲＥ１００ナノモル濃度（ｎＭ）とＲｅｖタンパク１００ナノモル濃度（ｎＭ）の結合に対して、該阻害剤を、２００ナノモル濃度（ｎＭ）〜２マイクロモル濃度（μＭ）の範囲内で用いることが好ましい。
本実施の形態にかかる阻害剤は、ＲＲＥと特異的に結合するために、ゲノムＲＮＡの細胞質の輸送を抑えることができる。したがって本実施の形態にかかる阻害剤を、ウイルスの複製を阻害する抗ＨＩＶ−１薬として用いることができる。
本実施の形態にかかる、ナフチリジンダイマー、ナフチリジン−アザキノロンハイブリッド、トリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドまたはその誘導体を含む化合物群から選ばれる、少なくとも１種の化合物を含んでなる組成物から、例えば基盤（担体）を構成してもよい。このような基盤を用いて例えばチップ、キュベット、およびプレート等の器具を構成すれば、これらの器具に、培養液中や血水に含まれるＲＲＥの検出機能を持たせることができる。
以下、実施例により、本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらにより何ら限定されるものではない。
本実施の形態にかかるナフチリジンダイマーは、特に限定されるものではない。したがって、このナフチリジンダイマーを、従来公知の種々の方法によって合成することができる。例えば、１，８−ナフチリジン誘導体を用い、これをリンカーにより結合させることで、一般式（１）で表されるナフチリジンダイマーを得ることができる。
なお、上記１，８−ナフチリジン誘導体は、例えば、２−アミノ−１，８−ナフチリジンまたは２−アミノ−７−メチル−１，８−ナフチリジンをＮ−保護−４−アミノ酪酸の反応性誘導体、例えば酸塩化物を反応させて、２位のアミノ基をアシル化した後、アミノ基を保護基を脱保護することで得ればよい。
本実施形態にかかる阻害剤は、一般式（１）で表されるナフチリジンダイマーの一方のナフチリジンが、アザキノロンとなった、上記一般式（２）で表される、ナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを含んでいる構成とすることもできる。
本実施の形態にかかるナフチリジン−アザキノロンハイブリッドは、特に限定されるものではない。したがって、このナフチリジン−アザキノロンハイブリッドは、従来公知の種々の方法によって合成すればよいものとする。
また、本実施の形態にかかる阻害剤は、上記一般式（３）で表されるトリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを含んで構成されていてもよい。
上記トリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドは、例えば、図４に示すように、ナフチリジンダイマーおよびナフチリジン−アザキノロンハイブリッドをリンカーで結合することで得ればよい。このときのリンカーは特に限定されるものではなく、必要に応じて適宜設定すればよいものとする。また、本実施の形態にかかる阻害剤は、このリンカーの構造を適宜調整することで、上記一般式（４）で表されるトリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドの誘導体を含む構成としてもよい。
トリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドは、例えば、トリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを、ナフチリジンダイマーと、グルタルアルデヒドなどのジアルデヒドとを反応させることによって、上記一般式（５）で表されるナフチリジンダイマー含有アルデヒドを中間体として合成し、このナフチリジンダイマー含有アルデヒドと、ナフチリジン−アザキノロンハイブリッドとを反応させることによって得ることができる。
あるいは、ナフチリジン−アザキノロンハイブリッドと、グルタルアルデヒドなどのジアルデヒドとを反応させることで、上記一般式（６）で表されるナフチリジン−アザキノロンハイブリッド含有アルデヒドを中間体として合成し、このナフチリジン−アザキノロンハイブリッド含有アルデヒドと、ナフチリジンダイマーとを反応させることによって、トリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを得ることもできる。
このように、本実施の形態にかかる阻害剤は、ナフチリジンダイマーおよび／またはナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを含んでいる。したがって、この阻害剤は、ＲＲＥ中のインターナルループに存在するＧＧミスマッチ塩基対および／またはＲＲＥ中のインターナルループに存在するＧＡミスマッチ塩基対に特異的に結合する。
図５に、本実施の形態にかかる阻害剤としてのナフチリジンダイマーが、ＲＲＥ中のインターナルループにあるＧＧミスマッチ塩基対に結合しているときの様子を示す。また図６に、本実施の形態にかかる阻害剤としてのナフチリジン−アザキノロンハイブリッドが、ＲＲＥ中のインターナルループにあるＧＡミスマッチ塩基対に結合しているときの様子を示す。
本実施の形態において、阻害剤がナフチリジンダイマーを含んで構成されているときには、ＲＲＥ１００ナノモル濃度（ｎＭ）とＲｅｖタンパク１００ナノモル濃度（ｎＭ）の結合に対して、該阻害剤を、１．２マイクロモル濃度（μＭ）〜１２マイクロモル濃度（μＭ）の範囲内で用いることが好ましい。
また阻害剤がナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを含んで構成されているときには、ＲＲＥ１００ナノモル濃度（ｎＭ）とＲｅｖタンパク１００ナノモル濃度（ｎＭ）の結合に対して、該阻害剤を、２マイクロモル濃度（μＭ）〜２０マイクロモル濃度（μＭ）の範囲内で用いることが好ましい。
また阻害剤がトリナフチリジン−アザキノロンハイブリッド、または、トリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドの誘導体を含んで構成されているときには、ＲＲＥ１００ナノモル濃度（ｎＭ）とＲｅｖタンパク１００ナノモル濃度（ｎＭ）の結合に対して、該阻害剤を、２００ナノモル濃度（ｎＭ）〜２マイクロモル濃度（μＭ）の範囲内で用いることが好ましい。
本実施の形態にかかる阻害剤は、ＲＲＥと特異的に結合するために、ゲノムＲＮＡの細胞質の輸送を抑えることができる。したがって本実施の形態にかかる阻害剤を、ウイルスの複製を阻害する抗ＨＩＶ−１薬として用いることができる。
本実施の形態にかかる、ナフチリジンダイマー、ナフチリジン−アザキノロンハイブリッド、トリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドまたはその誘導体を含む化合物群から選ばれる、少なくとも１種の化合物を含んでなる組成物から、例えば基盤（担体）を構成してもよい。このような基盤を用いて例えばチップ、キュベット、およびプレート等の器具を構成すれば、これらの器具に、培養液中や血水に含まれるＲＲＥの検出機能を持たせることができる。
以下、実施例により、本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらにより何ら限定されるものではない。
トリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを以下のようにして合成した。
（ｉ）ナフチリジンダイマー（７３ｍｇ）のメタノール溶液に酢酸数滴を加えｐＨ５とした。この溶液にグルタルアルデヒド（３６０ｍｇ）を加え、続いて水素化シアノホウ素ナトリウム（３．６ｍｇ）を加え室温で１０分反応させた。
反応混合物を水−クロロホルムで分配し、有機層を乾燥後濃縮した。粗生成物を、分取ＴＬＣを使って精製し、ナフチリジンダイマー含有アルデヒドを得た（２７．０ｍｇ）。
得られたナフチリジンダイマー含有アルデヒドをＮＭＲで測定したところ、以下に示す結果が得られた。
１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ＝１０．２９（ｂｒ，２Ｈ），９．６５（ｂｒ，１Ｈ），８．３２（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．８Ｈｚ），７．９３（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝９．２Ｈｚ），７．８３（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．０Ｈｚ），７．１４（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．４Ｈｚ），２．９８（ｍ，４Ｈ），２．８０（ｂｒ，４Ｈ），２．６９（ｓ，６Ｈ），２．６５（ｍ，４Ｈ），１．６４（ｍ，４Ｈ）；
１３ＣＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１００ＭＨｚ）δ＝２０２．６，１７１．８，１６２．７，１５４．３，１５３．６，１３８．５，１３６．２，１２１．１７，１１８．２，１１４．６，５３．７，４９．６，４３．５，３４．８，２５．７，２５．４，１９．９．
（ｉｉ）ナフチリジンダイマー含有アルデヒド（２２．３ｍｇ）のメタノール溶液に酢酸数滴を加えｐＨ５とした。この溶液にナフチリジンアザキノロン（２９．６ｍｇ）を加え、続いて水素化シアノホウ素ナトリウム（３．６ｍｇ）を加え室温で１５分反応させた。
反応混合物を水−クロロホルムで分配し、有機層を乾燥後濃縮した。粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーを使って精製し、トリナフチリジンアザキノロンを得た（１０．０ｍｇ）。
上述した合成反応を式Ａに示す。
得られたトリナフチリジンアザキノロンをＮＭＲで測定したところ、以下に示す結果が得られた。
１ＨＮＭＲ（ＣＤ３ＯＤ，４００ＭＨｚ）δ＝８．１１（ｂｒ，１Ｈ），８．１０（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．８Ｈｚ），８．０１（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．４Ｈｚ），７．９９（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．０Ｈｚ），７．８７（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．４Ｈｚ），７．８５（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．４Ｈｚ），７．６３（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．０Ｊｚ，７．５７（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝９．６Ｈｚ），７．２４（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．４Ｈｚ），７．１８（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．４Ｈｚ），６．９７（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．６Ｈｚ），６．３８（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝９．６Ｈｚ），４．３９（ｓ，２Ｈ），２．９８（ｂｒ，８Ｈ），２．７２（１０Ｈ），２．６２（ｓ，３Ｈ），２．６１（ｓ，６Ｈ），２．６０（２Ｈ），１．７０（ｍ，４Ｈ），１．４７（ｍ，２Ｈ）；
１３ＣＮＭＲ（ＣＤ３ＯＤ，１００ＭＨｚ）δ＝１７３．７，１７２．６．１６４．５，１６３．０，１６２．７，１６０．０，１５３．９，１５３．８３，１５３．７８，１５３．７，１４８．５，１３９．７，１３８．９，１３８．６，１３７．４，１３７．２，１３６．７，１２１．６，１２１．３，１２１．２，１１８．５，１１８．４，１１６．１，１１４．４，１１４．３，１１３．３，５４．０５，５３．８，５０．３，４９．６，４９．４，４８．７，４４．６，３３．９，２５．９，２４．９，２３．９，２３．８
（ｉ）ナフチリジンダイマー（７３ｍｇ）のメタノール溶液に酢酸数滴を加えｐＨ５とした。この溶液にグルタルアルデヒド（３６０ｍｇ）を加え、続いて水素化シアノホウ素ナトリウム（３．６ｍｇ）を加え室温で１０分反応させた。
反応混合物を水−クロロホルムで分配し、有機層を乾燥後濃縮した。粗生成物を、分取ＴＬＣを使って精製し、ナフチリジンダイマー含有アルデヒドを得た（２７．０ｍｇ）。
得られたナフチリジンダイマー含有アルデヒドをＮＭＲで測定したところ、以下に示す結果が得られた。
１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ＝１０．２９（ｂｒ，２Ｈ），９．６５（ｂｒ，１Ｈ），８．３２（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．８Ｈｚ），７．９３（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝９．２Ｈｚ），７．８３（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．０Ｈｚ），７．１４（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．４Ｈｚ），２．９８（ｍ，４Ｈ），２．８０（ｂｒ，４Ｈ），２．６９（ｓ，６Ｈ），２．６５（ｍ，４Ｈ），１．６４（ｍ，４Ｈ）；
１３ＣＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１００ＭＨｚ）δ＝２０２．６，１７１．８，１６２．７，１５４．３，１５３．６，１３８．５，１３６．２，１２１．１７，１１８．２，１１４．６，５３．７，４９．６，４３．５，３４．８，２５．７，２５．４，１９．９．
（ｉｉ）ナフチリジンダイマー含有アルデヒド（２２．３ｍｇ）のメタノール溶液に酢酸数滴を加えｐＨ５とした。この溶液にナフチリジンアザキノロン（２９．６ｍｇ）を加え、続いて水素化シアノホウ素ナトリウム（３．６ｍｇ）を加え室温で１５分反応させた。
反応混合物を水−クロロホルムで分配し、有機層を乾燥後濃縮した。粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーを使って精製し、トリナフチリジンアザキノロンを得た（１０．０ｍｇ）。
上述した合成反応を式Ａに示す。
１ＨＮＭＲ（ＣＤ３ＯＤ，４００ＭＨｚ）δ＝８．１１（ｂｒ，１Ｈ），８．１０（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．８Ｈｚ），８．０１（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．４Ｈｚ），７．９９（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．０Ｈｚ），７．８７（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．４Ｈｚ），７．８５（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．４Ｈｚ），７．６３（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．０Ｊｚ，７．５７（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝９．６Ｈｚ），７．２４（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．４Ｈｚ），７．１８（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．４Ｈｚ），６．９７（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．６Ｈｚ），６．３８（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝９．６Ｈｚ），４．３９（ｓ，２Ｈ），２．９８（ｂｒ，８Ｈ），２．７２（１０Ｈ），２．６２（ｓ，３Ｈ），２．６１（ｓ，６Ｈ），２．６０（２Ｈ），１．７０（ｍ，４Ｈ），１．４７（ｍ，２Ｈ）；
１３ＣＮＭＲ（ＣＤ３ＯＤ，１００ＭＨｚ）δ＝１７３．７，１７２．６．１６４．５，１６３．０，１６２．７，１６０．０，１５３．９，１５３．８３，１５３．７８，１５３．７，１４８．５，１３９．７，１３８．９，１３８．６，１３７．４，１３７．２，１３６．７，１２１．６，１２１．３，１２１．２，１１８．５，１１８．４，１１６．１，１１４．４，１１４．３，１１３．３，５４．０５，５３．８，５０．３，４９．６，４９．４，４８．７，４４．６，３３．９，２５．９，２４．９，２３．９，２３．８
ナフチリジンダイマーの存在下、非存在下のＲＲＥのＵＶ吸収スペクトルを指標としてドラッグをスクリーニングした。その結果を図７〜図１０に示す。
図７は、ナフチリジンダイマーおよびＲＲＥを混合させたときのＵＶ吸収スペクトルを示している。図７中、実線で示すのがＲＲＥのみ、破線で示すのがナフチリジンダイマーおよびＲＲＥ混合物の吸収からナフチリジンフリーの吸収を差し引いたスペクトルとなっている。
図８は、ナフチリジン−アザキノロンハイブリッドおよびＲＲＥを混合させたときのＵＶ吸収スペクトルを示している。図８中、実線で示すのがＲＲＥのみ、破線で示すのがナフチリジン−アザキノロンハイブリッドおよびＲＲＥ混合物の吸収からナフチリジン−アザキノロンハイブリッドフリーの吸収を差し引いたスペクトルとなっている。
図９は、構造式（７）
で表されるように、ナフチリジンダイマーの一方のナフチリジンをグアニンと水素結合できないキノリンに変えてなる第１キノリン含有化合物、および、ＲＲＥを混合させたときのＵＶ吸収スペクトルを示している。図９中、実線で示すのがＲＲＥのみ、破線で示すのが第１キノリン含有化合物フリーの吸収を差し引いたスペクトルとなっている。
図１０は、構造式（８）
で表されるように、ナフチリジンダイマーの一方のナフチリジンをグアニンと水素結合できないキノリンに変えてなる第２キノリン含有化合物、および、ＲＲＥを混合させたときのＵＶ吸収スペクトルを示している。図１０中、実線で示すのがＲＲＥのみ、破線で示すのが第２キノリン含有化合物フリーの吸収を差し引いたスペクトルとなっている。
本実施例では、ＲＲＥの吸収のない３００ｎｍ〜４００ｎｍを比較した。
図７〜図１０から、ＧＧミスマッチを認識するナフチリジンダイマーや、ＧＡミスマッチを認識するナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを用いた場合には、ＵＶ吸収スペクトルに大きな変化が確認された。しかしながら、一方のナフチリジン環をグアニンと水素結合できないキノリンに変えた第１および第２キノリン含有化合物では顕著な変化はなかった。
また、構造式（９）
で表されるナフチリジン単独、構造式（１０）
で表されるアザキノロン単独、および、構造式（１１）
で表されるキノロン単独それぞれと、ＲＲＥとを混合させたときでは、３００ｎｍ〜４００ｎｍではほとんど変化が見られなかった。ナフチリジン単独、アザキノロン単独、およびキノロン単独と、ＲＲＥとをそれぞれ混合させたときのＵＶ吸収スペクトルを、それぞれ、図１１〜図１３に示す。
以上の結果から、ＲＲＥに結合するためにはナフチリジンが２つあるナフチリジンダイマー、あるいは、ナフチリジンダイマーの一方のナフチリジンをアザキノロンに変えたナフチリジン−アザキノロンハイブリッドであることが必要であり、それぞれの構成分子単独では、ＲＲＥと結合しないことがわかった。
図７は、ナフチリジンダイマーおよびＲＲＥを混合させたときのＵＶ吸収スペクトルを示している。図７中、実線で示すのがＲＲＥのみ、破線で示すのがナフチリジンダイマーおよびＲＲＥ混合物の吸収からナフチリジンフリーの吸収を差し引いたスペクトルとなっている。
図８は、ナフチリジン−アザキノロンハイブリッドおよびＲＲＥを混合させたときのＵＶ吸収スペクトルを示している。図８中、実線で示すのがＲＲＥのみ、破線で示すのがナフチリジン−アザキノロンハイブリッドおよびＲＲＥ混合物の吸収からナフチリジン−アザキノロンハイブリッドフリーの吸収を差し引いたスペクトルとなっている。
図９は、構造式（７）
図１０は、構造式（８）
本実施例では、ＲＲＥの吸収のない３００ｎｍ〜４００ｎｍを比較した。
図７〜図１０から、ＧＧミスマッチを認識するナフチリジンダイマーや、ＧＡミスマッチを認識するナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを用いた場合には、ＵＶ吸収スペクトルに大きな変化が確認された。しかしながら、一方のナフチリジン環をグアニンと水素結合できないキノリンに変えた第１および第２キノリン含有化合物では顕著な変化はなかった。
また、構造式（９）
以上の結果から、ＲＲＥに結合するためにはナフチリジンが２つあるナフチリジンダイマー、あるいは、ナフチリジンダイマーの一方のナフチリジンをアザキノロンに変えたナフチリジン−アザキノロンハイブリッドであることが必要であり、それぞれの構成分子単独では、ＲＲＥと結合しないことがわかった。
ドラッグの結合によるＲＲＥのＣＤスペクトルの変化を調べた。その結果を図１４に示す。
図１４中、実線はＲＲＥのみ、破線はＲＲＥにナフチリジンダイマーを添加した場合、一点破線はＲＲＥにナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを添加した場合のスペクトルをそれぞれ示している。
図１４に示すように、ＲＲＥにナフチリジンダイマーを添加すると、スペクトル全体に大きな変化がみられた。また、ＲＲＥにナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを添加した場合でも３００ｎｍ以降にスペクトルの変化が見られた。
また、ドラッグの結合によるＲＲＥ−ｎｅｇのＣＤスペクトルの変化を調べた。その結果を図１５に示す。なお、ＲＲＥ−ｎｅｇとは、ＲＲＥのＧＧミスマッチとＧＡミスマッチからなるインターナルループをなくしたものであり、図１６に示す塩基配列を有するものである。
図１４および図１５に示す結果から、ナフチリジンダイマー、および、ナフチリジン−アザキノロンハイブリッドは、ＲＲＥのインターナルループに特異的に結合することがわかった。
図１４中、実線はＲＲＥのみ、破線はＲＲＥにナフチリジンダイマーを添加した場合、一点破線はＲＲＥにナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを添加した場合のスペクトルをそれぞれ示している。
図１４に示すように、ＲＲＥにナフチリジンダイマーを添加すると、スペクトル全体に大きな変化がみられた。また、ＲＲＥにナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを添加した場合でも３００ｎｍ以降にスペクトルの変化が見られた。
また、ドラッグの結合によるＲＲＥ−ｎｅｇのＣＤスペクトルの変化を調べた。その結果を図１５に示す。なお、ＲＲＥ−ｎｅｇとは、ＲＲＥのＧＧミスマッチとＧＡミスマッチからなるインターナルループをなくしたものであり、図１６に示す塩基配列を有するものである。
図１４および図１５に示す結果から、ナフチリジンダイマー、および、ナフチリジン−アザキノロンハイブリッドは、ＲＲＥのインターナルループに特異的に結合することがわかった。
図１７に示すようにして、ＳＰＲのセンサーチップ上に固定したナフチリジンダイマーに対する、ＲＲＥ、ＲＲＥ−ｎｅｇ、さらにＲＲＥ同様ＨＩＶ−ＲＮＡの標的として知られるＴＡＲ、ならびにシングルストランドＲＮＡ（ｓｓＲＮＡ）の結合の強さを調べた。その結果を図１８に示す。図１８中、実線で示すのがＲＲＥを用いた場合、破線で示すのがＲＲＥ−ｎｅｇを用いた場合、一点破線で示すのがＴＡＲを用いた場合、二点破線で示すのがｓｓＲＮＡを用いた場合を示している。（ＴＡＲおよびｓｓＲＮＡの塩基配列を、それぞれ、図１９、図２０に示す。）
図１８に示すように、ＲＲＥを用いた場合には、大きなＳＰＲシグナルが得られ、ナフチリジンダイマーとＲＲＥが強く結合していることがわかった。しかしながら、その他のＲＮＡではほとんどレスポンスがなかった。特に、ＴＡＲＲＮＡにはＲＲＥ同様、インターナルループがあるにもかかわらず、全く結合しなかった。
この結果より、ナフチリジンダイマーはＲＲＥのインターナルループの塩基配列を認識していることがわかった。
図１８に示すように、ＲＲＥを用いた場合には、大きなＳＰＲシグナルが得られ、ナフチリジンダイマーとＲＲＥが強く結合していることがわかった。しかしながら、その他のＲＮＡではほとんどレスポンスがなかった。特に、ＴＡＲＲＮＡにはＲＲＥ同様、インターナルループがあるにもかかわらず、全く結合しなかった。
この結果より、ナフチリジンダイマーはＲＲＥのインターナルループの塩基配列を認識していることがわかった。
ナフチリジンダイマーのＲＲＥへの結合様式を調べるため、ＵＶタイトレーションを行った。その結果を図２１および図２２に示す。なお、図２１は、種々の濃度のＲＲＥ存在下でのナフチリジンダイマーのＵＶ吸収スペクトルを示し、図２２は、図２１の３３２ｎｍにおける吸収強度から計算したＲＲＥに結合しているナフチリジンダイマーの加えた全ナフチリジンダイマーに対する割合を示している。
ＲＲＥの濃度の増加に伴い、ナフチリジンダイマーのＵＶ吸収が減少し、等吸収点を通って、複合体のＵＶ吸収が増加していくのが確認された。
このことから、ナフチリジンダイマーはＲＲＥの二本鎖にインターカレートしていること、ナフチリジンダイマーと、ナフチリジンダイマーで複合体を形成していることがわかった。
ＲＲＥの濃度の増加に伴い、ナフチリジンダイマーのＵＶ吸収が減少し、等吸収点を通って、複合体のＵＶ吸収が増加していくのが確認された。
このことから、ナフチリジンダイマーはＲＲＥの二本鎖にインターカレートしていること、ナフチリジンダイマーと、ナフチリジンダイマーで複合体を形成していることがわかった。
実際にナフチリジンダイマーならびにナフチリジン−アザキノロンハイブリッドによってＲｅｖ−ＲＲＥ複合体形成が阻害されるかどうかを蛍光偏光法により検討した。
偏光度すなわちアニソトロピーは、分子量の増大とともに大きくなる。図２３に示すように、フルオロセインを用いて蛍光標識したＲｅｖペプチド（以下、「Ｒｅｖ−Ｆ１」と略す）が、ＲＲＥと複合体を形成すると分子量の増大に伴い、アニソトロピーが大きくなる。なお、Ｒｅｖ−Ｆ１の構成は、図２４に示すとおりである。
種々の濃度のＲＲＥ存在下、Ｒｅｖ−Ｆ１のアニソトロピーを測定したところ、図２５に示すバインディングカーブが得られ、複合体の形成が確認された。
また、得られた結合曲線を解析することにより、ＲｅｖとＲＲＥの解離定数が１６ｎＭであることがわかった。
偏光度すなわちアニソトロピーは、分子量の増大とともに大きくなる。図２３に示すように、フルオロセインを用いて蛍光標識したＲｅｖペプチド（以下、「Ｒｅｖ−Ｆ１」と略す）が、ＲＲＥと複合体を形成すると分子量の増大に伴い、アニソトロピーが大きくなる。なお、Ｒｅｖ−Ｆ１の構成は、図２４に示すとおりである。
種々の濃度のＲＲＥ存在下、Ｒｅｖ−Ｆ１のアニソトロピーを測定したところ、図２５に示すバインディングカーブが得られ、複合体の形成が確認された。
また、得られた結合曲線を解析することにより、ＲｅｖとＲＲＥの解離定数が１６ｎＭであることがわかった。
阻害剤として、ナフチリジンダイマー、ナフチリジン−アザキノロンハイブリッド、ネオマイシンＢを用い、それぞれにおけるアニソトロピーの測定を行った。その結果を図２６に示す。図２６中、アニソトロピーの値が大きいほうから順に、ネオマイシンＢ、ナフチリジン−アザキノロンハイブリッド、ナフチリジンダイマーを加えた場合の解離曲線で、横軸が阻害剤の濃度である。
図２６から、ネオマイシンＢに比べ、ナフチリジンダイマーや、ナフチリジン−アザキノロンハイブリッドのほうが低い濃度でアニソトロピーの減少が確認された。このことから、ネオマイシンＢより、ナフチリジンダイマーや、ナフチリジン−アザキノロンハイブリッドのほうがＲｅｖ−ＲＲＥ複合体形成の阻害能が高いことがわかった。
また、複合体形成阻害のＩＣ５０値は、ネオマイシンが４マイクロモル、ナフチリジンダイマーが１．２マイクロモル、ナフチリジン−アザキノロンハイブリッドが２マイクロモルであった。
図２６から、ネオマイシンＢに比べ、ナフチリジンダイマーや、ナフチリジン−アザキノロンハイブリッドのほうが低い濃度でアニソトロピーの減少が確認された。このことから、ネオマイシンＢより、ナフチリジンダイマーや、ナフチリジン−アザキノロンハイブリッドのほうがＲｅｖ−ＲＲＥ複合体形成の阻害能が高いことがわかった。
また、複合体形成阻害のＩＣ５０値は、ネオマイシンが４マイクロモル、ナフチリジンダイマーが１．２マイクロモル、ナフチリジン−アザキノロンハイブリッドが２マイクロモルであった。
蛍光偏光法を用いて、トリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを阻害剤として用いたときの、複合体形成阻害のＩＣ５０値を求めたところ、ＩＣ５０値は、０．２マイクロモルであった。また、図２７に、ＲＲＥのみ（図中実線で示す）、ＲＲＥにナフチリジンダイマーを添加した場合（図中破線で示す）、ＲＲＥにトリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを添加した場合（図中一点破線で示す）、およびＲＲＥにトリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを添加した場合それぞれにおけるＲＲＥのＣＤスペクトルの変化を示す。
また図２８に、阻害剤として、ナフチリジンダイマー、ナフチリジン−アザキノロンハイブリッド、ネオマイシンＢ、およびトリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを用い、それぞれにおけるアニソトロピーの測定を行った結果を示す。（図２８中、アニソトロピー値が大きいほうから順に、ＲＲＥにネオマイシンＢを加えた場合、ＲＲＥにナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを加えた場合、ＲＲＥにナフチリジンダイマーを加えた場合、ＲＲＥにトリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを加えた場合の解離曲線を示し、横軸は阻害剤の濃度を示している。）これらの結果より、トリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを含んでなる阻害剤は、ネオマイシンＢの約２０倍の活性を持つことがわかった。
本発明にかかる阻害剤は、以上のように、ＲＲＥとＲｅｖタンパクとの結合を阻害する阻害剤であって、一般式（１）で表されるナフチリジンダイマーを含んでいる構成である。
また本発明にかかる阻害剤は、以上のように、一般式（２）で表されるナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを含んでいる構成である。
また本発明にかかる阻害剤は、以上のように、一般式（３）で表されるトリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを含んでいる構成である。
また本発明にかかる阻害剤は、以上のように、一般式（４）で表されるトリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドの誘導体を含む構成である。
それゆえ、阻害剤がＲＲＥ中のインターナルループに存在するＧＧミスマッチ塩基対および／またはＧＡに特異的に結合することにより、ＲＲＥとＲｅｖタンパクとの結合を阻害することの可能な阻害剤を提供することができるという効果を奏する。
なお、発明を実施するための最良の形態の項においてなされた具体的な実施態様または実施例は、あくまでも、本発明の技術内容を明らかにするものであって、そのような具体例にのみ限定して狭義に解釈されるべきものではなく、本発明の精神と次に記載する特許請求事項との範囲内で、いろいろと変更して実施することができるものである。
また図２８に、阻害剤として、ナフチリジンダイマー、ナフチリジン−アザキノロンハイブリッド、ネオマイシンＢ、およびトリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを用い、それぞれにおけるアニソトロピーの測定を行った結果を示す。（図２８中、アニソトロピー値が大きいほうから順に、ＲＲＥにネオマイシンＢを加えた場合、ＲＲＥにナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを加えた場合、ＲＲＥにナフチリジンダイマーを加えた場合、ＲＲＥにトリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを加えた場合の解離曲線を示し、横軸は阻害剤の濃度を示している。）これらの結果より、トリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを含んでなる阻害剤は、ネオマイシンＢの約２０倍の活性を持つことがわかった。
本発明にかかる阻害剤は、以上のように、ＲＲＥとＲｅｖタンパクとの結合を阻害する阻害剤であって、一般式（１）で表されるナフチリジンダイマーを含んでいる構成である。
また本発明にかかる阻害剤は、以上のように、一般式（２）で表されるナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを含んでいる構成である。
また本発明にかかる阻害剤は、以上のように、一般式（３）で表されるトリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを含んでいる構成である。
また本発明にかかる阻害剤は、以上のように、一般式（４）で表されるトリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドの誘導体を含む構成である。
それゆえ、阻害剤がＲＲＥ中のインターナルループに存在するＧＧミスマッチ塩基対および／またはＧＡに特異的に結合することにより、ＲＲＥとＲｅｖタンパクとの結合を阻害することの可能な阻害剤を提供することができるという効果を奏する。
なお、発明を実施するための最良の形態の項においてなされた具体的な実施態様または実施例は、あくまでも、本発明の技術内容を明らかにするものであって、そのような具体例にのみ限定して狭義に解釈されるべきものではなく、本発明の精神と次に記載する特許請求事項との範囲内で、いろいろと変更して実施することができるものである。
本発明の阻害剤は、ＡＩＤＳの発症を抑える抗ＡＩＤＳ剤等として利用することができる。また、本発明のナフチリジン誘導体は、上記の阻害剤を構成する成分として利用することができる。また、本発明に係るナフチリジンダイマー含有アルデヒドおよびナフチリジン−アザキノロンハイブリッド含有アルデヒドは、トリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドおよびその誘導体の製造中間体として利用することができる。また、本発明の基盤およびバイオセンサは、培養液中や血水に含まれるＲＲＥの検出機能を持つチップ、キュベット、プレート等に利用することができる。
Claims (16)
- ＲＲＥとＲｅｖタンパクとの結合を阻害する阻害剤であって、一般式（Ａ）
（式中、Ｒ，Ｒ１は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜１５のアルキル基であって該アルキル基中の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいアルキル基、炭素数１〜１５のアルコキシ基であって該アルコキシ基の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいアルコキシ基、または、炭素数１〜１５のモノもしくはジアルキルアミノ基であって該アルキルアミノ基の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいモノもしくはジアルキルアミノ基を示し、Ｘは、任意の二価基を示し、Ｙは、一般式（Ｂ）
で表される置換基、または一般式（Ｃ）
で表される置換基を示す）
で表されるナフチリジン誘導体を含んでいる阻害剤。 - 請求の範囲第１項に記載の阻害剤であって、上記ナフチリジン誘導体が、一般式（１）
（式中、Ｒ，Ｒ１は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜１５のアルキル基であって該アルキル基中の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいアルキル基、炭素数１〜１５のアルコキシ基であって該アルコキシ基の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいアルコキシ基、または、炭素数１〜１５のモノもしくはジアルキルアミノ基であって該アルキルアミノ基の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいモノもしくはジアルキルアミノ基を示し、Ｒ２は、炭素数１〜２０のアルキレン基であって該アルキレン基中の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子、硫黄原子、窒素原子、またはカルボニル基で置換されていてもよいアルキレン基を示す）
で表されるナフチリジンダイマーである阻害剤。 - 請求の範囲第１項に記載の阻害剤であって、上記ナフチリジン誘導体が、一般式（２）
（式中、Ｒ３は、水素原子、炭素数１〜１５のアルキル基であって該アルキル基中の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいアルキル基、炭素数１〜１５のアルコキシ基であって該アルコキシ基の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいアルコキシ基、または、炭素数１〜１５のモノもしくはジアルキルアミノ基であって該アルキルアミノ基の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいモノもしくはジアルキルアミノ基を示し、Ｒ４は、炭素数１〜２０のアルキレン基であって該アルキレン基中の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子、硫黄原子、窒素原子、またはカルボニル基で置換されていてもよいアルキレン基を示す）
で表されるナフチリジン−アザキノロンハイブリッドである阻害剤。 - 請求の範囲第１項に記載の阻害剤であって、上記ナフチリジン誘導体が、一般式（３）
（式中、Ｒ５〜Ｒ７は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜１５のアルキル基であって該アルキル基中の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいアルキル基、炭素数１〜１５のアルコキシ基であって該アルコキシ基の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいアルコキシ基、または、炭素数１〜１５のモノもしくはジアルキルアミノ基であって該アルキルアミノ基の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいモノもしくはジアルキルアミノ基を示す）
で表されるトリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドを含んでいる阻害剤。 - 請求の範囲第１項に記載の阻害剤であって、上記ナフチリジン誘導体が、一般式（４）
（式中、Ｒ８〜Ｒ１０は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜１５のアルキル基であって該アルキル基中の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいアルキル基、炭素数１〜１５のアルコキシ基であって該アルコキシ基の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいアルコキシ基、または、炭素数１〜１５のモノもしくはジアルキルアミノ基であって該アルキルアミノ基の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいモノもしくはジアルキルアミノ基を示し、Ｒ１１，Ｒ１２は、それぞれ、炭素数１〜２０のアルキレン基であって該アルキレン基中の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子、硫黄原子、窒素原子、またはカルボニル基で置換されていてもよいアルキレン基を示す）
で表されるトリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドの誘導体を含む阻害剤。 - ＲＲＥとＲｅｖタンパクとの結合を阻害する阻害剤であって、一般式（Ａ）
（式中、Ｒ，Ｒ１は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜１５のアルキル基であって該アルキル基中の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいアルキル基、炭素数１〜１５のアルコキシ基であって該アルコキシ基の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいアルコキシ基、または、炭素数１〜１５のモノもしくはジアルキルアミノ基であって該アルキルアミノ基の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいモノもしくはジアルキルアミノ基を示し、Ｘは、任意の二価基を示し、Ｙは、一般式（Ｂ）
で表される置換基、または一般式（Ｃ）
で表される置換基を示す）
で表されるナフチリジン誘導体。 - 請求の範囲第６項に記載のナフチリジン誘導体であって、一般式（５）
（式中、Ｒ１３，Ｒ１４は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜１５のアルキル基であって該アルキル基中の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいアルキル基、炭素数１〜１５のアルコキシ基であって該アルコキシ基の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいアルコキシ基、または、炭素数１〜１５のモノもしくはジアルキルアミノ基であって該アルキルアミノ基の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいモノもしくはジアルキルアミノ基を示し、Ｒ１５，Ｒ１６は、それぞれ、炭素数１〜１８のアルキレン基であって該アルキレン基中の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子、硫黄原子、窒素原子、またはカルボニル基で置換されていてもよいアルキレン基を示し、Ｒ１７は、炭素数１〜１４のアルキレン基であって該アルキレン基中の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいアルキレン基を示す）
で表されるナフチリジンダイマー含有アルデヒドであるナフチリジン誘導体。 - 請求の範囲第７項に記載のナフチリジン誘導体であって、ナフチリジンダイマーと、一般式（Ｄ）
（式中、ＲＡは、炭素数１〜１３のアルキレン基であって該アルキレン基中の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいアルキレン基を示す）
で表されるジアルデヒドとを反応させることによって得られるナフチリジン誘導体。 - 請求の範囲第６項に記載のナフチリジン誘導体であって、一般式（６）
（式中、Ｒ１８は、水素原子、炭素数１〜１５のアルキル基であって該アルキル基中の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいアルキル基、炭素数１〜１５のアルコキシ基であって該アルコキシ基の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいアルコキシ基、または、炭素数１〜１５のモノもしくはジアルキルアミノ基であって該アルキルアミノ基の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいモノもしくはジアルキルアミノ基を示し、Ｒ１９，Ｒ２０は、それぞれ、炭素数１〜１８のアルキレン基であって該アルキレン基中の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子、硫黄原子、窒素原子、またはカルボニル基で置換されていてもよいアルキレン基を示し、Ｒ２１は、炭素数１〜１４のアルキレン基であって該アルキレン基中の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいアルキレン基を示す）
で表されるナフチリジン−アザキノロンハイブリッド含有アルデヒド。 - 請求の範囲第９項に記載のナフチリジン誘導体であって、ナフチリジン−アザキノロンハイブリッドと、一般式（Ｄ）
（式中、ＲＡは、炭素数１〜１３のアルキレン基であって該アルキレン基中の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいアルキレン基を示す）
で表されるジアルデヒドとを反応させることによって得られるナフチリジン誘導体。 - 請求の範囲第６項に記載のナフチリジン誘導体であって、一般式（１）
（式中、Ｒ，Ｒ１は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜１５のアルキル基であって該アルキル基中の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいアルキル基、炭素数１〜１５のアルコキシ基であって該アルコキシ基の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいアルコキシ基、または、炭素数１〜１５のモノもしくはジアルキルアミノ基であって該アルキルアミノ基の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいモノもしくはジアルキルアミノ基を示し、Ｒ２は、炭素数１〜２０のアルキレン基であって該アルキレン基中の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子、硫黄原子、窒素原子、またはカルボニル基で置換されていてもよいアルキレン基を示す）
で表されるナフチリジンダイマーであるナフチリジン誘導体。 - 請求の範囲第６項に記載のナフチリジン誘導体であって、一般式（２）
（式中、Ｒ３は、水素原子、炭素数１〜１５のアルキル基であって該アルキル基中の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいアルキル基、炭素数１〜１５のアルコキシ基であって該アルコキシ基の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいアルコキシ基、または、炭素数１〜１５のモノもしくはジアルキルアミノ基であって該アルキルアミノ基の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいモノもしくはジアルキルアミノ基を示し、Ｒ４は、炭素数１〜２０のアルキレン基であって該アルキレン基中の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子、硫黄原子、窒素原子、またはカルボニル基で置換されていてもよいアルキレン基を示す）
で表されるナフチリジン−アザキノロンハイブリッドであるナフチリジン誘導体。 - 請求の範囲第６項に記載のナフチリジン誘導体であって、一般式（３）
（式中、Ｒ５〜Ｒ７は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜１５のアルキル基であって該アルキル基中の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいアルキル基、炭素数１〜１５のアルコキシ基であって該アルコキシ基の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいアルコキシ基、または、炭素数１〜１５のモノもしくはジアルキルアミノ基であって該アルキルアミノ基の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいモノもしくはジアルキルアミノ基を示す）
で表されるトリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドであるナフチリジン誘導体。 - 請求の範囲第６項に記載のナフチリジン誘導体であって、一般式（４）
（式中、Ｒ８〜Ｒ１０は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜１５のアルキル基であって該アルキル基中の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいアルキル基、炭素数１〜１５のアルコキシ基であって該アルコキシ基の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいアルコキシ基、または、炭素数１〜１５のモノもしくはジアルキルアミノ基であって該アルキルアミノ基の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいモノもしくはジアルキルアミノ基を示し、Ｒ１１，Ｒ１２は、それぞれ、炭素数１〜２０のアルキレン基であって該アルキレン基中の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子、硫黄原子、窒素原子、またはカルボニル基で置換されていてもよいアルキレン基を示す）
で表されるトリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドの誘導体であるナフチリジン誘導体。 - ナフチリジンダイマー、ナフチリジン−アザキノロンハイブリッド、トリナフチリジン−アザキノロンハイブリッドまたはその誘導体を含む化合物群から選ばれる、少なくとも１種の化合物を含んでなる組成物から構成されている基盤。
- ＲＲＥを検出するためのバイオセンサであって、一般式（Ａ）
（式中、Ｒ，Ｒ１は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜１５のアルキル基であって該アルキル基中の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいアルキル基、炭素数１〜１５のアルコキシ基であって該アルコキシ基の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいアルコキシ基、または、炭素数１〜１５のモノもしくはジアルキルアミノ基であって該アルキルアミノ基の１個またはそれ以上の炭素原子が酸素原子または窒素原子で置換されていてもよいモノもしくはジアルキルアミノ基を示し、Ｘは、任意の二価基を示し、Ｙは、一般式（Ｂ）
で表される置換基、または一般式（Ｃ）
で表される置換基を示す）
で表されるナフチリジン誘導体を担体に固定化してなるバイオセンサ。
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