JPS644353B2 - - Google Patents
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- JPS644353B2 JPS644353B2 JP17214979A JP17214979A JPS644353B2 JP S644353 B2 JPS644353 B2 JP S644353B2 JP 17214979 A JP17214979 A JP 17214979A JP 17214979 A JP17214979 A JP 17214979A JP S644353 B2 JPS644353 B2 JP S644353B2
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Landscapes
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- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はスクリーン印刷工程でのパターン形成
用レジストに関する。
用レジストに関する。
上記パターン形成用レジストとしては二種類あ
り、一つはいわゆるエツチングレジストと称する
もので、電極材料を蒸著した基板上のパターンを
形成したい所にレジストをスクリーン印刷し、固
化させエツチングした後、そのレジストを有機溶
媒あるいはアルカリ水溶液で除去するものであ
る。上記エツチングレジストは成分として樹脂、
フイラー（顔料）、有機溶媒等からなり、固化さ
せる温度は200℃以内であり、レジストの除去は
有機溶媒あるいはアルカリ水溶液を用いて超音波
洗浄等により除去できる。しかし、上記200℃よ
り高温にすると、樹脂成分が炭化してしまい除去
できない。
り、一つはいわゆるエツチングレジストと称する
もので、電極材料を蒸著した基板上のパターンを
形成したい所にレジストをスクリーン印刷し、固
化させエツチングした後、そのレジストを有機溶
媒あるいはアルカリ水溶液で除去するものであ
る。上記エツチングレジストは成分として樹脂、
フイラー（顔料）、有機溶媒等からなり、固化さ
せる温度は200℃以内であり、レジストの除去は
有機溶媒あるいはアルカリ水溶液を用いて超音波
洗浄等により除去できる。しかし、上記200℃よ
り高温にすると、樹脂成分が炭化してしまい除去
できない。
もう一つはいわゆるリフトオフ用レジストと称
するもので、基板上にパターンとなる部分以外の
所に、レジストをスクリーン印刷し、固化させ、
その上から電極材料を蒸着し、その後レジストを
除去するものである。上記リフトオフ用レジスト
は成分として金属塩、結合剤、有機溶媒等からな
り300℃以上の高温でも炭化せず、焼成後希酸で
たやすく除去できる。
するもので、基板上にパターンとなる部分以外の
所に、レジストをスクリーン印刷し、固化させ、
その上から電極材料を蒸着し、その後レジストを
除去するものである。上記リフトオフ用レジスト
は成分として金属塩、結合剤、有機溶媒等からな
り300℃以上の高温でも炭化せず、焼成後希酸で
たやすく除去できる。
本発明は後者のリフトオフ用レジストに関する
ものである。
ものである。
炭酸バリウムを主成分としたレジストはMSN
―42Bレジスト（MinEtch社製）として市販され
ており、ネサ膜形成時のパターンレジストとして
使用されている。しかし、上記MSN―42Bレジ
ストは予熱した後高温で完全に焼成すると高温時
はレジストに変化はないが、炉から出して室温に
戻すと、基板とレジストの熱膨張率の差により、
レジストにハガレやヒビ割れを生じる。ゆえに上
記MSN―42Bレジストはあらかじめ予熱した後
炉の中で高温にし、完全に焼成した後、温度変化
させないで高温のまま作業するような場合たとえ
ばネサ膜形成等の場合には、上述したようにレジ
ストのヒビ、ハガレが生じないので適用できる。
一方、予熱した後、完全に高温で焼成し室温に戻
す必要がある場合、すなわち炉内で完全に焼成し
た後、蒸着機に移し変えて蒸着するような場合に
は、室温時の冷却した段階で上述したようなレジ
ストのヒビ、ハガレが生じる欠点があり、蒸着時
のパターンマスクとして用をなさない。さらに、
完全に焼成しない状態で炉から出した場合におい
ても、室温時の冷却した段階での上述したレジス
トのヒビ、ハガレは生じないが、蒸着時の加熱の
際レジスト内の樹脂成分がガスとして発生し蒸着
膜の不良をもたらす欠点を有する。
―42Bレジスト（MinEtch社製）として市販され
ており、ネサ膜形成時のパターンレジストとして
使用されている。しかし、上記MSN―42Bレジ
ストは予熱した後高温で完全に焼成すると高温時
はレジストに変化はないが、炉から出して室温に
戻すと、基板とレジストの熱膨張率の差により、
レジストにハガレやヒビ割れを生じる。ゆえに上
記MSN―42Bレジストはあらかじめ予熱した後
炉の中で高温にし、完全に焼成した後、温度変化
させないで高温のまま作業するような場合たとえ
ばネサ膜形成等の場合には、上述したようにレジ
ストのヒビ、ハガレが生じないので適用できる。
一方、予熱した後、完全に高温で焼成し室温に戻
す必要がある場合、すなわち炉内で完全に焼成し
た後、蒸着機に移し変えて蒸着するような場合に
は、室温時の冷却した段階で上述したようなレジ
ストのヒビ、ハガレが生じる欠点があり、蒸着時
のパターンマスクとして用をなさない。さらに、
完全に焼成しない状態で炉から出した場合におい
ても、室温時の冷却した段階での上述したレジス
トのヒビ、ハガレは生じないが、蒸着時の加熱の
際レジスト内の樹脂成分がガスとして発生し蒸着
膜の不良をもたらす欠点を有する。
本発明の構成は、重量比で無機物として炭酸バ
リウムを60〜80％、残りを有機物としたレジス
ト、例えばMSN―42Bレジストに炭酸カルシウ
ムを添加し、希釈剤としてＢ，Ｃ，Ａ，を添加
し、結合剤としてＮ，Ｃ，を添加したレジスト組
成物である。このような組成物は高温で焼成した
後室温に戻した際ヒビ、ハガレの現象が起きず、
また蒸着時の発生ガスの影響がなく耐熱性、付着
性の優れた効果がある。
リウムを60〜80％、残りを有機物としたレジス
ト、例えばMSN―42Bレジストに炭酸カルシウ
ムを添加し、希釈剤としてＢ，Ｃ，Ａ，を添加
し、結合剤としてＮ，Ｃ，を添加したレジスト組
成物である。このような組成物は高温で焼成した
後室温に戻した際ヒビ、ハガレの現象が起きず、
また蒸着時の発生ガスの影響がなく耐熱性、付着
性の優れた効果がある。
以下、上記効果について試験例でもつてさらに
詳細に説明する。
詳細に説明する。
試験例 １：
上記MSN―42Bレジストに対する炭酸カルシ
ウムとＮ，Ｃ，とＢ，Ｃ，Ａの混合比を検討し
た。そこで、Ｂ，Ｃ，ＡにＮ，Ｃ，が1.5重量％
溶解した飽和溶液4CCに炭酸カルシウム10ｇを混
合したレジストと上記MSN―42Bレジストの重
量混合比を３：１，１：１，２：３とした３種類
のレジスト組成物を試作し、それぞれについて30
時間以上粉砂混合器で完全に混合粉砕したものを
検討したが、それぞれ良好なスクリーン印刷面を
呈する結果を得た。
ウムとＮ，Ｃ，とＢ，Ｃ，Ａの混合比を検討し
た。そこで、Ｂ，Ｃ，ＡにＮ，Ｃ，が1.5重量％
溶解した飽和溶液4CCに炭酸カルシウム10ｇを混
合したレジストと上記MSN―42Bレジストの重
量混合比を３：１，１：１，２：３とした３種類
のレジスト組成物を試作し、それぞれについて30
時間以上粉砂混合器で完全に混合粉砕したものを
検討したが、それぞれ良好なスクリーン印刷面を
呈する結果を得た。
試験例 ２：
次に上記３つの組成物について焼成に最適な温
度を検討した。そこで、200℃前後で予熱した基
板をマツフル炉を用いて300℃，350℃，400℃の
各温度設定で60分間加熱したところ、それぞれ
300℃ではまだ焼成が完全でないが、350℃以上で
は完全に焼成が達成されており、希塩酸での剥離
も良好であるという結果を得た。
度を検討した。そこで、200℃前後で予熱した基
板をマツフル炉を用いて300℃，350℃，400℃の
各温度設定で60分間加熱したところ、それぞれ
300℃ではまだ焼成が完全でないが、350℃以上で
は完全に焼成が達成されており、希塩酸での剥離
も良好であるという結果を得た。
上記二試験例の結果からみて、上記MSN―
42Bレジストと炭酸カルシウムとの混合物にＢ，
Ｃ，Ａ，とＮ，Ｃ，を添加した本発明のパターン
形成用レジスト組成物は高温で焼成した後室温に
戻し、蒸着を要するスクリーン印刷に著しい効果
がある。以て本発明によるレジストは種々のパタ
ーン電極形成などに広く適用できるものである。
42Bレジストと炭酸カルシウムとの混合物にＢ，
Ｃ，Ａ，とＮ，Ｃ，を添加した本発明のパターン
形成用レジスト組成物は高温で焼成した後室温に
戻し、蒸着を要するスクリーン印刷に著しい効果
がある。以て本発明によるレジストは種々のパタ
ーン電極形成などに広く適用できるものである。
本発明によるレジスト組成物を用いて電極パタ
ーン形成した使用例を示す。
ーン形成した使用例を示す。
使用例：
適当に制御された印加電圧により光吸収特性が
変化する現象、いわゆるエレクトロクロミズムを
利用した表示装置（以下Ｅ，Ｃ，Ｄ，と称す）に
おける表示電極の製造に本発明によるレジスト組
成物を使用した場合である。第１図１から７は上
記製造の各工程における上記Ｅ，Ｃ，Ｄ，基板の
断面図である。以下各工程について逐次説明す
る。
変化する現象、いわゆるエレクトロクロミズムを
利用した表示装置（以下Ｅ，Ｃ，Ｄ，と称す）に
おける表示電極の製造に本発明によるレジスト組
成物を使用した場合である。第１図１から７は上
記製造の各工程における上記Ｅ，Ｃ，Ｄ，基板の
断面図である。以下各工程について逐次説明す
る。
工程 (1)：
ガラス基板１上に蒸着した酸化インジウム透明
導電膜（In2O3）上に表示電極及び電極引出し部
となる領域にホトレジスト、エツチングレジスト
等でパターン形成し、導電膜を塩酸と塩化第２鉄
の混合溶液によりエツチングし、透明電極部２を
形成する。これを第１図１に示す。
導電膜（In2O3）上に表示電極及び電極引出し部
となる領域にホトレジスト、エツチングレジスト
等でパターン形成し、導電膜を塩酸と塩化第２鉄
の混合溶液によりエツチングし、透明電極部２を
形成する。これを第１図１に示す。
工程 (2)：
表示電極部となる所に上記MSN―42B(3)のレ
ジストで直径約0.2mmの点をスクリーン印刷する。
これを第１図２に示す。
ジストで直径約0.2mmの点をスクリーン印刷する。
これを第１図２に示す。
工程 (3)：
SiO2の絶縁膜４を1000Å〜1500Åの厚さに、
化学反応を伴なう気相成長（いわゆるＣ，Ｖ，
Ｄ，と称する）方法により一面全体に生成する。
これを第１図３に示す。
化学反応を伴なう気相成長（いわゆるＣ，Ｖ，
Ｄ，と称する）方法により一面全体に生成する。
これを第１図３に示す。
工程 (4)：
希塩酸により上記工程(2)での点状に塗布したレ
ジスト３を除去する。これを第１図４に示す。
ジスト３を除去する。これを第１図４に示す。
工程 (5)：
表示電極部となる所以外の部分にスクリーン印
刷するために本発明によるレジスト５を塗布し、
200℃で予熱し、350℃のマツフル炉で60分間焼成
する。これを第１図５に示す。
刷するために本発明によるレジスト５を塗布し、
200℃で予熱し、350℃のマツフル炉で60分間焼成
する。これを第１図５に示す。
工程 (6)：
酸化インジウム透明導電膜６と、さらに酸化タ
ングステン膜と酸化モリブデン膜のどちらかの膜
７を350℃で連続的に蒸着する。これを第１図６
に示す。
ングステン膜と酸化モリブデン膜のどちらかの膜
７を350℃で連続的に蒸着する。これを第１図６
に示す。
工程 (7)：
希塩酸により上記工程(5)で塗布したレジストを
除去する。これを第１図７に示す。
除去する。これを第１図７に示す。
上述のように本発明によるリフトオフ用レジス
トを用いて、酸化タングステンあるいは酸化モリ
ブデンの上記膜７をパターン形成すれば、上記膜
７に直接レジストが接触することはなく、かつ上
記工程(6)で350℃の蒸着時にもレジスト内からの
ガスの発生がなく、上記膜７不良を生じさせな
い。また、上記工程(5)から(6)に移行する時も、レ
ジストにヒビ、ハガレが発生せず、作業性がよ
い。
トを用いて、酸化タングステンあるいは酸化モリ
ブデンの上記膜７をパターン形成すれば、上記膜
７に直接レジストが接触することはなく、かつ上
記工程(6)で350℃の蒸着時にもレジスト内からの
ガスの発生がなく、上記膜７不良を生じさせな
い。また、上記工程(5)から(6)に移行する時も、レ
ジストにヒビ、ハガレが発生せず、作業性がよ
い。
第１図は本発明はよるパターン形成用レジスト
を上記Ｅ，Ｃ，Ｄ，の表示電極形成に適用した実
施例の工程順による上記Ｅ，Ｃ，Ｄ基板の断面図
である。 １……ガラス基板、２，６……酸化インジウム
透明導電膜、３……レジスト、４……SiO2絶縁
膜、５……本発明によるレジスト、７……酸化タ
ングステン膜あるいは酸化モリブデン膜。
を上記Ｅ，Ｃ，Ｄ，の表示電極形成に適用した実
施例の工程順による上記Ｅ，Ｃ，Ｄ基板の断面図
である。 １……ガラス基板、２，６……酸化インジウム
透明導電膜、３……レジスト、４……SiO2絶縁
膜、５……本発明によるレジスト、７……酸化タ
ングステン膜あるいは酸化モリブデン膜。
Claims (1)
- １ 炭酸バリウムを主成分としたレジストと、炭
酸カルシウムと、Ｂ，Ｃ，Ａ，（ブチルカルビノ
ールアセテート）と、Ｎ，Ｃ，（ニトロセルロー
ス）とからなるパターン形成用レジスト組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17214979A JPS5696894A (en) | 1979-12-29 | 1979-12-29 | Resist composition for forming pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17214979A JPS5696894A (en) | 1979-12-29 | 1979-12-29 | Resist composition for forming pattern |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5696894A JPS5696894A (en) | 1981-08-05 |
| JPS644353B2 true JPS644353B2 (ja) | 1989-01-25 |
Family
ID=15936466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17214979A Granted JPS5696894A (en) | 1979-12-29 | 1979-12-29 | Resist composition for forming pattern |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5696894A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3001466U (ja) * | 1994-02-25 | 1994-08-30 | トキワケミカル工業株式会社 | 雨水排水付フロントのモールディング |
-
1979
- 1979-12-29 JP JP17214979A patent/JPS5696894A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3001466U (ja) * | 1994-02-25 | 1994-08-30 | トキワケミカル工業株式会社 | 雨水排水付フロントのモールディング |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5696894A (en) | 1981-08-05 |
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