JPS6390037A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS6390037A JPS6390037A JP61234606A JP23460686A JPS6390037A JP S6390037 A JPS6390037 A JP S6390037A JP 61234606 A JP61234606 A JP 61234606A JP 23460686 A JP23460686 A JP 23460686A JP S6390037 A JPS6390037 A JP S6390037A
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- JP
- Japan
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- high frequency
- circuit
- semiconductor laser
- time
- laser
- Prior art date
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 15
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高周波電流を重畳してマルチモード発振させ
ることによりレーザ雑音を低減する半導体レーザ装置に
係り、特に記録・消去時などの高出力発振する場合に高
周波重畳を停止し、レーザ雑音低減とレーザの長寿命化
に好適な半導体レーザ装置に関する。
ることによりレーザ雑音を低減する半導体レーザ装置に
係り、特に記録・消去時などの高出力発振する場合に高
周波重畳を停止し、レーザ雑音低減とレーザの長寿命化
に好適な半導体レーザ装置に関する。
半導体レーザは光ディスク、光プリンタ等の光学的情報
処理装置用の光源として多く利用されている。近年、半
導体レーザの横モード制御技術が発達して基本横モード
発振し、かつ均−縦モード発振するものが多くなってき
た。しかし、これにより可干渉性が良くなり、逆に装置
に組み込んだ場合、光学部品端面やディスク面などから
半導体レーザから出射した光が反射して再びレーザにも
どってくる時にフィードバックノイズというが発生する
という問題が生じてきた。このノイズは可干渉性の良い
光が出射光と反射光で干渉して、レーザの発振縦モード
が、ジャンプしたり、多重縦モード発振したりして不安
定になることに帰因しく２） ている。また発振縦モードの不安定は温度変化によって
も誘起される。すなわち温度変化により。
処理装置用の光源として多く利用されている。近年、半
導体レーザの横モード制御技術が発達して基本横モード
発振し、かつ均−縦モード発振するものが多くなってき
た。しかし、これにより可干渉性が良くなり、逆に装置
に組み込んだ場合、光学部品端面やディスク面などから
半導体レーザから出射した光が反射して再びレーザにも
どってくる時にフィードバックノイズというが発生する
という問題が生じてきた。このノイズは可干渉性の良い
光が出射光と反射光で干渉して、レーザの発振縦モード
が、ジャンプしたり、多重縦モード発振したりして不安
定になることに帰因しく２） ている。また発振縦モードの不安定は温度変化によって
も誘起される。すなわち温度変化により。
単一縦モード発振の波長はシフトし、連続的にシフトす
るだけでなく、離散的にジャンプしてシフトする。この
モードジャンプの際にノイズが発生する。これらノイズ
は光通信や光ディスクにおいて、信号のＳ／Ｎを劣化さ
せる原因となる。
るだけでなく、離散的にジャンプしてシフトする。この
モードジャンプの際にノイズが発生する。これらノイズ
は光通信や光ディスクにおいて、信号のＳ／Ｎを劣化さ
せる原因となる。
これらノイズを低減する方法として特公昭５９−９０８
６号記載のように、レーザ駆動回路に高周波発振器を設
けてレーザを高周波変調によるものが知られている。
６号記載のように、レーザ駆動回路に高周波発振器を設
けてレーザを高周波変調によるものが知られている。
上述の高周波駆動による方法は連続的に高周波変調を行
うＤＣ駆動の場合についてレーザノイズを低減すること
のみが目的であった。そのため、この方法をそのまま情
報の記録・消去が可能な光デイスク装置に適用すると、
記録、消去時の高出力発振時に定格出力を越え、寿命の
点で問題があった。
うＤＣ駆動の場合についてレーザノイズを低減すること
のみが目的であった。そのため、この方法をそのまま情
報の記録・消去が可能な光デイスク装置に適用すると、
記録、消去時の高出力発振時に定格出力を越え、寿命の
点で問題があった。
そこで、本発明はこの問題を解決し、使用する半導体レ
ーザの長寿命化を図り、情報の記録又は消去が可能な光
デイスク装置の光源としても適用できる半導体レーザ装
置を提供することを目的とする。
ーザの長寿命化を図り、情報の記録又は消去が可能な光
デイスク装置の光源としても適用できる半導体レーザ装
置を提供することを目的とする。
本発明の基本的な考え方は再生時のみ高周波駆動し、記
録モード、消去モード時には高周波駆動を休止すること
であり、そのため半導体レーザと高周波発振回路との間
にスイッチング回路を設け、このスイッチング回路を光
デイスク装置のモード制御信号によって制御するもので
ある。
録モード、消去モード時には高周波駆動を休止すること
であり、そのため半導体レーザと高周波発振回路との間
にスイッチング回路を設け、このスイッチング回路を光
デイスク装置のモード制御信号によって制御するもので
ある。
半導体レーザは、定格最大出力で記録・消去をしており
、この状態で高周波重量を行うと定格出力を超えてしま
い、レーザの寿命に悪影響を与えるので、本発明では、
モード制御信号によって制御されるスイッチング回路に
より、記録モード。
、この状態で高周波重量を行うと定格出力を超えてしま
い、レーザの寿命に悪影響を与えるので、本発明では、
モード制御信号によって制御されるスイッチング回路に
より、記録モード。
消去モード時には高周波駆動を休止させ、再生モード時
のレーザ雑音低減と、レーザの長寿命化とを同時に達成
し、記録及び／又は消去可能な光デイスク装置の光源と
して使用するものである。
のレーザ雑音低減と、レーザの長寿命化とを同時に達成
し、記録及び／又は消去可能な光デイスク装置の光源と
して使用するものである。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。本実
施例は光デイスク用光ヘッドに採用した場合について示
してあり、光ヘツド自体の構造は公知であり、ここでは
詳述しない。半導体レーザ１は高周波重畳回路２に対し
て直結して囲りを電磁シールド３（たとえば軟鉄など）
されており、外部への電磁波輻射をなくしている。上位
コントローラ４からは記録・再生・消去モードを示すモ
ード制御信号、記録時のデータ信号が送出される。
施例は光デイスク用光ヘッドに採用した場合について示
してあり、光ヘツド自体の構造は公知であり、ここでは
詳述しない。半導体レーザ１は高周波重畳回路２に対し
て直結して囲りを電磁シールド３（たとえば軟鉄など）
されており、外部への電磁波輻射をなくしている。上位
コントローラ４からは記録・再生・消去モードを示すモ
ード制御信号、記録時のデータ信号が送出される。
レーザ駆動回路５は記録時のデータ信号と消去時のモー
ド信号を再生時のＤＣ電流に加算してレーザの駆動信号
とする。高周波重畳回路２は高周波発振回路１０と、そ
の高周波信号をモード制御信号によりＯＮ１０ Ｆ Ｆ
するスイッチング回路２０から成っている。モード制御
信号としては、ディジタル情報を記録するデータファイ
ルではセクタ毎の切換え信号となり、ビデオ情報を記録
するビデオディスクでは画面毎（フィールドまたはフレ
−ム単位）の切換え信号となる。
ド信号を再生時のＤＣ電流に加算してレーザの駆動信号
とする。高周波重畳回路２は高周波発振回路１０と、そ
の高周波信号をモード制御信号によりＯＮ１０ Ｆ Ｆ
するスイッチング回路２０から成っている。モード制御
信号としては、ディジタル情報を記録するデータファイ
ルではセクタ毎の切換え信号となり、ビデオ情報を記録
するビデオディスクでは画面毎（フィールドまたはフレ
−ム単位）の切換え信号となる。
第２図を用いて高周波重畳回路２について説明する。（
ａ）は実線に囲んだスイッチング回路２０にダイオード
を２個（Ｄｉ、Ｄ２）使用した場合、（ｂ）はダイオー
ドを１ａｌ（Ｄ）使用した場合である。（ａ）は０Ｎ１
０ＦＦ時の分離比は４０ｄＢ程度確保でき、（ｂ）では
分離比は２０ｄＢ程度となる。図中左側の点線内は高周
波発振回路１０で、Ａ点は高周波信号とレーザ駆動回路
５からのレーザ駆動信号を加算する点であり、加算され
た信号で半導体レーザ１を駆動する。スイッチング回路
２０で使用するダイオードＤ１゜Ｄ２．ＤはＰＩＮ形が
良く、その時のスイッチング時間は１μＳ以下となる。
ａ）は実線に囲んだスイッチング回路２０にダイオード
を２個（Ｄｉ、Ｄ２）使用した場合、（ｂ）はダイオー
ドを１ａｌ（Ｄ）使用した場合である。（ａ）は０Ｎ１
０ＦＦ時の分離比は４０ｄＢ程度確保でき、（ｂ）では
分離比は２０ｄＢ程度となる。図中左側の点線内は高周
波発振回路１０で、Ａ点は高周波信号とレーザ駆動回路
５からのレーザ駆動信号を加算する点であり、加算され
た信号で半導体レーザ１を駆動する。スイッチング回路
２０で使用するダイオードＤ１゜Ｄ２．ＤはＰＩＮ形が
良く、その時のスイッチング時間は１μＳ以下となる。
（ａ）においてモード制御信号がＨｉｇｈの場合、ダイ
オードＤ１がＯＮでダイオードＤ２がＯＦＦとなって高
周波発振回路１０からの高周波信号がレーザ１に加算さ
れ、モード制御信号がＬｏｗの場合、ダイオードＤ１が
ＯＦＦ、ダイオードＤ２がＯＮとなって高周波信号が遮
断される。（ｂ）においてはモード制御信号がＨｉｇｈ
の場合、ダイオードＤがＯＮとなって高周波信号がレー
ザ１に印加され、Ｌｏｗの場合はダイオードＤがＯＦＦ
となって高周波信号が遮断される。また抵抗ＶＲにより
ダイオードＤに流れる電流を制御すれば、半導体レーザ
１に加算する高周波信号のレベルを可変できるので高周
波重畳の変調度を可変できることになる。この様な動作
で高周波重畳の０Ｎ１０ＦＦが実現できる。
オードＤ１がＯＮでダイオードＤ２がＯＦＦとなって高
周波発振回路１０からの高周波信号がレーザ１に加算さ
れ、モード制御信号がＬｏｗの場合、ダイオードＤ１が
ＯＦＦ、ダイオードＤ２がＯＮとなって高周波信号が遮
断される。（ｂ）においてはモード制御信号がＨｉｇｈ
の場合、ダイオードＤがＯＮとなって高周波信号がレー
ザ１に印加され、Ｌｏｗの場合はダイオードＤがＯＦＦ
となって高周波信号が遮断される。また抵抗ＶＲにより
ダイオードＤに流れる電流を制御すれば、半導体レーザ
１に加算する高周波信号のレベルを可変できるので高周
波重畳の変調度を可変できることになる。この様な動作
で高周波重畳の０Ｎ１０ＦＦが実現できる。
第３図を用いて第２の実施例について説明する。
第１図においては半導体レーザ１と高周波重畳回路２を
直結する場合について説明したが、本実施例では半導体
レーザ１と高周波重畳回路２を分離した形態をとる。そ
して、半導体レーザ１側にはコネクタ６を取り付け、こ
れをシールドケース３１で電磁シールドし、高周波重畳
回路２には同軸ケーブル７で接続する。こうすることに
よりレーザ部の形状が小さくなり、またレーザ故障には
レーザのみの交換で良くなる。なお、同軸ケーブル７で
高周波電流やデータパルスを含むレーザ駆動信号を送出
し、レーザの出力制御をするために用いるモニタ出力は
同軸ケーブルでない別ラインで送出してもよい。
直結する場合について説明したが、本実施例では半導体
レーザ１と高周波重畳回路２を分離した形態をとる。そ
して、半導体レーザ１側にはコネクタ６を取り付け、こ
れをシールドケース３１で電磁シールドし、高周波重畳
回路２には同軸ケーブル７で接続する。こうすることに
よりレーザ部の形状が小さくなり、またレーザ故障には
レーザのみの交換で良くなる。なお、同軸ケーブル７で
高周波電流やデータパルスを含むレーザ駆動信号を送出
し、レーザの出力制御をするために用いるモニタ出力は
同軸ケーブルでない別ラインで送出してもよい。
本発明によれば、記録や消去時などのレーザの高出力発
振時に高周波重畳を停止することができるので寿命に関
する問題がなくなり、再生時には従来通り雑音を低減で
きる効果がある。
振時に高周波重畳を停止することができるので寿命に関
する問題がなくなり、再生時には従来通り雑音を低減で
きる効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例を説明する図、第２図は
第１の実施例における高周波重畳回路の具体例を示す図
、第３図は本発明の第２の実施例を説明する図である。
第１の実施例における高周波重畳回路の具体例を示す図
、第３図は本発明の第２の実施例を説明する図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体レーザと、上記半導体レーザを駆動する駆動
電流に高周波電流を重畳する高周波発振回路とから成る
半導体レーザ装置において、上記半導体レーザを高出力
発振する場合に高周波重畳を停止するためのスイッチン
グ回路を設けたことを特徴とする半導体レーザ装置。 ２、特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ装置にお
いて、上記スイッチング回路にダイオードを１個または
２個使用したことを特徴とする半導体レーザ装置。 ３、特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ装置にお
いて、上記半導体レーザと上記高周波発振回路を同軸ケ
ーブルにより接続したことを特徴とする半導体レーザ装
置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61234606A JPH0834009B2 (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | 半導体レ−ザ装置 |
| US06/932,495 US4819242A (en) | 1985-11-20 | 1986-11-20 | Semiconductor laser driver circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61234606A JPH0834009B2 (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6390037A true JPS6390037A (ja) | 1988-04-20 |
| JPH0834009B2 JPH0834009B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=16973669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61234606A Expired - Lifetime JPH0834009B2 (ja) | 1985-11-20 | 1986-10-03 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0834009B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0395735A (ja) * | 1989-09-07 | 1991-04-22 | Pioneer Electron Corp | 半導体発光素子の光パワー制御回路 |
| JPH03132933A (ja) * | 1989-10-19 | 1991-06-06 | Canon Inc | 半導体レーザ出力安定化装置 |
| US5151893A (en) * | 1989-06-05 | 1992-09-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical data recording and reproducing apparatus |
| US5495464A (en) * | 1993-01-20 | 1996-02-27 | Olympus Optical Co., Ltd. | Optical data recording/reproducing apparatus |
| US5566142A (en) * | 1994-02-10 | 1996-10-15 | Olympus Optical Co., Ltd. | Apparatus using an optical pickup |
| CN102637996A (zh) * | 2011-02-08 | 2012-08-15 | 马克西姆综合产品公司 | 对称直接耦合激光器驱动器 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62236150A (ja) * | 1986-04-08 | 1987-10-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光デイスク装置 |
-
1986
- 1986-10-03 JP JP61234606A patent/JPH0834009B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62236150A (ja) * | 1986-04-08 | 1987-10-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光デイスク装置 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5151893A (en) * | 1989-06-05 | 1992-09-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical data recording and reproducing apparatus |
| JPH0395735A (ja) * | 1989-09-07 | 1991-04-22 | Pioneer Electron Corp | 半導体発光素子の光パワー制御回路 |
| JPH03132933A (ja) * | 1989-10-19 | 1991-06-06 | Canon Inc | 半導体レーザ出力安定化装置 |
| US5495464A (en) * | 1993-01-20 | 1996-02-27 | Olympus Optical Co., Ltd. | Optical data recording/reproducing apparatus |
| US5566142A (en) * | 1994-02-10 | 1996-10-15 | Olympus Optical Co., Ltd. | Apparatus using an optical pickup |
| CN102637996A (zh) * | 2011-02-08 | 2012-08-15 | 马克西姆综合产品公司 | 对称直接耦合激光器驱动器 |
| US9209599B2 (en) | 2011-02-08 | 2015-12-08 | Maxim Integrated Products, Inc. | Symmetrical, direct coupled laser drivers |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0834009B2 (ja) | 1996-03-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |