JP2004103259A - 電極、電子放出素子およびそれを用いた装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】低電圧で高輝度の電子放出が可能な電極を作製し、高性能電子放出素子を実現し、フラットパネルディスプレー、撮像装置、電子ビーム装置、マイクロ波進行波管、照明装置、有機発光装置、電気化学装置のキーデバイスとして提供する。
【解決手段】繊維または繊維片に膜を堆積させ、電界集中因子を増加させ低電圧で電子放出が可能な電極を作製し、電子放出素子を実現して高性能電子ビーム応用装置の作製を図る。前記膜として窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化アルミニウムホウ素などのIII族原子と窒素原子の化合物を用いる。膜内に他の原子を添加し、空間電荷の生成や膜の物理的特性の改善を図る。また、前記繊維またほ繊維片としてステンレスやカーボンナノチューブ等を用いる。
【選択図】 図1
【解決手段】繊維または繊維片に膜を堆積させ、電界集中因子を増加させ低電圧で電子放出が可能な電極を作製し、電子放出素子を実現して高性能電子ビーム応用装置の作製を図る。前記膜として窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化アルミニウムホウ素などのIII族原子と窒素原子の化合物を用いる。膜内に他の原子を添加し、空間電荷の生成や膜の物理的特性の改善を図る。また、前記繊維またほ繊維片としてステンレスやカーボンナノチューブ等を用いる。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は電子や正孔の注入や電子放出に用いられる電極、電子放出素子およびそれらの装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
冷陰極はフィールドエミッションディスプレー、電子ビーム露光機、マイクロ波進行波管、撮像素子等に応用できる。また、電子ビームを用いた電子顕微鏡、オージェ電子分光装置等の材料評価装置の電子源としても用いることができる。
【0003】
更に、発光素子として照明装置や表示ランプにも用いることができ、様々な用途に対応できる。
【0004】
従来、冷陰極としては金属やシリコンを用いて尖塔形状を作製したスピント型と呼ばれている電子放出素子が研究開発されてきたが、上記の応用に対して更に低電圧動作、高電流動作および素子の信頼性が要求され、スピント型冷陰極の特性改善や新しい冷陰極用材料の研究開発がすすめられている。近年、カーボンナノチューブやカーボンナノファイバといった電界集中因子を大きくできる材料の合成がすすみ、低電圧での電子放出が観測されているが、これらのカーボンナノチューブやカーボンナノファイバからの電子放出特性における空間安定性について解決すべき問題を残している。
【0005】
また、近年、プラズマディスプレーや有機発光素子の開発が行われ、実用化が進められているが、更に性能向上が求められている。プラズマディスプレーの電極や有機発光素子の電極における電子放出やキャリアの注入効率の向上が解決課題の一つとして考えられている。更に耐環境物質の分解処理や水素生成用の優れた電気化学電極の開発も望まれている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
このような状況で高い信頼性を維持し、低電圧、高電流動作を達成するためにスピント型冷陰極に対して表面への異なった材料のコーティングが検討されてきている。また、カーボンナノチューブやカーボンナノファイバからの電子放出時の空間安定性を向上させるためにもいくつかの試みが為されているが、更に優れた電子放出特性の実現が望まれている。
【0007】
本発明は上記の状況を鑑みてなされたもので、従来に優る電子放出特性をもった冷陰極を提供し、電極、電子放出素子として用いることを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するための本発明の電極は繊維または繊維片に膜を有することを特徴とする。導電性の繊維または繊維片を用いることにより電界集中が容易にでき、低電圧において電子放出やキャリア注入を実現させることができる。
【0009】
正または負の空間電荷が存在する膜を用い、膜中に電界を発生させると更に動作電界を低減できる。なお、空間電荷の密度は高いほど好ましい。1×1017cm−3以上あれば効果的である。
【0010】
また、繊維又は繊維片がステンレスによって形成されていることを特徴とする。
【0011】
ステンレスの繊維化技術は実用化され、フィルター等が作製されている。このためステンレス繊維または繊維片を固定化し、その上に膜を作製して電極として用いることができる。
【0012】
また、繊維又は繊維片が硫化銅によって形成されている事を特徴とする。また、繊維又は繊維片が炭素によって形成されていることを特徴とする。炭素原子の合成により得られるカーボンナノチューブやグラファイトナノファイバの表面に膜を形成して用いることができ、電界集中因子を大きくすることができる。
【0013】
また、繊維又は繊維片がホウ素と窒素またはホウ素と窒素と炭素によって形成されていることを特徴とする。ホウ素と窒素またはホウ素と窒素と炭素によって合成される繊維状物質に不純物を添加する事により導電性性質が得られ、本発明の電極として用いることができる。
【0014】
また膜がIII族原子と窒素原子を主成分とすることを特徴とする。膜の電子親和力は小さい材料が望ましく、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素アルミニウムやこれらの材料に他のIII族原子のガリウムやインジウムを含む材料も用いることができる。また、炭素とIII族原子やV族原子からなる化合物膜も用いることができる。また多結晶薄膜を用い、膜中の結晶相は六方晶結晶が用いられ、不純物添加により空間電荷を生成する事ができ、また、膜中に存在する結晶粒界やアモルファス領域にも結晶欠陥に関連した空間電荷が存在する。動作電圧の低減化には膜の厚さは50nm以下であることが望ましく、10nm以下で効果が顕著に現れ、膜厚が薄いほど効果的であるが、製造を考慮すると5−8nmが望ましい。
【0015】
また、膜に炭素、シリコン、リン、イオウ、リチウム、酸素のいずれかの原子を含む事を特徴とする。これらの原子の添加により膜内の空間電荷密度の変化をさせることができる。また膜と下地の付着強度の向上や膜の安定性を向上させるために炭素や酸素の添加は効果的である。
【0016】
また前記繊維又は繊維片と前記膜の間に仕事関数が4.5eV以下の異なった材料が存在する事を特徴とする。繊維又は繊維片と膜の界面に仕事関数の小さい材料を用いることにより低電圧での電子放出動作を行うことができる。また、膜の付着強度の向上を図ることができる。チタン、アルミニウム、タリウムマグネシウム、セシウムをはじめ様々な材料を用いることができる。
【0017】
また、本発明の電極を電子放出素子に用いることを特徴とする。この結果、低電圧で高放出電流が得られ、従来のカーボンナノチューブでの電子放出特性に優る特性が実現できる。
【0018】
また、本発明の電子放出素子をフィールドエミッションディスプレイ、電子ビーム露光装置、マイクロ波進行波管、撮像素子、電子ビームを用いた材料評価装置に用いたことを特徴とする。フィールドエミッションデイスプレイに用いた場合、低電圧動作、明瞭な画像を実現できる。また、電子ビーム露光装置に用いた場合、高解像度でスループットの向上した電子ビーム露光装置が実現できる。また、マイクロ波進行波管に用いた場合、高出力マイクロ波出力を得ることができる。また、本発明の電子放出装置を撮像素子に用いた場合、明瞭な画像を実現できる。また、本発明の電子放出装置を電子ビーム源として材料評価装置に用いた場合、評価精度の向上が実現できる。
【0019】
また、本発明の電極を発光装置の電極に用いることを特徴とする。本発明の電極を発光装置に用いた場合、高輝度で鮮明な発光が得られ、高品質な照明および表示が実現できる。
【0020】
また、本発明の電極を用いた発光素子を液晶ディスプレイのバックライトに用いた場合、高輝度で消費電力の少ない液晶ディスプレイが実現できる。
【0021】
また、本発明のプラズマディスプレイは前記電極を放電セルの電極として用いたことを特徴とする。
【0022】
また、本発明の有機発光装置は前記電極を備えたことを特徴とする。本発明の電極を有機発光装置に用いた場合、高輝度で鮮明な発光が得られ、高品質な表示装置が実現できる。
【0023】
更に、本発明の電気化学装置は前記電極を備えた事を特徴とする。本発明の電極を電気化学装置に用いた場合、高効率な電気分解装置や水素発生装置が実現できる。また高感度のイオンセンサが実現できる。
【0024】
【発明の実施の形態】
次に本発明の実施の形態について説明する。本発明による電極は繊維または繊維片に仕事関数の小さい膜を堆積させる事によって、また、空間電荷をもつ膜を設けることによって構成される。本発明の電極を陰極に用いることにより、従来の電子放出装置の特性の改善および信頼性の向上に効果を発揮すると共に、本発明の電子放出装置を用いてフィールドエミッションディスプレイ、電子ビーム露光装置、マイクロ波進行波管、撮像素子、電子ビームを用いた材料評価装置の提供が可能となる。更に本発明の電極を用いることにより発光装置や高性能有機発光装置の提供も可能となる。また、電気化学装置のための電極の提供も可能になる。
【0025】
(実施例)
以下に本発明の電極を電子放出素子に用いた実施例について、具体的に説明する。
【0026】
(実施例1)
図1は本発明の第1実施例に係る電極および電子放出装置の断面概略図を示す。実施例1の電極は図1(a)に示すように基板1上に繊維片を固定した層2を有している。表面付近の状態を拡大図3に示す。ステンレス繊維片の形状は直径1μm、長さ3−5μmである。その表面上に三塩化ホウ素と窒素ガスを用いたプラズマアシスト化学気相合成(CVD)法によって窒化ホウ素薄膜4を10nm堆積した(図1(b))。窒化ホウ素薄膜4にはイオウ原子を1×1018cm−3の濃度に添加した。窒化ホウ素薄膜4を堆積した表面付近の状態を拡大図5に示す。この電極に対して図1(c)に示すようにアノード電極6を対向させて真空チェンバー内にセットした。電極表面とアノード電極間隔は100μmとした。アノード電極6に正のアノード電圧7を印加し、600V以上の電圧で電子放出が確認できた。
【0027】
次に、窒化ホウ素薄膜4上にSiOx薄膜8を800nm、および引き出し電極9用金属としてTi(20nm)/Au(500nm)を電子ビーム蒸着法で形成する。その後、フォトリングラフィー工程を用いて、引き出し電極8用金属およびSiOx薄膜8をエッチングにより除去し、直径5μmの窓を形成する。窓の中に露出した窒化ホウ素薄膜4表面を水素プラズマで処理した後、真空チャンバー内でアノード電極6となる金属板を窒化ホウ素薄膜4に対向させ、その間隔を100μmとした。引き出し電極8を接地し,カソード電極となる基板1とアノード電極6に各々バイアス10、7を加えて、8x10−7Torr以下の真空度で放出電流を測定した。アノード電圧7を800Vと一定にし、カソード電圧10変化させた。カソード電圧10として5V印加することにより電子放出が始まり、30V印加することにより0.1mAの高い放出電流が得られた。
【0028】
繊維または繊維片としてステンレスだけでなく硫化銅で作製できるファイバーや炭素で合成されるカーボンナノチューッブおよび窒化ホウ素や窒化炭素ホウ素によるナノチューブなども用いることができる。
【0029】
窒化ホウ素膜以外の本発明に係る膜の導入により実効的なポテンシャル障壁高さを低減でき、電子放出特性の改善ができる。ここでは窒化ホウ素膜を用いたが、窒化ホウ素以外に窒化アルミニウムや窒化ホウ素アルミニウム等、本発明に係る材料は全て用いることができる。また、本実施例では窒化ホウ素膜をプラズマアシストCVD法により合成したが、有機金属化学気相合成(MOCVD)法、分子線エピタキシャル(MBE)法、スパッタリング法など様々な作製方法を用いることができる。
【0030】
イオウ不純物を添加した窒化ホウ素薄膜4を用いたが、ドナー不純物となるリチウム、酸素、シリコン等の原子を添加した窒化ホウ素薄膜4を用いることもできる。上記の窒化ホウ素以外のIII族原子と窒素原子からなる化合物に対しても同様の不純物を用いることができる。
【0031】
(実施例2)
図2は本発明の第2実施例に係る電極の断面概略図を示す。金属又は半導体基板21表面に鉄薄膜を蒸着し、それを基板としてアセチレンを熱分解し、カーボンナノチューブ22を合成する (図2(a))。得られたカーボンナノチューブ22は拡大図23に示すように基板21に垂直に配向して成長する。その表面上に三塩化ホウ素と窒素ガスを用いたプラズマアシスト化学気相合成(CVD)法によって窒化ホウ素薄膜24を10nm堆積した(図2(b))窒化ホウ素薄膜24にはイオウ原子を1×1018cm−3濃度に添加した。窒化ホウ素薄膜24を堆積した表面付近の状態を拡大図25と26に示す。カーボンナノチューブの長さや密度の違いにより窒化ホウ素薄膜24の堆積状態が拡大図25と26のように異なる。このようにして作製した電極を実施例1の図1(c)と図1(d)に示した方法と同様の評価方法を行った。窒化ホウ素薄膜24を堆積する前の試料の電子放出特性に比べ、窒化ホウ素薄膜24を堆積する事により電子放出開始電圧は40%程度減少した。
【0032】
(実施例3)
図3は本発明の第3実施例に係る電極の断面概略図を示す。実施例3の電極は図3(a)に示すように基板31上に繊維片32を有している。ステンレス繊維片の形状は直径1μm、長さ3−5μmである。その表面に先ずスパッタ法によってチタン膜33を堆積させる。これによりステンレスより仕事関数を低減させることができる。また、チタン膜33の堆積により、窒化ホウ素薄膜34が繊維片32上に均一に堆積させることができる。窒化ホウ素薄膜34を三塩化ホウ素と窒素ガスを用いたプラズマアシスト化学気相合成(CVD)法によって10nm堆積させた (図3(b)、図3(b’))。チタン膜33の堆積膜厚を変える事により、図3(b)と図3(b’))のように作製できる。窒化ホウ素薄膜34にはイオウ原子を1x1018cm−3の濃度に添加した。このようにして作製した電極を実施例1の図1(c)に示した方法と同様の評価方法を行った。電極表面とアノード電極間隔を100μmとしたとき400V以上のアノード電圧で電子放出が確認できた。
【0033】
(実施例4)
図4は本発明の第4実施例に係る電極の断面概略図を示す。基板41上に単一のカーボンナノチューブ42を作製し(図4(a))、その上にスパッタリング法によりチタン膜43を10nm堆積させる。引き続いて窒化ホウ素薄膜44を三塩化ホウ素と窒素ガスを用いだプラズマアシスト化学気相合成 (CVD)法によって10nm堆積させた (図4(b))。このようにして作製した電極を実施例1の図1(c)に示した方法と同様の評価方法を行った。アズグローンのカーボンナノチューブ42に対してアノード電極間隔を100μmとしたとき200V以上のアノード電圧で電子放出が確認できた。また、窒化ホウ素薄膜44の堆積により電子放出開始電圧が30%程度低減した。この結果、単一電子放射源の性能向上が可能となる。
【0034】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による膜を持った繊維または繊維片を有することを特徴とする電極を電子放出素子に用いることにより、低電圧動作、高電流動作が可能になる。これによって高性能電子放出装置が提供でき、表示装置、電子ビーム露光機、撮像装置、発光素子および電子ビームを用いた材料評価装置のキーデバイスとして効果的である。また、本研究の電極をプラズマディスプレや有機発光素子の電極に用いることにより、特性向上が期待でき、電気化学装置の電極として用いることにより、分解効率の向上につながる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の電極および電子放出装置の実施例1を示す断面図
【図2】本発明の電極の実施例2を示す断面図
【図3】本発明の電極の実施例3を示す断面図
【図4】本発明の電極の実施例4を示す断面図
【符号の説明】
1、21、31、41・・基板
2・・繊維片を固定した層
22・・カーボンナノチューブ堆積層
32・・繊維片
42・・カーボンナノチューブ
3、5、23、25、26・・拡大図
33、43・・チタン膜
4、24、34、44・・窒化ホウ素薄膜
6・・アノード電極
7・・アノード電圧
8・・SiO2膜
9・・取り出し電極
10・・取り出し電圧
【発明の属する技術分野】
本発明は電子や正孔の注入や電子放出に用いられる電極、電子放出素子およびそれらの装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
冷陰極はフィールドエミッションディスプレー、電子ビーム露光機、マイクロ波進行波管、撮像素子等に応用できる。また、電子ビームを用いた電子顕微鏡、オージェ電子分光装置等の材料評価装置の電子源としても用いることができる。
【0003】
更に、発光素子として照明装置や表示ランプにも用いることができ、様々な用途に対応できる。
【0004】
従来、冷陰極としては金属やシリコンを用いて尖塔形状を作製したスピント型と呼ばれている電子放出素子が研究開発されてきたが、上記の応用に対して更に低電圧動作、高電流動作および素子の信頼性が要求され、スピント型冷陰極の特性改善や新しい冷陰極用材料の研究開発がすすめられている。近年、カーボンナノチューブやカーボンナノファイバといった電界集中因子を大きくできる材料の合成がすすみ、低電圧での電子放出が観測されているが、これらのカーボンナノチューブやカーボンナノファイバからの電子放出特性における空間安定性について解決すべき問題を残している。
【0005】
また、近年、プラズマディスプレーや有機発光素子の開発が行われ、実用化が進められているが、更に性能向上が求められている。プラズマディスプレーの電極や有機発光素子の電極における電子放出やキャリアの注入効率の向上が解決課題の一つとして考えられている。更に耐環境物質の分解処理や水素生成用の優れた電気化学電極の開発も望まれている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
このような状況で高い信頼性を維持し、低電圧、高電流動作を達成するためにスピント型冷陰極に対して表面への異なった材料のコーティングが検討されてきている。また、カーボンナノチューブやカーボンナノファイバからの電子放出時の空間安定性を向上させるためにもいくつかの試みが為されているが、更に優れた電子放出特性の実現が望まれている。
【0007】
本発明は上記の状況を鑑みてなされたもので、従来に優る電子放出特性をもった冷陰極を提供し、電極、電子放出素子として用いることを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するための本発明の電極は繊維または繊維片に膜を有することを特徴とする。導電性の繊維または繊維片を用いることにより電界集中が容易にでき、低電圧において電子放出やキャリア注入を実現させることができる。
【0009】
正または負の空間電荷が存在する膜を用い、膜中に電界を発生させると更に動作電界を低減できる。なお、空間電荷の密度は高いほど好ましい。1×1017cm−3以上あれば効果的である。
【0010】
また、繊維又は繊維片がステンレスによって形成されていることを特徴とする。
【0011】
ステンレスの繊維化技術は実用化され、フィルター等が作製されている。このためステンレス繊維または繊維片を固定化し、その上に膜を作製して電極として用いることができる。
【0012】
また、繊維又は繊維片が硫化銅によって形成されている事を特徴とする。また、繊維又は繊維片が炭素によって形成されていることを特徴とする。炭素原子の合成により得られるカーボンナノチューブやグラファイトナノファイバの表面に膜を形成して用いることができ、電界集中因子を大きくすることができる。
【0013】
また、繊維又は繊維片がホウ素と窒素またはホウ素と窒素と炭素によって形成されていることを特徴とする。ホウ素と窒素またはホウ素と窒素と炭素によって合成される繊維状物質に不純物を添加する事により導電性性質が得られ、本発明の電極として用いることができる。
【0014】
また膜がIII族原子と窒素原子を主成分とすることを特徴とする。膜の電子親和力は小さい材料が望ましく、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素アルミニウムやこれらの材料に他のIII族原子のガリウムやインジウムを含む材料も用いることができる。また、炭素とIII族原子やV族原子からなる化合物膜も用いることができる。また多結晶薄膜を用い、膜中の結晶相は六方晶結晶が用いられ、不純物添加により空間電荷を生成する事ができ、また、膜中に存在する結晶粒界やアモルファス領域にも結晶欠陥に関連した空間電荷が存在する。動作電圧の低減化には膜の厚さは50nm以下であることが望ましく、10nm以下で効果が顕著に現れ、膜厚が薄いほど効果的であるが、製造を考慮すると5−8nmが望ましい。
【0015】
また、膜に炭素、シリコン、リン、イオウ、リチウム、酸素のいずれかの原子を含む事を特徴とする。これらの原子の添加により膜内の空間電荷密度の変化をさせることができる。また膜と下地の付着強度の向上や膜の安定性を向上させるために炭素や酸素の添加は効果的である。
【0016】
また前記繊維又は繊維片と前記膜の間に仕事関数が4.5eV以下の異なった材料が存在する事を特徴とする。繊維又は繊維片と膜の界面に仕事関数の小さい材料を用いることにより低電圧での電子放出動作を行うことができる。また、膜の付着強度の向上を図ることができる。チタン、アルミニウム、タリウムマグネシウム、セシウムをはじめ様々な材料を用いることができる。
【0017】
また、本発明の電極を電子放出素子に用いることを特徴とする。この結果、低電圧で高放出電流が得られ、従来のカーボンナノチューブでの電子放出特性に優る特性が実現できる。
【0018】
また、本発明の電子放出素子をフィールドエミッションディスプレイ、電子ビーム露光装置、マイクロ波進行波管、撮像素子、電子ビームを用いた材料評価装置に用いたことを特徴とする。フィールドエミッションデイスプレイに用いた場合、低電圧動作、明瞭な画像を実現できる。また、電子ビーム露光装置に用いた場合、高解像度でスループットの向上した電子ビーム露光装置が実現できる。また、マイクロ波進行波管に用いた場合、高出力マイクロ波出力を得ることができる。また、本発明の電子放出装置を撮像素子に用いた場合、明瞭な画像を実現できる。また、本発明の電子放出装置を電子ビーム源として材料評価装置に用いた場合、評価精度の向上が実現できる。
【0019】
また、本発明の電極を発光装置の電極に用いることを特徴とする。本発明の電極を発光装置に用いた場合、高輝度で鮮明な発光が得られ、高品質な照明および表示が実現できる。
【0020】
また、本発明の電極を用いた発光素子を液晶ディスプレイのバックライトに用いた場合、高輝度で消費電力の少ない液晶ディスプレイが実現できる。
【0021】
また、本発明のプラズマディスプレイは前記電極を放電セルの電極として用いたことを特徴とする。
【0022】
また、本発明の有機発光装置は前記電極を備えたことを特徴とする。本発明の電極を有機発光装置に用いた場合、高輝度で鮮明な発光が得られ、高品質な表示装置が実現できる。
【0023】
更に、本発明の電気化学装置は前記電極を備えた事を特徴とする。本発明の電極を電気化学装置に用いた場合、高効率な電気分解装置や水素発生装置が実現できる。また高感度のイオンセンサが実現できる。
【0024】
【発明の実施の形態】
次に本発明の実施の形態について説明する。本発明による電極は繊維または繊維片に仕事関数の小さい膜を堆積させる事によって、また、空間電荷をもつ膜を設けることによって構成される。本発明の電極を陰極に用いることにより、従来の電子放出装置の特性の改善および信頼性の向上に効果を発揮すると共に、本発明の電子放出装置を用いてフィールドエミッションディスプレイ、電子ビーム露光装置、マイクロ波進行波管、撮像素子、電子ビームを用いた材料評価装置の提供が可能となる。更に本発明の電極を用いることにより発光装置や高性能有機発光装置の提供も可能となる。また、電気化学装置のための電極の提供も可能になる。
【0025】
(実施例)
以下に本発明の電極を電子放出素子に用いた実施例について、具体的に説明する。
【0026】
(実施例1)
図1は本発明の第1実施例に係る電極および電子放出装置の断面概略図を示す。実施例1の電極は図1(a)に示すように基板1上に繊維片を固定した層2を有している。表面付近の状態を拡大図3に示す。ステンレス繊維片の形状は直径1μm、長さ3−5μmである。その表面上に三塩化ホウ素と窒素ガスを用いたプラズマアシスト化学気相合成(CVD)法によって窒化ホウ素薄膜4を10nm堆積した(図1(b))。窒化ホウ素薄膜4にはイオウ原子を1×1018cm−3の濃度に添加した。窒化ホウ素薄膜4を堆積した表面付近の状態を拡大図5に示す。この電極に対して図1(c)に示すようにアノード電極6を対向させて真空チェンバー内にセットした。電極表面とアノード電極間隔は100μmとした。アノード電極6に正のアノード電圧7を印加し、600V以上の電圧で電子放出が確認できた。
【0027】
次に、窒化ホウ素薄膜4上にSiOx薄膜8を800nm、および引き出し電極9用金属としてTi(20nm)/Au(500nm)を電子ビーム蒸着法で形成する。その後、フォトリングラフィー工程を用いて、引き出し電極8用金属およびSiOx薄膜8をエッチングにより除去し、直径5μmの窓を形成する。窓の中に露出した窒化ホウ素薄膜4表面を水素プラズマで処理した後、真空チャンバー内でアノード電極6となる金属板を窒化ホウ素薄膜4に対向させ、その間隔を100μmとした。引き出し電極8を接地し,カソード電極となる基板1とアノード電極6に各々バイアス10、7を加えて、8x10−7Torr以下の真空度で放出電流を測定した。アノード電圧7を800Vと一定にし、カソード電圧10変化させた。カソード電圧10として5V印加することにより電子放出が始まり、30V印加することにより0.1mAの高い放出電流が得られた。
【0028】
繊維または繊維片としてステンレスだけでなく硫化銅で作製できるファイバーや炭素で合成されるカーボンナノチューッブおよび窒化ホウ素や窒化炭素ホウ素によるナノチューブなども用いることができる。
【0029】
窒化ホウ素膜以外の本発明に係る膜の導入により実効的なポテンシャル障壁高さを低減でき、電子放出特性の改善ができる。ここでは窒化ホウ素膜を用いたが、窒化ホウ素以外に窒化アルミニウムや窒化ホウ素アルミニウム等、本発明に係る材料は全て用いることができる。また、本実施例では窒化ホウ素膜をプラズマアシストCVD法により合成したが、有機金属化学気相合成(MOCVD)法、分子線エピタキシャル(MBE)法、スパッタリング法など様々な作製方法を用いることができる。
【0030】
イオウ不純物を添加した窒化ホウ素薄膜4を用いたが、ドナー不純物となるリチウム、酸素、シリコン等の原子を添加した窒化ホウ素薄膜4を用いることもできる。上記の窒化ホウ素以外のIII族原子と窒素原子からなる化合物に対しても同様の不純物を用いることができる。
【0031】
(実施例2)
図2は本発明の第2実施例に係る電極の断面概略図を示す。金属又は半導体基板21表面に鉄薄膜を蒸着し、それを基板としてアセチレンを熱分解し、カーボンナノチューブ22を合成する (図2(a))。得られたカーボンナノチューブ22は拡大図23に示すように基板21に垂直に配向して成長する。その表面上に三塩化ホウ素と窒素ガスを用いたプラズマアシスト化学気相合成(CVD)法によって窒化ホウ素薄膜24を10nm堆積した(図2(b))窒化ホウ素薄膜24にはイオウ原子を1×1018cm−3濃度に添加した。窒化ホウ素薄膜24を堆積した表面付近の状態を拡大図25と26に示す。カーボンナノチューブの長さや密度の違いにより窒化ホウ素薄膜24の堆積状態が拡大図25と26のように異なる。このようにして作製した電極を実施例1の図1(c)と図1(d)に示した方法と同様の評価方法を行った。窒化ホウ素薄膜24を堆積する前の試料の電子放出特性に比べ、窒化ホウ素薄膜24を堆積する事により電子放出開始電圧は40%程度減少した。
【0032】
(実施例3)
図3は本発明の第3実施例に係る電極の断面概略図を示す。実施例3の電極は図3(a)に示すように基板31上に繊維片32を有している。ステンレス繊維片の形状は直径1μm、長さ3−5μmである。その表面に先ずスパッタ法によってチタン膜33を堆積させる。これによりステンレスより仕事関数を低減させることができる。また、チタン膜33の堆積により、窒化ホウ素薄膜34が繊維片32上に均一に堆積させることができる。窒化ホウ素薄膜34を三塩化ホウ素と窒素ガスを用いたプラズマアシスト化学気相合成(CVD)法によって10nm堆積させた (図3(b)、図3(b’))。チタン膜33の堆積膜厚を変える事により、図3(b)と図3(b’))のように作製できる。窒化ホウ素薄膜34にはイオウ原子を1x1018cm−3の濃度に添加した。このようにして作製した電極を実施例1の図1(c)に示した方法と同様の評価方法を行った。電極表面とアノード電極間隔を100μmとしたとき400V以上のアノード電圧で電子放出が確認できた。
【0033】
(実施例4)
図4は本発明の第4実施例に係る電極の断面概略図を示す。基板41上に単一のカーボンナノチューブ42を作製し(図4(a))、その上にスパッタリング法によりチタン膜43を10nm堆積させる。引き続いて窒化ホウ素薄膜44を三塩化ホウ素と窒素ガスを用いだプラズマアシスト化学気相合成 (CVD)法によって10nm堆積させた (図4(b))。このようにして作製した電極を実施例1の図1(c)に示した方法と同様の評価方法を行った。アズグローンのカーボンナノチューブ42に対してアノード電極間隔を100μmとしたとき200V以上のアノード電圧で電子放出が確認できた。また、窒化ホウ素薄膜44の堆積により電子放出開始電圧が30%程度低減した。この結果、単一電子放射源の性能向上が可能となる。
【0034】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による膜を持った繊維または繊維片を有することを特徴とする電極を電子放出素子に用いることにより、低電圧動作、高電流動作が可能になる。これによって高性能電子放出装置が提供でき、表示装置、電子ビーム露光機、撮像装置、発光素子および電子ビームを用いた材料評価装置のキーデバイスとして効果的である。また、本研究の電極をプラズマディスプレや有機発光素子の電極に用いることにより、特性向上が期待でき、電気化学装置の電極として用いることにより、分解効率の向上につながる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の電極および電子放出装置の実施例1を示す断面図
【図2】本発明の電極の実施例2を示す断面図
【図3】本発明の電極の実施例3を示す断面図
【図4】本発明の電極の実施例4を示す断面図
【符号の説明】
1、21、31、41・・基板
2・・繊維片を固定した層
22・・カーボンナノチューブ堆積層
32・・繊維片
42・・カーボンナノチューブ
3、5、23、25、26・・拡大図
33、43・・チタン膜
4、24、34、44・・窒化ホウ素薄膜
6・・アノード電極
7・・アノード電圧
8・・SiO2膜
9・・取り出し電極
10・・取り出し電圧
Claims (17)
- 膜を持った繊維または繊維片を有することを特徴とする電極。
- 前記繊維又は繊維片がステンレスによって形成されていることを特徴とする請求項1記載の電極。
- 前記繊維又は繊維片が銅を含む化合物によって形成されていることを特徴とする請求項1記載の電極。
- 前記繊維又は繊維片が炭素によって形成されていることを特徴とする請求項1記載の電極。
- 前記繊維又は繊維片がホウ素と窒素またはホウ素と窒素と炭素によって形成されていることを特徴とする請求項1記載の電極。
- 前記膜がIII族原子と窒素原子の化合物、炭素及びIII族、V族原子を含む化合物のいずれかである事を特徴とする請求項1ないし5いずれか1項記載の電極。
- 前記膜が50nm以下である事を特徴とする請求項1ないし6いずれか1項記載の電極。
- 前記膜に炭素、シリコン、リン、イオウ、リチウム、酸素のいずれかの原子を含む事を特徴とする請求項1ないし7のいずれか1項記載の電極。
- 前記繊維又は繊維片と前記膜の間に仕事関数が4.5eV以下の異なった材料が存在する事を特徴とする請求項1ないし8いずれか1項記載の電極。
- 請求項1ないし9のいずれか1項記載の電極を用いることを特徴とする電子放出素子。
- 請求項10記載の電子放出素子を用いたことを特徴をするフィールドエミッションディスプレイ、電子ビーム露光装置、マイクロ波進行波管、撮像素子、電子ビームを用いた材料評価装置。
- 請求項1ないし9のいずれか1項記載の電極を用いたことを特徴とする発光装置。
- 請求頂12記載の発光装置を用いたことを特徴とする照明装置、液晶ディスプレイのバックライト、表示ランプ。
- 請求項1ないし8のいずれか1項記載の電極を放電セルの電極として用いたことを特徴とするプラズマディスプレイ。
- 請求項1ないし8のいずれか1項記載の電極を用いたことを特徴とする有機発光装置。
- 請求項15記載の有機発光装置を用いたことを特徴とする表示装置。
- 請求項1ないし8のいずれか1項記載の電極を用いたことを特徴とする電気化学装置。
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JP2002259339A JP2004103259A (ja) | 2002-09-04 | 2002-09-04 | 電極、電子放出素子およびそれを用いた装置 |
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JP2008098119A (ja) * | 2006-10-16 | 2008-04-24 | Tokyo Univ Of Agriculture & Technology | 電子源電極とそれを用いた液中電子放出装置および水素発生方法 |
-
2002
- 2002-09-04 JP JP2002259339A patent/JP2004103259A/ja active Pending
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