JPS6386429A - X線マスクのひずみ測定法 - Google Patents

X線マスクのひずみ測定法

Info

Publication number
JPS6386429A
JPS6386429A JP61229723A JP22972386A JPS6386429A JP S6386429 A JPS6386429 A JP S6386429A JP 61229723 A JP61229723 A JP 61229723A JP 22972386 A JP22972386 A JP 22972386A JP S6386429 A JPS6386429 A JP S6386429A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bso
mask
ray
laser beam
time
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61229723A
Other languages
English (en)
Inventor
Sachiko Kikuchi
幸子 菊池
Haruki Komano
駒野 治樹
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP61229723A priority Critical patent/JPS6386429A/ja
Publication of JPS6386429A publication Critical patent/JPS6386429A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) この発明はX線リソグラフィで用いられるX線マスクの
ひずみ測定法に関する。
(従来の技術) 0.5μm以下のパターンから成る超LSIを製造する
ためのX線リソグラフィ技術では、X線マスクに0.O
1μIオーダの精度が要求される。
露光用マスクは、X線透過物質として数μmの厚さの非
常に薄いメンブレンを用い、その膜表面に、X線速へい
体として、重金属の微細なパターンを転写したものを使
用する。この重金属はX線を吸収することにより遮へい
効果を得るもので、あるが、X線吸収に伴い金属が熱膨
張し、メグレンの歪みが起る。この歪みが露光されたパ
ターンの重ね合せ精度を低下させる重大な原因となる。
そのため放熱のためにHeガスを流すという手段等があ
るが不十分である。従って、露光中に生じる歪みをモニ
ターすることは、歪みの程度がある許容値を越えたらマ
スクを交替するなどの措置をとるために是非必要である
。従来は、露光後、露光用真空容器の外にとり出して、
座標測定器等によってマスクの歪みを測定する方法がと
られているが、これでは露光状態における歪みの正確な
値は測定できないし、露光中の経時変化をモニターする
という要求を満たすことができない。生産の段階におい
ては特に、実時間でマスクの歪みをモニターし、コント
ロールにフィードバックすることが必要不可欠な条件と
なる。しかし現在までのところこういった測定手段に関
する報告は例がない。
(発明が解決しようとする問題点) 本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、X線を
マスクに照射しながら、同時に、マスクの歪みを連続的
に測定できる方法を提供しようとするものである。
[発明の構成] (問題点を解決するための手段と作用)本測定法の基本
原理は、ホログラフィ−の二重露光法にもとづく。即ち
、2つの試料のホログラフィ−像を同一の位相波記録媒
体に重ねて記録し、その際できる干渉縞を解析すること
によって、2つの試料の微少な位置のずれを検出するこ
とができる。本発明においては、比較されるべき2つの
試料とは、X線照射中の異なる時刻における同一のマス
クであり、これはX線照射室の中に固定されている。照
射に用いるレーザー光は、照射室の前でビームスプリッ
タ−により一部を分離して参照光として供給する。マス
クからの散乱光は、参照光と合成されて、対向する例え
ばB 5iO2o結晶(以下BSOと称する)からなる
媒体に位相情報が記録される。BSOの情報保持時間特
性を利用して、一定の時間経過後の位相情報が前の情報
に重ねて記録される。この際に、2つの位相情報の合成
により、結局、干渉縞が情報として記録されるため、可
成によって得られる干渉縞の位置、幅を厳密に解析する
ことにより、2つの試料の相対的な座標のずれを精度良
く検出することが可能となる。厳密な解析のためにはコ
ンピューターによる画像処理が有効であり、直接観察の
ためにはCRTによる映像化が有効である。
2つの試料に有意の変化がみられない間は、連続的に任
意の時間後に次の測定が可能であり、変化が生じた後は
、先の測定の情報が消滅した後に、後の位相情報を新た
に第一の測定値として次のα1定を行なうことにより、
順次データの蓄積が可能である。
(実施例) 本発明の一実施例による方法について図面を参照して説
明する。第1図においては1はX線照射室でレーザー光
を透過させるガラス窓2.3を有する。この中にマスク
14とウェハー15を平行に並べたものを、カセットに
て固定し、マスクをX線の入射窓の方向に向けるように
する。レーザー光源4とB50IOは、X線の入射方向
に対して対称な位置に配置し、それぞれ、窓2.3を通
して中のマスク14をのぞむような向きに固定する。そ
れと同時に、ビームスプリッタ−5で分離された光線が
、B50IO上において、マスク14からの反射光がB
50IOに当たる位置を照らすようにビームスプリッタ
−の向きを調節する。
ビームスプリッタ−5の後段にはそれぞれビーム径を拡
大するレンズ8.9を配置する。
ビジコン11はBSO結晶10を裏面からのぞみ受光面
がBSO面と平行になるように設定する。
このような配置のもとで、レーザー光源4から発せられ
たレーザー光は、ビームスプリッタ−5で一部が反射さ
れ、この反射光7は、レンズ9にてB50IOの検出領
域全面を照射するのに十分なスポット径に拡大されてB
50IO上に入射する。
ビームスプリッタ−5を透過した光6は、X線照射室の
窓2を透過して照射室内に入り、X線マスク12に斜入
射する。この反射波は同様に照射室の窓3を透過してB
5010に直入射する。この際、参照光と干渉してでき
るホログラフィ−像がB50IOに記録される。BSO
結晶は数分間の記録保持時間を持つため、この時間内で
第二のホログラフィ−像をかぶり露光した場合、2つの
ホログラフィ−像の干渉縞が記録される。BSO上にあ
られれる干渉縞の模様をビジコン11で走査し、CRT
12に出力する。また、コンピューター13で数値処理
し、歪みを解析する。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。たとえば、レーザー光源とBSOはX線の入射方向
に対して対称に配置される必要はなく、反射鏡を用いる
ことにより、第2図に示すようにレーザー光源を置くこ
ともできる。また、BSO像を受光する素子もビジコン
で・ある必要はなく、CODなどが考えられる。CRT
への出力も、レーザープリンター、液晶ディスプレイな
どで置き換えることが可能である。
その他、本1発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形し
て実施することをかできる。
[発明の効果] この発明により、X線露光を行ないながら、マスクの歪
みをマスク全面にわたってIn 5ituで検出するこ
とができ、BSOの記録保持時間特性を利用した二重露
光法を用いるため、一定の時間ごとの連続的な測定が可
能である。従って、同一マスクの経時変化をモニターす
るのに適しており、コンピューターによる数値処理と組
み合わせることにより、マスクにあるしきい値を越える
歪みが生じたらマスクを取りかえるなどの自動操作を行
なう場合にも特に有効である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を説明するための図、第2図
は、反射鏡を用いて第19図におけるレーザー光源の位
置を変えた実施例を(プリズム)示す説明図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. マスクとウェハーを固定するX線照射室と、この照射室
    に入射させるホログラフィー用レーザー光と、このレー
    ザー光の一部を分離するビームスプリッターと、レーザ
    ー光のスポット径を広げるためのレンズと、位相波を記
    録するための媒体と、ホログラフィー像を観測する手段
    より構成される装置を用い、前記レーザー光の一部を前
    記ビームスプリッターにより分離して、前記媒体上を直
    接照射する参照光となし、残りで前記X線照射室中に固
    定した前記マスク上を照射して、その散乱光と前記参照
    光を同時に前記媒体上に照射することにより第一のホロ
    グラフィー情報を記録した後、前記媒体の記録保持時間
    内の任意の時間の経過後、同様にして得られる第二のホ
    ログラフィー情報を前記第一のホログラフィー情報に重
    ねて前記媒体に記録することによりできる干渉縞を、前
    記ビームスプリッターからの参照光で再び照射すること
    によって再成し、ホログラフィーの観測装置によってこ
    れを画像化し、第一と第二の記録時における前記マスク
    の歪みの状態を数値化し解析することを特徴とするX線
    マスクのひずみ測定法。
JP61229723A 1986-09-30 1986-09-30 X線マスクのひずみ測定法 Pending JPS6386429A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61229723A JPS6386429A (ja) 1986-09-30 1986-09-30 X線マスクのひずみ測定法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61229723A JPS6386429A (ja) 1986-09-30 1986-09-30 X線マスクのひずみ測定法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6386429A true JPS6386429A (ja) 1988-04-16

Family

ID=16896689

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61229723A Pending JPS6386429A (ja) 1986-09-30 1986-09-30 X線マスクのひずみ測定法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6386429A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002015238A3 (en) * 2000-08-11 2002-10-03 Sensys Instr Corp Device and method for optical inspection of semiconductor wafer
US7085676B2 (en) 2003-06-27 2006-08-01 Tokyo Electron Limited Feed forward critical dimension control
JP2008133839A (ja) * 2006-11-27 2008-06-12 Nsk Warner Kk 発進クラッチ
JP2018173663A (ja) * 2014-01-16 2018-11-08 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002015238A3 (en) * 2000-08-11 2002-10-03 Sensys Instr Corp Device and method for optical inspection of semiconductor wafer
US7085676B2 (en) 2003-06-27 2006-08-01 Tokyo Electron Limited Feed forward critical dimension control
JP2008133839A (ja) * 2006-11-27 2008-06-12 Nsk Warner Kk 発進クラッチ
JP2018173663A (ja) * 2014-01-16 2018-11-08 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA1112921A (en) Method and apparatus for interferometric deformation analysis
US3614232A (en) Pattern defect sensing using error free blocking spacial filter
TW446818B (en) Particle monitoring instrument
KR940020481A (ko) 결함용 레티클 검사장치 및 방법(method of and apparatus for inspecting reticle for defects)
JP3209645B2 (ja) 位相シフトマスクの検査方法およびその方法に用いる検査装置
US4212536A (en) Holographic subtraction with phase modulation to distinguish phase and amplitude differences
KR910008514A (ko) 홀로그래픽 영상화 시스템의 전체 내부반사 광학검사장치 및 방법
US5004345A (en) Dual-lens shearing interferometer
US4627729A (en) Differential holographic method
JP4427632B2 (ja) 高精度三次元形状測定装置
JPS6386429A (ja) X線マスクのひずみ測定法
US3690159A (en) Holographic interferometry employing image plane holograms
JPH04100045A (ja) フォトマスク検査装置
JP2003507708A (ja) 屈折率回折格子を用いる空間フィルタリングに基づいた光学的検査装置
US5753930A (en) Device for translating negative film image to a line scan
JP2007171145A (ja) 検査装置及び方法
GB1583415A (en) Method and apparatus for halographically determining changes in an object
JP3232340B2 (ja) 大口径平面の干渉測定法
JP3417834B2 (ja) 位相シフトマスク加工用位相シフト量測定方法及び装置
JP2946381B2 (ja) 表面粗さ測定方法及び装置
Moore et al. Adaptation of combined interferometric and phaseplate gradient optics to electrophoresis
Trumpold Paper 9: Limits of Application of the Interference Methods for Surface Measurements
JPS593206A (ja) 微細パタ−ンの欠陥検出方法
JPS62132153A (ja) マスク欠陥検査装置
JP2930757B2 (ja) 異物検査装置