JPS648484B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS648484B2 JPS648484B2 JP7611084A JP7611084A JPS648484B2 JP S648484 B2 JPS648484 B2 JP S648484B2 JP 7611084 A JP7611084 A JP 7611084A JP 7611084 A JP7611084 A JP 7611084A JP S648484 B2 JPS648484 B2 JP S648484B2
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- Japan
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- insulating substrate
- ceramic
- opening
- substrate
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- Expired
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 18
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/56—Monolithic crystal filters
- H03H9/562—Monolithic crystal filters comprising a ceramic piezoelectric layer
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/58—Multiple crystal filters
- H03H9/581—Multiple crystal filters comprising ceramic piezoelectric layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は共振子の数を簡単に任意の数設けるこ
とができ、しかも、外部引出し用リード線によつ
て共振子に外力が加わらないようにしようとする
ものである。
とができ、しかも、外部引出し用リード線によつ
て共振子に外力が加わらないようにしようとする
ものである。
第1図、第2図、第3図に示すように、従来の
圧電磁器フイルタはセラミツク基板1に二つの共
振子ができるように電極2a,2b,2cを形成
し、各電極2a〜2cにそれぞれ引出し用リード
線3a,3b,3cを半田付けし、ケース4に収
納したものである。このフイルタは共振子が二つ
であり、もし、共振子の数を1つ増加させる場合
にはセラミツク基板1を大きくし、ケース4も大
きくするか、三個の共振子が構成できるように電
極2a,2b,2cを小さくする必要がある。セ
ラミツク基板1を大きくすることは共振子の数毎
に異なる大きさのセラミツク基板を用意しなけれ
ばならないという欠点があり、電極の形状を小さ
くすることは製造がしにくくなるという欠点があ
る。また、上記のフイルタは電極2a〜2cに直
接リード線3a〜3cが半田付けされているの
で、外力がリード線3a〜3cを通つて直接共振
子に加わる欠点がある。
圧電磁器フイルタはセラミツク基板1に二つの共
振子ができるように電極2a,2b,2cを形成
し、各電極2a〜2cにそれぞれ引出し用リード
線3a,3b,3cを半田付けし、ケース4に収
納したものである。このフイルタは共振子が二つ
であり、もし、共振子の数を1つ増加させる場合
にはセラミツク基板1を大きくし、ケース4も大
きくするか、三個の共振子が構成できるように電
極2a,2b,2cを小さくする必要がある。セ
ラミツク基板1を大きくすることは共振子の数毎
に異なる大きさのセラミツク基板を用意しなけれ
ばならないという欠点があり、電極の形状を小さ
くすることは製造がしにくくなるという欠点があ
る。また、上記のフイルタは電極2a〜2cに直
接リード線3a〜3cが半田付けされているの
で、外力がリード線3a〜3cを通つて直接共振
子に加わる欠点がある。
本発明は上記欠点のない圧電磁器フイルタを提
供しようとするものであり、以下本発明の一実施
例について図面を参照して説明する。
供しようとするものであり、以下本発明の一実施
例について図面を参照して説明する。
第4図に示すようにセラミツク基板5の上面と
下面に一部分が重なるようにして電極6a,6b
を形成してセラミツク共振子を構成する。次に、
第5図aに示すように絶縁基板7の表面の左部分
から同基板の左端面に達するように導電部8aを
形成し、同基板7の表面の右部分から同基板7の
右端面に達するように導電部8bを設ける。そし
て第5図bに示すように導電部8a,8bに第3
図に示すセラミツク共振子の電極6a,6bが電
気的に接触するように導電性接着剤9a,9bに
よつてセラミツク共振子を絶縁基板7に取付け、
共振素子とする。
下面に一部分が重なるようにして電極6a,6b
を形成してセラミツク共振子を構成する。次に、
第5図aに示すように絶縁基板7の表面の左部分
から同基板の左端面に達するように導電部8aを
形成し、同基板7の表面の右部分から同基板7の
右端面に達するように導電部8bを設ける。そし
て第5図bに示すように導電部8a,8bに第3
図に示すセラミツク共振子の電極6a,6bが電
気的に接触するように導電性接着剤9a,9bに
よつてセラミツク共振子を絶縁基板7に取付け、
共振素子とする。
一方、第6図aに示すように左右の両端が開口
状態になつた四角筒状のケース10を設け、この
ケース10の相対向する内壁に絶縁基板7の両縁
部が嵌り込むことにより絶縁基板7を保持するス
リツト11a,11b,11c,11dを設け
る。このスリツト11a〜11dに第6図bに示
すように第5図bに示すところの二枚の共振素子
12a,12bを挿入する。次に第6図cに示す
ように蓋体13a,13bにばね性を有する引出
し用リード線14a,14b,14bbを取付け、
これらの蓋体13a,13bを接着等の手段によ
つてケース10の開口端部を覆う。これによつて
リード線14a,14b,14bbは共振素子1
2a,12bの導電部に弾性を持つて当接する。
第5図でいえば絶縁基板7の左右端面の導電部8
a,8bにリード線が当接することになる。第7
図はこのフイルタの電気的な回路である。
状態になつた四角筒状のケース10を設け、この
ケース10の相対向する内壁に絶縁基板7の両縁
部が嵌り込むことにより絶縁基板7を保持するス
リツト11a,11b,11c,11dを設け
る。このスリツト11a〜11dに第6図bに示
すように第5図bに示すところの二枚の共振素子
12a,12bを挿入する。次に第6図cに示す
ように蓋体13a,13bにばね性を有する引出
し用リード線14a,14b,14bbを取付け、
これらの蓋体13a,13bを接着等の手段によ
つてケース10の開口端部を覆う。これによつて
リード線14a,14b,14bbは共振素子1
2a,12bの導電部に弾性を持つて当接する。
第5図でいえば絶縁基板7の左右端面の導電部8
a,8bにリード線が当接することになる。第7
図はこのフイルタの電気的な回路である。
上記実施例では、蓋体13a,13bともにケ
ース10と分離して設けたが、一方はあらかじめ
ケース10と一体に作つておいてもよい。また、
上記実施例では共振子二つの場合について示した
が、もう一つ増加させたい場合にはケース10を
縦方向に少し大きくしてスリツトを増加させ、三
つ共振素子を収納できるようにすればよい。した
がつて蓋体を含めケースのみ大きくすればよく、
共振素子は一種類だけ設ければよいので容易に任
意の特性のフイルタを得ることができる。
ース10と分離して設けたが、一方はあらかじめ
ケース10と一体に作つておいてもよい。また、
上記実施例では共振子二つの場合について示した
が、もう一つ増加させたい場合にはケース10を
縦方向に少し大きくしてスリツトを増加させ、三
つ共振素子を収納できるようにすればよい。した
がつて蓋体を含めケースのみ大きくすればよく、
共振素子は一種類だけ設ければよいので容易に任
意の特性のフイルタを得ることができる。
以上のように本発明によれば1種類の共振素子
を作つておけばよく、収納するケースのみ考慮す
れば任意の数の共振子を設けることができるもの
である。また、ばね性を備えた引出し用リード線
で絶縁基板の端面導電部を押えながら当接するこ
とにより、絶縁基板の端面導電部とリード線との
接続が強固にできるものであり、これによつてリ
ード線は直接セラミツク共振子に半田付けされる
ことはなく、リード線に外力が加わつても共振状
態に悪影響をおよぼすことが少ないものである。
を作つておけばよく、収納するケースのみ考慮す
れば任意の数の共振子を設けることができるもの
である。また、ばね性を備えた引出し用リード線
で絶縁基板の端面導電部を押えながら当接するこ
とにより、絶縁基板の端面導電部とリード線との
接続が強固にできるものであり、これによつてリ
ード線は直接セラミツク共振子に半田付けされる
ことはなく、リード線に外力が加わつても共振状
態に悪影響をおよぼすことが少ないものである。
第1図は従来の圧電磁器フイルタの共振子の斜
視図、第2図は同共振子の回路図、第3図a,b
はそれぞれ同フイルタの断正面図および断側面
図、第4図は本発明の一実施例における圧電磁器
フイルタに用いるセラミツク共振子の斜視図、第
5図a,bは同フイルタに用いる共振素子の斜視
図、第6図a,b,cはそれぞれ同フイルタのケ
ースの斜視図、同フイルタの側面図および断正面
図、第7図は同フイルタの回路図である。 5……セラミツク基板、6a,6b……電極、
7……絶縁基板、8a,8b……導電部、9a,
9b……導電性接着剤、10……ケース、11
a,11b,11c,11d……スリツト、12
a,12b……共振素子、13a,13b……蓋
体、14a,14b,14bb……リード線。
視図、第2図は同共振子の回路図、第3図a,b
はそれぞれ同フイルタの断正面図および断側面
図、第4図は本発明の一実施例における圧電磁器
フイルタに用いるセラミツク共振子の斜視図、第
5図a,bは同フイルタに用いる共振素子の斜視
図、第6図a,b,cはそれぞれ同フイルタのケ
ースの斜視図、同フイルタの側面図および断正面
図、第7図は同フイルタの回路図である。 5……セラミツク基板、6a,6b……電極、
7……絶縁基板、8a,8b……導電部、9a,
9b……導電性接着剤、10……ケース、11
a,11b,11c,11d……スリツト、12
a,12b……共振素子、13a,13b……蓋
体、14a,14b,14bb……リード線。
Claims (1)
- 1 セラミツク共振素子の振動取出し用導電部と
接続される導電部を端面まで達するように設けか
つ上記セラミツク共振素子が接続固定される絶縁
基板と、この絶縁基板の両縁部が嵌り込むことに
より絶縁基板を保持するスリツトを相対する内壁
に設けかつ少なくとも一端が開口した筒状のケー
スと、このケースの開口部にそれぞれ取付けられ
るか、またはこのケースの一端の開口部に一方が
取付けられると共に他方はこのケースと一体に作
られている蓋体に設けられ、かつ上記絶縁基板の
導電部に弾性を持つて当接するばね性を備えた引
出し用リード線とを有し、上記セラミツク共振素
子を接続固定した絶縁基板を上記ケース内に上記
絶縁基板の端面の導電部がケースの開口部側にく
るように上記スリツトにより保持して収納し、か
つ絶縁基板の導電部に引出し用リード線を接続し
た圧電磁器フイルタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7611084A JPS59210714A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 圧電磁器フイルタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7611084A JPS59210714A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 圧電磁器フイルタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59210714A JPS59210714A (ja) | 1984-11-29 |
JPS648484B2 true JPS648484B2 (ja) | 1989-02-14 |
Family
ID=13595749
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7611084A Granted JPS59210714A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 圧電磁器フイルタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59210714A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06152316A (ja) * | 1992-11-05 | 1994-05-31 | Murata Mfg Co Ltd | ラダー型フィルタ |
-
1984
- 1984-04-16 JP JP7611084A patent/JPS59210714A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS59210714A (ja) | 1984-11-29 |
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