JPS6386460A - 混成集積化光センサ - Google Patents
混成集積化光センサInfo
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- JPS6386460A JPS6386460A JP61231459A JP23145986A JPS6386460A JP S6386460 A JPS6386460 A JP S6386460A JP 61231459 A JP61231459 A JP 61231459A JP 23145986 A JP23145986 A JP 23145986A JP S6386460 A JPS6386460 A JP S6386460A
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- Japan
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- optical sensor
- driving lsi
- photoelectric conversion
- driving
- substrate
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Links
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Classifications
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ファクシミリ送信装置などの読み取シデバイ
スとして用いられる混成集積化光センサに関し、特に高
信頼化を計った混成集積化光センサに関する。
スとして用いられる混成集積化光センサに関し、特に高
信頼化を計った混成集積化光センサに関する。
最近、ファクシミリ送信機などの読み取シデバこ
イスとして、工Ｃセンサと称きれるＣＣＤ−次元センナ
に代シ、原稿幅と光電変換素子幅とを１対１に対応させ
た密着形イメージセンナが実用化されつつある。縮小結
像系の光路とその微妙な調整を必要とせず、装置の小型
化に有利で経済性に優るからである。
に代シ、原稿幅と光電変換素子幅とを１対１に対応させ
た密着形イメージセンナが実用化されつつある。縮小結
像系の光路とその微妙な調整を必要とせず、装置の小型
化に有利で経済性に優るからである。
従来、この種のイメージセンナとして例えば齋藤氏が雑
誌「センナ技術Ｊ１９８５年８月号で述べているように
、ガラス基板の上にアモルファスシリコンホトダイオー
ドセンナ素子、駆動用ＬＳＩなどを設置した構造の光セ
ンサとして報告されている。第３図に示す如く、駆動用
ＬＳＩ３２の電極と光電変換材膜３５と透明電極３６か
らなるセンサ素子の個別配線電極３４とはＡｕのボンデ
ィングワイヤ３３で接続されている。例えば、Ａ４判、
８素子／■のセンサ構造では０．１ ｍ Ｘ Ｏ，１閣
のセンサ素子が、１７２８個−列に並べられ、それぞれ
が、駆動用ＬＳＩ３２に接続される。これらのうち塩１
本も接続不良は許されない。また、基板３１上の微細配
線電極３４も線間距離が３０μｍ前後と高精細パターン
が必要となるが、断線短絡があってはならず、湿気など
の環境条件で電気的な性能変化があってはならない。
誌「センナ技術Ｊ１９８５年８月号で述べているように
、ガラス基板の上にアモルファスシリコンホトダイオー
ドセンナ素子、駆動用ＬＳＩなどを設置した構造の光セ
ンサとして報告されている。第３図に示す如く、駆動用
ＬＳＩ３２の電極と光電変換材膜３５と透明電極３６か
らなるセンサ素子の個別配線電極３４とはＡｕのボンデ
ィングワイヤ３３で接続されている。例えば、Ａ４判、
８素子／■のセンサ構造では０．１ ｍ Ｘ Ｏ，１閣
のセンサ素子が、１７２８個−列に並べられ、それぞれ
が、駆動用ＬＳＩ３２に接続される。これらのうち塩１
本も接続不良は許されない。また、基板３１上の微細配
線電極３４も線間距離が３０μｍ前後と高精細パターン
が必要となるが、断線短絡があってはならず、湿気など
の環境条件で電気的な性能変化があってはならない。
上述した従来のセンサ構造では、センサ素子の光電流が
１０ Ａ以下と非常に小さい値に対して、個別配線の
パターンが微細なため線間のリーク電流が大きくほぼ光
電流と同等な値になってしまう。
１０ Ａ以下と非常に小さい値に対して、個別配線の
パターンが微細なため線間のリーク電流が大きくほぼ光
電流と同等な値になってしまう。
このため、Ｓ／Ｎ値を劣化させ忠実な画線情報が得られ
ない結果になってしまう欠点があった。
ない結果になってしまう欠点があった。
さらに駆動用ＬＳＩ３２の表面には一応の保護膜が形成
されてはいるものの非常にうすく僅かの機械的な外部か
らの接触が駆動用ＬＳＩ３２を破壊してしまったシする
。とくに２０００本以上の接続線３３は、通常直径３０
μｍの全線を使用し熱圧着で接続するが、１０ｇ程度の
接着力で弱い。したがって、外からの軽い接触で容易に
断線し易く、センナの欠陥発生が起り易い。
されてはいるものの非常にうすく僅かの機械的な外部か
らの接触が駆動用ＬＳＩ３２を破壊してしまったシする
。とくに２０００本以上の接続線３３は、通常直径３０
μｍの全線を使用し熱圧着で接続するが、１０ｇ程度の
接着力で弱い。したがって、外からの軽い接触で容易に
断線し易く、センナの欠陥発生が起り易い。
以上説明したように、従来構造の光センサでは作業性が
悪く、高性能化が実現されない欠点があった。
悪く、高性能化が実現されない欠点があった。
本発明は、このような従来の欠点を除去し、耐環境性に
富み、安定でしかも配線間接続部駆動用ＬＳＩ部などへ
の外的接触に対する強度を増した混成集積化光センサを
提供することにある。
富み、安定でしかも配線間接続部駆動用ＬＳＩ部などへ
の外的接触に対する強度を増した混成集積化光センサを
提供することにある。
本発明の混成集積化光センサは、絶縁性基板上に設置さ
れた複数個の光電変換素子と、これら光電変換素子に接
続された配線電極と、この配線電極に接続された１個以
上の駆動用ＬＳＩと、さらに前記光電変換素子、前記配
線電極、前記駆動用ＬＳＩとを含み、前記絶縁性基板上
全域に塗布された樹脂と、前記駆動用ＬＳＩの周囲の前
記樹脂で密閉固着された断面凹部状保護カバーとを有し
ている。
れた複数個の光電変換素子と、これら光電変換素子に接
続された配線電極と、この配線電極に接続された１個以
上の駆動用ＬＳＩと、さらに前記光電変換素子、前記配
線電極、前記駆動用ＬＳＩとを含み、前記絶縁性基板上
全域に塗布された樹脂と、前記駆動用ＬＳＩの周囲の前
記樹脂で密閉固着された断面凹部状保護カバーとを有し
ている。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は、本発明の一実施例の横断面図である。
ガラスからなる基板１１の上に、クロム、金からなる個
別電極１４、アモルファスシリコンからなる光電変換材
ｐｌＸ１５、ＩＴＯからなる透明電極１６を順に形成し
微細配線とフォトダイオードとを形成する。次に駆動用
ＬＳ１１２を設置固着し、個別電極１４とはボンディン
グワイヤ１３で接続する。
別電極１４、アモルファスシリコンからなる光電変換材
ｐｌＸ１５、ＩＴＯからなる透明電極１６を順に形成し
微細配線とフォトダイオードとを形成する。次に駆動用
ＬＳ１１２を設置固着し、個別電極１４とはボンディン
グワイヤ１３で接続する。
次に、基板１１上全域にシリコーン樹脂１７を塗布する
。塗布方法はディスペンサなどで連続的に吐出しできる
だけ均一な膜厚例えば０．２箇厚に塗布する。駆動用Ｌ
Ｓ１１２上面およびボンディングワイヤ１３もこのシリ
コーン樹脂によシすべて覆われている。次に断面凹部形
状のガラス製カバー板１８を設置する。カバー板１８の
７ランク部２０は駆動用ＬＳ１１２を囲み基板１１面に
接合され、予じめ塗布されであるシリコーン樹脂１７で
完全に＠閉しシリコーン樹脂１７を硬化して完成する。
。塗布方法はディスペンサなどで連続的に吐出しできる
だけ均一な膜厚例えば０．２箇厚に塗布する。駆動用Ｌ
Ｓ１１２上面およびボンディングワイヤ１３もこのシリ
コーン樹脂によシすべて覆われている。次に断面凹部形
状のガラス製カバー板１８を設置する。カバー板１８の
７ランク部２０は駆動用ＬＳ１１２を囲み基板１１面に
接合され、予じめ塗布されであるシリコーン樹脂１７で
完全に＠閉しシリコーン樹脂１７を硬化して完成する。
このような構造の光センサは、個別配線１４、フォトダ
イオード部上にはすべてシリコーン樹脂１７で覆われて
いるため、電極間の絶縁抵抗は、環境条件の変化の影響
を受けず常に安定している。
イオード部上にはすべてシリコーン樹脂１７で覆われて
いるため、電極間の絶縁抵抗は、環境条件の変化の影響
を受けず常に安定している。
微少な光電流を検出するために、従来はワーク電流が問
題になっていたが、これが無くなり雑音信号の混入のな
い高いＳＮ比が得られるようになる。
題になっていたが、これが無くなり雑音信号の混入のな
い高いＳＮ比が得られるようになる。
また、駆動用ＬＳ１１２へ接続されているボンディング
ワイヤ１３もシリコーン樹脂１７の補強と駆動用ＬＳ１
１２上に設置したカバー板１８による補強の２重の保護
で、外部からの接触があっても何ら影響することがなく
、確実な接続強度を保持できる。同様に駆動用Ｌ８１１
２も何ら外的影響を受けることが無く、常に安定した動
作を継続できるようになる。したがって、Ａ４判、８素
子／ ｍｍの光センナのように約２０００個のセンサ素
子と接続点があっても、ユニットに組立てる時のような
後工程で接触し、断線させて素子欠陥を発生させるよう
なことは無くなシ格段な作業性向上を実現できる。しか
も、駆動用ＬＳ１１２は完全に密閉されたカバー板１８
内に封入されることになるので、−切の外部環境の形番
を受けず、高信頼の光センサを得ることができる。
ワイヤ１３もシリコーン樹脂１７の補強と駆動用ＬＳ１
１２上に設置したカバー板１８による補強の２重の保護
で、外部からの接触があっても何ら影響することがなく
、確実な接続強度を保持できる。同様に駆動用Ｌ８１１
２も何ら外的影響を受けることが無く、常に安定した動
作を継続できるようになる。したがって、Ａ４判、８素
子／ ｍｍの光センナのように約２０００個のセンサ素
子と接続点があっても、ユニットに組立てる時のような
後工程で接触し、断線させて素子欠陥を発生させるよう
なことは無くなシ格段な作業性向上を実現できる。しか
も、駆動用ＬＳ１１２は完全に密閉されたカバー板１８
内に封入されることになるので、−切の外部環境の形番
を受けず、高信頼の光センサを得ることができる。
第２図は本発明の他の実施例を示す横断面図である。ガ
ラス基板１１上に微細配線部、フォトダイオード、駆動
用ＬＳＩを設置し、シリコーン樹脂１７を塗布した後、
駆動用ＬＳ１１２上にガラスカバー板１８を設置するが
、カバー板１８上面には遮光層１９を設置している。
ラス基板１１上に微細配線部、フォトダイオード、駆動
用ＬＳＩを設置し、シリコーン樹脂１７を塗布した後、
駆動用ＬＳ１１２上にガラスカバー板１８を設置するが
、カバー板１８上面には遮光層１９を設置している。
このような構造の光センサは、第１図の一実施例に示し
た作用効果を有することはもちろん、その他、駆動用Ｌ
Ｓ１１２の誤動作を抑制することができる。すなわち、
駆動用ＬＳ１１２は単結晶のシリコン半導体で作られて
いるため、光照射があると半導体素子の特性が変化し、
特に高速で動作させる場合に誤動作が起る場合がある。
た作用効果を有することはもちろん、その他、駆動用Ｌ
Ｓ１１２の誤動作を抑制することができる。すなわち、
駆動用ＬＳ１１２は単結晶のシリコン半導体で作られて
いるため、光照射があると半導体素子の特性が変化し、
特に高速で動作させる場合に誤動作が起る場合がある。
光センサの場合光蕾の大きい照明光源が近接されて設置
されているので、その漏れ光が駆動用ＬＳ１１２上に照
射される可能性があるが、これが無くなシ高性能な動作
を行わせることができる。
されているので、その漏れ光が駆動用ＬＳ１１２上に照
射される可能性があるが、これが無くなシ高性能な動作
を行わせることができる。
以上説明したように、本発明によれば、高信頼で高性能
の混成集積化光センサが得られ、これをファクシミリ装
置などの読み取りデバイスとして用いれば装置の小形化
、低価格化が実現される効果がある。
の混成集積化光センサが得られ、これをファクシミリ装
置などの読み取りデバイスとして用いれば装置の小形化
、低価格化が実現される効果がある。
尚、本発明においては、カバー板をガラス製としたが、
金属製にしても個別電極はシリコーン樹脂で絶縁されて
いるために同様の効果があることはその構成要件から明
らかであシ本願の限定する要件ではない。
金属製にしても個別電極はシリコーン樹脂で絶縁されて
いるために同様の効果があることはその構成要件から明
らかであシ本願の限定する要件ではない。
第１図は本発明の一実施例を示す断面概略図、第２図は
本発明の他の実施例を示す断面概略図、第３図は従来の
光センサの断面概略図である。 １１．３１・・・・・・基板、１２．３２・・・・・・
駆動用ＬＳＩ、１３．３３・・・・・・ボンディングワ
イヤ、１４．３４・・・・・・〜個別電極、１５．３５
・・・・・・光電変換材膜、１６．３６・・・・・・透
明電極、１７・・・・・・シリコ−７ａＪＡＦｉ、
１８・・・・・・カバー板、１９・・・・・・遮光層、
２０・・・・・・フランジ部。 〜）、 代理人 弁理士 内 原 晋 ・。 第 ｔｍ 一茅３ 回 １１：薯Ｉ反 １２：熱１１！７用ＬＳＩ １３ ：ボンテコ）プフイ１ｆ ／７：ンリコン＃諧 １３：カノＸ′−坂 ／９−シ＝−ｘ、’＊ ２θ：フランジ部 ３１：４Ｌ名之 ３２ ：ｋｈｍＬＳＴ ３３−子）プイエブソＡｆ ３４−：カキｒｉり電イヨー ３５：透２奮（４２換オ不 ３ｇ 二カ１哨１に４功ン
本発明の他の実施例を示す断面概略図、第３図は従来の
光センサの断面概略図である。 １１．３１・・・・・・基板、１２．３２・・・・・・
駆動用ＬＳＩ、１３．３３・・・・・・ボンディングワ
イヤ、１４．３４・・・・・・〜個別電極、１５．３５
・・・・・・光電変換材膜、１６．３６・・・・・・透
明電極、１７・・・・・・シリコ−７ａＪＡＦｉ、
１８・・・・・・カバー板、１９・・・・・・遮光層、
２０・・・・・・フランジ部。 〜）、 代理人 弁理士 内 原 晋 ・。 第 ｔｍ 一茅３ 回 １１：薯Ｉ反 １２：熱１１！７用ＬＳＩ １３ ：ボンテコ）プフイ１ｆ ／７：ンリコン＃諧 １３：カノＸ′−坂 ／９−シ＝−ｘ、’＊ ２θ：フランジ部 ３１：４Ｌ名之 ３２ ：ｋｈｍＬＳＴ ３３−子）プイエブソＡｆ ３４−：カキｒｉり電イヨー ３５：透２奮（４２換オ不 ３ｇ 二カ１哨１に４功ン
Claims (1)
- 絶縁性基板上に設置された複数個の光電変換素子と、該
光電変換素子に接続された配線電極と、該配線電極に接
続された１個以上の駆動用ＬＳＩとさらに、前記光電変
換素子、前記配線電極、前記駆動用ＬＳＩとを含み前記
基板上全域に塗布された樹脂と、前記駆動用ＬＳＩの周
囲の前記樹脂で密閉固着され設置された断面凹部状保護
カバーとを有することを特徴とする混成集積化光センサ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61231459A JPS6386460A (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | 混成集積化光センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61231459A JPS6386460A (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | 混成集積化光センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6386460A true JPS6386460A (ja) | 1988-04-16 |
Family
ID=16923839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61231459A Pending JPS6386460A (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | 混成集積化光センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6386460A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997005660A1 (fr) * | 1995-08-02 | 1997-02-13 | Matsushita Electronics Corporation | Dispositif de prise de vues a semi-conducteurs et fabrication dudit dispositif |
| US10573677B2 (en) | 2017-09-05 | 2020-02-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device on which a transparent plate is disposed for exposing an element region |
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1986
- 1986-09-29 JP JP61231459A patent/JPS6386460A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997005660A1 (fr) * | 1995-08-02 | 1997-02-13 | Matsushita Electronics Corporation | Dispositif de prise de vues a semi-conducteurs et fabrication dudit dispositif |
| US5952714A (en) * | 1995-08-02 | 1999-09-14 | Matsushita Electronics Corporation | Solid-state image sensing apparatus and manufacturing method thereof |
| US10573677B2 (en) | 2017-09-05 | 2020-02-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device on which a transparent plate is disposed for exposing an element region |
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