JPWO2004022665A1 - 二光子吸収材料 - Google Patents
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Abstract
Description
化合物の二光子吸収断面積が小さい場合に、材料としての二光子吸収特性を向上させるためには、化合物濃度を高めることが一つの選択肢である。しかしながら、化合物の溶解度には限度があり、特性の著しい改善は不可能である。また、高濃度化は、二光子吸収材料中の他の成分に悪影響を及ぼす危険性があるので、必ずしも有効な方法ではない。例えば、二光子吸収光造型、三次元メモリなどにおいては、ポリマーの硬化能を阻害したり、或いは濃度消光により蛍光強度の減少を生じることがあり、二光子蛍光顕微鏡においては、観察対象である生体組織の活動に影響することがある。
化合物の二光子吸収断面積が小さく、かつその濃度を上げることができないため、材料としての二光子吸収特性を向上させることができない場合には、レーザーピーク強度を著しく高める必要がある。その結果、大規模なレーザー装置が必要となるだけではなく、材料を破壊させるに近い高強度エネルギーを使用するので、材料が容易に劣化し、或いは破壊されてしまうことすらある。
本発明者は、上記の様な技術の現状に留意しつつ、研究を進めた結果、特定のアセチレン系化合物が、一光子吸収ピークの近傍で巨大な二光子吸収断面積を有しており、低濃度で二光子吸収材料として優れた特性を発揮することを見出した。
すなわち、本発明は、下記の二光子吸収材料とそれを種々の用途に使用する応用材料および装置類を提供するものである。
1. 一般式(1)で示される化合物および一般式(2)で示される化合物からなる群から選ばれた少なくとも1種の化合物からなり、当該化合物の一光子紫外・可視・近赤外吸光のピーク波長から250nm以内の波長域で二光子吸収のピーク波長を示す二光子吸収材料;
(式中、R1およびR2は、同一或いは相異なって、水素原子又は炭素数1〜4のアルコキシ基を表し、nは1〜3の整数を示す。)、
(式中、R1、R2およびnは、上記に同じ。R3は、炭素数1〜3のアルキル基であり、A−は、RSO3 −(式中Rは、CF3、フェニル、トリル又は炭素数1〜3のアルキル基である)、ハロゲンアニオン又はClO4 −である。)。
2. 一般式(1)で示される化合物および一般式(2)で示される化合物からなる群から選ばれた少なくとも1種の化合物からなり、当該化合物の一光子紫外・可視・近赤外吸光のピーク波長から250nm以内の波長域で二光子吸収のピーク波長を示す二光子吸収材料からなる光制限材料;
(式中、R1およびR2は、同一或いは相異なって、水素原子又は炭素数1〜4のアルコキシ基を表し、nは1〜3の整数を示す。)、
(式中、R1、R2およびnは、上記に同じ。R3は、炭素数1〜3のアルキル基であり、A−は、RSO3 −(式中Rは、CF3、フェニル、トリル又は炭素数1〜3のアルキル基である)、ハロゲンアニオン又はClO4 −である。)。
3. 一般式(1)で示される化合物および一般式(2)で示される化合物からなる群から選ばれた少なくとも1種の化合物からなり、当該化合物の一光子紫外・可視・近赤外吸光のピーク波長から250nm以内の波長域で二光子吸収のピーク波長を示す二光子吸収材料からなる光造型用光硬化樹脂の硬化材料;
(式中、R1およびR2は、同一或いは相異なって、水素原子又は炭素数1〜4のアルコキシ基を表し、nは1〜3の整数を示す。)、
(式中、R1、R2およびnは、上記に同じ。R3は、炭素数1〜3のアルキル基であり、A−は、RSO3 −(式中Rは、CF3、フェニル、トリル又は炭素数1〜3のアルキル基である)、ハロゲンアニオン又はClO4 −である。)。
4. 一般式(1)で示される化合物および一般式(2)で示される化合物からなる群から選ばれた少なくとも1種の化合物からなり、当該化合物の一光子紫外・可視・近赤外吸光のピーク波長から250nm以内の波長域で二光子吸収のピーク波長を示す二光子吸収材料からなる三次元光メモリ材料;
(式中、R1およびR2は、同一或いは相異なって、水素原子又は炭素数1〜4のアルコキシ基を表し、nは1〜3の整数を示す。)、
(式中、R1、R2およびnは、上記に同じ。R3は、炭素数1〜3のアルキル基であり、A−は、RSO3 −(式中Rは、CF3、フェニル、トリル又は炭素数1〜3のアルキル基である)、ハロゲンアニオン又はClO4 −である。)。
5. 一般式(1)で示される化合物からなる群から選ばれた少なくとも1種の化合物からなり、当該化合物の一光子紫外・可視・近赤外吸光のピーク波長から250nm以内の波長域で二光子吸収のピーク波長を持ち、且つ蛍光性を示す二光子吸収材料からなる走査型二光子蛍光顕微鏡用蛍光色素材料;
(式中、R1およびR2は、同一或いは相異なって、水素原子又は炭素数1〜4のアルコキシ基を表し、nは1〜3の整数を示す。)。
6. 集光装置とコリメート装置との間に、上記項2に記載された光制限材料を配置した光制限装置。
7. パルスレーザー発生装置、パルスレーザー集光装置、光硬化性モノマー収容装置、及び光硬化性モノマー中の所定の集光位置をレーザービームで走査するための機構を備えた二光子吸収光造型装置であって、上記項3に記載された硬化材料が光硬化性モノマー中に含まれていることを特徴とする光造型装置。
8. パルスレーザー発生装置、パルスレーザー集光装置、三次元光メモリ材料、該メモリ材料の所定の集光位置をレーザービームで走査するための機構、および光学的読出し装置を備えた三次元光メモリ装置であって、該三次元メモリ材料が、下記一般式(1)で示される化合物からなる群から選ばれた少なくとも1種の化合物からなり、当該化合物の一光子紫外・可視・近赤外吸光のピーク波長から250nm以内の波長域で二光子吸収のピーク波長を持ち、且つ蛍光性を示す二光子吸収材料であることを特徴とする三次元メモリ装置;
(式中、R1およびR2は、同一或いは相異なって、水素原子又は炭素数1〜4のアルコキシ基を表し、nは1〜3の整数を示す。)。
9. パルスレーザー発生装置、パルスレーザー集光装置、上記項4に記載された三次元光メモリ材料、該メモリ材料の所定の集光位置をレーザービームで走査するための機構、および光メモリ材料中の屈折率変化を検出する機構を備えた三次元光メモリ装置。
10. パルスレーザー発生装置、パルスレーザー集光装置、上記項5に記載された蛍光色素材料、該蛍光色素材料の所定の集光位置をレーザービームで走査するための機構、および光検出装置を備えた二光子蛍光顕微鏡。
本発明の二光子吸収材料は、下記一般式(1)で示される化合物および(2)で示される化合物からなる群から選ばれた少なくとも一種の化合物からなり、当該化合物の一光子紫外・可視・近赤外吸光のピーク波長から250nm以内の波長域で二光子吸収のピーク波長を示すものである。
(式中、R1およびR2は、同一或いは相異なって、水素原子又は炭素数1〜4のアルコキシ基を表し、nは1〜3の整数を示す。)、
(式中、R1、R2およびnは、上記に同じ。R3は、炭素数1〜3のアルキル基であり、A−は、RSO3 −(式中Rは、CF3、フェニル、トリル又は炭素数1〜3のアルキル基である)、ハロゲンアニオン又はClO4 −である。)。
上記一般式(1)及び(2)において、炭素数1〜4のアルコシキ基としては、メトキシ、エトキシ、n−プロポキシ、イソプロポキシ、n−ブトキシ、イソブトキシ、sec−ブトキシ、tert−ブトキシ基等の直鎖状又は分枝鎖状のアルコシキ基を例示でき、炭素数1〜3のアルキル基としては、メチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル等の直鎖状又は分枝鎖状のアルキル基を例示できる。また、ハロゲンアニオンとしては、F−,Cl−,Br−,I−等を例示できる。
上記一般式(1)で表される化合物及び一般式(2)で表される化合物の具体例としては、下記式(3)、(4)及び(5)で表される化合物を挙げることができる。
上記化合物は、例えば、下記1〜4の公知文献などに記載された方法により製造することができる。その他の化合物も、同様の手法により、製造することができる。
1.Stilbazolium基を有するジアセチレンの合成とフェムト秒Z−scan法を用いた三次元非線形光学特性の評価(第50回高分子学会年次大会、要旨集vol.50、p.728)
2. スチリルピリジン誘導体を有するジアセチレンの合成とフェムト秒Z−scan法を用いた二光子吸収特性(第50回高分子討論会、要旨集vol.50、p.3318)
3. スチリルピリジル基を有するアセチレン誘導体の合成とフェムト秒Z−scan法を用いた二光子吸収特性の評価とその考察(第51回高分子学会年次大会子学会、要旨集vol.51、p.696)
4. Two−photon absorption property of bis(pyridylvinylenephenylene)diacetylene derivatives(6th International Conference of Organic Nonlinear Optics(ICONO6);要旨集、講演番号:Poster Session I,PS182001.)
本発明の二光子吸収材料は、前述の公知の二光子吸収材料において使用されている化合物と同様に、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミドなどの有機溶媒に溶解した状態で使用しても良く、或いはポリメタクリルメチルなどのポリマー中にドープして使用しても良く、或いは化合物そのものを単独で使用しても良い。
以下、図面を参照しつつ、本発明をさらに詳細に説明する。
図1は、本発明による二光子吸収材料の特性の一例を示すグラフであり、より具体的には、下記式(3)で示され、実施例1で使用するビス(2,5−ジメトキシ−4−(N−メチル−4−ピリジルビニレン)フェニル)ブタジイントリフレートについて、二光子吸収断面積を調べた結果を示すグラフである。
溶媒、濃度、二光子吸光係数の測定条件などについては、実施例1において詳述するが、図1から明らかな様に、650nmよりも短波長側で著しい二光子吸収断面積の増大が得られ、波長571nmにおいて最大2400×10−50cm4・sec・molecule−1・photon−1の巨大な二光子吸収断面積が得られている。この短波長側での二光子吸収断面積の著しい増大は、467nmの可視城にある一光子吸収のピーク波長近傍で生じ、後述の実施例2および3でも示される様に、常に一光子吸収のピーク波長近傍で二光子吸収断面積の著しい増大が得られる。
この巨大な二光子吸収断面積という特性は、一般式(1)で示される化合物および一般式(2)で示される化合物からなる本発明二光子吸収材料では、全ての化合物において得られるものであり、いずれも、一光子吸収のピーク波長から250nm以内の波長域で二光子吸収のピーク波長を示す。これは、従来知られていない新規な特性である。本発明二光子吸収材料は、この様な特性を利用して後述する各種の用途に有効に利用できる。
例えば、一般式(1)で示される化合物および一般式(2)で示される化合物は、上記した特性を利用して、光制限装置における光制限材料、光造型用光硬化樹脂の硬化材料、三次元光メモリ材料などとして有効に利用できる。
また、本発明で使用する化合物中で、一般式(1)で示される化合物は、蛍光性を示す化合物であり、上記した用途以外に、例えば、走査型二光子蛍光顕微鏡における蛍光色素材料などとして有用である。また、その蛍光性を利用した三次元メモリ材料としての応用も可能である。
以下、本発明による二光子吸収材料を用いる各種装置につき、説明する。但し、本発明による二光子吸収材料の使用は、これらの装置に限定されるものではなく、その他の種々の装置においても、優れた効果を発揮することは、いうまでもない。また、説明を簡略化するために、図示の装置においては、主要な構成要素のみを示しているが、実用的な装置においては、その他の公知の構成要素(図示せず)を使用する。
図2は、本発明による二光子吸収材料を光制限材料として用いる光制限装置の一例の概要を示す模式図である。
外部から(図2において、左側から)入射してきたレーザービームは、集光装置1(レンズ、凹面鏡など)により集光され、光制限材料2中で極めて高い光強度となり、二光子吸収を誘起して、吸収される。これに対し、通常光などの弱い光は、光制限材料中で二光子吸収を誘起することなく、そのままこれを通過し、コリメート装置3(レンズ、凹面鏡など)により、当初の光路に戻されて、装置を出射する。従って、この光制限装置においては、強度の強い光のみが装置により遮断されるので、出射側にある光検出器或いは観察者の肉眼がレーザービームから保護される。
図3は、本発明による二光子吸収材料を硬化材料として用いる光造型装置の一例の概要を示す模式図である。
レーザービームは、パルスレーザー発生装置4からミラー8を経て、パルスレーザー集光装置5(顕微鏡の対物レンズなど)により集光され、二光子吸収材料(硬化材料)を含む光硬化性モノマー6中で焦点を結び、高い光強度となり、二光子吸収を誘起する。この二光子吸収により、反応中間体が生成され、共存するモノマーが重合して、焦点近傍のみにポリマーが形成される。その結果、任意の形状の三次元構造物を造型することができる。レーザービームの微細制御を行う場合には、微小な三次元構造物を造型することもできる。この光造形装置は、所定の集光位置をレーザービームで走査するための機構を備えており、モノマー中でのレーザービーム焦点の移動は、光硬化性モノマー6を支持するステージ7を可動形式とする場合には、ミラー8を固定形式とし、ステージ7を固定形式とする場合には、ミラー8を可動形式(ガルバノミラーなど)とすることなどにより行うことができる。
図4は、本発明による二光子吸収材料を三次元光メモリ材料として用いる三次元メモリ装置の一例の概要を示す模式図である。この図は、一般式(1)で示される化合物を三次元光メモリ材料として用い、その蛍光性を利用する三次元メモリ装置の例である。
図4の装置では、パルスレーザー発生装置4からの光をダイクロイックミラー10を経て、パルスレーザー集光装置5により集光して、二光子吸収材料(三次元光メモリ材料)9中で所望の箇所に焦点を結ばせる。焦点では、二光子吸収により誘起された蛍光が発する。レーザー光強度を一定以上に高くすると、焦点部分の二光子吸収材料9が破壊されて、当該部分では蛍光が発生しなくなる。この様に制御された集光操作を繰り返し行うことにより、レーザー照射により蛍光を発生する部分と蛍光を発生しない部分とを任意の箇所に三次元的に形成することができる。かくして、情報の三次元的記録が可能となる。情報の読出しは、破壊強度よりも弱いレーザーをこの破壊部分と非破壊部分とに照射することにより、二光子吸収による蛍光を誘起し、これを集光装置5により集め、ダイクロイックミラー10でレーザー光と分離して、光検出器11などの光読出し装置で検出することにより行うことができる。この場合にも、上記メモリ装置は、所望の集光位置をレーザービームで走査するための機構を備えており、走査機構としては、例えば、ステージ7上に置かれた二光子吸収材料9を移動させても良く、或いは可動ミラー(ガルバノミラーなど)を用いてレーザービームを走査しても良い。
図5は、本発明二光子吸収材料の二光子吸収後に生じる屈折率変化を利用する三次元光メモリ装置の一例の概要を示す模式図である。この光メモリ装置では、一般式(1)で示される化合物及び一般式(2)で示される化合物からなる群から選ばれた少なくとも一種の化合物を光メモリ材料として用いることができる。
図5の装置では、情報の三次元的記録方法は、図4の装置と同様でよい。即ち、パルスレーザー発生装置4からの光をダイクロイックミラー10を経て、パルスレーザー集光装置5により集光して、二光子吸収材料(三次元光メモリ材料)9中で所望の箇所に焦点を結ばせる。焦点近傍では、二光子吸収後に生じる反応又は熱による変成によって二光子吸収材料に屈折率変化が生じる。この様に制御された集光操作を繰り返し行うことにより、任意の箇所に三次元的に屈折率の異なる部分を形成することができる。かくして、情報の三次元的記録が可能となる。
情報の読出しは、例えば、共焦点光学顕微鏡13を利用して、光メモリ材料9中の屈折率変化を検出することによって行うことができる。例えば、検出用光源14からの光を集光装置(レンズなど)15により集光して、光メモリ材料9中に屈折率変化として記録されている部分を照射する。照射された光は、集光装置(レンズなど)5及び集光装置(レンズなど)16を経てアパーチャー17を通過した後、集光装置(レンズなど)18で集光されて、光検出器11で検出される。記録位置での屈折率変化は、光検出器11において、光量の変化として検出することができる。この方法では、光メモリ材料9中の焦点に対応する焦点(共焦点)位置にアパーチャー17を設置することで、深さ方向の位置分解能が生じ、三次元的な記録の読み出しが可能となる。例えば、ステージ7を移動するか、アパーチャー17の位置を移動することにより、水平方向二次元的にスキャンして水平方向の記録の読み出しが可能となる。また、ステージ7を深さ方向に移動させることにより、深さ方向の読み出しが可能となる。
図6は、一般式(1)で示される二光子吸収材料を蛍光色素材料として用いる二光子蛍光顕微鏡の一例の概要を示す模式図である。
パルスレーザー発生装置4からの光をダイクロイックミラー10を経て、パルスレーザー集光装置5により集光して、二光子吸収材料12中で焦点を結ばせることにより、二光子吸収により誘起された蛍光を生じさせる。ステージ7上に置かれた二光子吸収材料12をレーザービームで走査し、各場所での蛍光強度を光検出器11などの光検出装置で検出して、得られた位置情報に基づいて、コンピュータでプロットすることにより、三次元蛍光像が得られる。この場合にも、該二光子蛍光顕微鏡は、所望の集光位置をレーザービームで走査するための機構を備えており、走査機構としては、例えば、ステージ7上に置かれた二光子吸収材料12を移動させても良く、或いは可動ミラー(ガルバノミラーなど)を用いてレーザービームを走査しても良い。
以上の通り、本発明による二光子吸収材料は、巨大な二光子吸収断面積を有しているので、低濃度で高い二光子吸収特性を発揮する。
従って、本発明によれば、高感度な二光子吸収材料が得られるだけでなく、材料の光破壊強度耐性が向上し、材料中の他成分の特性に対する悪影響も低下させることができる。
オープンアパーチャーZ−スキャン法により、二光子吸光係数を測定し、濃度を考慮に入れて二光子吸収断面積を算出したところ、467nmの可視域にある一光子吸収のピーク波長近傍である650nmより短波長側で、著しい二光子吸収断面積の増大が得られ、波長571nmにおいて、最大2400×10−50cm4・sec・molecule−1・photon−1の巨大な二光子吸収断面積が得られた。
オープンアパーチャーZ−スキャン法により、二光子吸光係数を測定し、濃度を考慮に入れて二光子吸収断面積を算出したところ、400nmの可視域にある一光子吸収のピーク波長近傍である650nmより短波長側で、著しい二光子吸収断面積の増大が得られ、波長596nmにおいて、最大571×10−50cm4・sec・molecule−1・photon−1の巨大な二光子吸収断面積が得られた(図7参照)。
オープンアパーチャーZ−スキャン法により、二光子吸光係数を測定し、濃度を考慮に入れて二光子吸収断面積を算出したところ、421nmの可視域にある一光子吸収のピーク波長近傍である650nmより短波長側で、著しい二光子吸収断面積の増大が得られ、波長579nmにおいて、最大600×10−50cm4・sec・molecule−1・photon−1の巨大な二光子吸収断面積が得られた(図8参照)。
Claims (10)
- 一般式(1)で示される化合物および一般式(2)で示される化合物からなる群から選ばれた少なくとも1種の化合物からなり、当該化合物の一光子紫外・可視・近赤外吸光のピーク波長から250nm以内の波長域で二光子吸収のピーク波長を示す二光子吸収材料からなる光制限材料;
(式中、R1およびR2は、同一或いは相異なって、水素原子又は炭素数1〜4のアルコキシ基を表し、nは1〜3の整数を示す。)、
(式中、R1、R2およびnは、上記に同じ。R3は、炭素数1〜3のアルキル基であり、A−は、RSO3 −(式中Rは、CF3、フェニル、トリル又は炭素数1〜3のアルキル基である)、ハロゲンアニオン又はClO4 −である。)。 - 一般式(1)で示される化合物および一般式(2)で示される化合物からなる群から選ばれた少なくとも1種の化合物からなり、当該化合物の一光子紫外・可視・近赤外吸光のピーク波長から250nm以内の波長域で二光子吸収のピーク波長を示す二光子吸収材料からなる光造型用光硬化樹脂の硬化材料;
(式中、R1およびR2は、同一或いは相異なって、水素原子又は炭素数1〜4のアルコキシ基を表し、nは1〜3の整数を示す。)、
(式中、R1、R2およびnは、上記に同じ。R3は、炭素数1〜3のアルキル基であり、A−は、RSO3 −(式中Rは、CF3、フェニル、トリル又は炭素数1〜3のアルキル基である)、ハロゲンアニオン又はClO4 −である。)。 - 一般式(1)で示される化合物および一般式(2)で示される化合物からなる群から選ばれた少なくとも1種の化合物からなり、当該化合物の一光子紫外・可視・近赤外吸光のピーク波長から250nm以内の波長域で二光子吸収のピーク波長を示す二光子吸収材料からなる三次元光メモリ材料;
(式中、R1およびR2は、同一或いは相異なって、水素原子又は炭素数1〜4のアルコキシ基を表し、nは1〜3の整数を示す。)、
(式中、R1、R2およびnは、上記に同じ。R3は、炭素数1〜3のアルキル基であり、A−は、RSO3 −(式中Rは、CF3、フェニル、トリル又は炭素数1〜3のアルキル基である)、ハロゲンアニオン又はClO4 −である。)。 - 集光装置とコリメート装置との間に、請求項2に記載された光制限材料を配置した光制限装置。
- パルスレーザー発生装置、パルスレーザー集光装置、光硬化性モノマー収容装置、及び光硬化性モノマー中の所定の集光位置をレーザービームで走査するための機構を備えた二光子吸収光造型装置であって、請求項3に記載された硬化材料が光硬化性モノマー中に含まれていることを特徴とする光造型装置。
- パルスレーザー発生装置、パルスレーザー集光装置、三次元光メモリ材料、該メモリ材料の所定の集光位置をレーザービームで走査するための機構、および光学的読出し装置を備えた三次元光メモリ装置であって、該三次元メモリ材料が、下記一般式(1)で示される化合物からなる群から選ばれた少なくとも1種の化合物からなり、当該化合物の一光子紫外・可視・近赤外吸光のピーク波長から250nm以内の波長域で二光子吸収のピーク波長を持ち、且つ蛍光性を示す二光子吸収材料であることを特徴とする三次元メモリ装置;
(式中、R1およびR2は、同一或いは相異なって、水素原子又は炭素数1〜4のアルコキシ基を表し、nは1〜3の整数を示す。)。 - パルスレーザー発生装置、パルスレーザー集光装置、請求項4に記載された三次元光メモリ材料、該メモリ材料の所定の集光位置をレーザービームで走査するための機構、および光メモリ材料中の屈折率変化を検出する機構を備えた三次元光メモリ装置。
- パルスレーザー発生装置、パルスレーザー集光装置、請求項5に記載された蛍光色素材料、該蛍光色素材料の所定の集光位置をレーザービームで走査するための機構、および光検出装置を備えた二光子蛍光顕微鏡。
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