JPS6390162A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 木’；Ｅ、ＢＡＩｒｋ、ＸＩＨＦＦｍａ１５１ｕ（Ｘｆ
＝）ＦＴ”だ−１４１３−イＥ電圧動作回路（低耐圧素
子）を同一チップ上に内蔵した高耐圧ＩＣに係シ、特に
、高電圧動作部から低電圧動作部へのチャージこぼれを
防止するのに好適な、高耐圧ＩＣの構造知関する。

〔従来の技術〕

高耐圧ＩＣＫ：Ｊ？いては、チャージこぼれといい。

低電位電極から電子等のチャージがこぼれ、高電位電極
へ異層絶縁膜間を通り広がるとｈう現象が生じる。この
ため、高電位電極と低電位電極との間の領域では、この
チャージによりシリコン表面のしきい値電圧の変動や耐
圧劣化が生じることがある。このこぼれチャージの低耐
圧回路への悪影響を防止するため、従来は特願昭５９−
１７３２４４（半導体集積回路装置）に記載のように、
−層目のアルミ電極で低耐圧回路の周辺を囲み、この電
極をグランドラインとする対策を行なっていた。

しかし、この場合、確かに一層目のアルミ電極からのチ
ャージこぼれは防止できるが、高耐圧回路と低耐圧回路
との電気的接続【必要な、二層目のアルミ電韻からのチ
ャージこぼれに関しては配慮されていなかった。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記従来技術は、低電圧動作回路へのチャージこぼれを
、低電圧回路をとりかこむ１種の電極だけで防止し、高
電圧動作回路と低電圧動作回路との電気的接続には別の
電極を用いていたため、低電圧動作回路へのチャージこ
ぼれ対策が不十分であった。

本発明の目的は、低電圧動作回路へのチャージこぼれを
全くなくシ、低電圧動作回路のしきい電圧や耐圧を安定
化することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的は、を框または拡散層を２種類以上用い、これ
らを各々、高電圧動作回路または低電圧動作回路の周辺
を囲むようだ設け、低電圧回路へのチャージのもれを完
全に防止し、高電圧回路と低電圧回路との電気的接続は
、上記囲みと電気的に接しないように設けた２種以上の
電極または拡散層全弁して行なうことによ！０．．！成
される。

〔作用〕

高電圧回路または、低電圧回路をとり囲むチャージもれ
対策用電極または拡散層を２種類以上用いると、高電圧
回路と低電圧回路との電気的接続は、各々の囲みを通る
場所で、囲みとは異なった電極または拡散層にかえるこ
とが可能である。このため、上記チャージもれ対策用電
極または拡散層は、完全な閉ループとすることが可能で
ｌ）、低電圧回路へのチャージこぼれを完全に防止でき
る。

〔実施例〕

以下１本発明を実施例を参照して詳細に説明する。第１
図は本発明による半導体集積回路装置の第１の実施例の
平面図、第２図はその構造断面図である。本実施例では
、低耐圧回路を第１電極１３ａと第２　’４極１５ａを
グランドラインとし、　　。

高耐圧回路と低耐圧回路の電気的接続ラインは。

第１を極グランドライン１３ａとクロスする場所では第
２電極ライン１５ｂを用い、第２電極グランドライン１
５ａとクロスする場所で＃ｉ第１Ｎ匝ライン１３ｂを用
いている。このため、第１電極で低電圧回路側に漏れる
ことを防止し、さらに、第２電・甑から保δ絶縁膜１６
と層間絶縁膜１４の間をこぼれるチャージは、１５ａで
低電圧回路側に漏れることを防止できる。よって１本実
施例によれば、従来防止できなかった。保護絶縁膜１６
と層間絶縁膜１４の間をこぼれるチャージも、低電圧回
路上に流れないようにすることが可能となった。このた
め、低耐圧回路部のシリコ／表面でのしきい値心圧を安
定化でき、耐圧劣化防止も可能となった。なお１本実施
例では、第１電極１３ａと第２電極１５ａは両方とも低
電圧回路を囲んだ場合を示したが１両刀とも高電圧回路
を囲む場合や、第１１！極１３ａは高電圧回路を囲み、
第２電極１５ａは低電圧回路を囲む場合や、その逆の場
合も同様に効果がある。また、本実施例では。

１３ａと１５ａはグランドラインとしたが、低電圧回路
の゛電源ラインとしても良い。

第３図は本発明による半導体集積回路装置の第ある。本
実施例でも、第１電極１３ａと第２電極１５ａが高電圧
回路側からのチャージのストッパになっている。また、
１３ａと１５ａのコンタクト１７も低電圧回路を囲むよ
うに形成しているため１本実施例では、眉間絶縁膜１４
が、複数の層から形成されており、その眉間からチャー
ジが漏れる場合にも１５３ｍ　　１３　ａ部でストップ
させることができる。本実施例では、高電圧回路と低電
圧回路との電気的接続には、ｐ形拡散層１０をクロスア
ンダとして用いている。なお、本実施例では、１３ａ、
１５ａｉグランドラインにしているが、低電圧回路の電
源ラインにしても効果は同じである。また１本実効例で
は＋　　１３ａ＋　　１５ａを低電圧回路の囲シに形成
したが、高電圧回路の囲りに形成しても良い。

第５図は本発明たよる半導体集積回路装置の第３の実施
例の平面図、第６図はその構造断面図である。本実施例
で、ｎ形多結晶シリコン電極８ｃが高電位になる電極と
すると、この８ｃと同時にまたは、それ以後のプロセス
でドープされるｎ形多結晶シリコン電極８ａば８Ｃから
酸化膜７と酸化膜１２０間を通ってこぼれるチャージを
ストップさせることができる。また、電極１３ａは酸化
膜１２と保護絶縁膜１４の間を通るこぼれチャージをス
トップする。本実施例では、高電圧回路と低電圧回路の
電気的接続のために、ｎ形ドープ多結晶シリコン電極８
ｂを使用している。本実施例でも８ａと１３ａはグラン
ドラインでなく低電圧回路の電源ラインにしても良い。

また、８ａと１３８の配置の方法は、高電圧回路と低電
圧回路の間にあればいいので、低電圧回路だけ、または
。

高耐圧回路だけを囲むようにしても良い。

第７図は本発明による半導体集積回路装置の第４の実施
例の平面図、第８図はその構造断面図である。本実施例
では、ｎ膨長結晶シリコン電極８Ｃが高電位になる電極
とすると、この８Ｃのｎ形ドーブ工程と同時またはそれ
以後のプロセスで形成される低電圧回路を囲んでいるｎ
膨拡散層１１ａが酸化膜７と酸化膜１２の間を通ってこ
ぼれるチャージのストッパとなる。また、電極１３ａは
酸化膜１２と保護絶縁膜１４の間を通ってこぼれるチャ
ージのストッパとなる。本実施例では。

酸化膜７が複数の層から形成されており、その眉間から
チャージがこぼれる場合にも、拡散層１１ａが低電圧回
路へのストッパとなるという利点がある。また１本実施
例では高電圧回路と低電圧回路との電気的接続Ｋｐ形拡
散層１０をクロスアンダとして使用している。

第９図は前記第４の実施例を用いたより詳細な構造断面
図である。本図では、高耐圧素子として縦形ｎチャネル
ＭＯ８ＦＥＴ　′ｆ、、低耐圧素子としてｐチャネルＭ
Ｏ８ＦＥＴを示した。ｎ膨長結晶シリコン電極８Ｃは縦
形ｎチャネルＭＯ８ＦＥＴのドレインに接続されており
、ここが高電位となる。

１１ａと１３３はこぼれチャージのストッパで。

低耐圧部が０ＭＯ８の場合、１１ａは低電圧回路の電源
ラインに接続される。

〔発明の効果〕

本発明によれば、高電圧回路から低電圧回路へのこぼれ
チャージを完全に遮断できるため、低電圧回路部のシリ
コン表面でのしきい値電圧を安定化でき、また耐圧劣化
も防止できるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例の平面図、第２図はその
構造断面図、第３図は本発明の第２の実施例の平面図、
第４図はその構造断面図、第５図は本発明の第３の実施
例の平面図、第６図はその構造断面図、第７図は本発明
の第４の実施例の平面図、第８図はその構造断面図、第
９図は第４の実施例を用いた詳細な構造断面図。 １・・・ｐ形基板、２・・・ｎ形埋込層、３・・・ｎ形
エピタキシャル層、４・・・ｐ膨拡散層、５・・・ｎ膨
拡散層。 ６・・・ｎ膨拡散層、７・・・酸化膜、ｆ３ａ〜９ｃ、
８ｅ・・・ｎ膨長結晶シリコン電極、　８ｄ、３ｆ、８
ｇ・・・ｐ膨長結晶シリコン電極、９・・・ｐ膨拡散層
、１０・・・ｐ膨拡散層ｂ　　１１　ａ、　　１　ｌ　
ｂ・・・ｎ膨拡散層。 １２・・・酸化膜＋　１３ａ、１３ｂ・・・電極、１４
・・・保護絶縁膜、１５ａ、１５ｂ・・・電極、１６・
・・保護絶縁膜。 第　／Ｉ！１ １３α、１３ｂ　　￥Ｉ電梧 １ｓａ、ｒｓｂ　　”４２　電才＋ 第　３　図 ！釦第２引ｂ ｖＪＳ　　凹 集　７（！１

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、高耐圧素子と低耐圧素子が共存する半導体集積回路
   において、上記高電圧素子部または上記低電圧素子部を
   とり囲むように、電極層または拡散層を２層以上設けた
   ことを特徴とする半導体集積回路装置。 ２、高耐圧素子と低耐圧素子とを有する半導体集積回路
   において、上記高耐圧素子部を少なくとも一つの平面に
   おいて囲むように設けられ、一　定電位に固定された第
   １の分離手段と、 上記低耐圧素子部を少なくとも１つの平面において囲む
   ように設けられ、一定電位に固定された第２の分離手段
   とを有することを特徴とする半導体集積回路装置。