JPWO2002071942A1 - 磁気共鳴イメージング装置及びそれに用いられる静磁場発生装置 - Google Patents

Abstract

開放型の超電導磁石を採用したＭＲＩ装置において、振動による静磁場変動をキャンセルして、均一で時間的に安定な磁場を有するＭＲＩ装置を提供するために、本発明のＭＲＩ装置は、被検体が置かれる撮影空間を挟むように磁場発生源を配置した静磁場発生磁石とその内側にそれぞれ配置された磁場変動低減板とを備えている。傾斜磁場コイルは、磁場変動低減板に非接触状態で静磁場発生磁石に固定されている。ＭＲＩ装置が撮影動作中に、傾斜磁場コイルやその他の振動が原因となって静磁場発生磁石の発生磁場強度が変化した場合、磁場変動低減板に磁場変動成分に対応した渦電流が発生する。この渦電流によって静磁場変動成分をキャンセルする磁束が発生させられ、その結果、時間的に安定な静磁場を得ることが可能となる。

Description

技術分野
本発明は磁気共鳴イメージング（以下、ＭＲＩと称する）装置に係わり、特に、被検者に圧迫感を与えない開放型の磁石を備え、かつ、装置の動作中の検査空間における磁場安定度を改善されたＭＲＩ装置及びそれに用いられる静磁場発生装置に関するものである。
背景技術
核磁気共鳴（ＮＭＲ）現象を利用して人体の断層画像を得るＭＲＩ装置は広く医療機関で使用されている。このＭＲＩ装置は、被検体の検査部位の内部構造を画像上へ正確に反映するために、被検体を収容する空間（以下，検査空間または撮影空間という。）に均一な磁場強度を有した静磁場を発生する静磁場発生装置が必要とされる。
均一な静磁場空間は無限長のソレノイドコイル内で得られることから、ＭＲＩ装置に用いられる静磁場発生装置の多くは、所定の大きさを持った空間へ高強度でかつ高均一度の磁場を発生する細長い円筒状のソレノイドコイルと、このソレノイドコイルによって発生された静磁場の磁場均一度をさらに改善するシム機構とが組込まれた磁石構造を採用している。
前記円筒状のコイル内の細長い空間に被検体を収容して検査を行うＭＲＩ装置は、被検体が検査時に体の周囲を前記円筒状のコイルに囲まれて長時間にわたってその狭い検査空間へ置かれる。このため、被検者は円筒状のコイルによって強い圧迫感を与えられる。この圧迫感に耐えることのできない閉所恐怖症の被検者や幼児等をこの円筒状のコイルを備えたＭＲＩ装置で検査できないことがあった。
そこで、磁場強度の比較的に低い静磁場発生装置を備えたＭＲＩ装置において、静磁場発生装置の側面に開口部を設けて検査空間を開放したガントリー構造や、静磁場発生装置の前面に位置して設けられた被検者搬入部を広く開放したガントリー構造を採用したＭＲＩ装置が開発され、近年著しく普及している。
前記開放型構造のＭＲＩ装置は、磁場を発生させるための磁石に永久磁石や常電導磁石を組み込まれたものであった。そのような永久磁石や常電導磁石を用いたＭＲＩ装置は、前記トンネル型の超電導磁石を用いたＭＲＩ装置と比較した場合、高速撮影モードで得られた画像のＳ／Ｎが劣り、またスペクトロスコッピクイメージングや脳機能計測のような高度の機能計測を行うことには不向きである。
そのため、超電導コイルを組み込んだ開放型磁石構造を持ったＭＲＩ装置の開発が進められている。これに関連した技術として、特開平１０−１７９５４６号公報、特開平１１−１５６８３１号公報や特開平１１−１９７１３２号公報に記載されたものがある。
上述の超電導コイルを組込んだ開放型磁石の発生磁場強度は１．０テスラを達成することが可能である。これは従来の永久磁石や常電導コイルを用いた磁石の５倍の磁場強度である。磁場強度が５倍になれば、ＮＭＲ信号強度もそれらの磁場強度比とほぼ同じ５倍の値で得られ、リアルタイム計測など高速撮影モードでも十分なＳ／Ｎを確保することができる。
超電導コイルを収容した磁場発生装置の検査空間を前述の如く開放するためには、従来のトンネル型の超電導コイルを２分割し、分割されたコイルをそれぞれクライオスタットへ収容し、検査空間を挟んでそれらのクライオスタットを対向配置する構造が採用される。
ところが、上記の如き構造の磁場発生装置は、本発明の発明者等が超電導開放型ＭＲＩ装置を開発する過程において、クライオスタットに収納された超電導コイルが振動の影響を受け易いことが判明した。すなわち、従来のトンネル型超電導コイルを組み込んだ磁場発生装置はコイルが一体に形成されてクライオスタットに収納されているので、振動が生じてもそれが一体となって振動するために均一磁場の位置がわずかにずれることがあっても磁場強度へ大きな影響が及ぶことはなかった。しかし、開放型磁石においては、対向配置されたそれぞれの静磁場発生用超伝導コイルの振動に差異を生ずることがあり、この振動の差異が均一磁場の強度を変動させることがあることが判明した。
超電導コイルを振動させる原因には、磁石の設置環境からもたらされる振動と、パルス的に駆動される傾斜磁場発生手段からもたらされる振動及び傾斜磁場コイルの振動からもたらされる音響伝播による振動、さらにはヘリウム冷凍機の振動などの装置自体が発生する振動がある。これらの振動がクライオスタットを振動させ、その振動が超電導コイルに伝播すると、超電導コイルが振動することとなる。これらの超電導コイルを振動させる原因のうち、ヘリウム冷凍機や傾斜磁場発生手段はそれらの動作に対応して振動をクライオスタットへ与える。
超電導コイルを振動させるもう一つの原因は、傾斜磁場コイルが電流を印加された時に、傾斜磁場コイルの導体に電磁力が作用し、この反作用としての電磁力が超電導コイルの胴体へ作用することにある。
そして、上記傾斜磁場コイルやヘリウム冷凍機は周期的な動作をするがゆえに、超電導コイルが発生する静磁場に変動をもたらす。このような周期的な振動は振幅が小さければ画像への影響は無視できるものであるが、振幅がある程度の大きさになると無視し得ない静磁場変動となって、その影響は画像上に擬像（アーチファクト）となって現れ、画質を低下させる。
即ち、磁場が規則正しい時間間隔（ω）で振動した場合は、計測されたＮＭＲ信号が振動周波数ｆ（＝１／ω）で変調される。変調された信号をフーリエ変換して画像やスペクトルに変換処理すると、本来の画像とは別に振動周波数ｆが実空間へ反映された位置に擬像が出現する。磁場変動は微少であっても、変動が規則正しいことにより、明確に画像上においては擬像となって、またスペクトルにおいては擬似ピークとなって現れる。
ヘリウム冷凍機や傾斜磁場コイルによる振動を低減する技術としては、米国特許公報５，３６３，０７７号や本発明者による特願２０００−２０３６９５号に記載された技術がある。これらの技術は固定物体と振動体の間に機械的なたわみ構造体（バネ）を挿入するものであり、また振動体を質量の大きな物体（固定物体）に固定することによって振動体が持つ振動エネルギーを吸収するものである。これに対し、磁場変動成分をアクティブに補正する方法がある。例えば、米国特許公報５，９５２，７３４号に記載された方法は、振動による磁場の誤差成分を検出して、フィードバック・ループにより磁場補正手段を駆動制御するものである。また本発明者は、ヘリウム冷凍機のような特定の周期的な機械的振動による磁場振動に対して、検出誤差成分を排除して正確に補正磁場を発生するよう磁場補正手段を制御する技術を提案している（特願２０００−３４０２７号）。この技術は、周期的な振動による磁場変動に対しては非常に有効である。
しかし、この技術は、超電導コイル及び／またはその支持機構の共振によってもたらされる静磁場の変動には対応することができなかった。本発明者らの研究によれば、開放型静磁場発生装置内の超電導コイルは、傾斜磁場コイルの機械的振動により周期的に振動させられるのみならず、傾斜磁場コイルへの電流印加がもたらす超電導コイルへの電磁力によりその印加周期の特定値に対して分割構造の超電導コイル全体或いはその一部が振動し、特に超電導コイル及び／またはその支持機構が共振すると振動振幅が大きく変化することが判明した。そして、その振幅が大きくなると静磁場強度が変動することが判明した。
この超電導コイルの共振による磁場変動は、近年、高速スピンエコー（ＦＳＥ：Ｆａｓｔ Ｓｐｉｎ Ｅｃｈｏ）法やエコープレナー（Ｅｃｈｏ Ｐｌａｎａｒ）法等の新たな高速撮像法が多用されるのに伴って、傾斜磁場発生手段に短時間に大きなエネルギーが印加されるようになったこと、すなわち、傾斜磁場コイルの振動エネルギーが飛躍的に増大したこと、また、撮影条件のパラメータの設定範囲が拡大されたことによって傾斜磁場コイルの機械的振動周期が大きく変化するようになったこと等から無視できないものとなった。
本発明は上記観点に鑑みてなされたもので、本発明の第１の目的は、開放型のＭＲＩ装置の振動による静磁場変動を外部からエネルギーを与えることなく実質的にキャンセルして、得られる検査結果の信頼性を向上できるＭＲＩ装置を提供することにある。
本発明の第２の目的は、開放型超電導コイルが振動することによって生ずる静磁場強度の変動を実質的に低減またはキャンセルする技術を提供することにある．
本発明の第３の目的は、開放型の静磁場発生装置が振動しても画像上にアーチファクトが発生せずに医師の診断に好適な、良好な画質を有した画像が得られるＭＲＩ装置を提供することにある。
本発明の第４の目的は、単純な静磁場変動低減機構によって静磁場強度の安定性が保たれる開放型ＭＲＩ装置を提供することにある。
本発明の第５の目的は、静磁場の変動低減機構を設けても撮影空間を広く確保された開放型ＭＲＩ装置を提供することにある。
本発明の第６の目的は、静磁場の均一度を向上するパッシブシミング機構と静磁場変動低減機構との双方を設けても撮影空間を広く確保された開放型ＭＲＩ装置を提供することにある。
本発明の第７の目的は、ＭＲＩ装置として構成されたときに上記第１から第６の目的が達成される静磁場発生装置を提供することにある。
発明の開示
従来、ＭＲＩ装置の分野に携わる技術者は、傾斜磁場発生手段が発生する傾斜磁場による渦電流の発生を極力抑えるために、静磁場発生手段を含む傾斜磁場発生手段の近傍の領域には、渦電流を発生する部材を配置しないことを当然視してきた。その理由は、傾斜磁場発生手段の近傍に渦電流を発生する部材が配置されていると、傾斜磁場発生手段へ電流をパルス状に印加した時に、傾斜磁場発生手段の近傍に配置されている渦電流発生部材へ渦電流が発生され、この渦電流によって傾斜磁場の強度の波形に悪影響を及ぼすことにある。
しかし、傾斜磁場に起因する渦電流の影響は、傾斜磁場発生手段に供給される電流値を時間と共に可変制御することによって排除できることから、本発明では、むしろ渦電流発生部材を傾斜磁場発生手段の近傍に配置し、超電導コイルの振動により生ずる静磁場変動を、その磁場変動によって渦電流発生部材に発生する渦電流を利用して、振動や共振に起因する磁場変動を実質的にキャンセルする。このようにして、本発明はＭＲＩ装置が動作中に検査空間に発生されている静磁場の強度が極めて安定して維持されるようにしたものである。
上記目的を達成するために本発明は、被検体を収容し得る大きさを有した撮影空間に所定強度の静磁場を発生する静磁場発生手段と、前記空間に磁場強度勾配を発生する傾斜磁場コイルとを備えた磁気共鳴イメージング装置において、外部からエネルギーを与えることなく前記静磁場強度に変動が生じた時に、その磁場変動を利用して前記所定静磁場強度が実質的に維持されるように磁束を発生させる磁場変動低減手段を備えたことを特徴としている。
また、本発明のＭＲＩ装置は、被検体を収容し得る大きさを有した撮影空間に所定強度の静磁場を発生する静磁場発生手段と、前記空間に磁場強度勾配を発生する傾斜磁場コイルと、前記静磁場発生手段が発生する磁場強度の変動成分を実質的にキャンセルする磁場変動低減手段であって、前記静磁場強度の変動に対応して渦電流を誘起し、前記静磁場強度の変動を実質的にキャンセルする磁束を発生する導電部材とを備えたことを特徴としている。
前記静磁場発生手段は、前記撮影空間を挟んで対向配置された一対の静磁場発生源からなり、前記磁場変動低減手段は少なくとも静磁場発生源の一方に近接して配置されることが望ましく、また、前記磁場変動低減手段は静磁場発生源の双方に近接して配置されてもよい。
本発明は、前記一対の静磁場発生源が、超電導コイルまたは常電導コイルからなる磁気共鳴イメージング装置へ適用され得る。
前記導電部材の材質は、非磁性特性を有したアルミニウム、銅、銀のいずれかが好適である。
そして、前記導電部材は、平板形状を有し、前記撮影空間の磁束方向へ交差するように配置されることが望ましい。
また、前記一対の静磁場発生源は超電導コイルからなり、前記導電部材は、前記撮影空間の大きさをカバーする大きさを有した平板体であり、前記撮影空間の磁束方向へ交差するように配置されることが望ましい。
さらに、前記磁場変動低減手段は、前記撮影空間を挟んで各静磁場発生源の撮影空間側の面に沿って接近して配置されることが望ましく、前記静磁場発生手段と密着して配置されると一層好適である。
また、前記磁場変動低減手段は静磁場発生手段の構成部材の一部として包含されてもよい。
前記磁場変動低減手段は、前記静磁場発生源と前記傾斜磁場コイルとの間に設けられればよく、静磁場発生装置と傾斜磁場コイルとの間に設けてもよい。
さらに、前記磁場変動低減手段と前記傾斜磁場コイルとの間に間隙が保たれることが望ましい。
また、本発明は上記目的を達成するために、被検体を収容する撮影空間を挟んで対向配置された一対の静磁場発生源と、前記一対の静磁場発生源と前記撮影空間を含む単一空間外に配置され前記静磁場発生源から発生される磁束を一方の磁場発生源から他方の静磁場発生源へ導く磁気回路部材と、前記静磁場発生源の各々の撮影空間に接近した位置へ設けられた非磁性の導電板と、支持機構によって前記磁気回路部材へ支持固定され前記撮影空間と前記導電板との間に配置された一対の傾斜磁場コイルとを備えてＭＲＩ装置を構成したものである。
前記支持機構は前記傾斜磁場コイルの各々を前記静磁場発生源の面へ平行に配置するための調整機構を備えていることが望ましい。
さらに、本発明は上記目的を達成するために、被検体を収容する撮影空間を挟んで対向配置された一対の静磁場発生源と、前記一対の静磁場発生源と前記撮影空間を含む単一空間外に配置され前記静磁場発生源から発生される磁束を一方の磁場発生源から他方の静磁場発生源へ導く磁気回路部材と、前記静磁場発生源の各々の撮影空間に接近した位置へ設けられた非磁性の導電板と、前記磁気回路部材によって支持固定され前記撮影空間と前記導電板との間に配置された一対の傾斜磁場コイルと、前記前記撮影空間の磁場均一度を調整するために前記導電板へ着脱可能に配置された複数の磁性体小片とを備えて、ＭＲＩ装置を構成したものである。
前記導電板は所定の厚みを有し、その厚みの中へ前記各磁性体小片の一部が収納されることが望ましい。
また、本発明は上記目的を達成するために、被検体を収容し得る大きさを有した撮影空間に所定強度の静磁場を発生する静磁場発生手段と、前記空間に磁場強度勾配を発生する傾斜磁場コイルとを備えた磁気共鳴イメージング装置であって、前記磁場強度の変動に対応して渦電流を誘起し、前記静磁場強度の変動を補償する磁束を発生する導電部材より成る前記磁場変動低減手段と、前記磁場変動低減手段が渦電流によって発生させる磁束が傾斜磁場に与える影響を補正する手段とを備えたことを特徴としている。
さらに、本発明は上記目的を達成するために、撮影空間に所定強度の静磁場を発生する一対のコイルを、前記撮影空間を挟んでそれぞれのコイルを容器に収容して配置してなる静磁場発生手段と、前記撮影空間及び前記一対の容器を含む領域外に配置され、前記コイルによって発生された磁束を一方のコイルから他方のコイルへ導く磁気回路部材と、前記コイルを収納したそれぞれの容器の前記撮影空間側に、前記コイルが発生する磁束と交差するように配置され、前記磁束密度が変動した時にその磁束密度の変動を補償するように磁束を発生する磁場変動低減手段とを備えてＭＲＩ装置用静磁場発生装置を構成したものである。
前記コイルは超電導コイルであっても、常電導コイルであってもよい。
このＭＲＩ装置用静磁場発生装置において、前記磁場変動低減手段は、平板状の導電板であって、かつ非磁性材料から成るアルミニウム、銅、銀のいずれかの材質から成ることが望ましい。
さらに、本発明は上記目的を達成するために、撮影空間に所定強度の静磁場を発生する一対のコイルを、前記撮影空間を挟んでそれぞれのコイルを容器に収容して配置してなる静磁場発生手段と、前記撮影空間及び前記一対の容器を含む領域外に配置され、前記コイルによって発生された磁束を一方のコイルから他方のコイルへ導く磁気回路部材と、前記コイルを収納したそれぞれの容器の前記撮影空間側に、前記コイルが発生する磁束と交差するように配置され、前記磁束の密度が変動した時にその磁束密度の変動を実質的にキャンセルするように磁束を発生する導電板と、前記導電板の厚み内にその一部が収容され前記コイルが撮影空間内に発生する磁場の均一度を調整するために配置された複数の小磁性体片とを備えてＭＲＩ装置用静磁場発生装置を構成したものである。
発明を実施するための最良の形態
以下、本発明の好適な実施例について図面を参照して説明する。
図１は本発明を適用したＭＲＩ装置の全体構成図である。このＭＲＩ装置は被検体１を収容するための空間（計測空間）を挟み上下方向に対して一対の磁場発生源が配置された静磁場発生磁石２と、この静磁場発生磁石２の各磁場発生源の計測空間側にそれぞれ配置された磁場変動低減板３とで構成された静磁場発生装置２００と、そのさらに計測空間側に配置された傾斜磁場コイル４と、この傾斜磁場コイル４のさらに計測空間側に配置された高周波コイル５と、被検体１から発生するＮＭＲ信号を検出する検出コイル６とを備えている。
磁場変動低減板３と傾斜磁場コイル４と高周波コイル５は静磁場発生磁石２の開放構造に合わせて、それぞれが上下一対の平板状構造が採用されている。また、被検体１を移動させ、その検査部位を静磁場発生磁石２の中心に配設するためのテーブル７が組み合されている。以上の構成を有したＭＲＩ装置のガントリー部とテーブル部は外部からの電磁波ノイズがＮＭＲ信号に混入するのを防ぐ目的で電磁波シールド８を施された検査室内に設置されている。
このＭＲＩ装置は、さらに、上記各々のコイルを駆動する電源及び回路と、これら電源及び回路の動作タイミングを制御するシーケンサ９と、装置の動作制御を行うとともにＮＭＲ信号を処理し画像やスペクトルを作成する計算機１０とを備えている。これらは検査室の外側に設置され、やはり電磁波ノイズの混入を防ぐ目的で、フィルター回路１１を介して各コイルへ接続されている。
本実施形態において静磁場発生磁石２は、磁場発生源として超電導コイルが採用されており、これら超電導コイルは寒剤、例えば液体ヘリウムが充填されたクライオスタット内に収められている。この液体ヘリウムの蒸発量を低減するため、クライオクーラ１２とクライオクーラ１２を駆動する圧縮機１３が設けられている。
静磁場発生磁石２が発生する磁場の方向は、図中矢印１４で示されているように床から天井に向けられ、その磁場強度は例えば０．７テスラに一定に保たれている。またこの実施形態では、パッシブシミング機構と、傾斜磁場コイル５内に組込んだシムコイルに電流を流すことで補正磁場を発生するアクティブシミング機構との両方が組み込まれている。なお、パッシブシミング機構、アクティブシミング機構については後述する。これらのシミング機構によって撮影空間における磁場均一度が、例えば３ｐｐｍ以下の高均一度になるように調整されている。
磁場変動低減板３は、このような静磁場発生磁石２のクライオスタット２０３，２０４における撮影空間側の面に沿って固定される。磁場変動低減板３は、静磁場発生磁石２の振動に伴って生ずる磁場変動を、外部からエネルギー供給を受けることなく、その磁場変動が磁場変動低減板３に生じさせる渦電流によって磁束を発生することによって低減させ、実質的にキャンセルさせるものである。このため、磁場変動低減板３には渦電流を積極的に，効率良く発生させる導電部材が用いられる。この磁場変動低減板３の配置および構成については後に詳細に述べる。
傾斜磁場コイル４は、互いに直交するｘ、ｙ、ｚの３軸方向に前記計測空間内の位置に応じて磁束密度を変化させるように分布巻された３組の傾斜磁場コイルから成る。各組の傾斜磁場コイルは計測空間を挟んで分割して配置される。そして、それらの３組のそれぞれが分割された傾斜磁場コイルは一体物に形成され、その一体物に形成されたコイル群が対を成してそれぞれ撮影空間を挟んで配置される。なお、傾斜磁場コイル４は公知のアクティブシールドタイプが用いられている。
傾斜磁場コイル４は、その駆動に伴う振動が磁場変動低減板３に伝わらないようにするため、磁場変動低減板３と傾斜磁場コイル４とが直接接触しないように、磁場変動低減板３と傾斜磁場コイル４との間に隙間を持って静磁場発生磁石２に固定される。この固定構造についても後述する。
これら３組の傾斜磁場コイルは、それぞれ傾斜磁場電源１５に接続される。そして、撮影シーケンスが起動されると、シーケンサ９からの制御信号によって傾斜磁場電源１５が駆動される。傾斜磁場電源１５から撮影シーケンスの所定のタイミングで傾斜磁場コイル４に電流が流されることにより傾斜磁場が被検体１に印加される。この傾斜磁場は、被検体１における撮像面の位置設定のために、また被検体１の検査部位から得られるＮＭＲ信号に対し空間的位置情報を付与するために用いられる。また、傾斜磁場コイル４には、上述したアクティブシミングのために、例えばｚ２やｙ２補正磁場を発生する複数のシムコイルが組込まれている。これらのシムコイルの駆動電源もフィルター回路１１を経由してシム電源（図には記載されていない）に接続されている。
高周波コイル５は、それに高周波電流を流すための高周波電力アンプ１６に接続され、被検体１の検査部位の原子核（通常、水素原子核^１Ｈが用いられている。）を核磁気共鳴させるための高周波磁場を発生する。高周波電力アンプ１６もシーケンサ９の制御信号で制御されている。
検出コイル６は高周波増幅検波回路１７に接続され、被検体１から発生するＮＭＲ信号を検出する。高周波増幅検波回路１７は検出コイル６で検出されたＮＭＲ信号を、増幅・検波するとともに計算機１０による処理が可能なディジタル信号に変換する。高周波増幅検波回路１７もシーケンサ９でその動作タイミングが制御されている。
計算機１０はディジタル変換されたＮＭＲ信号を用いて画像再構成、スペクトル計算等の演算を行う。また、計算機１０はシーケンサ９を介してＭＲＩ装置の各ユニットの動作を定められたタイミングで制御する。また、計算機１０には、データを記憶する記憶装置１８と、処理後のデータを表示するディスプレイ装置１９と、オペレータが検査条件等を入力する操作卓２０とが接続されている。
次に、磁場変動低減板３および傾斜磁場コイル４の構成を、図２を参照して説明する。図２は図１に示されている静磁場発生磁石２の内部構造を示す断面図である。更に、図２は、磁場変動低減板３と傾斜磁場コイル４が組み合された状態を示している。
本実施形態における静磁場発生磁石２は、基本的に、上部超電導コイル２０１を組み込まれた上部クライオスタット２０３と、下部超電導コイル２０２を組み込まれた下部クライオスタット２０４と、これら上下のクライオスタット２０３と２０４を繋ぐクライオ連結管２０５で構成されている。図では上下の各クライオスタットに組みこまれた超電導コイルは１個で示されているが、計測空間の磁場均一度を向上し、また漏洩磁場分布を縮小するために複数の超電導コイルが組み込まれてもよい。
上下クライオスタット２０３、２０４内には液体ヘリウムが満たされたヘリウム槽２０６が設けられている。それらの中に収められた上部超電導コイル２０１と下部超電導コイル２０２をヘリウムによって冷却し４．２°ケルビン温度に保つことでこれらの超電導コイルは安定した超電導状態に維持されている。上下クライオスタット２０３、２０４とクライオ連結管２０５の最外部は真空槽２０７を形成され、この真空槽２０７とヘリウム槽２０６との間隙が真空に保たれている。真空槽２０７とヘリウム槽２０６は、大気圧や電磁力に耐える厚さを有したステンレススチールで構成されている。
真空槽２０７とヘリウム槽２０６の中間にはクライオクーラ１２と熱的に結合された熱シールド２０８が組み込まれている。この熱シールド２０８はアルミニウムの薄板で構成され、例えば２０°ケルビン温度に冷却されている。この低温に冷却された熱シールド２０８によって、真空槽２０７からヘリウム槽２０６内への熱の侵入が抑えられ、この熱侵入を抑えることによって液体ヘリウムの蒸発量も抑制されている。図では一重の熱シールドの構成が示されているが、例えば７０°ケルビン温度に冷却された熱シールドと２０°ケルビン温度に冷却された熱シールドからなる二重構造の熱シールドや、さらには説明を省略するが三重構造の熱シールドを採用してもよい。
真空槽２０７と熱シールド２０８とヘリウム槽２０６は、熱侵入による液体ヘリウムの蒸発量を極力抑えるために、熱伝導率の小さなステンレススチールの細い支持棒２０９にて相互に固定されている。
静磁場発生磁石２における上部クライオスタット２０３の上部と下部クライオスタット２０４の底部とクライオ連結管２０５の後方、すなわち計測空間に対しての後方に鉄シールド２１０が配置されている。この鉄シールド２１０を配置することにより磁気回路が形成され、また漏洩磁場分布空間が縮小される。漏洩磁場分布空間は、通常０．５ミリテスラの磁束密度の位置で規定されるが、このような磁気回路を形成することにより、本実施形態が採用する高磁場の開放型磁石構造においても、漏洩磁場分布空間を従来装置と同等の６ｍ×８ｍ程度の設置部屋内に抑えることができる。
磁場変動低減板３は、前にも説明したように、均一磁場の磁場変動に対応して積極的に渦電流を発生するものである。このため磁場変動低減板３の材質は低電気抵抗の非磁性材料からなる。このような導電材料としては、アルミニウム（純アルミニウム）、銅、銀等を用いることができる。どの材料を使用するかは、それぞれの材料の電気的特性、磁気的特性、コスト、材料入手の容易さ、加工性等を考慮して決定することができる。またその形状は、静磁場発生磁石２が図１に示された矢印１４の方向に発生している磁束を捕捉するために、またさらに撮影空間の均一磁場を形成している磁束を捕捉するために、この磁束に対し垂直に設置される平板状の面を有した形状とされている。そして、その大きさは、少なくとも撮影空間の大きさをカバーすることができる大きさであることが求められ、さらに望ましくは超電導コイル２０１、２０２の外径と同じかそれ以上の外径を有することが好ましい。低電気抵抗とするためには、磁場変動低減板３の厚みは厚い方が良く、例えば１ｍｍから２０ｍｍ程度の範囲で適宜選択することができる。また、導電材料は前記のように単一の厚み材料である必要はなく、数枚の所定の材料を積層したものでもよい。ただし、その厚みを厚くすればするほど撮影空間のスペースが減少するので、撮影空間のスペースを考慮に入れて適宜な厚みを採用することが望ましい。
本実施形態において磁場変動低減板３は、純アルミニウムの厚い平板で構成され、上部クライオスタット２０３と下部クライオスタット２０４の被検体の配設空間に面した真空槽２０７の面に沿って、かつ密着させて接着剤またはネジ等を用いて強固に固定されている。図３はこの態様を示している。
磁場変動低減板３には、静磁場発生磁石２が発生する磁場の磁場変化による渦電流の外に、傾斜磁場コイル４を駆動することによって発生する磁場変化による渦電流が発生する。これらの渦電流によって、磁場変動低減板３には複雑な力が加わることになる。一方、静磁場磁石２の変動磁場をキャンセルするために、磁場変動低減板３は位置的に安定している必要がある。このため本実施形態では、図３に示すように、磁場変動低減板３はその円周方向の複数箇所で真空槽２０７の強度的に強いコーナー部分へボルト３０１で固定される。これにより、その機械的自由度が極力抑制される。
傾斜磁場コイル４は、上述した上下クライオスタット２０３、２０４や磁場変動低減板３に直接的に接触しないように、支持金具４００を介して鉄シールド２１０に固定されている。図４は、傾斜磁場コイル４の取り付け状態を下部クライオスタット２０４側について示している。上部クライオスタット２０３側についても全く同様であるので、以下、下部側についてのみ説明する。
支持金具４００は、図４（ａ）に示すように、真空槽２０７の円周に沿って複数（４０１〜４０４）配置され、それぞれが真空槽２０７に接触しないように、鉄シールド２１０にネジ或いはボルトによって強固に固定されている。支持金具のうち図示された４０２，４０３，４０４等の幾つかは鉄シールド２１０の下部プレートに固定され、クライオ連結管２０５近傍で傾斜磁場コイル４を支持する支持金具４０１は、クライオ連結管２０５の近傍の鉄シールド２１０を構成する側部プレートに固定されている。このように傾斜磁場コイル４を鉄シールド２１０に固定することにより、傾斜磁場コイル４の振動エネルギーは、質量の大きな鉄シールド２１０で吸収される。そしてまた、傾斜磁場コイル４の振動がクライオスタット２０４や磁場変動低減板３に直接的に伝播されることがなくなる。
また支持金具４００は、図４（ｂ）に示すように、支持金具４００を鉄シールド２１０に固定するための固定部４１０と、傾斜磁場コイル４を水平に載置・固定するための水平部４１１とを有している。水平部４１１は固定部４１０に対し、その取り付けが図中円弧状矢印で示すように回転方向に調節可能になっており、また水平部４１１は取り付けネジによって傾斜磁場コイル４の取り付け位置をｘ、ｙ、ｚ方向に調整できるようになっている。
図４（ｃ）はこのような支持金具４００により傾斜磁場コイル４を固定した状態を示す図である。支持金具４００を上記の如く構成することにより、傾斜磁場コイル４を水平に保つとともに、磁場変動低減板３と傾斜磁場コイル４との間隔が一定になるように調整することができる。このように磁場変動低減板３と傾斜磁場コイル４との間の間隔を均一にすることにより、傾斜磁場コイル４が発生するパルス状の勾配磁場に起因して磁場変動低減板３に発生する渦電流の位置依存性を極力排除することができる。その結果、傾斜磁場に起因する渦電流については、公知の技術、即ち、傾斜磁場コイル４を駆動する電流波形の調整やオフセット磁場を印加する補正法によって高度に補正することができる。したがって、本発明における静磁場変動による渦電流を利用した変動磁場のキャンセルを効果的に行うことができる。
次に、磁場変動低減板３によって変動磁場をキャンセルする原理を図５に示す。図に示されるように上部超電導コイル２０１と下部超電導コイル２０２の発生する磁束５０１（矢印で示す）は、これら超電導コイル２０１、２０２にそれぞれ近接して配置された磁場変動低減板３Ａ，３Ｂを通過して被検体１が配設される撮影空間５０２に磁場強度０．７テスラの安定した磁場空間を生成する。磁場変動低減板３Ａ，３Ｂは、磁束を確実に捕捉するために上下の超電導コイル２０１、２０２の直径に対し十分な大きさを持たせてある。
ここで、例えば図９に示されるような高速スピンエコー法撮影シーケンスが起動されたと仮定する。高速スピンエコー法撮影シーケンスでは、先ず、ｘ、ｙ、ｚ軸の傾斜磁場コイルのうち、所定の傾斜磁場コイルへ傾斜磁場電源１５から電流を流しスライス選択用傾斜磁場（Ｇｓ）を被検体１へ印加しながら、被検体のスライス位置に応じた周波数帯域を有した高周波磁場（９０°ＲＦパルス）が印加される。これによって被検体１のスライス位置における核スピンが励起される。この励起が行われた後の所定時間経過後に、励起された核スピンを位相拡散（ディフェージング）させるためにリードアウト傾斜磁場（Ｇｒ）が所定量印加される。そして、前記励起時から所定時間（τ）経過後に励起された核スピンを反転させる高周波磁場（１８０°ＲＦパルス）がスライス選択用傾斜磁場（Ｇｓ）とともに印加される。この１８０°ＲＦパルスとスライス選択用傾斜磁場（Ｇｓ）との印加によって、被検体のスライス位置の核スピンが反転され、位相分散していた核スピンは収束（リフェージング）を始める。そして、１８０°ＲＦパルス印加後、位相エンコード傾斜磁場（Ｇｐ）が印加される。なお、位相エンコード傾斜磁場（Ｇｐ）は９０°ＲＦパルスと１８０°ＲＦパルスの間にオフセット値としての印加が行われることがある。この位相エンコード傾斜磁場（Ｇｐ）は励起された核スピンへ位相エンコード方向の位置に応じた位置情報を付与する。そして、位相エンコードが終了した時点でリードアウト傾斜磁場（Ｇｒ）が印加される。リードアウト傾斜磁場（Ｇｒ）を印加中にＮＭＲ信号Ｓ１（第１エコー信号）が検出コイル６によって検出される。検出コイル６によって検出されたエコー信号Ｓ１は高周波増幅検波回路１７内のＡ／Ｄ変換器でサンプリングされる。このサンプリングの時間間隔でエコー信号にはリードアウト方向へ位置情報が付与される。
エコー信号Ｓ１は１８０°ＲＦパルスの印加後τ時間経過後にピーク値を示し、その後核スピンの拡散と共にその振幅が減衰する。以上によって第１エコー信号の計測が終了すると、リードアウト傾斜磁場（Ｇｒ）がオフされるとともに、極性を反転された位相エンコード傾斜磁場（−Ｇｐ）が印加される。前記１８０°ＲＦパルスの印加から２τ時間の経過後に再度１８０°ＲＦパルスがスライス選択用傾斜磁場（Ｇｓ）とともに印加され、そして、前記第２エコー信号Ｓ２の計測が行われる。この第２エコー信号Ｓ２の計測は第１エコー信号Ｓ１の計測時と比較し位相エンコード傾斜磁場（Ｇｐ）の印加量が異なる。以下同様にして第３エコー信号Ｓ３、第４エコー信号、…、第ｎエコー信号ＳＮが計測される。このようにして計測されたエコー信号群は、ｋ空間と称されるメモリ領域へ一旦保持され、２次元フーリエ変換を施され、画像化されてディスプレイ装置へ表示される。
１枚のＭＲ画像を生成するエコー信号数の計測を１回の９０°ＲＦパルスの印加の下に行うものは１ショットＦＳＥ（Ｆａｓｔ Ｓｐｉｎ Ｅｃｈｏ）法と称され、また、複数回の９０°ＲＦパルスの印加で行うものはマルチショットＦＳＥ法と称される。そしてマルチショットＦＳＥ法は、１枚の画像を生成するためのエコー信号数を複数回に分けて繰り返し取得するようにパルスシーケンスを行うものであり、１回のパルスシーケンスを行う時間を繰り返し時間ＴＲと称される。近年はＭＲイメージングにおいて撮影時間を短縮するために、ＲＦパルスの印加時間間隔、傾斜磁場パルスの印加時間間隔、さらには前記ＴＲが短縮される傾向にある。さらには、計測時間の短縮のために、高強度の傾斜磁場が短時間で印加される傾向にある。
このような撮影シーケンスの実行時に、傾斜磁場コイルは傾斜磁場電源から電流を供給されることによって傾斜磁場を発生するが、傾斜磁場コイルへ電流をパルス状に流すと、その電流値によってコイル導体へ電磁力が作用する。この電磁力によって傾斜磁場コイルが位置変動を起すことになる。そして、撮影シーケンスの実行中に傾斜磁場は前述のように所定時間間隔で繰り返し印加されることから、傾斜磁場コイルが所定周波数で振動することになる。
このように傾斜磁場パルスの印加時間間隔が短縮され、前にも述べたように一つの撮影パラメータである傾斜磁場パルスＧｓ、Ｇｐ、Ｇｒの印加時間間隔（これは、印加周波数と換言することができる。）の少なくとも一つがクライオスタット２０３，２０４或いは超電導コイル２０１，２０２の共振周波数と一致することがある。また、傾斜磁場パルスＧｓ、Ｇｐ、Ｇｒの二つ以上が組合せられた結果において傾斜磁場コイルの振動周波数がクライオスタット２０３、２０４或いは超電導コイル２０１、２０２の共振周波数と一致することがある。傾斜磁場コイルの振動が原因で上部超電導コイル２０１及び下部超電導コイル２０２のいずれか或いは双方が共振して、それらの相対位置が変化する。この超電導コイル２０１と２０２との相対位置がそれらの共振によって変化すると、静磁場強度が変動する。
一例として、その上部超電導コイル２０１の位置変化、例えば上部超電導コイル２０１と下部超電導コイル２０２との間の距離及び／または下部超電導コイル２０２との平行度にずれが生ずると、磁場変動低減板３Ａを通過する（これは、撮影空間５０２を通過すると換言できる。）磁束５０１の磁束密度が僅かに変化するように作用する。この磁束密度の変化により、撮影空間５０２の静磁場強度も変化することになる。この静磁場強度の変化が画像上ではアーチファクトとなって現れる。
本発明は、磁場変動低減板３の良好な導電性を、磁束５０１の磁束密度変化に応じた渦電流５０３を発生させるために積極的に利用する。
即ち、磁束５０１の磁束密度が減少するような変化に対しては、渦電流５０３は磁束５０１の磁束密度減少分を補う磁束を発生する方向に流れ、磁束５０１の磁束密度が増加するような変化に対しては、逆向きに渦電流が発生する。このように磁場変動低減板３は、磁束５０１の磁束密度に変動があった場合、それを補償するように渦電流を常に発生させる。これにより撮影空間５０２の均一磁場は安定な磁場強度に保たれる。これにより、静磁場の磁場変動分を画像に影響を及ぼさない範囲（例えば０．０１ｐｐｍ以下）に抑えることができる。
以上説明した原理は、本発明の磁場変動低減板３が、傾斜磁場発生手段の振動による静磁場の変動のみならず、その他の振動を原因とする静磁場変動に対応可能であることが容易に理解されるであろう。したがって、本発明のＭＲＩ装置は、傾斜磁場発生手段等の装置自体が発生する振動のみならず、ＭＲＩ装置が設置された建物に置かれた他の装置等において生じた振動であってＭＲＩ装置の静磁場に磁場変動を与えるような振動に対しても同様に有効である。
以上、本発明のＭＲＩ装置の一実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されることなく種々の変更が可能である。例えば、磁場変動低減板３として平板状のものを例示したが、磁場変動低減手段は、静磁場発生コイルが発生する磁束を捕捉可能な形状であればよく、図６に示すように、クライオスタッドの真空槽２０７の一部を覆うように磁場変動低減板３の外周部に垂直部を有していても良い。さらには、前記静磁場発生装置のクライオスタットにおける撮影空間側の面が、傾斜磁場コイルを収納するために、平面ではなく凹凸面を有したり、斜面を有している場合には、磁場変動低減板は平面状でなく、クライオスタットの面に実質的に沿う形状とされてもよい。
また上記実施形態では、磁場変動低減板３を上部および下部クライオスタット２０３、２０４にボルト等で固定した場合を示したが、例えば図７に示すように、上部クライオスタット２０３の真空槽２０７における下面７０１及び下部クライオスタット２０４の真空槽２０７における上面７０１を磁場変動低減板３と同じ効果を有する材料で構成することも可能である。この実施形態では、真空槽２０７の計測空間側の面を構成する部分７０１に純アルミニウムを用い、その他の部分７０２をステンレススチールで構成する。アルミニウムとステンレススチールの接合技術は公知であり、これによって真空槽２０７に必要な耐圧性が得られる。
この実施形態によれば、磁場変動低減手段が真空槽２０７の一部として構成され、すなわち部分７０１はその円周部において円筒状の部分７０２に一体的に接合されているので、図２の実施例と同様に部分７０１の振動に対する機械的自由度が制限された構造が得られる。また真空槽２０７のステンレススチールがなくなった分だけ撮影空間を広げることができ、或いは真空槽２０７のステンレススチールの厚み分を磁場変動低減手段の純アルミニウムの厚みへ加えることができるので、磁場変動低減板の十分な厚みを確保できる。したがって、磁場変動低減手段の性能を向上することができる。
さらに本発明の別な態様として、磁場変動低減手段にパッシブシミング機構用の複数の磁性体小片が配置されてもよい。そのような実施形態が図８に示されている。ここで磁場変動低減手段は、図２と同様に、真空槽２０７に固定されたアルミニウム板からなる。そして、パッシブシミング機構はこのアルミニウム板８０１の片面に複数の磁性体小片８０２が少なくともその一部が埋め込まれて構成されている。一般に、パッシブシミングによって撮影空間の磁場均一度を、例えば３ｐｐｍ以下の高均一度に調整するためには、磁性体小片８０２を多数取り付ける必要がある。そこでこの実施形態では、磁場変動低減板８０１の撮影空間側表面に多数の凹状穴とネジ穴を加工し、このネジ穴の必要箇所にネジ穴と係合する形状の磁性体小片８０２をねじ込み、磁性体小片の一部が磁場変動低減板８０１の厚みの中に収納される構成としている。
この実施形態によれば、磁性体小片８０２は磁場変動低減板８０１の厚み内にその一部が収納されるので、パッシブシミングを採用するＭＲＩ装置において磁場変動低減板を挿入することによる撮影空間の縮小を防止することができる。尚、この実施形態でも磁場変動低減板８０１は図示するように真空槽２０７に固定するようにしてもよいし、図７に示す実施形態のように真空槽２０７の一部を磁場変動低減板８０１で構成してもよい。
本発明のＭＲＩ装置は、上下に静磁場発生磁石を配置した構造のＭＲＩ装置に好適に適用されるが、これに限定されず種々の変形例を採用し得る。例えば、上記実施形態において、磁場変動低減板は対向する磁石の双方の撮影空間側にそれぞれ配置された例を説明したが、磁場変動低減板は一方の磁石側のみに配置されても効果が得られる。叉本発明は、ベッドに横たわった被検体の体軸方向に静磁場発生磁石が分割配置された構造のＭＲＩ装置へも適用することができる。また静磁場発生磁石として超電導コイルのみならず、常電導コイルを用いたものや永久磁石を用いたものにも同様に適用することができる。
本発明によれば、開放型で高磁場を発生する磁石を用いたＭＲＩ装置において、振動に影響されることなく安定な磁場強度を被検者の配設空間に発生することができる。これにより、精度の高い検査結果を得ることができる。
また本発明によれば、振動やそれによる磁場振動を検出するための機構や補正磁場を発生するために従来から行われているような機構が不要であり、またそのような機構による検出誤差や補正誤差の影響を受けることなく振動による磁場変動成分を実質的にキャンセルすることができる。
【図面の簡単な説明】
図１は、本発明が適用されるＭＲＩ装置の全体構成を示すブロック図である。図２は、本発明のＭＲＩ装置の一実施形態を示す断面図である。図３は、図２のＭＲＩ装置における磁場変動低減板の固定状態を説明する図である。図４は、図２のＭＲＩ装置における傾斜磁場コイルの固定状態を説明する図である。図５は、本発明による磁場変動低減手段の作用を説明する図である。図６は、本発明のＭＲＩ装置の他の実施形態における要部を示す図である。図７は、本発明のＭＲＩ装置のさらに別な実施形態における要部を示す図である。図８は、本発明のＭＲＩ装置のさらに別な実施形態における要部を示す図である。図９は、高速スピンエコー法のパルスシーケンスを示す図である。

Claims (27)

1. 被検体を収容し得る大きさを有した撮影空間に所定強度の静磁場を発生する静磁場発生手段と、前記空間に磁場強度勾配を発生する傾斜磁場コイルとを備えた磁気共鳴イメージング装置において、前記静磁場強度に変動が生じた時に、外部からエネルギーを与えることなくその磁場変動を利用して前記所定静磁場強度が実質的に維持されるように磁束を発生させる磁場変動低減手段を備えたことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
2. 被検体を収容し得る大きさを有した撮影空間に所定強度の静磁場を発生する静磁場発生手段と、前記空間に磁場強度勾配を発生する傾斜磁場コイルと、前記静磁場発生手段が発生する磁場強度の変動成分を実質的にキャンセルする磁場変動低減手段であって、前記静磁場強度の変動に対応して渦電流を誘起し、前記静磁場強度の変動を実質的にキャンセルする磁束を発生する導電部材とを備えたことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
3. 前記静磁場発生手段は、前記撮影空間を挟んで対向配置された一対の静磁場発生源からなり、前記磁場変動低減手段は少なくとも静磁場発生源の一方に近接して配置されることを特徴とする請求項２に記載の磁気共鳴イメージング装置。
4. 前記磁場変動低減手段は少なくとも静磁場発生源の双方に近接して配置されることを特徴とする請求項３に記載の磁気共鳴イメージング装置。
5. 前記一対の静磁場発生源は、超電導コイルからなることを特徴とする請求項３に記載の磁気共鳴イメージング装置。
6. 前記一対の静磁場発生源は、常電導コイルからなることを特徴とする請求項３に記載の磁気共鳴イメージング装置。
7. 前記導電部材は、非磁性特性を有していることを特徴とする請求項２に記載の磁気共鳴イメージング装置。
8. 前記導電部材の材質が、アルミニウム、銅、銀のいずれかであることを特徴とする請求項７に記載の磁気共鳴イメージング装置。
9. 前記導電部材は、平板形状を有し、前記撮影空間の磁束方向へ交差するように配置されることを特徴とする請求項２に記載の磁気共鳴イメージング装置。
10. 前記一対の静磁場発生源は超電導コイルからなり、前記導電部材は、前記撮影空間の大きさをカバーする大きさを有した平板体であり、前記撮影空間の磁束方向へ交差するように配置されることを特徴とする請求項２に記載の磁気共鳴イメージング装置。
11. 前記磁場変動低減手段は、前記撮影空間を挟んで各静磁場発生源の撮影空間側の面に沿って接近して配置されることを特徴とする請求項３に記載の磁気共鳴イメージング装置。
12. 前記磁場変動低減手段は前記静磁場発生手段と密着して配置されることを特徴とする請求項１１に記載の磁気共鳴イメージング装置。
13. 前記磁場変動低減手段は静磁場発生手段の構成部材の一部として包含されていることを特徴とする請求項５に記載の磁気共鳴イメージング装置。
14. 前記磁場変動低減手段は静磁場発生手段の構成部材の一部として包含されていることを特徴とする請求項６に記載の磁気共鳴イメージング装置。
15. 前記磁場変動低減手段は、前記静磁場発生手段と前記傾斜磁場コイルとの間に設けられたことを特徴とする請求項２に記載の磁気共鳴イメージング装置。
16. 前記磁場変動低減手段と前記傾斜磁場コイルとの間に間隙が保たれることを特徴とする請求項１５に記載の磁気共鳴イメージング装置。
17. 被検体を収容する撮影空間を挟んで対向配置された一対の静磁場発生源と、
    前記一対の静磁場発生源と前記撮影空間を含む単一空間外に配置され前記静磁場発生源から発生される磁束を一方の磁場発生源から他方の静磁場発生源へ導く磁気回路部材と、
    前記静磁場発生源の各々の撮影空間に接近した位置へ設けられた非磁性の導電板と、
    支持機構によって前記磁気回路部材へ支持固定され前記撮影空間と前記導電板との間に配置された一対の傾斜磁場コイルとを備えたことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
18. 前記支持機構は前記傾斜磁場コイルの各々を前記静磁場発生源の面へ平行に配置するための調整機構を備えていることを特徴とする請求項１７に記載の磁気共鳴イメージング装置。
19. 被検体を収容する撮影空間を挟んで対向配置された一対の静磁場発生源と、
    前記一対の静磁場発生源と前記撮影空間を含む単一空間外に配置され前記静磁場発生源から発生される磁束を一方の磁場発生源から他方の静磁場発生源へ導く磁気回路部材と、
    前記静磁場発生源の各々の撮影空間に接近した位置へ設けられた非磁性の導電板と、
    前記磁気回路部材によって支持固定され前記撮影空間と前記導電板との間に配置された一対の傾斜磁場コイルと、
    前記前記撮影空間の磁場均一度を調整するために前記導電板へ着脱可能に配置された複数の磁性体小片とを備えたことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
20. 前記導電板は所定の厚みを有し、その厚みの中へ前記各磁性体小片の一部が収納されることを特徴とする請求項１９に記載の磁気共鳴イメージング装置。
21. 被検体を収容し得る大きさを有した撮影空間に所定強度の静磁場を発生する静磁場発生手段と、前記空間に磁場強度勾配を発生する傾斜磁場コイルとを備えた磁気共鳴イメージング装置であって、
    前記磁場強度の変動に対応して渦電流を誘起し、前記静磁場強度の変動を補償する磁束を発生する導電部材より成る前記磁場変動低減手段と、
    前記磁場変動低減手段が渦電流によって発生させる磁束が傾斜磁場に与える影響を補正する手段とを備えたことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
22. 撮影空間に所定強度の静磁場を発生する一対のコイルを、前記撮影空間を挟んでそれぞれのコイルを容器に収容して配置してなる静磁場発生手段と、
    前記撮影空間及び前記一対の容器を含む領域外に配置され、前記コイルによって発生された磁束を一方のコイルから他方のコイルへ導く磁気回路部材と、
    前記コイルを収納したそれぞれの容器の前記撮影空間側に、前記コイルが発生する磁束と交差するように配置され、前記磁束密度が変動した時にその磁束密度の変動を補償するように磁束を発生する磁場変動低減手段とを備えたことを特徴とするＭＲＩ装置用静磁場発生装置。
23. 前記コイルが超電導コイルであることを特徴とする請求項２２に記載のＭＲＩ装置用静磁場発生装置。
24. 前記コイルが常電導コイルであることを特徴とする請求項２２に記載のＭＲＩ装置用静磁場発生装置。
25. 前記磁場変動低減手段は、平板状の導電板であって、かつ非磁性材料から成ることを特徴とする請求項２２に記載のＭＲＩ装置用静磁場発生装置。
26. 前記導電板は、アルミニウム、銅、銀のいずれかの材質から成ることを特徴とする請求項２５に記載のＭＲＩ装置用静磁場発生装置。
27. 撮影空間に所定強度の静磁場を発生する一対のコイルを、前記撮影空間を挟んでそれぞれのコイルを容器に収容して配置してなる静磁場発生手段と、
    前記撮影空間及び前記一対の容器を含む領域外に配置され、前記コイルによって発生された磁束を一方のコイルから他方のコイルへ導く磁気回路部材と、
    前記コイルを収納したそれぞれの容器の前記撮影空間側に、前記コイルが発生する磁束と交差するように配置され、前記磁束の密度が変動した時にその磁束密度の変動を実質的にキャンセルするように磁束を発生する導電板と、
    前記導電板の厚み内にその一部が収容され前記コイルが撮影空間内に発生する磁場の均一度を調整するために配置された複数の小磁性体片とを備えたことを特徴とするＭＲＩ装置用静磁場発生装置。

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