JPS63201326U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS63201326U JPS63201326U JP9355287U JP9355287U JPS63201326U JP S63201326 U JPS63201326 U JP S63201326U JP 9355287 U JP9355287 U JP 9355287U JP 9355287 U JP9355287 U JP 9355287U JP S63201326 U JPS63201326 U JP S63201326U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- core tube
- furnace core
- heat treatment
- silicon carbide
- semiconductor heat
- Prior art date
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- Pending
Links
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- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
第１図は本考案の半導体熱処理用炉芯管の縦断
面図、第２図は従来の熱処理用炉芯管の縦断面図
、第３図は従来の熱処理用炉芯管を用いた場合の
各温度における冷却速度を示した図である。 １……石英もしくは緻密シリコンカーバイド炉
芯管、２……ポーラスシリコンカーバイド層、３
……緻密シリコンカーバイド層、４……冷却用ガ
ス導入口。
面図、第２図は従来の熱処理用炉芯管の縦断面図
、第３図は従来の熱処理用炉芯管を用いた場合の
各温度における冷却速度を示した図である。 １……石英もしくは緻密シリコンカーバイド炉
芯管、２……ポーラスシリコンカーバイド層、３
……緻密シリコンカーバイド層、４……冷却用ガ
ス導入口。
Claims (1)
- 炉芯管の外壁に冷却用ガスを流すためのポーラ
スなシリコンカーバイドを有することを特徴とす
る半導体熱処理用炉芯管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9355287U JPS63201326U (ja) | 1987-06-17 | 1987-06-17 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9355287U JPS63201326U (ja) | 1987-06-17 | 1987-06-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63201326U true JPS63201326U (ja) | 1988-12-26 |
Family
ID=30956221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9355287U Pending JPS63201326U (ja) | 1987-06-17 | 1987-06-17 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63201326U (ja) |
-
1987
- 1987-06-17 JP JP9355287U patent/JPS63201326U/ja active Pending