JPS6416645U - - Google Patents

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JPS6416645U
JPS6416645U JP11041287U JP11041287U JPS6416645U JP S6416645 U JPS6416645 U JP S6416645U JP 11041287 U JP11041287 U JP 11041287U JP 11041287 U JP11041287 U JP 11041287U JP S6416645 U JPS6416645 U JP S6416645U
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JP
Japan
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integrated circuit
circuit device
monolithic integrated
passive
capacitive
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JP11041287U
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【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の第１の実施例に係るモノリシ
ツク集積回路素子を示す縦断面図、第２図は本考
案の第２の実施例に係るモノリシツク集積回路素
子を示す縦断面図、第３図は従来のモノリシツク
集積回路素子を示す縦断面図である。 １１，４１；半絶縁性ＧａＡｓ基板、１２，２
５，４２；抵抗層、１３，２６，４３；能動層、
１４，２８；動作層、１５，２７，４４；コンタ
クト層、１８，３１，５５；ソース電極、１９，
３２，５６；ドレイン電極、２０，３４；アノー
ド電極、２１，３３，５７；オーミツク電極、２
２，３６；カソード電極、２３，３８；配線電極
、２４，３５，４６；ゲート電極、３９，５０；
下部電極、４０，５２；上部電極。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 半導体基板上に設けられたトランジスタ能
    動素子及び受動素子を有するモノリシツク集積回
    路素子において、前記受動素子は能動素子を形成
    する要素と同一の要素から形成されていることを
    特徴とするモノリシツク集積回路素子。 (2) 受動素子の構成要素が抵抗領域、インダク
    タ、容量下部電極、容量絶縁膜及び容量上部電極
    であることを特徴とする実用新案登録請求の範囲
    第１項に記載のモノリシツク集積回路素子。 (3) 保護用シヨツトキ接合ダイオードを設けた
    ことを特徴とする実用新案登録請求の範囲第１項
    に記載のモノリシツク集積回路素子。
JP11041287U 1987-07-17 1987-07-17 Pending JPS6416645U (ja)

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JP11041287U JPS6416645U (ja) 1987-07-17 1987-07-17

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JP11041287U JPS6416645U (ja) 1987-07-17 1987-07-17

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JPS6416645U true JPS6416645U (ja) 1989-01-27

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JP11041287U Pending JPS6416645U (ja) 1987-07-17 1987-07-17

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57153462A (en) * 1981-03-18 1982-09-22 Mitsubishi Electric Corp Manufacture of semiconductor integrated circuit device
JPS61285746A (ja) * 1985-06-07 1986-12-16 フィリップス　エレクトロニクス　ネムローゼ　フェンノート　シャップ 半導体装置
JPS63310154A (ja) * 1987-06-12 1988-12-19 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> マイクロ波モノリシツク集積回路の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57153462A (en) * 1981-03-18 1982-09-22 Mitsubishi Electric Corp Manufacture of semiconductor integrated circuit device
JPS61285746A (ja) * 1985-06-07 1986-12-16 フィリップス　エレクトロニクス　ネムローゼ　フェンノート　シャップ 半導体装置
JPS63310154A (ja) * 1987-06-12 1988-12-19 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> マイクロ波モノリシツク集積回路の製造方法

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