JPS6381954A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS6381954A JPS6381954A JP61227595A JP22759586A JPS6381954A JP S6381954 A JPS6381954 A JP S6381954A JP 61227595 A JP61227595 A JP 61227595A JP 22759586 A JP22759586 A JP 22759586A JP S6381954 A JPS6381954 A JP S6381954A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 6
- 238000005192 partition Methods 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体回路素子容器において、複数個の内蔵回路素子の
相互の電波干渉を遮断し、安定した回路構成を得る目的
で、気密封止キャップ側に複数個の間仕切りを設けた半
導体装置。
相互の電波干渉を遮断し、安定した回路構成を得る目的
で、気密封止キャップ側に複数個の間仕切りを設けた半
導体装置。
本発明は半導体装置、特にマイクロ波領域で動作する複
数個の半導体回路素子を相互に遮蔽して収容する容器の
構造に関する。
数個の半導体回路素子を相互に遮蔽して収容する容器の
構造に関する。
マイクロ波領域で作動する複数個の高周波領域回路例え
ば高周波増幅器と発振器を内蔵し、各回路間での電波干
渉を防止すべく相互を遮蔽するようにした容器は、第４
図〜第６図に示す如く構成される。第４図はキャップ１
２を持ち上げた状態の斜視図、第５図はキャップを被せ
た状態の縦断面図、第６図はキャップを被せた状態の斜
視図である。１１は容器詳しくはその本体部で複数個本
例では２個の小部屋を持ち、この小部屋内に半導体回路
素子２１．２２を収容する。容器１１の底部には端子ピ
ン１３，１４，１５，１６．・・・・・・が取付けられ
、１３は高周波入力端子、１４は中間周波出力端子、１
５，１６．・・・・・・は電源、内蔵回路制御用各端子
である。容器１１は金；製で、導電体であるから、端子
１３，１４．・・・・・・と容器１１との間はガラスで
ハーメチックシールされる。
ば高周波増幅器と発振器を内蔵し、各回路間での電波干
渉を防止すべく相互を遮蔽するようにした容器は、第４
図〜第６図に示す如く構成される。第４図はキャップ１
２を持ち上げた状態の斜視図、第５図はキャップを被せ
た状態の縦断面図、第６図はキャップを被せた状態の斜
視図である。１１は容器詳しくはその本体部で複数個本
例では２個の小部屋を持ち、この小部屋内に半導体回路
素子２１．２２を収容する。容器１１の底部には端子ピ
ン１３，１４，１５，１６．・・・・・・が取付けられ
、１３は高周波入力端子、１４は中間周波出力端子、１
５，１６．・・・・・・は電源、内蔵回路制御用各端子
である。容器１１は金；製で、導電体であるから、端子
１３，１４．・・・・・・と容器１１との間はガラスで
ハーメチックシールされる。
キャップ１２も金属製で、容器１１との間は、半導体回
路素子２１．２２の取付は後、不活性ガスが封入された
状態で気密封止される。
路素子２１．２２の取付は後、不活性ガスが封入された
状態で気密封止される。
半導体回路素子２１．２２は、例えばセラミック製の回
路基板又はプリント基板回路に、半導体素子をパフケー
ジに収容せず露出した状態（チップのま＼）で取付け、
ＣＲ部品なども取付けて増幅回路、発振回路、ミキサ回
路などを構成させたものである。キャップ１２で密封封
止するのは、半導体素子が裸の状態にある等による。ま
た高周波発振回路は周囲に電波を放出し、増幅回路など
はこれを拾って誤動作、Ｓ／Ｎ劣化、歪発生などの問題
を生じる恐れがあるが、容器１１を小部屋に区分し各小
部屋に増幅回路、発振回路を個々に収容し、キャップ１
２で密閉して相互を完全隔離するのは、上記の電波漏洩
による悪影響を回避するためである。即ち容器及びキャ
ップ１２は金属製であるからこれらで密閉され−ば充分
に電波遮蔽され、発振回路収容小部屋から電波が増幅回
路収容小部屋へ漏洩することはない。
路基板又はプリント基板回路に、半導体素子をパフケー
ジに収容せず露出した状態（チップのま＼）で取付け、
ＣＲ部品なども取付けて増幅回路、発振回路、ミキサ回
路などを構成させたものである。キャップ１２で密封封
止するのは、半導体素子が裸の状態にある等による。ま
た高周波発振回路は周囲に電波を放出し、増幅回路など
はこれを拾って誤動作、Ｓ／Ｎ劣化、歪発生などの問題
を生じる恐れがあるが、容器１１を小部屋に区分し各小
部屋に増幅回路、発振回路を個々に収容し、キャップ１
２で密閉して相互を完全隔離するのは、上記の電波漏洩
による悪影響を回避するためである。即ち容器及びキャ
ップ１２は金属製であるからこれらで密閉され−ば充分
に電波遮蔽され、発振回路収容小部屋から電波が増幅回
路収容小部屋へ漏洩することはない。
しかしながらこの従来の容器構造では容器が高価になり
、また作業性がよくない。即ち容器１１は厚い（例えば
１０鶴厚）アルミニウム、銅、または鉄などの金属板を
切削して小部屋を作るという方法をとっているが、これ
では手間がか−り、加工費及び材料費が大になる。小部
屋は、図面では直方体の単純な形状のものを示したが、
回路整合を確保するため比較的複雑な形状を持つ場合も
あり、この場合は加工の手間が一眉大になる。
、また作業性がよくない。即ち容器１１は厚い（例えば
１０鶴厚）アルミニウム、銅、または鉄などの金属板を
切削して小部屋を作るという方法をとっているが、これ
では手間がか−り、加工費及び材料費が大になる。小部
屋は、図面では直方体の単純な形状のものを示したが、
回路整合を確保するため比較的複雑な形状を持つ場合も
あり、この場合は加工の手間が一眉大になる。
また半導体回路素子２１．２２を容器に組込む際は、該
素子を容器の小部屋へ挿入し、端子ビン１３．１４．・
・・・・・との間でワイヤポンディングし、・・・・・
・といった作業になるが、小部屋の深部という狭隘な場
所での作業であるから作業能率が上らず、ワイヤボンデ
ィング装置なども特殊な限定された装置を使用しなけれ
ばならない。
素子を容器の小部屋へ挿入し、端子ビン１３．１４．・
・・・・・との間でワイヤポンディングし、・・・・・
・といった作業になるが、小部屋の深部という狭隘な場
所での作業であるから作業能率が上らず、ワイヤボンデ
ィング装置なども特殊な限定された装置を使用しなけれ
ばならない。
本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、ロー
コストで提供でき、回路素子の搭載時及び細線接続など
の組立時における諸問題を解消できる容器を提供しよう
とするものである。
コストで提供でき、回路素子の搭載時及び細線接続など
の組立時における諸問題を解消できる容器を提供しよう
とするものである。
本発明は、マイクロ波領域で動作する半導体回路素子を
複数個相互にシールドして金属容器本体に収容し、金属
キャップで気密封止した半導体装置において、該金属容
器本体（１１）を平板状として該平板状金属容器に複−
数個の半導体回路素子（２１，２２）を取付け、前記金
属キャンプ（１２）に該複数個の半導体回路素子を個々
に収容する複数個の椀状小部屋（１２ａ、１２ｂ）を構
成して該金属キャップを前記平板状金属容器に被せ、気
密封止してなることを特徴とするものである。
複数個相互にシールドして金属容器本体に収容し、金属
キャップで気密封止した半導体装置において、該金属容
器本体（１１）を平板状として該平板状金属容器に複−
数個の半導体回路素子（２１，２２）を取付け、前記金
属キャンプ（１２）に該複数個の半導体回路素子を個々
に収容する複数個の椀状小部屋（１２ａ、１２ｂ）を構
成して該金属キャップを前記平板状金属容器に被せ、気
密封止してなることを特徴とするものである。
これによれば、高周波領域回路を形成する半導体回路素
子を収容する容器本体とキャップからなる容器において
、キャップ側に間仕切りを設けるようにしてこれを絞り
加工で作るので、容器本体側に複雑な切削加工を施す必
要がな（なり、ローコストの容器を提供することができ
る。また容器本体側は平板状であるから半導体回路素子
の搭載、細線接続等の組立作業が容易になり、特殊な組
立装置を使用する必要がなくなる。こうして半導体装置
の小型、軽量化と、量産性の著しい向上が得られ、コス
ト低減に寄与することができる。
子を収容する容器本体とキャップからなる容器において
、キャップ側に間仕切りを設けるようにしてこれを絞り
加工で作るので、容器本体側に複雑な切削加工を施す必
要がな（なり、ローコストの容器を提供することができ
る。また容器本体側は平板状であるから半導体回路素子
の搭載、細線接続等の組立作業が容易になり、特殊な組
立装置を使用する必要がなくなる。こうして半導体装置
の小型、軽量化と、量産性の著しい向上が得られ、コス
ト低減に寄与することができる。
第１図〜第３図に本発明の実施例を示す。第１図はキャ
ップ１２を持ち上げた状態の斜視図、第２図はキャップ
を被せた状態の縦断面図、第３図はキャップを被せた状
態の斜視図である。第１図、第２図、第３図は第４図、
第５図、第６図にそれぞれ対応する。これらを比べてみ
れば明らかなように、本発明では容器本体１１は平板状
とし、これに端子ビン１３，１４，１５，１６．・・・
・・・を取付ける。これらの端子ビンと容器１１との間
はハ−メチンクシールされ、電気的絶縁と気密性が保た
れる。金属製のキャップ１２は平板状ではなく、可撓状
に膨出した部分が複数あり、これらが平板状容器本体１
１と共に間仕切りされた複数個の小部屋を形成する。半
導体回路素子２１．２２は容器１１に搭載し、端子ピン
１３．１４．・・・・・・との間でワイヤボンディング
し、キャンプ１２を被せると第２図の状態になる。即ち
、例えば増幅及び混合回路である半導体回路素子２１は
小部屋１２ａに、発振回路である半導体回路素子２２は
小部屋１２ｂに収容され、電波洩れによる相互干渉は導
電性小部屋によるシールドで回避される。端子ビン１３
は高周波入力用、端子ピン１４は中間周波出力用、端子
ピン１５．１６．・・・−・・は電源及び制御用である
。
ップ１２を持ち上げた状態の斜視図、第２図はキャップ
を被せた状態の縦断面図、第３図はキャップを被せた状
態の斜視図である。第１図、第２図、第３図は第４図、
第５図、第６図にそれぞれ対応する。これらを比べてみ
れば明らかなように、本発明では容器本体１１は平板状
とし、これに端子ビン１３，１４，１５，１６．・・・
・・・を取付ける。これらの端子ビンと容器１１との間
はハ−メチンクシールされ、電気的絶縁と気密性が保た
れる。金属製のキャップ１２は平板状ではなく、可撓状
に膨出した部分が複数あり、これらが平板状容器本体１
１と共に間仕切りされた複数個の小部屋を形成する。半
導体回路素子２１．２２は容器１１に搭載し、端子ピン
１３．１４．・・・・・・との間でワイヤボンディング
し、キャンプ１２を被せると第２図の状態になる。即ち
、例えば増幅及び混合回路である半導体回路素子２１は
小部屋１２ａに、発振回路である半導体回路素子２２は
小部屋１２ｂに収容され、電波洩れによる相互干渉は導
電性小部屋によるシールドで回避される。端子ビン１３
は高周波入力用、端子ピン１４は中間周波出力用、端子
ピン１５．１６．・・・−・・は電源及び制御用である
。
具体例を挙げると容器１１の材質は５ＰＣＣ（Ｊ １８
品）、板厚は約２ｆｉである。端子ピン１３，１４、−
・−−−−の材質はＫＯＶＡＬ （Ｆｅ／ Ｎｉ／
Ｃｏ合金）、ガラス部（ハーメチックシール部）の材質
は硼珪酸硝子で、電気炉等で加熱焼成して端子ピン１３
゜１４、・・・・・・と容ａｌｌの端子ビン用孔の周壁
との間の間隙に溶融固着させる。キャップ１２は材質５
ＰＣＧ （Ｊ Ｉ Ｓ品）、板厚０．４ｆｉの平板をプ
レス技術により、図示の如き複数個の椀状膨出部が形成
されるように絞り加工して作る。この椀状膨出部の個数
、形状等は勿論、容器本体１１に搭載する半導体回路素
子２１，２２．・・・・・・のそれに合わせる。キャッ
プ１２の平板状周縁部は平板状容器１１の周縁と接触し
、この部分で両者は固着されるが、この固着には抵抗溶
接法、レーザー溶接法、その池を採用する。容器が小型
であれば抵抗溶接法が簡便である。この場合はキャップ
１２の平板状周縁部の下面に角環状突出部（断面は三角
形など、先端が鋭いもの）を設けておき、該キャップ１
２を容器本体１１に被せ、両者に電橋を当てて通電する
。これにより角環状突出部は加熱、溶融し、両者１１．
１２が溶着する。この作業は不活性ガス室内で行ない、
容器内に該不活性ガスが封入されるようにする。勿論こ
の作業は、容器本体１１に半導体回路素子を取付けた後
で行なう。この容器全体の寸法は３０ｍｘ５０ｇ、厚さ
１０ｍ程度で、高周波入力は９ Ｇ Ｈｚ−、中間周波
出力は３０〜６０ＭＨｚである。高周波入力用の端子ピ
ン１３は導波管又は同軸コネクタのいずれにも接続可能
とする。
品）、板厚は約２ｆｉである。端子ピン１３，１４、−
・−−−−の材質はＫＯＶＡＬ （Ｆｅ／ Ｎｉ／
Ｃｏ合金）、ガラス部（ハーメチックシール部）の材質
は硼珪酸硝子で、電気炉等で加熱焼成して端子ピン１３
゜１４、・・・・・・と容ａｌｌの端子ビン用孔の周壁
との間の間隙に溶融固着させる。キャップ１２は材質５
ＰＣＧ （Ｊ Ｉ Ｓ品）、板厚０．４ｆｉの平板をプ
レス技術により、図示の如き複数個の椀状膨出部が形成
されるように絞り加工して作る。この椀状膨出部の個数
、形状等は勿論、容器本体１１に搭載する半導体回路素
子２１，２２．・・・・・・のそれに合わせる。キャッ
プ１２の平板状周縁部は平板状容器１１の周縁と接触し
、この部分で両者は固着されるが、この固着には抵抗溶
接法、レーザー溶接法、その池を採用する。容器が小型
であれば抵抗溶接法が簡便である。この場合はキャップ
１２の平板状周縁部の下面に角環状突出部（断面は三角
形など、先端が鋭いもの）を設けておき、該キャップ１
２を容器本体１１に被せ、両者に電橋を当てて通電する
。これにより角環状突出部は加熱、溶融し、両者１１．
１２が溶着する。この作業は不活性ガス室内で行ない、
容器内に該不活性ガスが封入されるようにする。勿論こ
の作業は、容器本体１１に半導体回路素子を取付けた後
で行なう。この容器全体の寸法は３０ｍｘ５０ｇ、厚さ
１０ｍ程度で、高周波入力は９ Ｇ Ｈｚ−、中間周波
出力は３０〜６０ＭＨｚである。高周波入力用の端子ピ
ン１３は導波管又は同軸コネクタのいずれにも接続可能
とする。
電波漏洩の防止には当該回路を金属体で密閉することが
重要で、間隙があれば電波は該間隙より漏出する。キャ
ップ１２の小部屋１２ａと１２ｂとの間の平板状部分１
２ｃは平板状容器本体１１に当接するだけで周縁部のよ
うに溶接はしない。
重要で、間隙があれば電波は該間隙より漏出する。キャ
ップ１２の小部屋１２ａと１２ｂとの間の平板状部分１
２ｃは平板状容器本体１１に当接するだけで周縁部のよ
うに溶接はしない。
そこでこの部分に隙間が生じる可能性があるが、これを
抑えるには該部分１２ｃを平板状容器本体１１側へ若干
突出させ（プレス成形時にこのようにする）１２ｃが１
１を押圧する形にするとよい。
抑えるには該部分１２ｃを平板状容器本体１１側へ若干
突出させ（プレス成形時にこのようにする）１２ｃが１
１を押圧する形にするとよい。
なお第４図に示す従来の容器構造は側面に端子を取付け
る場合好適であるが、端子は下面（容器本体１１の）に
取付けるだけで十分な場合が多い。
る場合好適であるが、端子は下面（容器本体１１の）に
取付けるだけで十分な場合が多い。
以上述べてきたように、本発明によれば、高周波領域回
路を形成する半導体回路素子を収容する容器本体とキャ
ップからなる容器において、キャップ側に間仕切りを設
けるようにしてこれを絞り加工で作るので、容器本体側
に複雑な切削加工を施す必要がなくなり、ローコストの
容器を提供することができる。また容器本体側は平板状
であるから半導体回路素子の搭載、細線接続等の組立作
業が容易になり、特殊な組立装置を使用する必要がなく
なる。こうして半導体装置の小型、軽量化と、量産性の
著しい向上が得られ、コスト低減に寄与することができ
る。
路を形成する半導体回路素子を収容する容器本体とキャ
ップからなる容器において、キャップ側に間仕切りを設
けるようにしてこれを絞り加工で作るので、容器本体側
に複雑な切削加工を施す必要がなくなり、ローコストの
容器を提供することができる。また容器本体側は平板状
であるから半導体回路素子の搭載、細線接続等の組立作
業が容易になり、特殊な組立装置を使用する必要がなく
なる。こうして半導体装置の小型、軽量化と、量産性の
著しい向上が得られ、コスト低減に寄与することができ
る。
第１図〜第３図は本発明の実施例を示し、第１図はキャ
ップを持ち上げた状態の斜視図、第２図はキャップを被
せた状態の縦断面図、第３図は同斜視図である。 第４図〜第６図は従来例を示し、第４図はキャンプを持
ち上げた状態の斜視図、第５図はキャップを被せた状態
の縦断面図、第６図は同斜視図である。 第１図で１２はキャップ、１１は容器本体、１３．１４
．・・・・・・は入出力端子ビン、２１．２２は半導体
回路素子、１２ａ、１２ｂは小部屋である。
ップを持ち上げた状態の斜視図、第２図はキャップを被
せた状態の縦断面図、第３図は同斜視図である。 第４図〜第６図は従来例を示し、第４図はキャンプを持
ち上げた状態の斜視図、第５図はキャップを被せた状態
の縦断面図、第６図は同斜視図である。 第１図で１２はキャップ、１１は容器本体、１３．１４
．・・・・・・は入出力端子ビン、２１．２２は半導体
回路素子、１２ａ、１２ｂは小部屋である。
Claims (1)
- マイクロ波領域で動作する半導体回路素子を複数個相互
にシールドして金属容器本体に収容し、金属キャップで
気密封止した半導体装置において、該金属容器本体（１
１）を平板状として該平板状金属容器に複数個の半導体
回路素子（２１、２２）を取付け、前記金属キャップ（
１２）に該複数個の半導体回路素子を個々に収容する複
数個の椀状小部屋（１２ａ、１２ｂ）を構成して該金属
キャップを前記平板状金属容器に被せ、気密封止してな
ることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22759586A JPH0773123B2 (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 半導体装置 |
| US07/083,386 US4868639A (en) | 1986-08-11 | 1987-08-10 | Semiconductor device having waveguide-coaxial line transformation structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22759586A JPH0773123B2 (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6381954A true JPS6381954A (ja) | 1988-04-12 |
| JPH0773123B2 JPH0773123B2 (ja) | 1995-08-02 |
Family
ID=16863386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22759586A Expired - Fee Related JPH0773123B2 (ja) | 1986-08-11 | 1986-09-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0773123B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004095607A (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | モジュール部品 |
| JP2008187144A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置およびその製造方法 |
| JP2010177559A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-08-12 | Taiyo Yuden Co Ltd | 電子部品、およびその製造方法 |
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| JPS567346U (ja) * | 1979-06-29 | 1981-01-22 | ||
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1986
- 1986-09-26 JP JP22759586A patent/JPH0773123B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0773123B2 (ja) | 1995-08-02 |
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