JPWO2003087907A1 - 光ファイバーアレイ - Google Patents

Abstract

基板に所定の間隔で形成した複数の貫通孔に、光ファイバーを整列固定してなる光ファイバーアレイにおいて、前記貫通孔は光ファイバーの位置決め部とこの位置決め部よりも大径の保持部とからなる構成とした。また、複数の光ファイバーを該光ファイバーの軸を互いに平行に位置決めされかつ所定間隔に整列固定する光ファイバーアレイにおいて、該光ファイバー用アレイが複数の貫通孔を有し前記光ファイバーを前記貫通孔に挿入整列させた後に端面を仕上げる端部基板と、前記光ファイバーを支持する支持基板と、前記段部基板と前記支持基板に所定の間隔を持たせ対向させるスペーサとからなるよう構成した。

Description

技術分野
本発明は光伝送用途で、光スイッチ、光クロスコネクト、光アドドロップモジュール、プロテクションスイッチ等に組み込まれる光ファイバーが高精度に２次元配置された光ファイバーアレイに関する。
背景技術
光通信においては、ファイバーの複数本数の配線要求から、２次元配列のファイバーアレイを用いるようになった。当初は、基板に複数個の微細な穴を開口しファイバーを接着固定するアレイが用いられていた。
さらに、高密度・高精度な光配線要求（これらの光ファイバーアレイに形成する光ファイバー固定用の貫通穴の径は１２５〜１３０μｍ、ピッチ精度は、±数μｍが要求される）から、当初の基板に複数の穴を開口する方法では、微細な深穴を高精度に空ける技術が伴わなかったため、基板にＶ溝を加工したアレイを積み重ねる方式に切り替わってきた。
特開平６−２６５７３６号公報には、Ｖ溝を用いて、端面において光ファイバーが高精度に２次元配列された光ファイバーアレイが記載されている。ここでは、所定の間隔で基板表面に設けられたＶ溝に光ファイバーをセットし、上から押え板でファイバーを固定したユニットを上下方向に多段に積み上げることにより２次元状に光ファイバーを配列する光ファイバーアレイが提案されている。
また、１９９３年に開催された電子情報学会春季大会の論文（高密度２次元ファイバーアレイの試作）では、マイクロキャピラリー内に光ファイバーを挿通し、このマイクロキャピラリーを多数本束ねて金属板などで周囲を固定することで、２次元状に光ファイバーを配列した光ファイバーアレイとする提案が成されている。
また、特表２００２−５０６５３５号公報には、光ファイバーの先端を円錐または角錐に研磨し、精密に穴位置を加工した治具に挿入突き当てることによりファイバー中心の位置精度を確保する方法が提案されている。
更に、特開２００２−３６５４６５号公報には、基板に光ファイバーのクラッド層よりも若干大径の狭いセクションと、この狭いセクションに光ファイバーを導くテーパ状の広いセクションを形成し、光ファイバー先端のバッファ層を剥離して中心にコア層を有するクラッド層を剥き出しにし、このクラッド層を前記狭いセクションに挿入するとともに、前記広いセクション内にはエポキシ樹脂等を充填し、光ファイバーを所定位置に固定する方法が提案されている。
最近では、光伝送の更なる高速化・高集積化が要求され、これに合わせて光ファイバーアレイも６４本あるいは１００本以上の光ファイバーを２次元状に配列した多チャンネル化したものが求められるようになってきている。
しかも小型化からの要求から、穴芯ピッチは２５０μｍから１３００μｍ、ピッチ精度は、±２μｍが要求される。
また、ファイバーから発せられた光線は距離をおいたレンズアレイなどへ正確に届く必要が出てきており、光ファイバー中心の位置のみならず、ファイバー軸の平行性も必要となっている。
このような仕様に対して、特開平６−２６５７３６号公報に開示されるような、シリコン基板に機械加工でＶ溝形成するのは、精度上極めて困難である。しかも基板を上下方向に積層した場合には、積層による左右方向のズレも生じてしまう。特に、ピッチが２５０μｍから１３００μｍのように高密度構成を得るのは困難である。
また、マイクロキャピラリー内に光ファイバーを挿通して束ねる方法にあっては、マイクロキャピラリーの肉厚を均一にしないと光ファイバーの芯間隔がずれてしまう。芯ズレを起こさないような均一な肉厚のマイクロキャピラリーを製造するのは極めて困難であり、またマイクロキャピラリー内に光ファイバーを挿通する作業も面倒で、接着剤等による高精度の位置決めも非常に難しい。
更に、マイクロキャピラリー等のセラミック製品の材料は、ジルコニアを用いる場合が多く、ジルコニアは焼成時の収縮が大きく寸法誤差が生じるという問題もある。
また、特表２００２−５０６５３５号公報のように、光ファイバーを円錐または角錐の加工し治具に突き当てる方法では、光ファイバーの加工コスト高、および治具背面にクリアランスがあることが予想され、先端ファイバーの中心位置は確保できても光ファイバーの軸の互いの平行度は確保できない。
同様の問題が特開２００２−３６５４６５号公報に開示される方法にも言える。本発明は、光ファイバーを高精度に配置し光ファイバーの軸の平行性に優れた光ファイバーアレイを提供することを目的とする。
発明の開示
上記課題を解決するために第１発明は、基板に所定の間隔で形成した複数の貫通孔に、光ファイバーを整列固定してなる光ファイバーアレイにおいて、前記貫通孔は光ファイバーの位置決め部とこの位置決め部よりも大径の保持部とからなる構成とした。
光ファイバーが挿入される貫通孔を、高精度に加工された光ファイバー位置決め部と、光ファイバーを支える保持部とで構成することにより、光ファイバーの配置が高精度に行える。
前記位置決め部の基板厚み方向の長さを少なくとも０．３ｍｍとし、この位置決め部の径を光ファイバーの直径に対して０．２μｍ〜１．４μｍ大きくし、また前記保持部の径を光ファイバーの直径に対して１μｍ〜３０μｍ大きくすることで、精度が必要とされる位置決め部を高精度に加工でき、しかも光ファイバーを確実に保持することができる。
前記基板として、厚さが０．３ｍｍから１．５ｍｍのシリコン単結晶を選定することができる。このようにすることで、フォトリソグラフィ技術を利用して、±１μｍ以上の芯ピッチを容易に出せ、一度に大量に処理できコスト的に有利になる。
また前記基板として、厚さが０．３ｍｍから１．５ｍｍの多結晶セラミックスを選定することができる。このようにすることで、硬度・曲げ強度・靭性が大きく、耐食性もあり、長期の高信頼性が得られる。
また、第２発明は、複数の光ファイバーを該光ファイバーの軸を互いに平行に位置決めして所定間隔に整列固定する光ファイバーアレイにおいて、この光ファイバーアレイは、端面が仕上げ加工された光ファイバーの端部を支持する端部基板と、光ファイバーの端部から離れた箇所を支持する支持基板と、前記端部基板と前記支持基板に所定の間隔を持たせ対向させるスペーサとからなる構成とした。
このように、端部基板と支持基板をスペーサにより一定の距離を持って構成することにより、光ファイバーの配置及び光ファイバー軸の平行度が高精度になる。
上記第２発明において、端部基板に形成した貫通孔と前記光ファイバーとのクリアランスを０．２μｍから１．４μｍとし、前記支持基板に形成した貫通孔と前記光ファイバーとのクリアランスを０．２μｍから６μｍ、好ましくは０．２μｍから２μｍとすることが好ましい。
斯かる構成とすることで光ファイバーを挿入する際にスムーズに挿入可能で、精度を必要とされる端部では精度よく位置決めができ、しかもスペーサにより距離が保たれるので光ファイバーの軸の平行性を確実に保持することができる。スペーサの材質は熱膨張係が前記基板に近似したものが好ましい。
前記端部基板および前記支持基板を、厚みが０．１５ｍｍから１ｍｍの多結晶セラミックとすることで、硬度・曲げ強度・靭性が大きく、耐食性もあり、長期の高信頼性が得られる。
また、前記端部基板および前記支持基板を、厚みが０．１５ｍｍから１ｍｍのシリコン単結晶とすることで、フォトリソグラフィ技術を利用して、±１μｍ以内の芯ピッチを容易に出せ、同じ穴位置で画描後穴位置のみ端部用・支持用２種類の穴寸法でマスクを製作した基板を対で使用することにより、平行性は極めて向上し、一度に大量に処理できるため安価となる。この場合、貫通穴は円形に限らず、対辺寸法を所定クリアランスとした角穴でもかまわない。
また、基板は同じフォトリソマスクを径のみ変更した物で製作することがもっとも光ファイバーの軸の平行性を確保するのに有効である。
また、前記スペーサが光ファイバーを接着する接着剤の流入口を除いて閉塞している構成とすることができる。スペーサ内には接着剤が入れられるので、接着剤が漏れないように閉塞させておくのが望ましい。
また、上記の光ファイバーアレイの貫通孔に光ファイバーを挿入し、少なくとも前記端部基板および前記支持基板に該光ファイバーを接着固定することによって、光ファイバーが高精度に位置決めされた光コネクタが得られる。
発明を実施するための最良の形態
以下に本発明の実施の形態を第１図から第１０図を用いて説明する。
第１図は光ファイバーアレイ１を示す正面図である。縦１０ｍｍ、横１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの基板１１に第１図（ａ）では４×８の合計３２個の貫通孔１２が形成され、第１図（ｂ）では１２×１２の合計１４４個の貫通孔１２が形成されている。貫通孔の数はこれらに限定されるものではなく任意に設定できる。
第２図は貫通孔１２の断面図である。１ｍｍ厚の内、高精度のファイバー位置決め部１２１の穴をφ０．１２５ｍｍ＋１．４μｍ〜＋０．２μｍで０．３ｍｍ深さまで確保し、残り０．７ｍｍはファイバー保持部１２２の穴としてφ０．１２５ｍｍ＋３０μｍ〜＋１μｍに加工している。
ファイバー保持部の挿入口には、０．１ｍｍ程度のＲを施しファイバーを挿入しやすくしている。
光ファイバーアレイ１の基板１１の３２個の貫通孔１２に、シングルモードの光ファイバーをそれぞれ挿入し、接着後、ファイバー端面及び基板をともに研磨する。
この研磨では最大０．０５ｍｍ程度削る。したがって、位置決め部１２１の深さとしては０．２ｍｍ〜０．４ｍｍ、好ましくは０．２５ｍｍ〜０．３５ｍｍ程度の深さがよい。０．４ｍｍより深くなると孔が曲ったり、径の精度としてファイバー径に対して＋０．２μｍ〜＋１．４μｍから外れるようになる。
しかる後に反射防止薄膜をコーティングし、３２芯光ファイバーアレイができあがる。
そのため高精度のファイバー位置決め部の穴を形成する方法としては、多結晶セラミックスでは、マイクロ穴放電加工またはレーザ加工により下穴をあけ、次いでワイヤーカット放電加工、レーザ加工（ＹＡＧ・フェムト秒）、テーパーワイヤーラップ等のうちの１つもしくは複数の工程により高精度に形成できる。また、超音波加工や研削でマイクロ穴加工をする方法も考えられるが、砥石の消耗を考慮する必要がある。多結晶セラミックスとしては、ＡｌＴｉＣ、ＺｒＢ_２、ジルコニア、アルミナ、炭化珪素、窒化珪素、マシナブルセラミックス、シリコン含浸炭化珪素等などが適用できる。
第３図（ａ）〜（ｄ）は位置決め部、保持部の製作方法の一例を説明した図であり、基板としては電気抵抗０．００３Ω・ｃｍのアルチック（放電加工可能なセラミック）を使用した。
先ず、放電加工機のＸＹステージ（ワーク台）に前記基板を固定し、ＸＹステージを移動させて、所定の配列位置に（ａ）に示すように最大径が０．１φの貫通穴を加工した。電極径・加工条件は求める径にあったものを用いた。
その後、（ｂ）に示すように保持部の長さまで０．１φの電極で放電加工し、（ｃ）に示すように０．１４φの保持部を形成した。
この後、基板を高精度のワイヤーカットのワーク台にセットし、各穴に０．０８φのワイヤーを通し、円状に移動させてワイヤー外周で放電加工して、位置決め部とした。
実施例は、１０×１０×１ｍｍの基板に０．２５×０．２５ｍｍのピッチで４列×８段（３２穴）の加工を実施し、ピッチ精度±２μｍ、位置決め部０．１２５φ〜０．１２６５φ、保持部０．１４φ〜０．１５φの精度が得られた。
実施例は基板単体の加工であるが、上下の形状が相似形の位置決め部を得たい場合には、個々に放電加工した基板をワイヤーカットにセットする際に重ね合わせ、２枚同時にワイヤーカットすればよい。
また、シリコン単結晶ではフォトリソグラフィによるマスキング及びエッチングにより加工可能である。
また、貫通孔は位置決め部と保持部とを同時に加工してもよいが、別々に加工してもよい。
位置決め部と保持部とを別々に加工する場合は、保持部となる穴、すなわちファイバー径より１μｍ〜３０μｍ、好ましくは１０μｍ〜２０μｍ程度大きい穴を０．７ｍｍ程度の深さで先に穿設し、次いで位置決め部を上述の方法で加工すると位置精度および孔の径の精度が高精度に加工することができる。
また、保持部の穴入り口へは３０μｍ〜３００μｍのＲまたはＣ面取りを施すと実際にファイバーの挿入組み立てが容易となる。
ファイバー挿入側のＲ、Ｃ面取りはダイヤモンド刃物による機械加工やブラシ研磨、遊離砥粒を用いる超音波加工で可能である。
本実施例では、３２個のファイバーのコアの位置ずれを２．４μｍ以内で組み立てる事ができた。
また、保持部の径をファイバー径より１〜３０μｍ大きい孔としたのでファイバーの倒れや接着強度にも問題のない光ファイバーアレイとなった。３０μｍより大きい穴とするとファイバーの倒れの問題が生じる可能性がある。
（アレイの実施例）
次に組み立てたアレイの一例の断面図を第４図に示す。
アレイは厚さ０．４ｍｍの端部基板１１１と、厚さ０．４ｍｍの支持基板１１２と、これら端部基板１１１と支持基板１１２との間に設けられるスペーサ１３から構成される。
端部基板１１１及び支持基板１１２にはファイバーの挿入口１１１ａ、１１２ａが形成され、挿入口１１１ａは上から０．２ｍｍの深さまでのファイバー保持部の径をφ０．１２５ｍｍ＋３０μｍ〜＋１μｍ、下部分０．２ｍｍのファイバー位置決め部の径をφ０．１２５ｍｍ＋１．４μｍ〜＋０．２μｍとされ、上端には０．０５ｍｍ程度のＲが施され、また挿入口１１２ａの径はφ０．１２５ｍｍ＋２μｍ〜＋０．２μｍとされ、上端には０．０５ｍｍ程度のＲが施されている。
前記スペーサ１３は第６図に示すように、上下方向および一側に開放されるスリット１３ａが４本形成された櫛歯状をなしている。このスリット１３ａの幅は０．２〜０．３ｍｍとされ、ファイバーを挿入する際のガイドとなるとともに、スペーサ１３は基板の略全域をカバーしているので、例えば端部基板１１１に装着した光ファイバーの先端部を研磨するなどの後加工の際に基板をバックアップする機能を有する。
特に、スペーサ１３を櫛歯状にした場合には、端部基板１１１及び支持基板１１２を組付けた後に、側面にスリット１３ａが開口しているので、この開口から接着剤をスリット１３ａ内に充填して光ファイバーを固定することができる。
また、挿入口１１１ａの上端部の径よりもスリット１３ａの下端部の幅を小さくし、スリット１３ａの上端部の幅よりも挿入口１１２ａの下端部の径を小さくすることで、上方から光ファイバー１５を挿入する際に、光ファイバーの先端が段差部に当たって折れるなどの不具合が生じない。
第７図（ａ）〜（ｅ）はスペーサ１３の別実施例を示す図であり、（ａ）に示したスペーサ１３はファイバー径に対し十分大きな径の挿入孔を形成している。（ｂ）に示したスペーサ１３は片方が座ぐられた形状をしている。（ｃ）〜（ｅ）に示したスペーサ１３はそれぞれファイバー束の部分を抜いたリング状・コ字状・枡形状としている。
また、アレイの別実施例の断面図を第８図に示す。
この別実施例は、厚み０．３ｍｍの端部基板１１１の穴の前面側をφ０．１２５ｍｍ＋１．４μｍ〜＋０．２μｍとし、穴奥部はファイバー挿入に障害のない径を確保してあればよい。ファイバーの挿入口には０．０５ｍｍ程度のＲを施しファイバーの挿入をしやすくしている。
同様に０．３ｍｍ厚みの支持基板１１２の穴をφ０．１２５ｍｍ＋２μｍ〜０．２μｍとし裏表に同様にＲ加工を施しファイバー挿入ガイドおよび組み立て時のファイバーを折れにくくしている。
スペーサ１３を３ｍｍ厚みとし端部基板と支持基板の貫通孔の位置をあわせた場合ファイバーを挿入組み立てた軸の最大倒れθは、ファイバーの外形寸法をφ０．１２４５ｍｍ、支持基板の貫通孔をφ０．１２７ｍｍとした場合、ｔａｎθ＝０．００２５／（０．３×２＋３）で０．０４度を確保できる。同様にスペーサ１３を５ｍｍ厚みとすると０．０３度を確保できる。
第９図は本発明のアレイの組み立て方法の例を説明する図面である。
支持基板１１２とスペーサ１３及び端部基板１１１の接着は粘性の低い接着剤を用いる。
先ず支持基板１１２の上にスペーサ１３を載せ接着硬化させる。スペーサ１３のもう一方の面に端部基板１１１を当接させる。尚、図ではスペーサ１３の上に支持基板１１２を載せているがどちらを上にしてもよい。
しかる後に両基板の３２個の貫通孔のうち２次元配置で４隅の穴に１２５．０μｍの鋼製ピンゲージ１６を挿入し、両基板の貫通孔の位置を仮合わせし、この状態で光ファイバー１５を複数本両基板に貫通させ、その後ピンゲージを抜き取る。実際の組立現場ではピンゲージに磨耗や曲がりがある場合が想定され、これに起因する両基板のずれを防止するためである。この状態でスペーサ１３と端部基板１１１合わせ面に接着剤を流入し接着硬化させる。
硬化終了後ピンゲージを抜き取る。硬化前にピンゲージを抜き取ると基板がずれる可能性があり、硬化後の抜き取りが好ましい。
ピンゲージ１６を抜き取った後、シングルモードの光ファイバー１５をそれぞれ貫通孔に挿入し、光ファイバー１５を接着後端部基板１１１と支持基板１１２とに接着する。この際に使用する接着剤は粘性が低く収縮率の少ないもの（メレテクノロジー社製ＸＬ１９３など）を使用した。
また、光ファイバーは組み立て時に基板による傷・折れを防ぐため、クラッドを樹脂被服し強化してあるもの（昭和電線電機社製Ｓ−Ｔｙｌｕｓなど）を使用した。
その後ファイバー１５端面及び端部基板１１１をともに研磨する。この際研磨加工コスト、精度出しの困難さ、端部基板１１１の反射の影響を減らすため、端部基板１１１は光ファイバー１５を保持する面のみを残し研削加工などにより段状のにがし１７（第６図参照）を作った後に研磨加工することが好ましい。
本実施例では第１０図に示すように、光ファイバー１５の最外側から１ｍｍ離れた線で囲まれた面以外を＃３２０のダイヤモンド砥石で深さ７０μｍの段上のにがし加工を行った後研磨した。この研磨では最大０．０５ｍｍ（５０μｍ）程度削られる。したがって、端部基板１１１の厚みとしては０．２ｍｍ〜１．０５ｍｍ、好ましくは０．２５ｍｍ〜０．４ｍｍ程度の厚みがよい。
しかる後に反射防止薄膜をコーティングし、３２芯光ファイバーアレイができあがる。
端部基板１１１が０．２ｍｍと薄い場合は、接着剤１４の厚みを厚くすることで後加工に必要な強度を得ることができる。
また、スペーサは、接着剤の流入口が開口されている以外は閉塞していることが望ましい。接着剤の漏れが防止できる。
基板１１に高精度のファイバー位置決め部の穴加工する方法としては、多結晶セラミックスでは、マイクロ穴放電加工またはレーザ加工により下穴を空け、次いでワイヤーカット放電加工、レーザ加工（ＹＡＧ・フェムト秒）、テーパーワイヤーラップ等の内の１つもしくは複数の工程により高精度化できる。
また、超音波加工や研削でマイクロ穴加工をする方法も考えられるが、砥石の消耗を考慮する必要がある。多結晶セラミックスとしては、ＡｌＴｉＣ、ＺｒＢ_２、ジルコニア、アルミナ、炭化珪素、窒化珪素、マシナブルセラミックス、シリコン含浸炭化珪素等などが適用できる。
また、シリコン単結晶ではフォトリソグラフィによるマスキング及びエッチングにより加工可能である。
ここで、端部基板１１１と支持基板１１２の貫通孔は同時に加工してもよいが、別々に加工してもよい。
しかし両基板を重ねあわせて同時加工するか、同じマスクによりフォトリソグラフィにより加工するなどの方法がより好ましい。すなわち貫通穴のセンター相対位置はきわめて高精度に重なりファイバー１５の平行性を確保し、端部基板１１１のクリアランスを０．２〜１．４μｍとすることにより、ファイバー先端の位置を高精度に定めることができ、支持基板１１２を数ミクロン大きくすることにより、現実に多数のファイバーの組み立てが可能となる。
また、両基板１１１，１１２の貫通穴入り口及び支持基板ファイバー出口側へは３０μｍ〜１００μｍのＲまたはＣ面取りを施すと実際にファイバーを挿入組み立てが容易となってよい。
基板のＲ、Ｃ面取りはダイヤモンド刃物による機械加工やブラシ研磨、遊離砥粒を用いる超音波加工やフォトリソエッチングまたは基板穴あけ後のコーティング等の肉盛りで可能である。
本実施例では、３２個のファイバーのコアの位置ずれを、コア間距離２５０μｍでコア位置ずれ量の平均値０．８μｍ、標準偏差０．６μｍ、最大のずれ２．４μｍで組み立てる事ができた。測定方法は、出来上がったファイバーアレイの全ファイバーのコアに可視光を入射し、端面を高精度カメラで撮影し、これを画像処理しコアの中心座標を算出した。
また、端部基板１１１と支持基板１１１２との位置を３ｍｍのスペーサ１３により離したのでファイバー１５の軸が極めて平行性のよいアレイを得ることができた。
産業上の利用可能性
以上に説明したように本発明によれば、容易に光ファイバーを挿入接着作業が可能となり、さらにファイバーを高精度に２次元配置できる光ファイバーアレイを提供することができる。また、互いの光ファイバー軸の平行性に優れる光ファイバーアレイを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）及び（ｂ）は、光ファイバーアレイを示す正面図である。
第２図は、本発明にかかる貫通孔の断面図である。
第３図（ａ）〜（ｄ）は、位置決め部、保持部の製作方法の一例を説明した図である。
第４図は、本発明にかかる端部基板、スペーサ、支持基板からなる光ファイバーアレイの断面図である。
第５図は、第４図に示した光ファイバーアレイの要部拡大断面図である。
第６図は、スペーサの斜視図である。
第７図（ａ）〜（ｅ）は、スペーサの別実施例を示す図である。
第８図は、別実施例に係る光ファイバーアレイの断面図である。
第９図は、本発明の光ファイバーアレイの組み立て方法を示す図である。
第１０図は、本発明にかかる端部基板ににがしを設けた図である。

Claims (10)

1. 基板に所定の間隔で形成した複数の貫通孔に、光ファイバーを整列固定してなる光ファイバーアレイにおいて、前記貫通孔は光ファイバーの位置決め部とこの位置決め部よりも大径の保持部とからなることを特徴とする光ファイバーアレイ。
2. 請求の範囲第１項に記載の光ファイバーアレイにおいて、前記位置決め部の基板厚み方向の長さが少なくとも０．３ｍｍでこの位置決め部の径が前記光ファイバーの直径に対して０．２μｍ〜１．４μｍ大きく、また前記保持部の径が前記光ファイバーの直径に対して１μｍ〜３０μｍ大きいことを特徴とする光ファイバーアレイ。
3. 請求の範囲第１項または第２項に記載の光ファイバーアレイにおいて、前記基板は、厚さが０．３ｍｍから１．５ｍｍのシリコン単結晶であることを特徴とする光ファイバーアレイ。
4. 請求の範囲第１項または第２項に記載の光ファイバーアレイにおいて、前記基板は、厚さが０．３ｍｍから１．５ｍｍの多結晶セラミックスであることを特徴とする光ファイバーアレイ。
5. 複数の光ファイバーを該光ファイバーの軸を互いに平行に位置決めして所定間隔に整列固定する光ファイバーアレイにおいて、この光ファイバーアレイは、端面が仕上げ加工された光ファイバーの端部を支持する端部基板と、光ファイバーの端部から離れた箇所を支持する支持基板と、前記端部基板と前記支持基板に所定の間隔を持たせ対向させるスペーサとからなることを特徴とする光ファイバーアレイ。
6. 請求の範囲第５項に記載の光ファイバーアレイにおいて、前記端部基板に形成した貫通孔と前記光ファイバーとのクリアランスを０．１μｍから１．４μｍとし、前記支持基板に形成した貫通孔と前記光ファイバーとのクリアランスを０．２μｍから２μｍとすることを特徴とする請求の範囲第５項に記載の光ファイバーアレイ。
7. 請求の範囲第５項または第６項に記載の光ファイバーアレイにおいて、前記端部基板および前記支持基板の厚みは０．１５ｍｍから１ｍｍで、材質はシリコン単結晶であることを特徴とする光ファイバーアレイ。
8. 請求の範囲第５項または第６項に記載の光ファイバーアレイにおいて、前記端部基板および前記支持基板の厚みは０．１５ｍｍから１ｍｍで、材質は多結晶セラミックであることを特徴とする光ファイバーアレイ。
9. 請求の範囲第５項乃至第８項のいずれかに記載の光ファイバーアレイにおいて、前記スペーサが光ファイバーを接着する接着剤の流入口を除いて閉塞していることを特徴とする光ファイバーアレイ。
10. 請求の範囲第５項乃至第９項のいずれかに記載の光ファイバーアレイにおいて、前記光ファイバーは接着剤にて端部基板および支持基板に接着されることを特徴とする光ファイバーアレイ。

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