JPS6132480A - フォトセンサ - Google Patents

フォトセンサ

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JPS6132480A
JPS6132480A JP15207084A JP15207084A JPS6132480A JP S6132480 A JPS6132480 A JP S6132480A JP 15207084 A JP15207084 A JP 15207084A JP 15207084 A JP15207084 A JP 15207084A JP S6132480 A JPS6132480 A JP S6132480A
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recess
matrix
lid
photoelectric conversion
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JP15207084A
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JPH0476221B2 (ja
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Makiko Ishidoya
石戸谷　牧子
Seiji Kakimoto
柿本　誠治
Yuichi Masaki
裕一 正木
Kenji Morimoto
健司 森本
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はフォトセンサに係り、特に実装構成の簡略化を
企図してフォトセンサに関する。
［従来技術］ 第１図は従来のフォトセンサの実装構成を示す概略的断
面図である。
同図において、受光するための開口ａを有する基板１上
には、センサ基板？およびマトリクス基板３が固定され
ている。
センサ基板２には光電変換素子Ｃが形成され、さらに光
電変換素子Ｃを覆う保護膜４が形成されている。また、
光電変換素子Ｃには開口ａからの光のみが照射されるよ
うに、保護膜４上に樹脂の遮光膜５が設けられている。
マトリクス基板３には、光電変換素子Ｃのアレイを順次
駆動して光電流を読み取るためのマトリクス配線が形成
され、各光電変換素子Ｃとワイヤポンディングによる導
線６で接続されている。また、導線６は樹脂の保護膜７
で覆われている。
ここで、保護膜４はスクリーン印刷によって形成され、
遮光膜５および保護膜７はディスペンサによって塗布さ
れる。
このように、従来のフォトセンサは、光電変換素子Ｃの
保護膜４がスクリーン印刷によって、遮光膜５および導
線６の保護膜７がディスペンサによってそれぞれ形成さ
れるために、製造工程が複雑になるという問題点を有し
ていた。
また、使用される樹脂の硬化時間を必要とするために、
製造に要する時間の短縮が困難となり、それだけ歩留り
を下げていた。
さらに、ワイヤポンディングの導線６を樹脂（保護膜７
）で封じ込めているために、金属イオンの影響や熱膨張
によるポンディングの断線等が発生しやすくなり、フォ
トセンサの信頼性を低下させる原因ともなっていた。
［発明の目的］ 本発明は上記従来の問題点に鑑み成されたものであり、
その目的は、高い信頼性を有するとともに、製造が容易
で量産性を有するフォトセンサを提供することにある。
［発明の概要］ 上記目的を達成するために、本発明によるフォトセンサ
は、凹部を有する第３の基板を設け、この凹部にセンサ
基板とマトリクス基板とを固定し、凹部を蓋で閉じたこ
とを特徴とする。
［発明の実施例］ 以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
第２図は本発明によるフォトセンサの一実施例の実装構
成を示す概略的断面図、第３図は本実施例の胴視図であ
る。
両図において、基板１１は凹部１２を有し、凹部１２の
底にセンサ基板２およびマトリクス基板３が固定されて
いる。
センサ基板２上には光電変換素子Ｃが設けられ、基板１
１に設けられた開口ａから光を受ける。また、マトリク
ス基板３上には、第３図に示されるように、マトリクス
配線が形成されている。
センサ基板２の各光電変換素子Ｃは、マトリクス基板３
のマトリクス配線に導線６によって接続されている。
基板１１の凹部１２を覆う蓋１３は、その内側に集積回
路１４を有する。集積回路１４は、光電変換素子Ｃを駆
動する駆動回路、スイッチング回路および増幅回路等を
含み、各光電変換素子Ｃの共通端子とはフレキシブル配
線基板１５によって、またマトリクス基板３の個別端子
とはフレキシブル配線基板１６によって、各々接続され
ている。
Ｍ１３は基板１１ば完全に接着されるために、蓋１３を
閉じた状態で凹部１２に光は入射しない。したがって、
光電変換素子Ｃには開口ａを通してのみ光が入射し、従
来のように遮光膜を必要としない。さらに、蓋１３が光
電変換素子Ｃおよび導線６を完全に保護するために、保
護膜等も不必要となる。
［発明の効果］ 以上詳細に説明したように、本発明によるフォトセンサ
は、センサ基板とマトリクス配線基板とを箱内に封じ込
めたために、光電変換素子の保護膜および遮光膜、さら
にワイヤポンディングの保護膜も不必要となる。
そのために、上記保護膜および遮光膜の形成工程を省略
することができ、製造工程を簡略化することができる。
さらに、上記保護膜および遮光膜の材料である樹脂を硬
化させる必要がないために、製造時間を短縮することが
できる。
また、ポンディング箇所に樹脂を用いないために、金属
イオンや熱膨張等の影響による断線等がなくなり、信頼
性が向上する。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のフォトセンサの実装構成をボす概略的断
面図、 第２図は本発明によるフォトセンサの一実施例の実装構
成を示す概略的断面図、 第３図は本実施例の斜視図である。 ２；センサ基板、３；マトリクス基板、１１；基板、１
２．凹部、１３；蓋 第１図 第２図 第３図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）光電変換素子が形成された第１の基板と、前記光
    電変換素子を駆動するための配線が形成された第２の基
    板とが設けられ、前記第１の基板の光電変換素子と前記
    第２の基板の配線とが導線で接続されているフォトセン
    サにおいて、凹部を有する第３の基板と、該凹部を閉 じる蓋部材とを設け、前記凹部に前記第１および第２の
    基板を固定し、該凹部を前記蓋部材で閉じたことを特徴
    とするフォトセンサ。
  2. （２）上記蓋部材の内側に上記光電変換素子を動作させ
    るに必要な集積回路が実装されていることを特徴とする
    特許請求の範囲第１項記載のフォトセンサ。
JP15207084A 1984-07-24 1984-07-24 フォトセンサ Granted JPS6132480A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15207084A JPS6132480A (ja) 1984-07-24 1984-07-24 フォトセンサ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15207084A JPS6132480A (ja) 1984-07-24 1984-07-24 フォトセンサ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6132480A true JPS6132480A (ja) 1986-02-15
JPH0476221B2 JPH0476221B2 (ja) 1992-12-03

Family

ID=15532395

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JP15207084A Granted JPS6132480A (ja) 1984-07-24 1984-07-24 フォトセンサ

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5734375A (en) * 1980-08-08 1982-02-24 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor integrated circuit device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5734375A (en) * 1980-08-08 1982-02-24 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor integrated circuit device

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JPH0476221B2 (ja) 1992-12-03

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