JPS639848A - 微粒子検知装置 - Google Patents
微粒子検知装置Info
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- JPS639848A JPS639848A JP15363286A JP15363286A JPS639848A JP S639848 A JPS639848 A JP S639848A JP 15363286 A JP15363286 A JP 15363286A JP 15363286 A JP15363286 A JP 15363286A JP S639848 A JPS639848 A JP S639848A
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- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 6
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
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- G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
- G01N21/49—Scattering, i.e. diffuse reflection within a body or fluid
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は、投光部により測定すべき気体に光線を投光
すると共に、前記投光部及び受光部の視野の交叉部内に
浮遊する微粒子からの散乱光を受光部により受光して、
前記気体中の微粒子を検知する微粒子検知装置に関する
。
すると共に、前記投光部及び受光部の視野の交叉部内に
浮遊する微粒子からの散乱光を受光部により受光して、
前記気体中の微粒子を検知する微粒子検知装置に関する
。
「従来の技術」
従来、例えば半導体製造工場等においては、シランガス
（ＳｉＨ４）が多用されている。しかし、このシランガ
スは、空気中に放出されると自然燃焼する性質を有して
いるため、配゛管からシランガスが漏洩した場合、設備
機器等に延焼して大火災に発展する恐れがある。従って
、シランガスを導く配管が配設された区域内には、この
シランガスの漏洩を検知するガス漏れ検知装置を設置す
る必要がある。
（ＳｉＨ４）が多用されている。しかし、このシランガ
スは、空気中に放出されると自然燃焼する性質を有して
いるため、配゛管からシランガスが漏洩した場合、設備
機器等に延焼して大火災に発展する恐れがある。従って
、シランガスを導く配管が配設された区域内には、この
シランガスの漏洩を検知するガス漏れ検知装置を設置す
る必要がある。
従来、シランガスのガス漏れを検知する方法として、定
電位電解式のセンサによってシランガスそのものを直接
検知する方法や、シランガスの燃焼に伴って生成される
シリカ（ＳｉＯｙ）の煙粒子（微粒子）を微粒子検知装
置により検知する方法等が知られている。
電位電解式のセンサによってシランガスそのものを直接
検知する方法や、シランガスの燃焼に伴って生成される
シリカ（ＳｉＯｙ）の煙粒子（微粒子）を微粒子検知装
置により検知する方法等が知られている。
第４図は、前記従来の微粒子検知装置の一例を示す図で
ある。第４図において、内部が黒色ペンキの塗布等によ
り乱反射抑制処理が施されている殻体ｌには、一対のバ
イブ２．３が設けられていると共に、一方のパイプ３が
吸引側となって、この殻体ｌ内に測定すべき気体が誘導
される。また、この殻体Ｉ内には、発光ダイオード等か
ら構成される投光部４、及びフォトトランジスタ等から
構成される受光部５が設けられ、投光部４から投光され
る光線が、投光部４及び受光部５の視野（光束）４ａ、
５ａの交叉部６内に浮遊する煙粒子（微粒子）により散
乱され、この散乱光が受光部５により受光されることで
、この交叉部６内での煙粒子の有無及び濃度が検出され
る。
ある。第４図において、内部が黒色ペンキの塗布等によ
り乱反射抑制処理が施されている殻体ｌには、一対のバ
イブ２．３が設けられていると共に、一方のパイプ３が
吸引側となって、この殻体ｌ内に測定すべき気体が誘導
される。また、この殻体Ｉ内には、発光ダイオード等か
ら構成される投光部４、及びフォトトランジスタ等から
構成される受光部５が設けられ、投光部４から投光され
る光線が、投光部４及び受光部５の視野（光束）４ａ、
５ａの交叉部６内に浮遊する煙粒子（微粒子）により散
乱され、この散乱光が受光部５により受光されることで
、この交叉部６内での煙粒子の有無及び濃度が検出され
る。
近年、光強度の向上及び光束４ａの指向性の向上を目的
として、前記発光ダイオードの代わりに半導体レーザー
を投光部４に使用した微粒子検知装置が検討されている
。
として、前記発光ダイオードの代わりに半導体レーザー
を投光部４に使用した微粒子検知装置が検討されている
。
「発明が解決しようとする問題点」
ところで、前記発光ダイオードを投光部４に使用した微
粒子検知装置では、この投光部４から投光される光束４
ａの断面形状力円形゛であるのに対して、前記半導体レ
ーザーを投光部４に使用した微粒子検知装置では、半導
体レーザーの構造的制約等の理由により、投光部４の光
束４ａ断面形状が楕円状となる。このため、レーザー光
の光束４ａ断面の長９ＪＪＪ４ｂと受光部５の受光視野
５ａの中心線５ｂとの位置関係により、受光部５におけ
る散乱光受光面積が変化してしまい、第５図に示すよう
に、前記光束４ａ断面の長軸４ｂと受光部５の受光視野
５ａの中心線５ｂとが略同−の面上に位置する場合には
、受光部５における散乱光受光面積７が最小となってい
た。そして、この場合、受光部５により受光される前記
交叉部６内の微粒子からの散乱光が減少され、これが前
記検知装置自体の測定精度を低下させる要因となってい
た。
粒子検知装置では、この投光部４から投光される光束４
ａの断面形状力円形゛であるのに対して、前記半導体レ
ーザーを投光部４に使用した微粒子検知装置では、半導
体レーザーの構造的制約等の理由により、投光部４の光
束４ａ断面形状が楕円状となる。このため、レーザー光
の光束４ａ断面の長９ＪＪＪ４ｂと受光部５の受光視野
５ａの中心線５ｂとの位置関係により、受光部５におけ
る散乱光受光面積が変化してしまい、第５図に示すよう
に、前記光束４ａ断面の長軸４ｂと受光部５の受光視野
５ａの中心線５ｂとが略同−の面上に位置する場合には
、受光部５における散乱光受光面積７が最小となってい
た。そして、この場合、受光部５により受光される前記
交叉部６内の微粒子からの散乱光が減少され、これが前
記検知装置自体の測定精度を低下させる要因となってい
た。
この発明は、前記問題点に鑑みてなされたもので、その
目的とするところは、受光部における散乱光受光面積を
最大にし、これにより測定精度が十分向上された微粒子
検知装置を堤供することにある。
目的とするところは、受光部における散乱光受光面積を
最大にし、これにより測定精度が十分向上された微粒子
検知装置を堤供することにある。
「問題点を解決するための手段」
この発明は、一対の投光部及び受光部を有し、前記投光
部により測定すべき気体に光線を投光すると共に、前記
投光部及び受光部の視野の交叉部内に浮遊する微粒子か
らの散乱光を受光部により受光して、前記気体中の微粒
子を検知する微粒子検知装置において、前記投光部から
投光される光線の光束断面の長軸が、前記交叉部におい
て前記受光部の受光視野の中心線と略直交するように、
これら投光部及び受光部を互いに位置させたような微粒
子検知装置を構成して、前記問題点を解決している。
部により測定すべき気体に光線を投光すると共に、前記
投光部及び受光部の視野の交叉部内に浮遊する微粒子か
らの散乱光を受光部により受光して、前記気体中の微粒
子を検知する微粒子検知装置において、前記投光部から
投光される光線の光束断面の長軸が、前記交叉部におい
て前記受光部の受光視野の中心線と略直交するように、
これら投光部及び受光部を互いに位置させたような微粒
子検知装置を構成して、前記問題点を解決している。
「実施例」
以下、この発明の実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は、この発明の一実施例である微粒子検知装置を
示す図である。なお、以下の説明において、前記従来の
微粒子検知装置と同一の構成要素については同一の符号
を付し、その説明を省略する。
示す図である。なお、以下の説明において、前記従来の
微粒子検知装置と同一の構成要素については同一の符号
を付し、その説明を省略する。
第４図に示す前記従来の微粒子検知装置と、この発明の
一実施例である微粒子検知装置との相異点は、投光部４
に半導体レーザーが使用されていると共に、光束４ａ断
面の長軸４ｂが、前記交叉部６において受光部視野５ａ
の中心線５ｂと略直交するように、これら投光部４及び
受光部５が殻体ｌ内に配置されている点である。即ち、
前記光束４ａ断面の長軸４ｂの方向は、半導体レーザー
の投光部４内での回転により変化されるので、この回転
位置を適宜調整して前記長軸４ｂを受光部視野５ａの中
心線５ｂと略直交させるのである。
一実施例である微粒子検知装置との相異点は、投光部４
に半導体レーザーが使用されていると共に、光束４ａ断
面の長軸４ｂが、前記交叉部６において受光部視野５ａ
の中心線５ｂと略直交するように、これら投光部４及び
受光部５が殻体ｌ内に配置されている点である。即ち、
前記光束４ａ断面の長軸４ｂの方向は、半導体レーザー
の投光部４内での回転により変化されるので、この回転
位置を適宜調整して前記長軸４ｂを受光部視野５ａの中
心線５ｂと略直交させるのである。
この微粒子検知装置の使用方法は、前記従来の微粒子検
知装置と同様である。ここで、投光部４からの光束４ａ
断面の長軸４ｂが、投光部４及び受光部５の視野（光束
）４ａ、 ５ａの交叉部６において、受光部視野５ａの
中心線５ｂと略直交しているので、受光部５における散
乱光受光面積７が最大となる。
知装置と同様である。ここで、投光部４からの光束４ａ
断面の長軸４ｂが、投光部４及び受光部５の視野（光束
）４ａ、 ５ａの交叉部６において、受光部視野５ａの
中心線５ｂと略直交しているので、受光部５における散
乱光受光面積７が最大となる。
従って、前記交叉部６内に浮遊する微粒子からの散乱光
が、前記受光部５により最も効率良く受光されるため、
検知装置自体の測定精度が向上される。
が、前記受光部５により最も効率良く受光されるため、
検知装置自体の測定精度が向上される。
また、この実施例によれば、受光部５を投光部４からの
光束４ａに接近させることで、前記交叉部６での散乱光
の受光効率を向上させ、さらに検知装置自体の測定精度
を向上することが可能となる。
光束４ａに接近させることで、前記交叉部６での散乱光
の受光効率を向上させ、さらに検知装置自体の測定精度
を向上することが可能となる。
すなわち、受光部５での前記散乱光の受光効率は、投光
部４の光束４ａと受光部５の視野５ａとの成す角が大き
いほど、また受光部５が前記投光部４の光束４ａに近い
ほど向上される傾向にあるが、前記角度を大きくしたり
、また受光部５を前記光束４ａにあまり近付けたりする
と、投光部４からのレーザー光が直接受光部５で受光さ
れてしまうため、前記角度等には一定の限界がある。特
に、第２図に示すように、投光部４の光束４ａ断面の長
軸４ｂが、受光部５の受光視野５ａの中心線５ｂと略同
−の面上に位置する場合、平面視した際に投光部光束４
ａがより広がる結果となり、前記投光部光束４ａが直接
受光部５に受光されないように遮光板８を設置しても、
必要以上に受光部５を前記投光部光束４ａから離さざる
を得ず、このため受光部５での受光効率の向上が望みに
くい結果となっていた。しかし、この実施例である微粒
子検知装置では、第３図に示すように、前記光束４ａ断
面の長軸４ｂが、受光視野５ａの中心線５ｂと略直交し
て位置されているので、平面視した際に投光部光束４ａ
が絞り込まれたような状態となり、このため遮光板８が
同位置に配置されていても、受光部５を投光部光束４ａ
に接近させて位置させる（図示例において＆＊＜Ｌ）こ
とが可能となり、これにより受光部５の受光効率を向上
させ、検知装置自体の測定精度を向上させることが可能
となる。
部４の光束４ａと受光部５の視野５ａとの成す角が大き
いほど、また受光部５が前記投光部４の光束４ａに近い
ほど向上される傾向にあるが、前記角度を大きくしたり
、また受光部５を前記光束４ａにあまり近付けたりする
と、投光部４からのレーザー光が直接受光部５で受光さ
れてしまうため、前記角度等には一定の限界がある。特
に、第２図に示すように、投光部４の光束４ａ断面の長
軸４ｂが、受光部５の受光視野５ａの中心線５ｂと略同
−の面上に位置する場合、平面視した際に投光部光束４
ａがより広がる結果となり、前記投光部光束４ａが直接
受光部５に受光されないように遮光板８を設置しても、
必要以上に受光部５を前記投光部光束４ａから離さざる
を得ず、このため受光部５での受光効率の向上が望みに
くい結果となっていた。しかし、この実施例である微粒
子検知装置では、第３図に示すように、前記光束４ａ断
面の長軸４ｂが、受光視野５ａの中心線５ｂと略直交し
て位置されているので、平面視した際に投光部光束４ａ
が絞り込まれたような状態となり、このため遮光板８が
同位置に配置されていても、受光部５を投光部光束４ａ
に接近させて位置させる（図示例において＆＊＜Ｌ）こ
とが可能となり、これにより受光部５の受光効率を向上
させ、検知装置自体の測定精度を向上させることが可能
となる。
なお、この発明である微粒子検知装置は、前記実施例に
限定されない。即ち、投光部４及び受光部５の構成は、
その使用用途等により周知の手段から適宜選択されれば
良い。また、この微粒子検知装置は、前記の如く煙粒子
の検知にその用途が限定されることなく、気体中を浮遊
する微粒子の検出に好適な検知装置である。
限定されない。即ち、投光部４及び受光部５の構成は、
その使用用途等により周知の手段から適宜選択されれば
良い。また、この微粒子検知装置は、前記の如く煙粒子
の検知にその用途が限定されることなく、気体中を浮遊
する微粒子の検出に好適な検知装置である。
「発明の効果」
以上詳細に説明したように、この発明によれば、微粒子
検知装置の投光部から投光される光線の光束断面の長軸
が、前記投光部と受光部の視野の交叉部において受光部
の受光視野の中心線と略直交するように、これら投光部
及び受光部を互いに位置させたので、前記受光部におけ
る散乱光受光面積が最大となる。従って、前記交叉部内
に浮遊する微粒子からの散乱光が、前記受光部により最
も効率良く受光されろため、検知装置自体の測定精度が
向上される、という優れた効果を奏する。
検知装置の投光部から投光される光線の光束断面の長軸
が、前記投光部と受光部の視野の交叉部において受光部
の受光視野の中心線と略直交するように、これら投光部
及び受光部を互いに位置させたので、前記受光部におけ
る散乱光受光面積が最大となる。従って、前記交叉部内
に浮遊する微粒子からの散乱光が、前記受光部により最
も効率良く受光されろため、検知装置自体の測定精度が
向上される、という優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例である微粒子検知装置を示
す概略図、第２図は従来の微粒子検知装置を平面視した
概略図、第３図はこの発明の一実施例である微粒子検知
装置を平面視した概略図、第４図は従来の微粒子検知装
置の一例を示す概略図、第５図は同曲の例を示す概略図
である。 ４・・・・・・投光部、４ａ・・・・・光束（視野）、
４ｂ・・・・・・長軸、５・・・・・・受光部、５ａ・
・・・・・視野、５ｂ・・・・・・中心線、６・・・・
・・交叉部
す概略図、第２図は従来の微粒子検知装置を平面視した
概略図、第３図はこの発明の一実施例である微粒子検知
装置を平面視した概略図、第４図は従来の微粒子検知装
置の一例を示す概略図、第５図は同曲の例を示す概略図
である。 ４・・・・・・投光部、４ａ・・・・・光束（視野）、
４ｂ・・・・・・長軸、５・・・・・・受光部、５ａ・
・・・・・視野、５ｂ・・・・・・中心線、６・・・・
・・交叉部
Claims (1)
- 一対の投光部及び受光部が設けられ、前記投光部により
測定すべき気体に光線が投光されると共に、前記投光部
及び受光部の視野の交叉部内に浮遊する微粒子からの散
乱光が受光部により受光されることで、前記気体中の微
粒子が検知される微粒子検知装置において、前記投光部
から投光される光線の光束断面の長軸が、前記交叉部に
おいて前記受光部の受光視野の中心線と略直交するよう
に、これら投光部及び受光部が互いに位置されているこ
とを特徴とする微粒子検知装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15363286A JPS639848A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | 微粒子検知装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15363286A JPS639848A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | 微粒子検知装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS639848A true JPS639848A (ja) | 1988-01-16 |
| JPH0523709B2 JPH0523709B2 (ja) | 1993-04-05 |
Family
ID=15566748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15363286A Granted JPS639848A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | 微粒子検知装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS639848A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015191462A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-02 | 能美防災株式会社 | 煙感知器 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4996438B2 (ja) * | 2007-11-30 | 2012-08-08 | リコーエレメックス株式会社 | 液吐出不良検出装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5084285A (ja) * | 1973-11-26 | 1975-07-08 | ||
| JPS5487586A (en) * | 1977-12-16 | 1979-07-12 | Monitek Inc | Measuring device that measure light dispersed by branular body in fluid and photoodetector |
| JPS54164592U (ja) * | 1978-05-11 | 1979-11-17 | ||
| JPS5942432A (ja) * | 1982-09-01 | 1984-03-09 | Rion Co Ltd | 光散乱式浮遊粒子計数装置 |
| JPS59221640A (ja) * | 1983-05-31 | 1984-12-13 | Matsushita Electric Works Ltd | 煙感知器 |
-
1986
- 1986-06-30 JP JP15363286A patent/JPS639848A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5084285A (ja) * | 1973-11-26 | 1975-07-08 | ||
| JPS5487586A (en) * | 1977-12-16 | 1979-07-12 | Monitek Inc | Measuring device that measure light dispersed by branular body in fluid and photoodetector |
| JPS54164592U (ja) * | 1978-05-11 | 1979-11-17 | ||
| JPS5942432A (ja) * | 1982-09-01 | 1984-03-09 | Rion Co Ltd | 光散乱式浮遊粒子計数装置 |
| JPS59221640A (ja) * | 1983-05-31 | 1984-12-13 | Matsushita Electric Works Ltd | 煙感知器 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015191462A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-02 | 能美防災株式会社 | 煙感知器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0523709B2 (ja) | 1993-04-05 |
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