JPS6433573U - - Google Patents

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JPS6433573U
JPS6433573U JP12639987U JP12639987U JPS6433573U JP S6433573 U JPS6433573 U JP S6433573U JP 12639987 U JP12639987 U JP 12639987U JP 12639987 U JP12639987 U JP 12639987U JP S6433573 U JPS6433573 U JP S6433573U
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JP
Japan
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magnetic field
heating element
ring
crystal
manufacturing apparatus
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JP12639987U
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  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図aは本考案に係る磁界印加結晶製造装置
の一実施例においてその要部を示す図、第1図b
はこの磁界印加結晶製造装置においてその発熱体
の補強体として用いるリングを示す外観図、第2
図aはこの磁界印加結晶製造装置においてその発
熱体の補強に円板状のリングを用いた実施例を示
す図、第2図bはこの円板状のリングを示す外観
図、第3図aはこの円板状のリングに付設して保
持体を配置した磁界印加結晶製造装置の要部を示
す図、第3図bはこの磁界印加結晶製造装置に用
いる保持体の外観斜視図、第4図は従来のチヨコ
ラルスキー法による磁界印加結晶製造装置の一例
を示す概略構成図である。 2……チヤンバ、4……単結晶、5……融液、
6……石英坩堝、7……黒鉛坩堝、9……保温体
、10……黒鉛発熱体、13……磁石、14,1
5……リング、16……保持体。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) チヤンバ内に保温体で取り囲んだ発熱体を
    形成しその内部に原材料を充填した坩堝を有する
    ホツトゾーンに対して磁界を印加しつつ前記発熱
    体に通電を行い前記原材料を加熱し単結晶を育成
    する磁界印加結晶製造装置において、前記発熱体
    にその機械的強度を高めるべく補強体を設けたこ
    とを特徴とする磁界印加結晶製造装置。 (2) 補強体が、発熱体の周囲に沿つた高比抵抗
    かつ高温において化学的に安定な物質より成るリ
    ングであることを特徴とする実用新案登録請求の
    範囲第1項記載の磁界印加結晶製造装置。 (3) 補強体が、発熱体の周囲に沿つた高比抵抗
    かつ高温において化学的に安定な物質より成るリ
    ングと、このリングをチヤンバ壁で支持する高温
    において化学的に安定な物質より成る支持体とで
    構成されていることを特徴とする実用新案登録請
    求の範囲第1項記載の磁界印加結晶製造装置。 (4) リングが、熱分解窒化ほう素により構成さ
    れて成ることを特徴とする実用新案登録請求の範
    囲第2項又は第3項記載の磁界印加結晶製造装置
    。 (5) 支持体が、黒鉛により構成されて成ること
    を特徴とする実用新案登録請求の範囲第3項記載
    の磁界印加結晶製造装置。
JP12639987U 1987-08-21 1987-08-21 Pending JPS6433573U (ja)

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