JPS639665B2 - - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置に係り、特に半導体素子
を絶縁板を介して放熱板に接着した構造の半導体
装置に関する。
を絶縁板を介して放熱板に接着した構造の半導体
装置に関する。
大容量サイリスタあるいはトランジスタの開発
にともなつて、半導体素子を放熱板上に配置した
パワー半導体装置が必要になつてきている。また
複数の半導体素子を１つの放熱板上に配置したハ
イブリツドICも開発されている。
にともなつて、半導体素子を放熱板上に配置した
パワー半導体装置が必要になつてきている。また
複数の半導体素子を１つの放熱板上に配置したハ
イブリツドICも開発されている。
第１図は従来のこの種の半導体装置の断面図で
ある。金属から成る放熱板１上に絶縁板５が設け
られ、その絶縁板５上に所定の回路網を形成した
配線膜６，６ａ，６ｂが設けられ、さらに該配線
膜６ａ，６ｂ間に半導体素子８がリード線９で接
続されている。配線膜６は銅などの導電材料、放
熱板１は銅、絶縁板５としてはアルミナ、ガラス
で被覆したアルミナ，ルビー等があるが主として
アルミナが用いられている。特に、絶縁板５は放
熱板１とはんだ２ａにより接着されるために、モ
リブデンあるいはタングステンのメタライズ層４
を設け、さらにニツケル鍍金層３を施してある。
また半導体素子８と配線膜６とは熱膨張係数が著
しく異なることから緩衝材７が用いられている。
尚、図中２ｂ〜２ｅもはんだである。
ある。金属から成る放熱板１上に絶縁板５が設け
られ、その絶縁板５上に所定の回路網を形成した
配線膜６，６ａ，６ｂが設けられ、さらに該配線
膜６ａ，６ｂ間に半導体素子８がリード線９で接
続されている。配線膜６は銅などの導電材料、放
熱板１は銅、絶縁板５としてはアルミナ、ガラス
で被覆したアルミナ，ルビー等があるが主として
アルミナが用いられている。特に、絶縁板５は放
熱板１とはんだ２ａにより接着されるために、モ
リブデンあるいはタングステンのメタライズ層４
を設け、さらにニツケル鍍金層３を施してある。
また半導体素子８と配線膜６とは熱膨張係数が著
しく異なることから緩衝材７が用いられている。
尚、図中２ｂ〜２ｅもはんだである。
半導体装置は、その運転時に半導体素子８に熱
が発生するとともに運転停止に伴つて冷却され、
熱サイクルを生ずる。この熱サイクルに伴い半導
体素子８と配線膜６ｂ及び絶縁板５との間に生じ
る熱応力が原因でこれらの接着部が劣下し、つい
には破壊する。このために、一般に熱サイクルに
よる熱応力を緩和させるため半導体素子８と配線
膜６ｂとの間に緩衝材７が設けられている。緩衝
材７は半導体素子８と配線膜６ｂとの熱膨張係数
の差を小さくするもので、熱膨張が両者の中間の
値をもつモリブデンやタングステン等が用いられ
ている。緩衝材７の厚さは0.5mm程度であるが、
半導体素子８に発生した熱を放散する上で抵抗と
なり、半導体装置が過熱されるという問題があ
る。また、前述した従来の半導体装置が十分な放
熱特性を有しない原因の１つは金属から成る放熱
板１に比べ熱伝導率が著しく低いアルミナから成
る絶縁板５があり、その厚さが通常のもので600
〜800μmと厚すぎることである。
が発生するとともに運転停止に伴つて冷却され、
熱サイクルを生ずる。この熱サイクルに伴い半導
体素子８と配線膜６ｂ及び絶縁板５との間に生じ
る熱応力が原因でこれらの接着部が劣下し、つい
には破壊する。このために、一般に熱サイクルに
よる熱応力を緩和させるため半導体素子８と配線
膜６ｂとの間に緩衝材７が設けられている。緩衝
材７は半導体素子８と配線膜６ｂとの熱膨張係数
の差を小さくするもので、熱膨張が両者の中間の
値をもつモリブデンやタングステン等が用いられ
ている。緩衝材７の厚さは0.5mm程度であるが、
半導体素子８に発生した熱を放散する上で抵抗と
なり、半導体装置が過熱されるという問題があ
る。また、前述した従来の半導体装置が十分な放
熱特性を有しない原因の１つは金属から成る放熱
板１に比べ熱伝導率が著しく低いアルミナから成
る絶縁板５があり、その厚さが通常のもので600
〜800μmと厚すぎることである。
このように半導体素子８に発生した熱の放散が
悪いことに起因する障害がいくつかある。例え
ば、半導体素子８は過熱されるとリーク電流の増
大が生ずる。
悪いことに起因する障害がいくつかある。例え
ば、半導体素子８は過熱されるとリーク電流の増
大が生ずる。
したがつて半導体素子８に発生した熱を有効に
拡散させることは半導体装置の性能劣化を抑制す
る上で重要な意味がある。
拡散させることは半導体装置の性能劣化を抑制す
る上で重要な意味がある。
したがつて絶縁板５の厚さを従来の600〜
800μmよりも300μm程度に薄くできれば放熱特性
が著しく改善されることが十分に予想される。し
かし、このように薄いアルミナ板はその製造及び
取扱い上の問題及びこのアルミナ板をCuから成
る放熱板１に接着した場合、熱応力による変形や
割れを生じる問題がある。特に大出力用の放熱板
は面積が大きいので熱応力による変形及びアルミ
ナ板の割れが顕著である。
800μmよりも300μm程度に薄くできれば放熱特性
が著しく改善されることが十分に予想される。し
かし、このように薄いアルミナ板はその製造及び
取扱い上の問題及びこのアルミナ板をCuから成
る放熱板１に接着した場合、熱応力による変形や
割れを生じる問題がある。特に大出力用の放熱板
は面積が大きいので熱応力による変形及びアルミ
ナ板の割れが顕著である。
アルミナ板を薄くしても、アルミナ板の割れを
防止するためには、放熱板１として、熱膨張係数
がアルミナの７×10-6／℃に近く、しかも熱伝導
率が銅のように高い材料が望ましい。このような
要求を満足する材料としては、銅のように熱伝導
率の高い金属をマトリツクスとし、その中に熱膨
張係数の著しく低いＣ繊維を埋め込んだCu―Ｃ
複合材が考えられる。Cu―Ｃ複合材は、Ｃ繊維
量により熱膨張係数を自由に変えられ、しかも高
い熱伝導率を有する材料である。
防止するためには、放熱板１として、熱膨張係数
がアルミナの７×10-6／℃に近く、しかも熱伝導
率が銅のように高い材料が望ましい。このような
要求を満足する材料としては、銅のように熱伝導
率の高い金属をマトリツクスとし、その中に熱膨
張係数の著しく低いＣ繊維を埋め込んだCu―Ｃ
複合材が考えられる。Cu―Ｃ複合材は、Ｃ繊維
量により熱膨張係数を自由に変えられ、しかも高
い熱伝導率を有する材料である。
配線膜６ａ，６ｂも上記Cu―Ｃ複合材により
作製すれば、Cu―Ｃ複合材の熱膨張係数を半導
体素子のそれに極めて近づけることができるた
め、緩衝材７を省略できる。また、Cu―Ｃ複合
材は種々の形状に加工できる利点もある。
作製すれば、Cu―Ｃ複合材の熱膨張係数を半導
体素子のそれに極めて近づけることができるた
め、緩衝材７を省略できる。また、Cu―Ｃ複合
材は種々の形状に加工できる利点もある。
したがつて第１図において、放熱板１を銅から
Cu―Ｃ複合材に代え、加えて配線膜６ａ，６ｂ
の銅及び緩衝材７のモリブデンをCu―Ｃ複合材
に代え、はんだによつてこれらを接続した構造の
半導体装置は第１図に示したような構造のものに
比べ、アルミナ板を薄くしてもアルミナ板は割れ
ず放熱特性にも優れていると考えられる。
Cu―Ｃ複合材に代え、加えて配線膜６ａ，６ｂ
の銅及び緩衝材７のモリブデンをCu―Ｃ複合材
に代え、はんだによつてこれらを接続した構造の
半導体装置は第１図に示したような構造のものに
比べ、アルミナ板を薄くしてもアルミナ板は割れ
ず放熱特性にも優れていると考えられる。
しかし、Cu―Ｃ複合材を使用した構造におい
ても、アルミナ板にはタングステンあるいはモリ
ブデンのメタライズ層を施し、さらにその上にニ
ツケル鍍金層を設けなければアルミナとCu―Ｃ
複合材とをはんだにより接着できない。タングス
テン，モリブデンのメタライズは加工に1500℃も
の高温を要するため、メタライズしたアルミナ板
は、メタライズを施さないアルミナ板に比べ、コ
ストが２倍程度高くなるという欠点を有する。さ
らにはんだは、耐熱疲労特性が悪く、しかも熱伝
導率が低いという欠点がある。したがつて、低コ
スト、高熱伝導性、さらに熱疲労特性に優れた半
導体装置を得るためには、アルミナにメタライズ
を施さなくとも、Cu―Ｃ複合材と接着できる構
造を見出す必要がある。
ても、アルミナ板にはタングステンあるいはモリ
ブデンのメタライズ層を施し、さらにその上にニ
ツケル鍍金層を設けなければアルミナとCu―Ｃ
複合材とをはんだにより接着できない。タングス
テン，モリブデンのメタライズは加工に1500℃も
の高温を要するため、メタライズしたアルミナ板
は、メタライズを施さないアルミナ板に比べ、コ
ストが２倍程度高くなるという欠点を有する。さ
らにはんだは、耐熱疲労特性が悪く、しかも熱伝
導率が低いという欠点がある。したがつて、低コ
スト、高熱伝導性、さらに熱疲労特性に優れた半
導体装置を得るためには、アルミナにメタライズ
を施さなくとも、Cu―Ｃ複合材と接着できる構
造を見出す必要がある。
このため、亜酸化銅とアルミナ板との重ね、こ
れらの共晶温度に加熱し、接着することも試みら
れている。この構造は銅板には適しているが、
Cu―Ｃ複合材には接着温度が1000℃以上である
ために不適当である。なぜなら、Cu―Ｃ複合材
は800℃以上の温度になると膨れを生じ易いから
である。
れらの共晶温度に加熱し、接着することも試みら
れている。この構造は銅板には適しているが、
Cu―Ｃ複合材には接着温度が1000℃以上である
ために不適当である。なぜなら、Cu―Ｃ複合材
は800℃以上の温度になると膨れを生じ易いから
である。
それゆえ、本発明の目的は、高熱伝導性で、耐
熱疲労特性に優れた、低コストの半導体装置を提
供することにある。
熱疲労特性に優れた、低コストの半導体装置を提
供することにある。
本発明は上記目的を達成するために種々検討し
た結果得られたものであり、メタライズをしない
アルミナ板とCu―Ｃ複合板とをアルミニウム鑞
で直接接着することを特徴としている、上記アル
ミニウム鑞中にはシリコンの他にマグネシウム，
マンガン，チタン，カルシウム，ニツケルが数％
含有されていると良い。マグネシウムなどが含有
されている場合、シリコンは多少少なくても良
い。またアルミナと接着するCu―Ｃ複合材には
ニツケルあるいは銀鍍金層を施した方が良い。こ
れは鑞中のシリコンと複合材中の銅の反応を防止
するためである。アルミニウム―シリコン鑞は、
はんだに比較して熱伝導率は高く、また硬鑞に属
するため耐熱疲労特性に富む。
た結果得られたものであり、メタライズをしない
アルミナ板とCu―Ｃ複合板とをアルミニウム鑞
で直接接着することを特徴としている、上記アル
ミニウム鑞中にはシリコンの他にマグネシウム，
マンガン，チタン，カルシウム，ニツケルが数％
含有されていると良い。マグネシウムなどが含有
されている場合、シリコンは多少少なくても良
い。またアルミナと接着するCu―Ｃ複合材には
ニツケルあるいは銀鍍金層を施した方が良い。こ
れは鑞中のシリコンと複合材中の銅の反応を防止
するためである。アルミニウム―シリコン鑞は、
はんだに比較して熱伝導率は高く、また硬鑞に属
するため耐熱疲労特性に富む。
以下本発明を実施例に基づいて詳細に説明す
る。
る。
実施例 １
ニツケル鍍金層を設けたCu―Ｃ複合材と、10
％NaOH中でエツチングして表面を清浄化した
アルミナ板を、０〜20％の範囲でシリコンを含有
させた厚さ50μのアルミニウム鑞により、アルゴ
ンガス中で600℃に10分程度加熱保持して接着後
（ここで、接着時の加圧力は１Kg／mm2とした。）、
接着部の引張強度を調べた結果を第２図に示す。
また本図にはタングステンメタライズ層を設け、
更にニツケル鍍金層を設けたアルミナ板とCu―
Ｃ複合材とをはんだにより接着（350℃，水素ガ
ス中）した比較品の引張強度を調べた結果も示し
てある。本発明によれば引張強度はシリコンの含
有量が10％以上になるとあまり変らなくなり、約
２〜３Kg／mm2である。一方はんだを用いた比較品
の引張強度は１〜1.5Kg／mm2であつた。
％NaOH中でエツチングして表面を清浄化した
アルミナ板を、０〜20％の範囲でシリコンを含有
させた厚さ50μのアルミニウム鑞により、アルゴ
ンガス中で600℃に10分程度加熱保持して接着後
（ここで、接着時の加圧力は１Kg／mm2とした。）、
接着部の引張強度を調べた結果を第２図に示す。
また本図にはタングステンメタライズ層を設け、
更にニツケル鍍金層を設けたアルミナ板とCu―
Ｃ複合材とをはんだにより接着（350℃，水素ガ
ス中）した比較品の引張強度を調べた結果も示し
てある。本発明によれば引張強度はシリコンの含
有量が10％以上になるとあまり変らなくなり、約
２〜３Kg／mm2である。一方はんだを用いた比較品
の引張強度は１〜1.5Kg／mm2であつた。
ここで使用したCu―Ｃ複合材は銅鍍金したＣ
繊維を網状に編み、窒素ガス中で1000℃に250
Kg／cm2の圧力で60分間加熱保持して作製した。こ
の網状のCu―Ｃ複合材の熱膨張係数はＣ繊維の
含有量により４〜10×10-6／℃と自由に調節可能
である。
繊維を網状に編み、窒素ガス中で1000℃に250
Kg／cm2の圧力で60分間加熱保持して作製した。こ
の網状のCu―Ｃ複合材の熱膨張係数はＣ繊維の
含有量により４〜10×10-6／℃と自由に調節可能
である。
実施例 ２
ニツケル鍍金層を設けたCu―Ｃ複合材、およ
びニツケル鍍金層を設けていないCu―Ｃ複合材
を用意してこれらと表面を清浄化したアルミナ板
とをシリコンを20％含有するアルミニウム鑞によ
り、温度を変え、アルゴンガス中で加熱接着して
引張強度を調べた。接着時の加圧力は１Kg／mm2と
した。その結果を第３図に示した。500℃では、
いずれの場合も引張強度は小さい。ニツケル鍍金
層を設けたCu―Ｃ複合材の場合、550℃以上での
引張強度はほぼ同じである。一方、ニツケル鍍金
層をを設けていない場合は600℃以上になると引
張強度は小さくなることがわかつた。
びニツケル鍍金層を設けていないCu―Ｃ複合材
を用意してこれらと表面を清浄化したアルミナ板
とをシリコンを20％含有するアルミニウム鑞によ
り、温度を変え、アルゴンガス中で加熱接着して
引張強度を調べた。接着時の加圧力は１Kg／mm2と
した。その結果を第３図に示した。500℃では、
いずれの場合も引張強度は小さい。ニツケル鍍金
層を設けたCu―Ｃ複合材の場合、550℃以上での
引張強度はほぼ同じである。一方、ニツケル鍍金
層をを設けていない場合は600℃以上になると引
張強度は小さくなることがわかつた。
実施例 ３
以上の結果に基づき、半導体装置を作製した例
を第４図に示した。本図は第１図において銅から
成る放熱板１の代りにCu―35％Ｃ複合材からな
る放熱板１１を用い、配線膜６ａ，６ｂと緩衝板
７の代りにCu―50％複合材からなる配線膜１６
ａ，１６ｂを用い、これらにニツケル鍍金層１３
ａ〜１３ｃを設け、厚さ0.3mmのアルミナ板１５
とシリコンを20％含有するアルミニウム鑞（厚さ
50μm）１２ａ〜１２ｂにより、アルゴンガス中
で600℃に加熱し接着後、半導体素子１８をはん
だ２０により接着したものである。尚、１９はリ
ード線である。本発明によると、従来法に比べは
んだ２０の使用量を1/3以下にでき、導電率のよ
いアルミニウム鑞１２ａ〜１２ｂを用いており、
しかもアルミナ板１５を従来の1/2の厚さにでき
るため、熱伝導率は向上し、熱抵抗を従来の30％
程度に低減できた。また半導体素子１８を接着す
るにははんだでも良いが、アルミニウムを主成分
とする鑞材を用いても良い。
を第４図に示した。本図は第１図において銅から
成る放熱板１の代りにCu―35％Ｃ複合材からな
る放熱板１１を用い、配線膜６ａ，６ｂと緩衝板
７の代りにCu―50％複合材からなる配線膜１６
ａ，１６ｂを用い、これらにニツケル鍍金層１３
ａ〜１３ｃを設け、厚さ0.3mmのアルミナ板１５
とシリコンを20％含有するアルミニウム鑞（厚さ
50μm）１２ａ〜１２ｂにより、アルゴンガス中
で600℃に加熱し接着後、半導体素子１８をはん
だ２０により接着したものである。尚、１９はリ
ード線である。本発明によると、従来法に比べは
んだ２０の使用量を1/3以下にでき、導電率のよ
いアルミニウム鑞１２ａ〜１２ｂを用いており、
しかもアルミナ板１５を従来の1/2の厚さにでき
るため、熱伝導率は向上し、熱抵抗を従来の30％
程度に低減できた。また半導体素子１８を接着す
るにははんだでも良いが、アルミニウムを主成分
とする鑞材を用いても良い。
以上ようにして作製した半導体装置を−50〜
150℃の温度範囲で加熱冷却を繰り返すヒートサ
イクル試験を100サイクル繰り返したが、アルミ
ナ板１５には割れは生じなかつた。
150℃の温度範囲で加熱冷却を繰り返すヒートサ
イクル試験を100サイクル繰り返したが、アルミ
ナ板１５には割れは生じなかつた。
実施例 ４
実施例３ではシリコンを20％含有するアルミニ
ウム鑞１２ａ，１２ｂを用いて半導体装置を作製
したが、シリコンを11.7％含有するアルミニウム
鑞を用いて同様に半導体装置を作製した。実施例
３と同様に熱抵抗は従来の30％程度に低減でき、
ヒートサイクル試験にも十分耐えることがわかつ
た。
ウム鑞１２ａ，１２ｂを用いて半導体装置を作製
したが、シリコンを11.7％含有するアルミニウム
鑞を用いて同様に半導体装置を作製した。実施例
３と同様に熱抵抗は従来の30％程度に低減でき、
ヒートサイクル試験にも十分耐えることがわかつ
た。
実施例 ５
実施例と同様に半導体装置を作製した。ただ
し、アルミニウム鑞１２ａ，１２ｂ中にシリコン
の他にマグネシウム，マンガン，チタン，カルシ
ウム，ニツケル等を更に含有させた。添加量を変
えてみたところ、数％以下で、実施例３と同様な
引張強度が得られた。これれらの元素を添加含有
させた時、シリコンの含有量を少なくしても良い
ことも分つた。また、一種だけでなく、二種以
上、同時に含有させても同じ結果が得られた。
し、アルミニウム鑞１２ａ，１２ｂ中にシリコン
の他にマグネシウム，マンガン，チタン，カルシ
ウム，ニツケル等を更に含有させた。添加量を変
えてみたところ、数％以下で、実施例３と同様な
引張強度が得られた。これれらの元素を添加含有
させた時、シリコンの含有量を少なくしても良い
ことも分つた。また、一種だけでなく、二種以
上、同時に含有させても同じ結果が得られた。
これらの元素は、接着時の加熱によつて、アル
ミナ板１５中に拡散し、そのため、接着性が良く
なるのである。
ミナ板１５中に拡散し、そのため、接着性が良く
なるのである。
実施例 ６
アルミナ板１５の表面にシリコンを１〜5μmの
厚さにスパツタ，電子ビーム，イオンプレーテイ
ング等により付着させておいてから、シリコンを
含有するアルミニウム鑞１２ａ，１２ｂを用いて
実施例３と同様に半導体装置を作製した。実施例
３と同様な引張強度を得るための接着時の加圧力
は実施例３の場合の約1/2程度で良かつた。
厚さにスパツタ，電子ビーム，イオンプレーテイ
ング等により付着させておいてから、シリコンを
含有するアルミニウム鑞１２ａ，１２ｂを用いて
実施例３と同様に半導体装置を作製した。実施例
３と同様な引張強度を得るための接着時の加圧力
は実施例３の場合の約1/2程度で良かつた。
以上のように本発明によれば、低コストで高熱
伝導性で、熱抵抗が低く、熱疲労特性に優れた半
導体装置が得られる。
伝導性で、熱抵抗が低く、熱疲労特性に優れた半
導体装置が得られる。
第１図は従来の半導体装置を示す断面図、第２
図はアルミナ板とCu―Ｃ複合材の引張強度とア
ルミニウム鑞中のシリコン含有量との関係を示す
図、第３図はアルミナ板とCu―Ｃ複合材の引張
強度と接着温度との関係を示す図、第４図は本発
明の一実施例を示す半導体装置の断面図である。 １１……放熱板、１２ａ，１２ｂ……アルミニ
ウム鑞、１３ａ〜１３ｃ……ニツケル鍍金層、１
５……アルミナ板、１６ａ，１６ｂ……配線膜、
１８……半導体素子、１９……リード線、２０…
…はんだ。
図はアルミナ板とCu―Ｃ複合材の引張強度とア
ルミニウム鑞中のシリコン含有量との関係を示す
図、第３図はアルミナ板とCu―Ｃ複合材の引張
強度と接着温度との関係を示す図、第４図は本発
明の一実施例を示す半導体装置の断面図である。 １１……放熱板、１２ａ，１２ｂ……アルミニ
ウム鑞、１３ａ〜１３ｃ……ニツケル鍍金層、１
５……アルミナ板、１６ａ，１６ｂ……配線膜、
１８……半導体素子、１９……リード線、２０…
…はんだ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 少なくとも１個の半導体素子を絶縁板を介し
て放熱板に接着されている半導体装置において、
該放熱板として炭素繊維を銅マトリツクス中に埋
込んでなる複合材が用いられ、絶縁板と放熱板が
アルミニウム鑞で接着されていることを特徴とす
る半導体装置。 ２ 特許請求の範囲第１項において、アルミニウ
ム鑞中にはシリコン，マグネシウム，マンガン，
チタン，カルシウム，ニツケルのうちの一種又は
複数種が含有されていることを特徴とする半導体
装置。 ３ 特許請求の範囲第１項において、放熱板上に
はニツケルまたは銀の層が設けられていることを
特徴とする半導体装置。 ４ 特許請求の範囲第１項において、絶縁板はア
ルミナガラス層で被覆されたアルミナあるいはル
ビーからなることを特徴とする半導体装置。 ５ 特許請求の範囲第１項において、半導体素子
と絶縁板の間には炭素繊維を銅マトリツクス中に
埋込んでなる複合材からなる配線膜が設けられて
いることを特徴とする半導体装置。 ６ 特許請求の範囲第５項において、配線膜と絶
縁板はアルミニウム鑞で接続されていることを特
徴とする半導体装置。 ７ 特許請求の範囲第６項において、アルミニウ
ム鑞中にはシリコン，マグネシウム，マンガン，
チタン，カルシユウム，ニツケルのうちの一種又
は複数種が含有されていることを特徴とする半導
体装置。 ８ 特許請求の範囲第５項において、配線膜上に
はニツケルまたは銀の層が設けられていることを
特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56005019A JPS57120358A (en) | 1981-01-19 | 1981-01-19 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56005019A JPS57120358A (en) | 1981-01-19 | 1981-01-19 | Semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57120358A JPS57120358A (en) | 1982-07-27 |
| JPS639665B2 true JPS639665B2 (ja) | 1988-03-01 |
Family
ID=11599799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56005019A Granted JPS57120358A (en) | 1981-01-19 | 1981-01-19 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57120358A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6316349U (ja) * | 1986-07-14 | 1988-02-03 | ||
| JPH01302391A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-06 | Nec Corp | 画像表示装置 |
| JPH03153299A (ja) * | 1989-11-10 | 1991-07-01 | Pfu Ltd | 画像処理装置 |
| JPH0464177A (ja) * | 1990-07-03 | 1992-02-28 | Nec Corp | 画像表示装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0744190B2 (ja) * | 1986-07-29 | 1995-05-15 | 日立電線株式会社 | パワ−ｉｃ装置の製造方法 |
| JP4716220B2 (ja) * | 2005-12-16 | 2011-07-06 | さち子 横山 | マルチ頭巾 |
-
1981
- 1981-01-19 JP JP56005019A patent/JPS57120358A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6316349U (ja) * | 1986-07-14 | 1988-02-03 | ||
| JPH01302391A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-06 | Nec Corp | 画像表示装置 |
| JPH03153299A (ja) * | 1989-11-10 | 1991-07-01 | Pfu Ltd | 画像処理装置 |
| JPH0464177A (ja) * | 1990-07-03 | 1992-02-28 | Nec Corp | 画像表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57120358A (en) | 1982-07-27 |
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