JPS6395360A - 半導体式加速度センサ - Google Patents
半導体式加速度センサInfo
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- JPS6395360A JPS6395360A JP61240427A JP24042786A JPS6395360A JP S6395360 A JPS6395360 A JP S6395360A JP 61240427 A JP61240427 A JP 61240427A JP 24042786 A JP24042786 A JP 24042786A JP S6395360 A JPS6395360 A JP S6395360A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
- G01P2015/0822—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
- G01P2015/0825—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass
- G01P2015/0828—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass the mass being of the paddle type being suspended at one of its longitudinal ends
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体式加速度センサの取付は構造に関する
。
。
従来、振動や加速度を検知するのに一般的に用いられて
いる構造としては、第４図の斜視図に示すように半導体
基板２０に半導体歪ゲージの形成される薄肉状のダイヤ
フラム部２１を形成し、一方の厚肉部である支持体２２
を台座３０に接着固定し、他方の厚肉部を自由端２３と
して、半導体歪ゲージの抵抗値変化に応じて被測定力を
検知するカンチレバー型の半導体式加速度センサ等が知
られている。尚、第４図では自由端２３の質量を増して
慣性を大きくするために自由＠２３に負荷２４が接着さ
れている。又、被検出力の方向は矢印４０の方向である
。
いる構造としては、第４図の斜視図に示すように半導体
基板２０に半導体歪ゲージの形成される薄肉状のダイヤ
フラム部２１を形成し、一方の厚肉部である支持体２２
を台座３０に接着固定し、他方の厚肉部を自由端２３と
して、半導体歪ゲージの抵抗値変化に応じて被測定力を
検知するカンチレバー型の半導体式加速度センサ等が知
られている。尚、第４図では自由端２３の質量を増して
慣性を大きくするために自由＠２３に負荷２４が接着さ
れている。又、被検出力の方向は矢印４０の方向である
。
そして上記のような半導体式加速度センサを第４図に示
すように、その長手方向が重力の加わる方向、すなわち
大地に対する鉛直方向に平行になるように固定した場合
、ダイヤフラム部２１を通る長手方向における軸ｘ１と
一自由端２３と負荷２４との重心から重力の加わる方向
に伸びた軸Ｘ２との間には距離ｌだけのずれがあり、半
４体式加速度センサに大地に対する鉛直方向の振動が加
わるとモーメントが働き、自由端２３が矢印４０の方向
に変位し、ダイヤフラム部２１が曲がってしまい、被検
出力だけによる真の変位分に誤差が加わり、その誤差に
応じた電気信号がノイズとして検出され、半導体式加速
度センサのＳ （Ｓｉｇｎａｌ）／Ｎ （Ｎｏｉｓｅ
）比が悪化してしまう。
すように、その長手方向が重力の加わる方向、すなわち
大地に対する鉛直方向に平行になるように固定した場合
、ダイヤフラム部２１を通る長手方向における軸ｘ１と
一自由端２３と負荷２４との重心から重力の加わる方向
に伸びた軸Ｘ２との間には距離ｌだけのずれがあり、半
４体式加速度センサに大地に対する鉛直方向の振動が加
わるとモーメントが働き、自由端２３が矢印４０の方向
に変位し、ダイヤフラム部２１が曲がってしまい、被検
出力だけによる真の変位分に誤差が加わり、その誤差に
応じた電気信号がノイズとして検出され、半導体式加速
度センサのＳ （Ｓｉｇｎａｌ）／Ｎ （Ｎｏｉｓｅ
）比が悪化してしまう。
そこで本発明は、上記の点に鑑みなされたものであって
、半導体式加速度センサに大地に対する鉛直方向の振動
が加わった場合に、その影響を極力低減し、Ｓ／Ｎ比の
向上を目的としている。
、半導体式加速度センサに大地に対する鉛直方向の振動
が加わった場合に、その影響を極力低減し、Ｓ／Ｎ比の
向上を目的としている。
Ｃ問題点を解決するための手段〕
上記の目的を達成する為に本発明は、半導体歪ゲージを
有する薄肉状のダイヤフラム部と、厚肉部とを備え、一
方の厚肉部である支持体を固定し、他方の厚肉部を自由
端とした半導体式加速度センサであって、該半導体式加
速度センサの長手方向が水平方向が水平方向であり、且
つ、幅方向が鉛直方向となるように前記支持体を固定し
た事を特徴とする半導体式加速度センサを採用している
。
有する薄肉状のダイヤフラム部と、厚肉部とを備え、一
方の厚肉部である支持体を固定し、他方の厚肉部を自由
端とした半導体式加速度センサであって、該半導体式加
速度センサの長手方向が水平方向が水平方向であり、且
つ、幅方向が鉛直方向となるように前記支持体を固定し
た事を特徴とする半導体式加速度センサを採用している
。
以下、本発明を図面に示す実施例を用いて説明する。
第１図は本発明の一実施例であり、同図（ａｌにその上
面図、同図（ｂｌに同図（ａｌにおけるＢ−Ｂ線断面図
を示す。図において、１００は厚膜印刷基板であり、後
述する電気素子２００、カンチレバー４ａと台座６とか
ら成るセンサエレメント等をその基板上に設置し、それ
らを電気的に配線している。
面図、同図（ｂｌに同図（ａｌにおけるＢ−Ｂ線断面図
を示す。図において、１００は厚膜印刷基板であり、後
述する電気素子２００、カンチレバー４ａと台座６とか
ら成るセンサエレメント等をその基板上に設置し、それ
らを電気的に配線している。
６００はセラミックキャップであり、接着剤等により厚
膜印刷基板１００に気密性良く接着され、そのセラミッ
クキャップ６００内には厚膜印刷基板１００上に設置し
たセンサエレメント、端子５００、端子５００とカンチ
レバー４３の後述するパッド部１１ｂ２との電気接続を
するためにワイヤボンディングされるワイヤ線３００．
ダンピング？（１００を備えている。ダンピング液４０
０はシリコンオイル等から成り、粘性抵抗力による減衰
作用を利用して機械的なハイカットフィルタとして用い
ている。ここで、温度変化によるダンピング液４００の
膨張・収縮を吸収するためにセラミックキャップ６００
内には空気９００を同封してあり、又、ダンピング液４
００の波立ちによる悪影響を低減するためにセラミック
キャップ６００には隔壁６０１が設けられている。
膜印刷基板１００に気密性良く接着され、そのセラミッ
クキャップ６００内には厚膜印刷基板１００上に設置し
たセンサエレメント、端子５００、端子５００とカンチ
レバー４３の後述するパッド部１１ｂ２との電気接続を
するためにワイヤボンディングされるワイヤ線３００．
ダンピング？（１００を備えている。ダンピング液４０
０はシリコンオイル等から成り、粘性抵抗力による減衰
作用を利用して機械的なハイカットフィルタとして用い
ている。ここで、温度変化によるダンピング液４００の
膨張・収縮を吸収するためにセラミックキャップ６００
内には空気９００を同封してあり、又、ダンピング液４
００の波立ちによる悪影響を低減するためにセラミック
キャップ６００には隔壁６０１が設けられている。
次に、カンチレバー４ａ及び台座６により成るセンサエ
レメントについて、第２図（ａｌに示すその上面図、及
び第２図（ｂ）に示す同図（ａ）におけるＡ−Ａ線断面
図を用いて説明する。図において、４ａは例えばＮ型シ
リコン単結晶基板から成るカンチレバーであり、薄肉状
のダイヤフラム部７、自由端ｌ、自由端１を保護する為
に自由端１の周りに配＝するガード部４ａ１、支持体８
とから成る。
レメントについて、第２図（ａｌに示すその上面図、及
び第２図（ｂ）に示す同図（ａ）におけるＡ−Ａ線断面
図を用いて説明する。図において、４ａは例えばＮ型シ
リコン単結晶基板から成るカンチレバーであり、薄肉状
のダイヤフラム部７、自由端ｌ、自由端１を保護する為
に自由端１の周りに配＝するガード部４ａ１、支持体８
とから成る。
尚、自由端１とガード部４ａｌとの間隙４ａ２を形成す
る為のスクライブはカンチレバー４ａを両面エツチング
する事により行われ、例えば、カンチレバー４ａのスク
ライブする箇所の表面（第２図（′ｂ）における上面）
を予め溝堀リエフチングしておき、その後のダイヤフラ
ム部７の形成時に裏面よりエツチングを行なう事でダイ
ヤフラム部７の形成とスクライブとを同時に行なう。
る為のスクライブはカンチレバー４ａを両面エツチング
する事により行われ、例えば、カンチレバー４ａのスク
ライブする箇所の表面（第２図（′ｂ）における上面）
を予め溝堀リエフチングしておき、その後のダイヤフラ
ム部７の形成時に裏面よりエツチングを行なう事でダイ
ヤフラム部７の形成とスクライブとを同時に行なう。
支持体８及びガード部４ａｌの所定領域の表面にはＮｉ
１ｉ等をめっき又は蒸着した下地Ｎ３ｂが形成されてお
り、同じく下地１３ｂの形成されている台座６と半田Ｆ
ｆ５ｂを介して接着している。
１ｉ等をめっき又は蒸着した下地Ｎ３ｂが形成されてお
り、同じく下地１３ｂの形成されている台座６と半田Ｆ
ｆ５ｂを介して接着している。
尚、台座６にはカンチレバー４ａが被測定加速度に応じ
て変位できるように、又、過度の変位によって破損しな
いようにカンチレバー４ａと相対する面に所定の深さの
凹部６ａが形成されており、又、その凹部６ａはダンピ
ング液４００がセンサエレメントを自由に出入りする事
ができるように一方の端面から他方の端面にわたって形
成されている。
て変位できるように、又、過度の変位によって破損しな
いようにカンチレバー４ａと相対する面に所定の深さの
凹部６ａが形成されており、又、その凹部６ａはダンピ
ング液４００がセンサエレメントを自由に出入りする事
ができるように一方の端面から他方の端面にわたって形
成されている。
自由端ｌの一生面（接着面）２には複数箇所（図では７
箇所）に下地Ｎ３ ａが形成されており、その下地層３
ａを介して負荷としての半田層５ａを接着している。こ
こで、本例のように半田層５ａを複数箇所に形成する事
により半田の垂れ、片寄りは抑制される。尚、下地Ｎ３
ａ及び半田層５ａは、支持体８又はガード部４ａｌの表
面上に形成される下地１’Ｗ３ｂ及び半田Ｊｉ５ｂとそ
れぞれ同時に同じ工程で形成可能である。
箇所）に下地Ｎ３ ａが形成されており、その下地層３
ａを介して負荷としての半田層５ａを接着している。こ
こで、本例のように半田層５ａを複数箇所に形成する事
により半田の垂れ、片寄りは抑制される。尚、下地Ｎ３
ａ及び半田層５ａは、支持体８又はガード部４ａｌの表
面上に形成される下地１’Ｗ３ｂ及び半田Ｊｉ５ｂとそ
れぞれ同時に同じ工程で形成可能である。
ダイヤフラム部７内あるいはダイヤフラム部ｉ上（図は
前者）には公知の半導体加工技術、例えばボロン等のＰ
型不純物を熱拡散又はイオン注入する事によりダイヤフ
ラム部７内に導入し、形成した４個の半導体歪ゲージ９
が存在しており、Ｐ型不純物を高濃度で導入して形成し
た配線層１１ａ、及びＡｌ蒸着膜等から成る配線部材１
１ｂにより各々の半導体歪ゲージ９は互いに電気的接続
されておりフルブリッジを構成している。尚、配線Ｎ１
１ａは万一ダイヤフラム部７が破損した場合に半導体式
加速度センサの出力として異常信号を出せるように自由
端１にまで延在して形成されており、又、図中ｌＯはシ
リコン酸化膜等の保護膜、１１ｂ１は配線層１１ａと配
線部材１１ｂとのコンタクト部、１１ｂ２はパッド部で
ある。
前者）には公知の半導体加工技術、例えばボロン等のＰ
型不純物を熱拡散又はイオン注入する事によりダイヤフ
ラム部７内に導入し、形成した４個の半導体歪ゲージ９
が存在しており、Ｐ型不純物を高濃度で導入して形成し
た配線層１１ａ、及びＡｌ蒸着膜等から成る配線部材１
１ｂにより各々の半導体歪ゲージ９は互いに電気的接続
されておりフルブリッジを構成している。尚、配線Ｎ１
１ａは万一ダイヤフラム部７が破損した場合に半導体式
加速度センサの出力として異常信号を出せるように自由
端１にまで延在して形成されており、又、図中ｌＯはシ
リコン酸化膜等の保護膜、１１ｂ１は配線層１１ａと配
線部材１１ｂとのコンタクト部、１１ｂ２はパッド部で
ある。
そして、上記のセンサエレメントは、自由端１に加速度
を加えるとダイヤフラム部７に歪を生じ、加速度の大き
さに応じて半導体歪ゲージ９の抵抗値が変化し、ブリッ
ジ回路に予め電圧を印加してお（ことによりブリッジ出
力として不平衡電圧を生じ、その電圧値に応じて被検出
加速度を検知するものであり、半田等により厚膜印刷基
板１００に台座６をその長手方向が第１図中矢印方向に
直交するように接着する事によって固定している。
を加えるとダイヤフラム部７に歪を生じ、加速度の大き
さに応じて半導体歪ゲージ９の抵抗値が変化し、ブリッ
ジ回路に予め電圧を印加してお（ことによりブリッジ出
力として不平衡電圧を生じ、その電圧値に応じて被検出
加速度を検知するものであり、半田等により厚膜印刷基
板１００に台座６をその長手方向が第１図中矢印方向に
直交するように接着する事によって固定している。
第１図において、２００は電気素子であり、センサエレ
メントからの電気信号を増幅する高利得増幅回路を構成
しており、端子５００、厚膜印刷基板１００上のパッド
部１０１と電気的に接続している。８００は金属製のケ
ースであり、センサエレメント、高利得増幅回路等をＥ
ＭＩ（電磁障害）等から保護している。又、ケース８０
０には貫通孔が開けられており、その貫通孔にリード端
子７００がガラス等を介してケース８００との電気的絶
縁を保ちつつ気密性良く存在している。又、リード端子
７００とパッド部１０１とはワイヤ線３００により電気
的接続されており、ケース８００外部との電気的接続を
このリード端子７００により行っている。そして、第１
図中矢印方向を上方向、すなわち大地に対する鉛直方向
として例えば自動車等における装置に組み付け、第１図
において紙面に垂直な方向の加速度を検出する。
メントからの電気信号を増幅する高利得増幅回路を構成
しており、端子５００、厚膜印刷基板１００上のパッド
部１０１と電気的に接続している。８００は金属製のケ
ースであり、センサエレメント、高利得増幅回路等をＥ
ＭＩ（電磁障害）等から保護している。又、ケース８０
０には貫通孔が開けられており、その貫通孔にリード端
子７００がガラス等を介してケース８００との電気的絶
縁を保ちつつ気密性良く存在している。又、リード端子
７００とパッド部１０１とはワイヤ線３００により電気
的接続されており、ケース８００外部との電気的接続を
このリード端子７００により行っている。そして、第１
図中矢印方向を上方向、すなわち大地に対する鉛直方向
として例えば自動車等における装置に組み付け、第１図
において紙面に垂直な方向の加速度を検出する。
そこで上記実施例によると、第３図の第１図におけるカ
ンチレバー４ａの要部拡大斜視図に示すように、大地に
対する水平方向ｙにカンチレバー４ａの長手方向が等し
くなっており、又、大地に対する鉛直方向Ｘにカンチレ
バー４ａの幅方向が等しくなるように配置している。尚
、本発明の言う長手方向とは支持体８からダイヤフラム
部７、自由端１に向かう方向、あるいはその逆方向の事
であり、幅方向とはカンチレバー４ａをその長手方向に
垂直な平面で切った場合に、その断面四辺形の長辺の向
く方向である。又、本発明の言う水平方向、鉛直方向は
大地を基準として考えている。
ンチレバー４ａの要部拡大斜視図に示すように、大地に
対する水平方向ｙにカンチレバー４ａの長手方向が等し
くなっており、又、大地に対する鉛直方向Ｘにカンチレ
バー４ａの幅方向が等しくなるように配置している。尚
、本発明の言う長手方向とは支持体８からダイヤフラム
部７、自由端１に向かう方向、あるいはその逆方向の事
であり、幅方向とはカンチレバー４ａをその長手方向に
垂直な平面で切った場合に、その断面四辺形の長辺の向
く方向である。又、本発明の言う水平方向、鉛直方向は
大地を基準として考えている。
そして、と記のようにカンチレバー４ａが配置する事に
より、例えば自動車が凸凹道を通り、カンチレバー４ａ
が大地に対する鉛直方向Ｘに振動を受けた場合、ダイヤ
フラム部７を通る長手方向における軸ｙ１と、自由端１
と負荷としての半田１１ｉ５ａとの重心から重力の加わ
る方向に伸びた軸ｘよとはある間隔をもって垂直な関係
となっている。その為、鉛直方向Ｘの振動によってダイ
ヤプラム部７の受ける応力は自由端１の上方向のねじれ
による力となる。ここで、同じ力を加えた場合、曲げと
ねじれではねじれの方が図中Ｚ方向（被検出加速度の加
わる方向）における変位が当然小さくなるので、従来と
比較して本実施例は大地に対する鉛直方向Ｘに振動を受
けたとしても、その影響は低減される事がわかる。
より、例えば自動車が凸凹道を通り、カンチレバー４ａ
が大地に対する鉛直方向Ｘに振動を受けた場合、ダイヤ
フラム部７を通る長手方向における軸ｙ１と、自由端１
と負荷としての半田１１ｉ５ａとの重心から重力の加わ
る方向に伸びた軸ｘよとはある間隔をもって垂直な関係
となっている。その為、鉛直方向Ｘの振動によってダイ
ヤプラム部７の受ける応力は自由端１の上方向のねじれ
による力となる。ここで、同じ力を加えた場合、曲げと
ねじれではねじれの方が図中Ｚ方向（被検出加速度の加
わる方向）における変位が当然小さくなるので、従来と
比較して本実施例は大地に対する鉛直方向Ｘに振動を受
けたとしても、その影響は低減される事がわかる。
又、本実施例によると同一の厚膜印刷基板１００上にセ
ンサエレメント及び高利得増幅回路が設置されており、
従来では各々の基板あるいはケースに設置し、その両者
の接続をプリント板等によって行っていたのに対し、そ
のプリント板を不用にし、小型の半導体式加速度センサ
を提供できる。
ンサエレメント及び高利得増幅回路が設置されており、
従来では各々の基板あるいはケースに設置し、その両者
の接続をプリント板等によって行っていたのに対し、そ
のプリント板を不用にし、小型の半導体式加速度センサ
を提供できる。
次に、第５図を用いて本発明者らの実験結果を示す。第
５図（ａ）の斜視図に半導体式加速度センサを台座３０
に取り付けた状態を示す。尚、半導体式加速度センサと
しては第４図に示す従来のものと同様のものであり、そ
の取り付は角度を台座３０の一主面３１に対する鉛直方
向ｘ４を０″として、その軸からの半導体式加速度セン
サのずれ角′度をθ０とし、その時に鉛直方向ｘ４にＩ
Ｇの加速度を加えた際の半導体式加速度センサの出力の
大きさを検出した。ただし、θ″−０°で図中矢印方向
４１ （被測定加速度の方向に相応する）にＩＧの加速
度を加えたときの出力の大きさを１００％としている。
５図（ａ）の斜視図に半導体式加速度センサを台座３０
に取り付けた状態を示す。尚、半導体式加速度センサと
しては第４図に示す従来のものと同様のものであり、そ
の取り付は角度を台座３０の一主面３１に対する鉛直方
向ｘ４を０″として、その軸からの半導体式加速度セン
サのずれ角′度をθ０とし、その時に鉛直方向ｘ４にＩ
Ｇの加速度を加えた際の半導体式加速度センサの出力の
大きさを検出した。ただし、θ″−０°で図中矢印方向
４１ （被測定加速度の方向に相応する）にＩＧの加速
度を加えたときの出力の大きさを１００％としている。
第５図（ｂｌがその結果を示すグラフであり、従来（θ
”＝Ｏ’）では約１８％（０゜１８Ｇ）の出力（この値
はノイズに相応する）がでてしまうのに対し、本発明（
θ０＝９０°、２７０’）では約３％（０，０３Ｇ）だ
けの出力がでる事になり、Ｓ／Ｎ比が６倍向上した事を
示している。
”＝Ｏ’）では約１８％（０゜１８Ｇ）の出力（この値
はノイズに相応する）がでてしまうのに対し、本発明（
θ０＝９０°、２７０’）では約３％（０，０３Ｇ）だ
けの出力がでる事になり、Ｓ／Ｎ比が６倍向上した事を
示している。
尚、本発明は上記実施例に限定される事なく、その主旨
を逸脱しない限り種々変形可能であり、例えば、第１図
における実施例では自由端１に負荷としての半田Ｎ５
ａが接着しているが、半田以外の他の負荷を接着しても
よい。
を逸脱しない限り種々変形可能であり、例えば、第１図
における実施例では自由端１に負荷としての半田Ｎ５
ａが接着しているが、半田以外の他の負荷を接着しても
よい。
以上述べたように本発明によると、半導体式加速度セン
サの長手方向が大地に対して水平方向であり、且つ、そ
の幅方向が鉛直方向となるように支持体を固定している
ので、大地に対して鉛直方向の振動が加わった場合に、
自由端はねじりによって変位するだけであるので、その
影響を低減できるという効果がある。
サの長手方向が大地に対して水平方向であり、且つ、そ
の幅方向が鉛直方向となるように支持体を固定している
ので、大地に対して鉛直方向の振動が加わった場合に、
自由端はねじりによって変位するだけであるので、その
影響を低減できるという効果がある。
第１図（ａｌは本発明の一実施例の上面図、第１図（ｂ
）は同図（ａ）におけるＢ−Ｂ線断面図、第２図（ａ）
は第１図におけるセンサエレメントの上面図、第２図（
ｂ）は同図［ａ）におけるＡ−Ａ線断面図、第３図は第
１図におけるカンチレバーの要部拡大斜視図、第４図は
従来技術の半寡体式加速度センサの斜視図、第５図（ａ
）は本発明者らが行った実験を説明するための半導体式
加速度センサの斜視図、第５図（ｂ）は実験結果を示す
グラフである。 １・・・自由端、４ａ・・・カンチレバー、５ａ・・・
半田層、６・・・台座、７・・・ダイヤフラム部、８・
・・支持体。 ９・・・半導体歪ゲージ。
）は同図（ａ）におけるＢ−Ｂ線断面図、第２図（ａ）
は第１図におけるセンサエレメントの上面図、第２図（
ｂ）は同図［ａ）におけるＡ−Ａ線断面図、第３図は第
１図におけるカンチレバーの要部拡大斜視図、第４図は
従来技術の半寡体式加速度センサの斜視図、第５図（ａ
）は本発明者らが行った実験を説明するための半導体式
加速度センサの斜視図、第５図（ｂ）は実験結果を示す
グラフである。 １・・・自由端、４ａ・・・カンチレバー、５ａ・・・
半田層、６・・・台座、７・・・ダイヤフラム部、８・
・・支持体。 ９・・・半導体歪ゲージ。
Claims (2)
- （１）半導体歪ゲージを有する薄肉状のダイヤフラム部
と、厚肉部とを備え、一方の厚肉部である支持体を固定
し、他方の厚肉部を自由端とした半導体式加速度センサ
であって、該半導体式加速度センサの長手方向が水平方
向が水平方向であり、且つ、幅方向が鉛直方向となるよ
うに前記支持体を固定した事を特徴とする半導体式加速
度センサ。 - （２）上記自由端は、負荷を接着したものである特許請
求の範囲第１項記載の半導体式加速度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61240427A JPS6395360A (ja) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | 半導体式加速度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61240427A JPS6395360A (ja) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | 半導体式加速度センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6395360A true JPS6395360A (ja) | 1988-04-26 |
| JPH0577986B2 JPH0577986B2 (ja) | 1993-10-27 |
Family
ID=17059321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61240427A Granted JPS6395360A (ja) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | 半導体式加速度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6395360A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5824608A (en) * | 1995-06-27 | 1998-10-20 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor physical-quantity sensor and method for manufacturing same |
-
1986
- 1986-10-09 JP JP61240427A patent/JPS6395360A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5824608A (en) * | 1995-06-27 | 1998-10-20 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor physical-quantity sensor and method for manufacturing same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0577986B2 (ja) | 1993-10-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |