JPS6389335A - 光学素子の製造法 - Google Patents

光学素子の製造法

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Publication number
JPS6389335A
JPS6389335A JP23539486A JP23539486A JPS6389335A JP S6389335 A JPS6389335 A JP S6389335A JP 23539486 A JP23539486 A JP 23539486A JP 23539486 A JP23539486 A JP 23539486A JP S6389335 A JPS6389335 A JP S6389335A
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JP
Japan
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acid
phosphite
polyphenylene ether
stabilizer
ester
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Pending
Application number
JP23539486A
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English (en)
Inventor
Masahiko Moriya
森谷 雅彦
Masahiro Niwano
庭野 正廣
Kenji Manabe
真鍋 健二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野) 本発明は、熱安定性の良好な光学素子の製造方法に関す
る。
例えば光学的に情報の記録、再生を行う光学式ディスク
基板、レンズ、プリズム等の光学素子の製造方法に関す
る。
〈従来の技術〉 芳香族ビニル1体由来の重合体とポリフェニレンエーテ
ルとから成る光学素子については、USP4,373,
065に示されている。
これには、ポリスチレンとポリフェニレンエーテルの混
合組成物から成る光学式ディスク基板が提案されている
しかしこのUSP4,373,065には、射出成形、
キャスト成形と単なる一般的方法の名称が示されている
にとどまり具体的に光学素子を製造することは示されて
いない。
〈発明が解決しようとする問題点) 芳香族ビニル単量体由来の重合体とポリフェニレンエー
テルとの組合せは、光学的異方性を相殺し、複屈折が小
さいのが特徴の1つである。
光学素子を製造する方法として、溶融成形を採用した場
合、この複屈折性はこれらの重合体の分子量の依存性が
大きい。
このポリフェニレンエーテルを含有する樹脂組成物は、
ガラス転移温度が高いため、該樹脂組成物を溶融して成
形加工の際、熱劣化を起し易い。
ポリフェニレンエーテルは熱劣化により一部分の高分子
化が進みこのため光学的異方性が大きくなり複屈折が大
きくなる。
その上該樹脂組成物の不均一、歪みを引き起し、光透過
性の悪化をきたす。
さらに熱劣化は着色や炭化物の発生など光学素子として
悪影響を生ずる。
〈問題点を解決するための手段〉 本発明は芳香族ビニル単量体単位を主体とする重合体部
分とポリフェニレンエーテル部分とからなる樹脂に安定
剤を添加してなる樹脂組成物を)8融成形して光学素子
を!!!造する方法である。
本発明の樹脂は、芳香族ビニル単量体単位を主体とする
重合体とポリフェニレンエーテルとの混合物、芳香族ビ
ニル単量体単位を主体とする重合体とポリフェニレンエ
ーテルの重合体部分からなるブロック共重合体もしくは
グラフト共重合体、またはこれらの混合物とからなる。
本発明でいう、芳香族ビニル単量体単位を主体とする重
合体とは、芳香族ビニル単量体単独重合体、及び芳香族
ビニル単足体単位を50重景%以上含有する共重合体で
あって、芳香族ビニル単量体としては、例えばスチレン
、α−メチルスチレン、m−メチルスチレン、p−メチ
ルスチレン、0−クロルスチレン、m−クロルスチレン
、p−クロルスチレン、m−ブロモスチレン、p−ブロ
モスチレン、等が挙げられ、特にスチレンが好適に用い
られる。
また芳香族ビニルjtlffi体と共重合する単量体の
例としては、不飽和ニトリル類例えばアクリロニトリル
、メタクリコニトリル;メタクリル酸アルキルエステル
類、例えばメタクリル酸メチル、メタクリルfin−プ
ロピル、メタクリル酸1so−プロピル、メタクリル酸
n−ブナル、メタクリル酸シクロへキシル;アクリル酸
アルキル類、例えばアクリル酸メチル、アクリル酸エチ
ル、アクリル酸プロピル、アクリル酸ブチル等が挙げら
れ、更にメタクリル酸、アクリル酸、無水マレイン酸、
無水シトラコン酸、N−メチルマレイミド、N−フェニ
ルマレイミド等が挙げられる。
これら共重合する単量体は各々単独もしくは混合して使
用することができるが、芳香族ビニル単量体との共重合
体及びこれとポリフェニレンエーテルとからなる樹脂材
料の透明性を阻害しない範囲で、組合せ及び使用割合を
調節すればよい。
芳香族ビニル単量体は単量体混合物中50重量%以上で
あることが好ましく、50重量%以下では得られる樹脂
の吸湿性が大きくなることから好ましくない。
また芳香族ビニル華量体単位を主体とする重合体の溶融
流動性は230℃、3.8Kg荷重でのメルトフローレ
ート(VFR)が0.5〜200であることが、好まし
く更に2〜lOOが好ましい。
200を越えると機械的強度が低下することから好まし
くなく、また0、5よりも小さいと複屈折を低減するの
が困又tになることから好ましくない。
芳香族ビニル単量体単位を主体とする重合体の製造法と
しては、ラジカル開始剤を用いた塊状重合、懸濁重合、
乳化重合、溶液重合のいずれでもよいが、生産性及び不
純物の混入の少ない重合体を得る目的からは塊状重合ま
たはQi重合が好ましい。
ラジカル開始剤としてはラウロイルパーオキシド、ベン
ゾイルパーオキシド、ジーtert−ブチルバーオキシ
ド、ジクミルパーオキシド等の過酸化物、2.2° −
アゾビスイソブチロニトリル、1,1゛ −アゾビス(
1−シクロヘキサンカルボニトリル)等のアゾ化合物を
あげることができる。
また分子量を制御するため、必要であれば、連鎖移動剤
としてcert−ブチル、n−ブチル、n−オクチル、
n−ドデシル及びtert−ドデンルメル力ブタンなど
を添加すれば良い。
重合温度は一般に50〜150 ’Cの範囲で行われる
本発明でいうポリフェニレンエーテルは、一般式、 (但し、R” 、R’ 、R’ 、R’は水素、ハロゲ
ンまたは炭化水素基を示す。) で表わされる繰返し単位を有する重合体である。
該ポリフェニレンエーテルはフェノール類単量体を酸化
カップリングにより重合した重合体であって、この重合
方法としては例えば特公昭36−18692号公報に洞
化合物と第3級アミンからなる系、特公昭47−365
18号公報、特公昭48−17396号公報、特公昭4
9−16120号公報、特開昭57−44625号公報
、特開昭57−147517号公報、特開昭58−19
329号公報、特開昭58−19330号公報、特開昭
58−122919号公報等の銅系またはマンガン系の
触媒を用いた公知の方法により容易に製造されるもので
ある。
このポリフェニレンエーテルの具体例は、ポリ (2,
6−シメチルー1. 4−フェニレン)エーテル、ポリ
 (2−メチル−6−エチル−1゜4−フェニレン)エ
ーテル、ポリ (2−メチル−6−ブロビルー1.4−
フェニレン)エーテル、ポリ (2,6−ジプロビルー
1.4−フェニレン)エーテル、ポリ (2−メチル−
6−ブロム−1,4−フェニレン)エーテル等が挙ケら
れ、特にポリ(2,6−シメチルー1.4−フェニレン
)エーテルが好マシイ。
このポリフェニレンエーテルは、エンジニアリングプラ
スチックとして一般に用いられているものも使用可能で
あるが、より低分子量のものが適している。
つまりポリフェニレンエーテルの平均分子量は、重合体
の極限粘度(クロロホルム、25℃での測定値)で表わ
して、0.1〜1.  Oでも用いることができるが、
0.3〜0.7がよい。
なかでも0.3〜0.45が好ましく、更に0.35〜
0.42が好ましい。
0.3より小さいと光学素子の機械的強度が小さくなる
本発明の樹脂を、芳香族ビニル単量体単位を主体とする
重合体と、ポリフェニレンエーテルを混合して得るには
、ン容融1昆合もしくは7容ン夜l昆合が適している。
熔融混合は、ポリフェニレンエーテルのガラス転移温度
以上にて押出機、バンバリーミキサ−1二一ダープレン
ダー、加熱ロール等の混合機械を用いて高剪断下、行わ
れる。
混合度合は両型合体が互いに約1μ以下にまで分散混合
されることが好ましく、更に分子スケールまで混合され
ることが好ましい。
混合状態が分子スケールにまで達したかどうかは混合物
のガラス転移温度が唯一のものとなることで容易に判定
される。
十分満足される混合状態を得るため、混合温度を高める
、混合時間を延長する、更に剪断力を高めるといった方
法が採用される。
さらに熔融混合において両型合体のガラス転移温度を低
下せしめて混合を容易なものとするため可塑剤として有
機溶剤を少量用いることもできる。
有機溶剤としては後述の溶ン&混合法にて用いられる有
機溶剤を用いることができ、混合終了後、用いた有機溶
剤を蒸発除去すれば良い。
溶液混合は両型合体を有機溶剤に溶解して少なくとも1
重量%の)8液とし、攪拌汗り合により均一混合物とし
た後打a溶剤も蒸発除去するかまたは均一混合物に両型
合体の貧溶剤を入れて、混合された両型合体を析出させ
ることができる。
好適な有機溶剤としては、クロロホルム、塩化メチレン
、塩化エチレン、トルエン、ヘンゼン、クロロヘンゼン
等を挙げることができ、また貧ン容斉すとしては、メタ
ノール、エタノール、プロピルアルコール、n−ヘキサ
ン、n−ペンタン等を挙げることができる。
芳香族ビニル単量体単位を主体とする重合体部分とポリ
フェニレンエーテル部分とからなるブロック共重合体あ
るいはグラフト共重合体は、一方の重合体の存在下に他
方のA1体を重合して得られる。
具体的には、特公昭42−22069号、同47−12
10号、同47−47862号、同52−38596号
公報等に記載された方法等により、ポリフェニレンエー
テルの存在下、芳香族ビニル単量体を主体とする単量体
を重合する、または芳香族ビニル単量体単位を主体とす
る重合体の存在下に、フェノールtJTjA量体を酸化
カップリング重合してグラフト重合体あるいはブロック
共重合体を製造することができる。
芳香族ビニル単量体単位を主体とする重合体部分とポリ
フェニレンエーテル部分との割合は前者が30〜70重
w%好ましくは40〜55重量%であり、後者が30〜
70重呈%、好ましくは45〜60重量%である。
ポリフェニレンエーテル部分が40重量%未満または7
0重量%を越えると光学素子の複屈折が充分低くならな
い。
その上40重u%未満では耐熱性も十分でなくなる。
樹脂組成は具体的には、上記の範囲内で成形の方法によ
り、適宜選択する。
本発明で、安定剤として用いる有機リン化合物とは少な
くとも1つのP−0結合をもつ3価または5価の有機リ
ン化合物であり、 一般式 (R’ 、R” 、R”のうち少なくとも1つは−OR
’  (R’は水素または有機基)であり、他は有機基
であり、R’ 、R”、R’、R’のうち2つもしくは
3つが結合されていてもよい。
〕で表わされる。
更にくわしくは3価の有機リン化合物とじて一般式 (ここでχはO〜5の整数であり、Rは水素原子、炭素
数が1〜10のアルキル基、ハロゲン原子または水酸基
であり、R5とR6は水素原子または炭素数が1〜6の
アルキル基である。
)で示される化合物、あるいは 一般式 (ここにmは1または2. Xは水素または中棲与、R
ff 、R@ 、Rq、R′@はそれぞれ水水素または
少くとも16個の炭素原子を含む脂肪族、脂環式及び芳
香族単位系のいずれからかなるもの、Yは酸素または硫
黄)で示される化合物、あるいは 一般式 %式%() (ここにRI +はアルキル、アリール、アラルキルで
表わされる炭化水素基であり、Rlg及びR13はR目
と同じ炭化水素基または水素原子である。)で表わされ
る化合物、あるいは一般式 (ここにR14は第3級ブチル基、第3級アミル基、シ
クロヘキシル基またはフェニル基を示し、RI5は水素
原子、炭素数1〜5のアルキル基、シクロヘキシル基ま
たはフェニル基を示す。
R1&は水素原子またはメチル基を示す。
R1ffR111はアルキル基、アリールアルキル基、
分子内にエーテル結合を有するアルキル基、シクロアル
キル基、アリール基、アルキルアリール基、アルコキシ
アリール基またはシクロアルキルアリール基を示す)で
あられされる化合物、あるいは 一般式 (式中、R”は第3級ブチル基、第3級アミル基、シク
ロヘキシル基またはフェニル基を示し、Rzoは水素原
子、炭素数1〜5のアルキル基、シクロヘキシル基また
はフェニル基を示す。
RZ+は水素原子またはメチル基を示す。
R22は水素原子、アルキル基、了り−ルアルキル基、
分子内にエーテル結合を有するアルキル基、シクロアル
キル基、アリール基、アルキルアリール基、アルコキシ
アリール基またはシクロアルキルアリール基を示す。) で表わされる化合物である。
具体的に(1)弐で表わされる化合物としては、亜リン
酸ネオペンチルグリコール、亜リン酸1.3−プロパン
ジオール及び亜リン酸1゜3−イソブタンジオールのフ
ェニル、クレジル、キシリル、メシチル、ノニルフェニ
ル及びクロロフェニルエステルでアル。
〔■〕式の化合物は(1)式の化合物とネオペンチルグ
リコールを反応させることで安易に作ることができる。
また〔■〕式で表わされる化合物としてはtBu   
               tButBu    
              tButBu     
              tBu等が挙げられる。
また(TV)式で表わされる化合物としてはエチルホス
フォナス酸、プロピルホスフォナス酸、イソプロピルホ
スフォナス酸、イソブチルホスフォナス酸、イソアミル
ホスフォナス酸、n−オクチルホスフォナス酸、ベンジ
ルホスフォナス酸、トリフェニルメチルホスフォナス酸
、フェニルホスフォナス酸、3−メチルフェニルホスフ
ォナス酸、2−メチルフェニルホスフォナス酸、4−メ
チルフェニルホスフォナス酸、4−エチルフェニルホス
フォナス酸、2.4−ジメチルフェニルホスフォナス酸
、2.5−ジメチルフェニルホスフォナス酸、2.4.
5−)ジメチルフェニルホスフォナス酸、2,4.6−
ドリメチルフエニルホスフオナス酸、l−ナフチルホス
フォナス酸、2−ナフチルホスフォナス酸、4−ジフェ
ニルホスフォナス酸、4−ベンジルフェニルホスフォナ
ス酸、トリフェニルメチルホスフォナス酸のメチルエス
テル;フェニルホスフォナス酸のジメチルエステル、ジ
エチルエステル、ジイソプロピルエステル、ジプロピル
エステル、ジイソブチルエステル;4−メチルフェニル
ホスフォナス酸のジエチルエステルi2,4.5−)ジ
メチルフェニルホスフォナス酸のジエチルエステル、ジ
フェニルエステル等が挙げられる。
また(V)式で表わされる化合物としては、2.4−ジ
−t−ブチルフェニル・ジイソデシルホスファイト、ト
リス(2,4−ジ−t−ブチルフェニル)ホスファイト
、2.4−ジ−t−ブチルフェニル・ビス(2−シクロ
へキシルフェニル)ホスファイト、2,4−ジ−t−ブ
チルフェニル・ジシクロへキシルホスファイト、ビス(
2,4−ジーtブチルフェニル)シクロへキシルホスフ
ァイト、トリス(2,4−ジ−t−アミルフェニル)ホ
スファイト、トリス(2−t−ブチル−4−メチルフェ
ニル)ホスファイト、トリス(2,4−ジ−t−ブチル
−5−メチルフェニル)ホスファイト、ビス(2−t−
ブチルフェニル)・イソデシルホスファイト、ジプチル
・2−t−ブチル−4−メチルフェニルホスファイト、
ジヘキシル・2−t−ブチル−4−メチルフェニルホス
ファイト、ビス(2−エチルへキシル)・2−t−ブチ
ル−4−メチルフェニルホスファイト、ジフェニル・2
−t−ブチル−4−メチルフェニルホスファイト、トリ
ス(2−t−ブチルフェニル)ホスファイト、2−t−
ブチルフェニル・ジステアリルホスファイト、2−t−
ブチルフェニル・ビス(ブトキシエトキシエチル)ホス
ファイト、2.4−’、;−t−アミルフェニル・ジー
2−エチルへキシルホスファイト、2−t−アミルフェ
ニル・フェニル・オクチルホスファイト、トリス(2−
フェニルフェニル)ホスファイト、2−フェニルフェニ
ル・ジベンジルホスファイト、トリス(2−シクロへキ
シルフェニル)ホスファイト、ビス(2,4−ジーも一
ブチルフェニル)・2−エチルへキシルホスファイト、
ビス(2,4−ジーも一ブチルフェニル)・ベンジルホ
スファイト、ビス(2,4−ジー【−ブチルフェニル)
・ブトキシエトキシエチルホスファイト、2.4−ジ−
t−ブチル−6−メチルフェニル・ビス(2−シクロへ
キシルフェニル)ホスファイト、ビス(2−L−ブチル
−4−メチルフェニル)・4−メトキシフェニルホスフ
ァイト、2.4−ジ−t−ブチルフェニル・フェニル・
トリデシルホスファイト、2゜4−’;−t−アミルフ
ェニル・ビス(ノニルフェニル)ホスファイト、ビス(
2−t−ブチル−4−メチルフェニル)・2−フェニル
フェニルホスファイト、2−t−アミル−4−メチルフ
ェニル・ビス(4−フェニルフェニル)ホスファイト、
2.4−ジ−t−ブチルフェニル・ビス(ジノニルフェ
ニル)ホスファイト、ビス(2,4−ジー【−ブチル−
5−メチルフェニル)・ C+Z〜1.アルキルホスフ
ァイト、2゜4−ジ−t−ブチルフェニル・2−シクロ
へキシルフェニル・イソデシルホスファイト、ビス(2
,4−ジ−t−ブチルフェニル)・2−シクロへキシル
フェニルホスファイト等が挙げられる。
また(Vl)式で表わされる化合物としては、ビス(2
−t−ブチルフェニル)ホスファイト、ビス(2−t−
ブチル−4−メチルフェニル)ホスファイト、ビス(2
,4−ジ−t−ブチルフェニル)ホスファイト、ビス(
2,4−ジ−t−ブチル−5−メチルフェニル)ホスフ
ァイト、ビス(2−t−ブチル−4,6−シメチルフエ
ニル)ホスファイト、ビス(2,4−ジー【−ブチル−
6−メチルフェニル)ホスファイト、ビス(2,4−ジ
−t−アミルフェニル)ホスファイト、2,4−ジ−t
−ブチルフェニル・フェニルホスファイト、2.4−ジ
−t−ブチルフェニル・2または4−シクロへキシルフ
ェニルホスファイト、2.4−ジ−t−ブチルフェニル
・イソデシルホスファイト等が挙げられる。
更に5価の有機リン化合物としては 一般式 %式%() (ここにR12はベンゼン核、ナフタレン核、またはこ
れらの置換体、或いは炭素数が1〜18の直鎖または分
岐のアルキル基を示し、Rz4及びRzsは水素原子、
ベンゼン核、またはその置換体、或いは炭素数が1〜1
0の直鎖または分岐のアルキル基を示す)で表わされる
化合物、あるいは 一般式 (R″hは炭素数が2〜10の直鎖または分岐の炭化水
素基)で表わされる化合物である。
具体的に〔43式で表わされる化合物としては、フェニ
ルホスフォニック酸、4−メチルフェニルホスフォニッ
ク酸、2−メチルフェニルホスフォニック酸、4−エチ
ルフェニルホスフォニフク酸、2,4−ジメチルフェニ
ルホスフォニック酸、3,5−ジメチルフェニルホスフ
ォニック酸、2.5−ジメチルフェニルホスフォニック
酸、2,4.5−トリメチルフェニルホスフォニック酸
、2,4.6−)ジメチルフェニルホスフォニック酸、
1−オクチルホスフォニック酸、メチルホスフォニック
酸、エチルホスフォニック酸、プロピルホスフォニック
酸、イソプロピルホスフォニック酸、ブチルホスフォニ
ック酸、イソブチルホスフォニック酸、アミルホスフォ
ニック酸、イソアミルホスフォニック酸、n−へキシル
ホスフォニック酸・n −ヘプチルホスフォニック酸、
n−オクチルホスフォニック酸、n−ノニルホスフォニ
ック酸、n−デシルホスフォニック酸、n−ドデシルホ
スフォニック酸、n−テトラデシルホスフォニック酸、
n−ヘキサデシルホスフォニック酸及びn−オクタデシ
ルホスフォニック酸及びフェニルホスフォニック酸のジ
メチルエステル、モノエチルエステル、ジエチルエステ
ル、ジブチルエステル、ジ−n−アミルエステル、モノ
フェニルエステル、ジフェニルエステルあるいは’; 
−p −ブチルフェニルエステル:4−メチルフェニル
ホスフォニック酸のジエチルエステル、ジフェニルエス
テルあるいはジーp−)リルエステル;メチルホスフオ
ニックス酸のジメチルエステル、ジエチルエステル、ジ
プロピルエステル、ジイソプロピルエステル、ジフェニ
ルエステル、ジ−m−トリルエステルあるいはジーp−
)リルエステル;エチルホスフォニックなのジエチルエ
ステルあるいはジブチルエステル;プロピルホスフォニ
ック酸のジエチルエステルあるいはジプロピルエステル
;ブチルホスフォニック酸のジメチルエステルあるいは
ジブチルエステル;イソブチルホスフォニック酸のジイ
ソブチルエステル;アミルホスフォニック酸のジエチル
エステルあるいはジブチルエステル;イソアミルホスフ
ォニック酸のジエチルエステルあるいはジフェニルエス
テル;n−へキシルホスフォニック酸のジエチルエステ
ルあるいはジブチルエステル;n−へブチルホスフォニ
ック酸のジエチルエステルあるいはジブチルエステル:
n−オクチルホスフォニック酸のジエチルエステルある
いはジブチルエステル;n−ノニルホスフォニック酸の
ジエチルエステルあるいはジブチルエステル;n−デシ
ルホスフォニック酸のジエチルエステルあるいはジブチ
ルエステル;n−ドデシルホスフォニック酸のジエチル
エステルあるいはジブチルエステル;n−テトラデシル
ホスフォニック酸のジエチルエステルあるいはジブチル
エステル;n−ヘキサデシルホスフォニック酸のジブチ
ルエステル−〇−オクタデシルホスフォニンク酸のジブ
チルエステル等が挙げられる。
また〔43式で表わされる化合物しとしては、エチレン
ジアミンテトラ(メチレンホスフォニック酸)、1.2
−プロピレンジアミンテトラ(メチレンホスフォニック
酸)、l、3−プロピレンジアミンテトラ(メチレンホ
スフォニック酸)、テトラメチレンジアミンテトラ(メ
チレンホスフォニック酸)、ペンクメチレンジアミンテ
トラ(メチレンホスフォニック酸)、ヘキサメチレンジ
アミンテトラ(メチレンホスフォニック酸)、ヘプタメ
チレンジアミンテトラ(メチレンホスフォニック酸)、
オクタメチレンジアミンテトラ(メチレンホスフォニッ
ク酸)、ノナメチレンジアミンテトラ(メチレンホスフ
ォニック酸)デカメチレンジアミンテトラ(メチレンホ
スフォニック酸)等が挙げられる。
有機リン化合物の添加量は芳香族ビニル華量体を主体と
する重合体部分とポリフェニレンエーテル部分とからな
る樹脂100重量部に対してo、oi〜5重量部、好ま
しくは0.05〜3重量部、更に好ましくは0.1〜1
重量部である。
0.01重量部未満では、樹脂組成物の熱安定性が向上
しないか、あるいは物性の低下する等好ましくない。
また5重1部を越えて添加しても、量に見合った熱安定
性の向上がみられない。
本発明でいう安定剤の立体障害フェノール化合物として
は、2.6−ジ〜Lert−ブチル−p−クレゾール、
2  tert−ブチル−4−メトキシフェノール、2
,4−ジノニルフェノール、オクタデシル−3−(3,
5−ジーtert−ブチルー4−ヒドロキシフェニル)
プロピオネート、3,5−ジーtert−ブチルー4−
ハイドロキシベンジルホスフォン酸ジエチルエステル、
2−(3°、5″ −ジーtert−ブチルー4°−ハ
イドロキシアニリノ)−4,6−シオクチルチオー1.
3.5−)リアジン等のm個フエノール;2,2° −
メチレン−ビス(4−メチル−5−tert−ブチルフ
ェノール)、2.2’  −メチレンビス(4−エチル
−6−Lert−ブチルフェノール)、ブチリデンビス
(メチル−ブチルフェノール)、4.4゛−チオビス(
5−tert−ブチル−3−メチルフェノール)、l、
l−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、
1.6−ヘキサンジオール−ビスー3− (3,5−ジ
ーterL−ブチルー4−ヒドロキシフェニル)プロピ
オネート、2.2° −チオジエチル−ビス(3−(3
,5−ジーcert−ブチルー4−ヒドロキシフェニル
)プロピオネート〕、N、 N’−へキサメチレン−ビ
ス(3,5−ジーtert−ブチルー4−ヒドロキシヒ
ドロシンナマイド)等の二価フェノール;1.3.5−
トリス(4−tert−ブチル−3−ヒドロキシ−2,
6−シメチルベンジル)イソシアヌル酸、2,4.6−
トリス(3’ 、5’  −ジーtert−ブチル−4
゛ −ヒドロキシベンジル)−1,3,5−トリアジン
、3.5−ジーtart−ブチルー4−ヒドロキシヒド
ロシナミツクアツシドと1.3.5−トリス(2−ヒド
ロキシエチル−8−トリアジン−2,4,6(IH,3
H,5H)−)リオン)との三価エステル、1,1.3
−トリス(2゛ −メチル−4゛−ヒドロキシ−5°−
tert−ブチルフェニル)ブタン等の三価フェノール
、ペンタエリスリチル−テトラキス(3−(3,5−ジ
ー【ert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピ
オネート〕等の四価フェノールが挙げられる。
立体障害フェノールの添加量は芳香族ビニル単量体単位
を主体とする重合体部分とポリフェニレンエーテル部分
からなる樹脂100重量部に対して0.01〜10重世
部、好ましくは0.05〜3重世部、更に好ましくは0
.1〜3重量部である。
安定剤の有機リン化合物と、立体障害フェノールとは任
意の割合で併用も可能である。
併用の際の添加量は、樹脂100重量部に対して0.0
1〜5重量部、好ましくは0.05〜3重量部、更に好
ましくは0.1〜1[を部である。
安定剤を該樹脂に添加するには、一般に樹脂のなかに安
定剤を混合する周知慣用の方法が用いられる。
例えば前述の、芳香族ビニルJtL量体単位を主体とす
る重合体と、ポリフエニレンエーテを混合して該樹脂を
得る溶融混合もしくは溶液混合の際に添加する。
溶融混合の場合には、再重合体の混合の場に直接所定量
を供給してもよいし、あらかじめ重合体のいずれか一方
または、両方に混合しておいてもよい。
溶液混合の場合には、再重合体を溶解した溶液のいずれ
か一方、または両方、あるいは両者を混合する時に添加
すればよい。
本発明でいう溶融成形とは樹脂をガラス転移温度以上に
上げ流動させた状態で成形することである。
例えば射出成形、押出成形、圧縮成形等を挙げることが
できる。
成形温度は、樹脂のガラス転移温度以上350℃程度ま
でである。
(発明の効果〉 本発明により芳香族ビニル単量体単位を主体とする重合
体部分とポリフェニレンエーテルよりなる樹脂へ特定さ
れた安定剤を添加することで従来熱安定性の悪かったポ
リフェニレンエーテルが安定化され、成形時の高温の熱
履歴によっても光透過性が悪くならず、また部分的な劣
化も起こしていない光学素子を得ることができる。
また、熱安定性が向上させることにより、加工温度を高
くすることにより樹脂組成物の流動性を高めて加工でき
るので、成形品の内部歪、樹脂成分の配向を少なくする
ことができ、より均一な光の透過性、より小さな複屈折
の光学素子を得ることができる。
〈実施例〉 以下実施例をもって詳細に説明するが、下記はもとより
、本発明を限定するものではない。
なお実施例中の部または%はいずれも重量基準である。
また実施例に示す物性は以下の方法により測定した。
・重合体の極限粘度:ウベローデ粘度計を用い、クロロ
ホルム溶媒で、25℃にて測定、算出した。
・樹脂組成物とする溶融混合と熱履歴の付与はブラベン
ダーブラストグラフにより280℃で5分間、10分間
、20分間混練することにより行った。
・光線透過率:混練物の粉砕品を290℃で1.2mm
のプレスシートを作成しこれを自記分光光度計日立製作
所!!J330型にて80Qnmでの試料厚み1.2m
mの透過率を測定した。
・混練物の粉砕品からディスク基板の成形は射出成形機
として住友重機械工業株式会社製マット5/7型、金型
として成形体直径50mm厚さ0.5mmのディスク用
金型を使用した。
・異物測定:射出成形により得られた直径50mm厚さ
0.5mのディスク基板成形品中の黒点を目視観察した
実施例1〜3 特公昭47〜36518号公報実施例2、隘9に記載の
方法に従い、塩化マンガン、エタノールアミンを触媒と
して2,6−キシレノールを重合して極限粘度が0.4
0(クロロホルム中、25℃)のポリ (2,6−シメ
チルー1.4−フェニレン)エーテル’fr”A製シf
ニー。
このポリフェニレンエーテル55部、ポリスチレンとし
てニスブライト4−62A (住人化学工業58り45
部から成る樹脂に安定剤としてフェニルホスフォナスu
o、4部、及ヒペンタエリスリチルーテトラキス(3−
(3,5−ジーtert−ブチルー4−ヒドロキシフェ
ニル)プロピオネート)1.6部を充分混合し、得られ
た混合物を溶融混合し熱履歴を付与したものを評価した
結果を表1に示す。
実施例4〜6 安定剤としてフェニルホスフォナス酸0.4部を用いた
以外は実施例1と同様に行った。
結果を表1に示す。
実施例7〜9 安定剤としてジエチルフェニルホスフォネート0.4部
及び2,2°−メチレン−ビス(4−メチル−5−te
rt−ブチルフェノール)0.6部を用いた以外は実施
例1と同様に行った。
結果を表1に示す。
実施例10〜12 安定剤としてジエチルフェニルホスフォネート0.4部
を用いた以外は実施例1と同様に行った。
結果を表1に示す。
実施例13〜15 安定剤として2.2゛ −メチレン−ビス(4−メチル
−5−tert−ブチルフェノール)0.6部を用いた
以外は実施例1と同様に行った。
結果を表1に示す。
比較例1〜3 安定剤を用いない以外は実施例1と同様に行った。
結果を表1に示す。
表1

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)芳香族ビニル単量体単位を主体とする重合体部分
    とポリフェニレンエーテル部分とからなる樹脂に安定剤
    を添加してなる樹脂組成物を溶融成形する光学素子の製
    造方法。
  2. (2)安定剤が有機リン化合物及び/または立体障害フ
    ェノールである特許請求範囲第1項記載の製造方法。
JP23539486A 1986-10-01 1986-10-01 光学素子の製造法 Pending JPS6389335A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5130356A (en) * 1989-02-01 1992-07-14 Basf Aktiengesellschaft Molding for optical purposes
JPH0985818A (ja) * 1995-09-25 1997-03-31 Mitsubishi Chem Corp スチレン系樹脂成形品及びその製造方法
WO2003079344A1 (en) * 2002-03-11 2003-09-25 General Electric Company Poly(arylene ether) data storage media

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