JPS6433573U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6433573U JPS6433573U JP12639987U JP12639987U JPS6433573U JP S6433573 U JPS6433573 U JP S6433573U JP 12639987 U JP12639987 U JP 12639987U JP 12639987 U JP12639987 U JP 12639987U JP S6433573 U JPS6433573 U JP S6433573U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- heating element
- ring
- crystal
- manufacturing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
第1図aは本考案に係る磁界印加結晶製造装置
の一実施例においてその要部を示す図、第1図b
はこの磁界印加結晶製造装置においてその発熱体
の補強体として用いるリングを示す外観図、第2
図aはこの磁界印加結晶製造装置においてその発
熱体の補強に円板状のリングを用いた実施例を示
す図、第2図bはこの円板状のリングを示す外観
図、第3図aはこの円板状のリングに付設して保
持体を配置した磁界印加結晶製造装置の要部を示
す図、第3図bはこの磁界印加結晶製造装置に用
いる保持体の外観斜視図、第4図は従来のチヨコ
ラルスキー法による磁界印加結晶製造装置の一例
を示す概略構成図である。 2……チヤンバ、4……単結晶、5……融液、
6……石英坩堝、7……黒鉛坩堝、9……保温体
、10……黒鉛発熱体、13……磁石、14,1
5……リング、16……保持体。
の一実施例においてその要部を示す図、第1図b
はこの磁界印加結晶製造装置においてその発熱体
の補強体として用いるリングを示す外観図、第2
図aはこの磁界印加結晶製造装置においてその発
熱体の補強に円板状のリングを用いた実施例を示
す図、第2図bはこの円板状のリングを示す外観
図、第3図aはこの円板状のリングに付設して保
持体を配置した磁界印加結晶製造装置の要部を示
す図、第3図bはこの磁界印加結晶製造装置に用
いる保持体の外観斜視図、第4図は従来のチヨコ
ラルスキー法による磁界印加結晶製造装置の一例
を示す概略構成図である。 2……チヤンバ、4……単結晶、5……融液、
6……石英坩堝、7……黒鉛坩堝、9……保温体
、10……黒鉛発熱体、13……磁石、14,1
5……リング、16……保持体。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) チヤンバ内に保温体で取り囲んだ発熱体を
形成しその内部に原材料を充填した坩堝を有する
ホツトゾーンに対して磁界を印加しつつ前記発熱
体に通電を行い前記原材料を加熱し単結晶を育成
する磁界印加結晶製造装置において、前記発熱体
にその機械的強度を高めるべく補強体を設けたこ
とを特徴とする磁界印加結晶製造装置。 (2) 補強体が、発熱体の周囲に沿つた高比抵抗
かつ高温において化学的に安定な物質より成るリ
ングであることを特徴とする実用新案登録請求の
範囲第1項記載の磁界印加結晶製造装置。 (3) 補強体が、発熱体の周囲に沿つた高比抵抗
かつ高温において化学的に安定な物質より成るリ
ングと、このリングをチヤンバ壁で支持する高温
において化学的に安定な物質より成る支持体とで
構成されていることを特徴とする実用新案登録請
求の範囲第1項記載の磁界印加結晶製造装置。 (4) リングが、熱分解窒化ほう素により構成さ
れて成ることを特徴とする実用新案登録請求の範
囲第2項又は第3項記載の磁界印加結晶製造装置
。 (5) 支持体が、黒鉛により構成されて成ること
を特徴とする実用新案登録請求の範囲第3項記載
の磁界印加結晶製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12639987U JPS6433573U (ja) | 1987-08-21 | 1987-08-21 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12639987U JPS6433573U (ja) | 1987-08-21 | 1987-08-21 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6433573U true JPS6433573U (ja) | 1989-03-01 |
Family
ID=31377888
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12639987U Pending JPS6433573U (ja) | 1987-08-21 | 1987-08-21 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6433573U (ja) |
-
1987
- 1987-08-21 JP JP12639987U patent/JPS6433573U/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
GB1044848A (en) | Method for producing homogeneous crystals of mixed semiconductive materials | |
JPS6433573U (ja) | ||
JPS61183971U (ja) | ||
JPS5935094A (ja) | シリコン単結晶の製造方法およびその装置 | |
JPS63183273U (ja) | ||
JPH034028Y2 (ja) | ||
JPH0449185Y2 (ja) | ||
JPS6333623U (ja) | ||
JP2665778B2 (ja) | 半導体単結晶引上げ装置 | |
JPH04160090A (ja) | 半導体単結晶引上装置の黒鉛ルツボ | |
JPH021556U (ja) | ||
JPS6293378U (ja) | ||
JPS6342163U (ja) | ||
JPS6241075U (ja) | ||
JPS6481127A (en) | Manufacture of superconducting material | |
JPS6414189A (en) | Growing device for crystal of semiconductor | |
GB1383400A (en) | Growth of monocryst' ' of corundum | |
JPS63162869U (ja) | ||
JPS6456394A (en) | Device for growing single crystal | |
JPS63185883A (ja) | 固相反応単結晶の作成法 | |
JPS63186775U (ja) | ||
JPS61219786A (ja) | 酸化物単結晶の引上げ方法 | |
JPS63201086A (ja) | 単結晶成長法 | |
ADDAMIANO | Method of preparing single crystalline cubic silicon carbide layers(Patent) | |
JPH0274371U (ja) |