JPWO2002097843A1 - 電極、電子放出素子及びそれを用いた装置 - Google Patents
電極、電子放出素子及びそれを用いた装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2002097843A1 JPWO2002097843A1 JP2003500934A JP2003500934A JPWO2002097843A1 JP WO2002097843 A1 JPWO2002097843 A1 JP WO2002097843A1 JP 2003500934 A JP2003500934 A JP 2003500934A JP 2003500934 A JP2003500934 A JP 2003500934A JP WO2002097843 A1 JPWO2002097843 A1 JP WO2002097843A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron
- film
- electrode
- carbon
- boron
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
- H01J1/304—Field-emissive cathodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
Description
本発明は半導体からの電子放出を利用する電極、電子放出素子に関するものである。
背景技術
冷陰極はフィールドエミッションディスプレー、電子ビーム露光機、マイクロ波進行波管、撮像素子等に応用できる。また、電子ビームを用いたオージェ電子分光装置等の材料評価装置の電子源としても用いることができ、様々な用途に対応できる。
従来、冷陰極としては金属やシリコンを用いて尖塔形状を作製したスピント型と呼ばれている電子放出素子が研究開発されてきたが、上記の応用に対して更に低電圧動作、高電流動作および素子の信頼性が要求され、スピント型冷陰極の特性改善や新しい冷陰極用材料の研究開発がすすめられている。ダイヤモンド、窒化アルミニウム、窒化ホウ素は負性電子親和力を有する材料として注目され、また、近年、カーボンナノチューブやカーボンナノファイバといった電界集中因子を大きくできる材料の合成がすすみ、低電圧での電子放出が観測され、フィールドエミッションディスプレイ等への応用が期待されている。しかしこれらのカーボンナノチューブやカーボンナノファイバからの電子放出特性における空間安定性について問題があった。今後更なる低電圧動作、高電流動作も望まれている。
このような状況でスピント型冷陰極の特性改善については表面への異なった材料のコーティングが検討されてきている。また、カーボンナノチューブやカーボンナノファイバからの電子放出時の空間安定性を向上させるためにもコーティング技術が注目される。これまでにいくつかの試みが為されているが、更に優れた電子放出特性の実現が望まれている。
本発明は上記の状況を鑑みてなされたもので、従来に優る電子放出特性をもった冷陰極を提供することを目的とする。
発明の開示
上記目的を達成するための本発明の電極は、厚さ50nm以下の電子親和力4eV以下の膜を表面に有することを特徴とする。なお、膜の厚さは薄いほど好ましいが、下限としては製造コストを考慮して3nmが好ましい。また、電子親和力としては3.5eV以下が好ましい。電子親和力は小さいほど好ましくマイナスの値をとれば更に好ましい。
また、前記の膜がIII族原子と窒素原子の化合物、窒化ホウ素炭素、ダイヤモンドのいずれかであることを特徴とする。III族原子と窒素原子の化合物としては、窒化ホウ素(BN)、窒化アルミニウム(AlN)、窒化ホウ素アルミニウム(AlBN)、窒化ホウ素ガリウム(BGaN)、窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)、窒化ホウ素炭素(BCN)、ダイヤモンドがあげられる。
また、前記の膜にシリコン、イオウ、酸素、リン原子のいずれかを含有することを特徴とする。かかる原子を含有する場合は、フェルミ準位の上昇という効果を奏する。含有量としては、原子%で、0.001%〜1%が好ましく、0.01%〜0.1%がより好ましい。
また、前記の膜の表面に水素が存在することを特徴とする。表面に水素が存在する場合には、電子親和力の低下という効果が達成される。なお、表面に水素を存在させるためには、膜の堆積後、水素プラズマ処理を行えばよい。
また、前記の膜が凹凸を有するまたは尖塔形状を有する基板上に存在することを特徴とする。膜が凹凸又は尖塔形状を有する場合には、凹凸又は尖塔形状部の膜内及び膜表面で電界強度を上昇させるという効果が達成される。凹凸は10〜50nmとすることが好ましい。
また、前記の膜がカーボンナノチューブ、カーボンナノファイバ上に存在することを特徴とする。この場合には、更に膜内及び表面の電界強度が上昇するという効果を達成する。
また、本発明の電子放出装置は、前記電極を陰極として備えたことを特徴とする。
さらに、本発明のプラズマディスプレイは前記電極を放電セルの電極として用いたことを特徴とする。
本発明の電子放出素子をディスプレイに用いた場合、低電圧動作、明瞭な画像を実現できる。
本発明の電子放出素子を電子ビーム露光装置に用いた場合、高解像度の電子ビーム露光装置が実現できる。
本発明の電子放出素子をマイクロ波進行波管に用いた場合、高出力マイクロ波出力を得られることができる。
本発明の電子放出素子を撮像素子に用いた場合、明瞭な画像が実現できる。
本発明の電子放出素子を電子ビームを用いた材料評価装置に用いた場合、評価精度の向上が実現できる。
また、本発明の電極を発光素子の電極に用いることを特徴とする。本発明の電極を発光素子に用いた場合、高輝度で鮮明な発光が得られ、高品質な照明および表示が実現できる。
また、本発明の電極を用いた発光素子を液晶ディスプレイのバックライトに用いた場合、高輝度で消費電力の少ない液晶ディスプレイが実現できる。
更に、本発明の有機発光装置は前記電極を備えたことを特徴とする。本発明の電極を有機発光装置に用いた場合、高輝度で鮮明な発光が得られ、公品質な表示装置が実現できる。
発明を実施するための最良の形態
次に本発明の実施の形態について説明する。
本発明による電子放出装置は3.5eV以下の電子親和力をもつ半導体膜を従来のシリコンやモリブデンで作製されるスピント型冷陰極、他の金属や半導体基板表面に凹凸を設けて作製される冷陰極、金属基板上にカーボンナノチューブやカーボンナノファイバを作製した冷陰極、および金属や半導体平坦基板に50nm以下の厚さに設ける。
前記の従来の冷陰極やカーボンナノチューブやカーボンナノファイバおよび陰極基板として用いられているほとんどの材料は仕事関数が4eV以上であるため、本発明の薄膜を設けることにより、従来の冷陰極の電子放出特性の改善および信頼性の向上に効果を発揮すると共に、作製の容易な平板型電子放出装置の提供が可能となる。
(実施例)
以下に各々の基板上に作製する本発明の電子放出装置の実施例について、具体的に説明する。
(実施例1)
図1は本発明の第1実施例に係る電子放出装置の断面概略図を示す。実施例1の電子放出装置は基板1、窒化ホウ素薄膜2、SiOx膜3、引き出し電極4、アノード電極5、電源6、7、カソード電極8で構成されている。
基板1としてここではシリコンを用いた。その上に三塩化ホウ素と窒素ガスを用いたプラズマアシスト化学気相合成(CVD)法によって窒化ホウ素薄膜2を25nm碓積した。窒化ホウ素薄膜2にはイオウ原子を1×1018cm−3の濃度に添加した。
次に、窒化ホウ素薄膜2上にSiOx薄膜3を800nm、および引き出し電極4用金属としてTi(20nm)/Au(500nm)を電子ビーム蒸着法で形成する。また、シリコン基板1の裏面にカソード電極8としてAl(500nm)を電子ビーム蒸着した。その後、フォトリソグラフィー工程を用いて、引き出し電極4用金属およびSiOx薄膜3をエッチングにより除去し、直径5μmの窓を形成する。
窓の中に露出した窒化ホウ素薄膜2表面を水素プラズマで処理した後、真空チェンバー内でアノード電極5となる金属板を窒化ホウ素薄膜2に対向させ、その間隔を125μmとした。
引き出し電極4を接地し、カソード電極8とアノード電極5に各々バイアスを加えて、8×10−7Torr以下の真空度で放出電流を測定した。アノード電圧を500Vと一定にし、カソード電圧を変化させた。カソード電極8に40V印加することにより0.1mAの高い放出電流が得られた。
シリコン基板上に窒化ホウ素薄膜を上記の方法で堆積させ、厚さの異なる試料において引き出し電極4を作製しないで、窒化ホウ素薄膜とアノード電極5間を125μmと一定にして電子放出電流が1×10−11A得られる時の平均しきい値電界を調べると図2の結果が得られる。このことから更に薄膜化を行うことによりしきい値電界の低下が期待できる。
本発明による電子放出特性の改善は本発明の半導体膜を設けることにより、それを設けない場合の冷陰極に比べ、実効的な仕事関数が低減できることによっている。ここでは窒化ホウ素膜を用いたが、窒化ホウ素以外に図3に示すような低い電子親和力を有する材料を用いることができる。III族原子と窒素原子からなる化合物は有機金属化学気相合成(MOCVD)法や分子線エビタキシャル(MBE)法によって薄膜合成ができ、電子放出装置の作製に用いられる。
また、本実施例では窒化ホウ素の合成にプラズマCVD法を用いたが、窒化ホウ素炭素膜の合成に対しても同様のプラズマCVD法を用い、メタンガス等を用いて炭素を供給することにより薄膜の堆積ができる。ダイヤモンドについてはプラズマCVD法やホットフィラメントCVD法によって合成できる。
イオウ不純物を添加した窒化ホウ素薄膜2を用いたが、ドナー不純物となるリチウム、酸素、シリコン等の原子を添加した窒化ホウ素薄膜3を用いることもできる。上記の窒化ホウ素以外のIII族原子と窒素原子からなる化合物に対しても同様の不純物を用いることができる。また、ダイヤモンドについてはイオウ、リン、ホウ素、窒素を不純物として用いることができる。
ここでは基板材料としてシリコンを用いたが、それ以外の金属、ガリウムヒ素、インジウムリン、炭化ケイ素、窒化ガリウム等、様々な導体および半導体を用いても作製できる。また、引き出し電極4用金属としてTi/Auを用いたが、Tiの代わりにCr、Auの代わりには様々な金属を用いることができる。
半導体基板を用いる場合にはオーミック電極形成可能な材料であればどのような金属でもカソード電極8用金属として用いる事ができ、導体基板を用いる場合には基板自身をカソード電極として用いることができる。
(実施例2)
図4は本発明の第2実施例に係る電子放出装置の断面概略図を示す。シリコン基板1上にスピント型尖塔形状が形成され、本発明の窒化ホウ素炭素膜が設けられた電子放出装置であり、基板21、窒化ホウ素炭素薄膜22、SiOx膜23、引き出し電極24、アノード電極25、電源26、27、カソード電極28、尖塔形状29で構成されている。
取り出し電極24を持つ尖塔形状29が作製されたn型シリコン基板1(111)を用い、尖塔形状部29に本発明の窒化ホウ素炭素薄膜22を形成する。プラズマアシスト化学気相合成法により三塩化ホウ素とメタンと窒素ガスを用いて窒化ホウ素炭素薄膜22(組成比、ホウ素0.4、炭素0.2、窒素0.4)を25nm堆積した。窒化ホウ素炭素薄膜22にはイオウ原子を1×1018cm−3の濃度に添加した。シリコン基板1の裏面にカソード電極28としてAl(500nm)を電子ビーム蒸着した。窒化ホウ素炭素薄膜22表面を水素プラズマで処理した後、真空チェンバー内でアノード電極25となる金属板を窒化ホウ素炭素薄膜22を有する尖塔形状部29に対向させ、その間隔を125μmとした。引き出し電極24を接地し、カソード電極28とアノード電極25に各々バイアスを加えて、8×10−7Torr以下の真空度で放出電流を測定した。アノード電圧を500Vと一定にし、カソード電圧を変化させた。カソード電極28に30V印加することにより0.1mAの高い放出電流が得られた。
ここでは窒化ホウ素炭素薄膜を用いたが、窒化ホウ素をはじめ前記の他の材料も用いることができる。
(実施例3)
図5は本発明の第3実施例に係る電子放出装置の断面概略図を示す。実施例3の電子放出装置はn型窒化ガリウム層30が形成されたシリコン基板31、窒化ホウ素炭素薄膜32、SiOx膜33、引き出し電極34、アノード電極35、電源36、37、カソード電極38で構成されている。
有機金属化学気相合成法によってn型シリコン基板31(111)面上にシリコン添加n型窒化ガリウム層30を1μm成長させたウェハーを基板として用いる。マイクロ波により水素プラズマを生成し、窒化ガリウム層30の表面を処理する。マイクロ波出力300W、水素流量を50sccm、ガス圧力40Torrに設定し、5分間処理を行う。水素プラズマ処理によって平坦な窒化ガリウム層30表面は10〜50nmの凹凸を有する表面に変化する。その上に三塩化ホウ素とメタンと窒素ガスを用いたプラズマアシスト化学気相合成法によって窒化ホウ素炭素薄膜32(組成比、ホウ素0.4、炭素0.2、窒素0.4)を25nm堆積した。
窒化ホウ素炭素薄膜32にはイオウ原子を1×1018cm−3の濃度に添加した。
次に、窒化ホウ素炭素薄膜32上にSiOx薄膜33を800nm、および引き出し電極34用金属としてTi(20nm)/Au(500nm)を電子ビーム蒸着法で形成する。また、シリコン基板31の裏面にカソード電極38としてAl(500nm)を電子ビーム蒸着した。その後、フォトリソグラフィー工程を用いて、引き出し電極34用金属およびSiOx薄膜33をエッチングにより除去し、直径5μmの窓を形成する。窓の中に露出した窒化ホウ素炭素薄膜32表面を水素プラズマで処理した後、真空チェンバー内でアノード電極35となる金属板を窒化ホウ素炭素薄膜32に対向させ、その間隔を125μmとした。引き出し電極34を接地し、カソード電極38とアノード電極35に各々バイアスを加えて、8×10−7Torr以下の真空度で放出電流を測定した。アノード電圧を500Vと一定にし、カソード電圧を変化させた。カソード電極38に40V印加することにより0.1mAの高い放出電流が得られた。
本実施例では水素プラズマ処理によって凹凸表面を作製したが、表面に凹凸を形成するためのプラズマを生成するガスとして酸素、塩素、フッ素等を含むガスも使用できる。プラズマの生成にはマイクロ波だけではなくRF電力を用いる事もでき、プラズマ処理において試料にバイアスをかけることは表面形状の制御に有効である。
(実施例4)
図6は本発明の第4実施例に係る電子放出装置の断面概略図を示す。金属基板41上にカーボンナノファイバ40が形成され、本発明の窒化ホウ素炭素膜が設けられた電子放出装置であり、基板41、窒化ホウ素炭素薄膜42、SiOx膜43、引き出し電極44、アノード電極45、電源46、47で構成されている。
金属基板41上にカーボンナノファイバ40を作製し、その上に本発明の窒化ホウ素炭素薄膜42を形成する。プラズマアシスト化学気相合成法により三塩化ホウ素とメタンと窒素ガスを用いて窒化ホウ素炭素薄膜42(組成比、ホウ素0.4、炭素0.2、窒素0.4)を25nm堆積した。窒化ホウ素炭素薄膜42にはイオウ原子を1×1018cm−3の濃度に添加した。次に、窒化ホウ素炭素薄膜42上にSiOx薄膜43を800nm、および引き出し電極44用金属としてTi(20nm)/Au(500nm)を電子ビーム蒸着法で形成する。その後、フォトリソグラフイー工程を用いて、引き出し電極44用金属およびSiOx薄膜43をエッチングにより除去し、直径5μmの窓を形成する。窓の中に露出した窒化ホウ素炭素薄膜42表面を水素プラズマで処理した後、真空チェンバー内でアノード電極45となる金属板を窒化ホウ素炭素薄膜42に対向させ、その間隔を125μmとした。引き出し電極44を接地し、金属基板41をカソード電極とし、金属基板41とアノード電極45に各々バイアスを加えて、8×10−7Torr以下の真空度で放出電流を測定した。アノード電圧を500Vと一定にし、カソード電圧を変化させた。金属基板41に10V印加することにより0.1mAの高い放出電流が得られた。
実施例2〜4においても電子放出部の材料として実施例1で述べたように本発明に係るIII族原子と窒素原子の化合物、窒化ホウ素炭素、ダイヤモンドのいずれの材料も用いることができる。また、実施例1〜4において2つ以上の電子放出部を同一基板上に作製し、アレーを実現することができる。
(実施例5)
図7は本発明の第5実施例に係る電子放出素子を用いた発光素子の断面概略図を示す。金属基板51上にカーボンナノファイバ50が形成され、本発明の窒化ホウ素炭素膜が設けられた発光素子(ランプ)であり、基板51、窒化ホウ素炭素薄膜52、引き出し電極54、アノード電極55、カソード電極58、蛍光体510、ガラス管511で構成されている。
金属基板51上にカーボンナノファイバ50を作製し、その上に本発明の窒化ホウ素炭素薄膜52を形成する。プラズマアシスト化学気相合成法により三塩化ホウ素とメタンと窒素ガスを用いて窒化ホウ素炭素薄膜52(組成比、ホウ素0.4、炭素0.2、窒素0.4)を10nm堆積した。窒化ホウ素炭素薄膜42にはイオウ原子を1×1018cm−3の濃度に添加した。メッシュ上の引き出し電極54を付け、蛍光体510の上にアノード電極55が形成されたガラス管511の中に入れ、真空封入する。カソード電極58に対して引き出し電極54に400Vかけ、アノード電極55に10kV印可することにより500μAの電流が得られ光放射が観測された。
(実施例6)
図8は本発明の第6の実施例に係る電極を用いた有機発光素子の断面概略図を示す。ガラス基板61上にITO透明電極を用いて陽極62を形成し、その上に有機薄膜を用いて正孔輸送層63、発光層64を形成し、陰極65を本発明の窒化ホウ素薄膜66と小さい仕事関数を持つ金属(リチウムやマグネシウム)67で構成されている。本発明の陰極を用いることにより電子の注入効率を向上させることができ、発光特性が改善された有機発光素子が得られる。
(実施例7)
本発明の第4実施例の金属基板41上に形成するカーボンナノファイバ40のかわりに、ステンレス繊維または繊維片を用いて、第4実施例と同様に放出電流を測定したが第4実施例と同様の特性が得られた。
(実施例8)
本発明の第4実施例の金属基板41上に形成するカーボンナノファイバ40のかわりに、ホウ素と窒素によって形成された繊維又は繊維片を用いて、第4実施例と同様に放出電流を測定したが第4実施例よりも高い特性が得られた。
(実施例9)
本発明の第4実施例の金属基板41上に形成するカーボンナノファイバ40のかわりに、ホウ素と窒素と炭素によって形成された繊維又は繊維片を用いて、第4実施例と同様に放出電流を測定したが第8実施例よりも高いの特性が得られた。
産業上の利用可能性
以上説明したように、本発明による厚さ50nm以下の窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素アルミニウム、窒化ホウ素ガリウム、窒化アルミニウムガリウム、窒化ホウ素炭素、ダイヤモンドのいずれかの膜を有する電子放出装置において低電圧動作、高電流動作が可能になり、凹凸や尖塔形状を有する基板上、また、カーボンナノチューブやカーボンナノファイバ上に本発明の膜を有することにより更にその効果は大きく、信頼性も向上する。これによって高性能電子放出装置が提供でき、表示装置、電子ビーム露光機、撮像装置、発光素子および電子ビームを用いた材料評価装置のキーデバイスとして効果的である。また、本発明の電極を用いて有機発光装置を作製することにより輝度の向上が実現し、表示装置として広範囲の実用化が可能となる。
【図面の簡単な説明】
図1は、本発明の電子放出装置の実施例1を示す断面図
図2は、電子放出しきい値電界と膜厚の関係を示すグラフ
図3は、電子親和力と材料の関係を示すグラフ
図4は、本発明の電子放出装置の実施例2を示す断面図
図5は、本発明の電子放出装置の実施例3を示す断面図
図6は、本発明の電子放出装置の実施例4を示す断面図
図7は、本発明の発光素子の実施例5を示す断面図
図8は、本発明の有機発光素子の実施例6を示す断面図
(符号の説明)
1、21、31、41・・基板
2、22、32、42・・膜
3、23、33、43・・SiOx膜
4、24、34、44・・引き出し電極
5、25、35、45・・アノード電極
6、26、36、46、7、27、37、47・・電源
8、28、38・・カソード電極
29・・尖塔部
30・・窒化ガリウム層
40・・カーボンナノチューブまたはカーボンナノファイバ
Claims (16)
- 厚さ50nm以下の電子親和力4.0eV以下の膜を表面に有することを特徴とする電極。
- 前記膜がIII族原子と窒素原子の化合物、窒化ホウ素炭素、ダイヤモンドのいずれかであることを特徴とする請求項1記載の電極。
- 前記膜にシリコン、イオウ、酸素、リン原子、リチウム、ホウ素、窒素のいずれかを含むことを特徴とする請求項1または2記載の電極。
- 前記膜の表面に水素が存在することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項記載の電極。
- 前記膜が、凹凸を有するまたは尖塔形状を有する基板の表面に存在することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項記載の電極。
- 前記膜が、カーボンナノチューブまたはカーボンナノファイバの表面に存在することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項記載の電極。
- 前記膜が、ステンレス繊維または繊維片の表面に存在することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項記載の電極。
- 前記膜が、ホウ素と窒素によって形成された繊維又は繊維片の表面に存在することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項記載の電極。
- 前記膜が、ホウ素と窒素と炭素によって形成された繊維又は繊維片の表面に存在することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項記載の電極。
- 請求項1ないし9のいずれか1項記載の電極を冷陰極として用いたことを特徴とする電子放出装置。
- 請求項1ないし9のいずれか1項記載の電極を放電セルの電極として用いたことを特徴とするプラズマディスプレイ。
- 請求項7ないし10のいずれか1項記載の電子放出素子を用いたことを特徴とするフィールドエミッションディスプレイ、電子ビーム露光装置、マイクロ波進行波管、撮像素子、電子ビームを用いた材料評価装置。
- 請求項10記載の電子放出装置を用いたことを特徴とする発光素子。
- 請求項13記載の発光素子を用いたことを特徴とする照明装置、液晶ディスプレイのバックライト、表示ランプ。
- 請求項1ないし9のいずれか1項記載の電極を用いたことを特徴とする有機発光装置。
- 請求項15記載の有機発光装置を用いたことを特徴とする表示装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001158371 | 2001-05-28 | ||
JP2001158371 | 2001-05-28 | ||
PCT/JP2002/005153 WO2002097843A1 (fr) | 2001-05-28 | 2002-05-28 | Electrode, element d'emission d'electrons et dispositif d'utilisation correspondant |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2002097843A1 true JPWO2002097843A1 (ja) | 2004-09-30 |
Family
ID=19002107
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003500934A Pending JPWO2002097843A1 (ja) | 2001-05-28 | 2002-05-28 | 電極、電子放出素子及びそれを用いた装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPWO2002097843A1 (ja) |
WO (1) | WO2002097843A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4976026B2 (ja) * | 2006-03-07 | 2012-07-18 | 株式会社リコー | 帯電器、画像形成装置 |
EP2013926A4 (en) * | 2006-04-26 | 2011-06-29 | Univ California | ORGANIC LUMINAIRE DIODES WITH STRUCTURED ELECTRODES |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0794081A (ja) * | 1993-09-23 | 1995-04-07 | Okano Osamu | ダイヤモンドを用いたエレクトロン・エミッターおよびエレクトロン・エミッター・アレーの作製 |
JPH07296797A (ja) * | 1994-04-27 | 1995-11-10 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | リチウム二次電池用負極およびそれを用いてなるリチウム二次電池 |
JPH09185942A (ja) * | 1995-10-31 | 1997-07-15 | Fuji Electric Co Ltd | 冷陰極素子及びその製造方法 |
JP3580930B2 (ja) * | 1996-01-18 | 2004-10-27 | 住友電気工業株式会社 | 電子放出装置 |
JPH11273551A (ja) * | 1998-03-23 | 1999-10-08 | Nec Corp | 窒化ホウ素を用いた電子放出素子及びその製造方法 |
JP2000251834A (ja) * | 1999-03-02 | 2000-09-14 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置 |
JP2000090811A (ja) * | 1998-09-16 | 2000-03-31 | Agency Of Ind Science & Technol | 冷電子放出素子とその製造方法 |
JP2000299082A (ja) * | 1999-04-13 | 2000-10-24 | Seiko Epson Corp | パターン形成方法並びに電子線放出素子及びその製造方法 |
JP2000348601A (ja) * | 1999-06-07 | 2000-12-15 | Sony Corp | 電子放出源及びその製造方法、並びにその電子放出源を用いたディスプレイ装置 |
JP3582410B2 (ja) * | 1999-07-09 | 2004-10-27 | 松下電器産業株式会社 | 電子放出素子およびその製造方法 |
US6504292B1 (en) * | 1999-07-15 | 2003-01-07 | Agere Systems Inc. | Field emitting device comprising metallized nanostructures and method for making the same |
JP3597740B2 (ja) * | 1999-11-10 | 2004-12-08 | シャープ株式会社 | 冷陰極及びその製造方法 |
JP2001256884A (ja) * | 2000-03-10 | 2001-09-21 | Sony Corp | 冷陰極電界電子放出素子及びその製造方法、並びに、冷陰極電界電子放出表示装置及びその製造方法 |
JP4312352B2 (ja) * | 2000-06-30 | 2009-08-12 | 隆 杉野 | 電子放出装置 |
JP3604652B2 (ja) * | 2000-07-12 | 2004-12-22 | 昭夫 平木 | 電子放出陰極およびその製造方法 |
-
2002
- 2002-05-28 WO PCT/JP2002/005153 patent/WO2002097843A1/ja active Application Filing
- 2002-05-28 JP JP2003500934A patent/JPWO2002097843A1/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2002097843A1 (fr) | 2002-12-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101281168B1 (ko) | 전계 방출 전극, 이의 제조 방법 및 이를 구비한 전계 방출소자 | |
KR100245910B1 (ko) | 유사 다이아몬드박막의 제조방법,이에 따른 유사 다이아몬드박막,전계방출어레이 및 전계에미터캐소드 | |
Wong et al. | Carbon nanotubes field emission devices grown by thermal CVD with palladium as catalysts | |
US7812513B2 (en) | Field emission cathode and planar light source using the same | |
JP3737688B2 (ja) | 電子放出素子及びその製造方法 | |
Wong et al. | Array geometry, size and spacing effects on field emission characteristics of aligned carbon nanotubes | |
JP2004006205A (ja) | 電極およびそれを用いた装置 | |
Joag et al. | Field emission from a-GaN films deposited on Si (100) | |
JP2002352694A (ja) | 電極、電子放出素子及びそれを用いた装置 | |
JP7272641B2 (ja) | 電子放出素子及び電子顕微鏡 | |
JPWO2002097843A1 (ja) | 電極、電子放出素子及びそれを用いた装置 | |
US20020048638A1 (en) | Field emission from bias-grown diamond thin films in a microwave plasma | |
JP4312352B2 (ja) | 電子放出装置 | |
JP2008053171A (ja) | 面発光素子の製造方法 | |
Zhang et al. | Stable field emission from planar-gate electron source with MWNTs by electrophoretic deposition | |
WO2003069649A1 (fr) | Electrode, emetteur d'electrons et dispositif les utilisant | |
JP2008053172A (ja) | 面発光素子 | |
KR100803210B1 (ko) | 탄소나노튜브를 이용한 전계 방출 전극 및 그 제조방법 | |
Funakawa et al. | Field emission characteristics of boron nitride nanofilms deposited on substrate with various work functions | |
JP2003281991A (ja) | 熱陰極及びこれを用いた放電装置 | |
Luo et al. | Field emission characteristics of BN nanofilms grown on GaN substrates | |
JP2004103259A (ja) | 電極、電子放出素子およびそれを用いた装置 | |
JPH06131968A (ja) | 電界放出型電子源およびアレイ状基板 | |
JP4312331B2 (ja) | 電子放出装置 | |
Yoo et al. | High performance carbon nanotube cold cathode for x-ray and UV devices |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A80 | Written request to apply exceptions to lack of novelty of invention |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A801 Effective date: 20040709 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050523 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080507 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080707 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081029 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090415 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090805 |