JPS6433740U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6433740U JPS6433740U JP12890887U JP12890887U JPS6433740U JP S6433740 U JPS6433740 U JP S6433740U JP 12890887 U JP12890887 U JP 12890887U JP 12890887 U JP12890887 U JP 12890887U JP S6433740 U JPS6433740 U JP S6433740U
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- JP
- Japan
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- reaction tube
- tube
- reaction
- wall
- protrusions
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
Description
第１図は本考案の半導体基板加熱処理用反応管
を横型炉に適用した場合の縦断面図、第２図ａは
本考案を縦型炉に適用した場合の縦断面図、第２
図ｂは同横断面図である。 １……反応管内壁、２……突起、３……らせん
状突起、Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｅ，Ｈ……ガス流。
を横型炉に適用した場合の縦断面図、第２図ａは
本考案を縦型炉に適用した場合の縦断面図、第２
図ｂは同横断面図である。 １……反応管内壁、２……突起、３……らせん
状突起、Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｅ，Ｈ……ガス流。
Claims (1)
- 半導体基板の加熱処理する拡散炉用反応管にお
いて、反応管の内壁に、管内の反応ガスの熱対流
を制御する突起を有することを特徴とする半導体
基板加熱処理用反応管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12890887U JPS6433740U (ja) | 1987-08-25 | 1987-08-25 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12890887U JPS6433740U (ja) | 1987-08-25 | 1987-08-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6433740U true JPS6433740U (ja) | 1989-03-02 |
Family
ID=31382683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12890887U Pending JPS6433740U (ja) | 1987-08-25 | 1987-08-25 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6433740U (ja) |
-
1987
- 1987-08-25 JP JP12890887U patent/JPS6433740U/ja active Pending