JPH0314295A - 高周波回路収容器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はＵＨＦ帯からＳＨＦ帯で用いられる高周波回路
の収容器に関し、特にフィルタ、レゾネータ等受動回路
素子の表面実装に適する高周波回路収容器に関する。

〔従来の技術〕

表面実装技術は比較的低周波回路から普及が始まったが
、近年、ＵＨＦ帯（数百ＭＨｚ）からマイクロ波帯まで
適用がなされようとしている。高周波域に於ける表面実
装に於いては、低周波域にはない種々の困難を克服せね
ばならない。特にその中でも非接続端子間のアイソレー
ションと、信号伝送路の反射が問題になる。またコスト
も上昇しないようにする必要がある。

表面実装技術に適合する高周波回路収容器として、従来
どのようなものが用いられて来たかをまず説明する。第
７図は表面実装技術以前のヘッダ形金属収容器であって
、ガラス１４で絶縁と気密封止をさせた端子１３を有し
、ヘッダ１１の内部に高周波の回路基板５をグイボンデ
ィングし、ワイヤ１６をボンディングすることで外部き
の接続をなし、さらにこの回路をキャップ１２でシール
することによって、回路を外部環境から保護すると共に
電磁気的シールドも達成している。この従来の金属収容
器はシンプルであり、また安定である。キャップ１２を
ヘッダ１１に接合するのは一般に電着と呼ばれる抵抗溶
接技術が用いられる。

この技術は気密性能が安定で、かつ能率が高いので量産
向きである。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来のヘッダ型金属収容器は種々の長所を有す
るものの、表面実装技術とは全く適合しないものであっ
た。ではどうような収容器が用いられたかと言えば、一
般にセラミックを積層したセラミック収容器が用いられ
ることが多かった。

低周波域ではプラスチックでモールドすることも行われ
るが、この方式は電磁的なシールドが全くなされず、ま
た端子間クロストークが大きく、また端子及び内部の回
路を含めた信号伝送路の不連続が大きく、高周波域では
あまり使えない。またモールド方式は受動回路素子とし
て弾性表面波素子などを収容する場合に、その表面がプ
ラスチックに覆われると特性が著しく損われるので使え
ない。よって高周波ではセラミック収容器が用いられる
。

この方式は表面実装技術に適合し易いが欠点も有してい
た。第１の欠点は電磁シールド性能が不十分なことであ
る。セラミック収容器の外周の全てを金属膜で覆うこと
は難かしい。第２の欠点は高価なことである。その理由
はセラミック収容器を製造する工程が複雑なことにある
。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の高周波回路収容器は、従来の表面実装用収容器
が有する不十分な電磁シールド性能及び高価であるとい
う欠点を解決するためのものであり、基本的に金属で囲
われた収容器であって、共平面線路（Ｃｏ−Ｐｌａｎｅ
ｒ　Ｌｉｎｅ）と溝型線路（Ｔｒｏｕｇｈ−Ｌｉｎｅ）
と同軸線路とをたくみに組み合わせた入出力端子部を備
えている。共平面線路部は外部回路へ接合するための足
部をなしている。

即ち、本発明の高周波回路収容器は、その上に回路を形
成した基板を搭載可能な金属性のベースと、前記ベース
の少くとも基板搭載部を覆うキャップとを有する回路収
容器に於いて、Ｌ型端子を有し、このＬ型端子は前記回
路収容器が取付けられる基板のパッドに対応する外部接
続用の平面状の足部と、前記ベースに穿たれた溝を外導
体とするＬ型の線路部と、前記ベースに固定するための
誘電体を介在させた同軸線路部とからなっている。

〔実施例〕

次に、本発明について図面を参照して説明する。

第１図及び第２図は本発明の第１の実施例の縦断面図及
び側面図、第３図は本発明の第２の実施例の部分縦断面
図、第４図は第３図の端子部のサブ組立を示す縦断面図
、第５図は本実施例の部分底面図である。

第１の実施例は共に金属製であるベース１及びキャンプ
２、端子３、端子３を支持するガラス４、弾性表面波素
子などが形成された回路基板５、端子３と回路基板５上
の回路を接続するためのボンディング・ワイヤ６、端子
３を中心導体とする線路の外導体を形成する溝７及び接
地用端子９からなる。

接地用端子９は２種類に分類されるが、第２図及び第５
図を用いてこの隣地用端子９について述べる。まず接地
端子９ａは高周波を扱う外導体接続端子と言うべきもの
で、高周波線路の中心導体である端子３と組みとなる外
導体を形成する。中心導体となる端子３の先端部分には
外部、即ち表面実装のための基板に接合するための足３
．が形成されている。足３ａの両側に接近して接地端子
９ａが設けられている。これらは共平面（Ｃｏ−Ｐｌａ
ｎｅｒ）線路に近い形態をなしている。接地端子９ｂは
ベース１０周辺部に複数個形成された端子であって、ベ
ース１全体が接地インピーダンスを持たないようにする
ためと、ベース１を表面実装用の回路基板に機械的に確
実に固定するための働きがある。

この第１の実施例では、端子３はガラス４で直接ベース
１にあけた穴に固定されている。この部分はガラス４を
誘電体とする同軸線路を成しており、中心導体となる端
子３の径とベース１の穴の径の比はガラス４の誘電率を
考慮して特定の特性インピーダンス（５０Ωとか７５Ω
とか）になるように決められている。この部分は端子３
を治具で固定して、ガラス４を溶着させることで組立て
る。

第３図と第４図は第２の実施例を示している。

この構造では端子３と友ガラスピード４ａをあらかじめ
一体にしておく。ガラスビード４ａの周囲は金属性のス
リーブ８で囲んである。この組み立てた端子３を第３図
のように、ベース１に設けた穴に挿入し、ろう付け８６
を施すことで端子３をベース１に接合する構造も可能で
ある。少量生産であれば、こちらの構造の方が適してい
る。

第６図は本実施例の高周波回路収容器を表面実装用の基
板に半田付は等の接合手段で接合する場合に用いられる
基板表面のパッドのパタンを示している。接地導体５０
及び中心導体５１からなり、５０、は隣接導体５０のパ
ッドで高周波回路収容器の接地端子９．．９．が半田付
けされる。５１８は中心導体５亡、、：、、ドで同じく
収容器の中心導体の端子３６が半田付けされる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、金属ケースを用いること
で電磁シールド特性はセラミック収容器に比較して著し
く優れている。端子間アイソレーションが優れている理
由は、表面実装基板と本発明の収容器の端子を含む高周
波伝送線路が伝送線路を伝播する電磁エネルギを中心導
体の近傍に閉じ込める構造になっていることにもよる。

第３図に八と印したセクションは共平面（Ｃｏ−Ｐｌａ
ｎｅｒ）線路に近似しており、Ｂの部分は溝型外導体（
ＴｒＯｕ外部の表面実装基板と、高周波回路収容器内部
の回路基板とを接続する。従って伝送路の不連続は小さ
く反射の少ない良好な接続が実現できると共に、電磁エ
ネルギは中心導体の近傍に閉じ込められ、端子間アイソ
レーションは良好である。

また、本発明の収容器は安価であるという長所も有して
いる。その理由はセラミック収容器に比較して著しく単
純な構造で、製造も容易であることにある。グイボンデ
ィングもワイヤボンディングもベースの表面で工事が出
来るので、セラミック収容器のように窪んだポケットの
中での作業でなく、自動組立設備が使い易く、組立コス
トも下げられる。さらにまたキャップとベースは、電着
と呼ばれる抵抗溶接技術で極めて短時間に接合でき、か
つその信頼性も高い。セラミック収容器の場合、金属製
のキャップはシーム溶接技術で接合されることが多いが
、この技術では接合作業に時間がかかる。

以上説明したように本発明の高周波回路収容器は、収容
器そのものが簡素な構造で、構成部品も少なく安価であ
り、さらにそれに回路を収容する組立作業も低コストで
あり、従って低コストな表面実装向けの回路収容器を提
供することができる。

ブ組立を示す縦断面図、第５図は本実施例の部分低面図
、第６図は本実施例の高周波回路収容器を取付ける表面
実装基板のパタンを示す斜視図、第７図は従来の高周波
回路収容器の一例を示す縦断面図である。

１・・・・・・ベース、２．１２・・・・・・キャラ７
’、３゜１３・・・・・・中心導体の端子、３６・・・
・・・端子先端の足、４．１４・・・・・・ガラス、４
８・・・・・・ガラスビード、５．１５・・・・・・回
路基板、６，１６・・・・・・ボンディング・ワイヤ、
７・・・・・・ベースに設けた溝、訃・・・・・ガラス
部スリーブ、９６・・・・・・高周波線路接地端子、９
、・・・・・・高周波線路以外の端子接地端子、１１・
・・・・・ヘッダ、５０・・・・・・接地導体、５１・
・・・・・中心導体。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　その上に回路を形成した基板を搭載可能な金属性のベ
   ースと、前記ベースの少くとも基板搭載部を覆うキャッ
   プとを有する回路収容器に於いて、Ｌ型端子を有し、こ
   のＬ型端子は前記回路収容器が取付けられる基板のパッ
   ドに対応する外部接続用の平面状の足部と、前記ベース
   に穿たれた溝を外導体とするＬ型の線路部と、前記ベー
   スに固定するための誘電体を介在させた同軸線路部とか
   ら成ることを特徴とする高周波回路収容器。