JPS63814A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気記録媒体に係り、特に優れた耐蝕性、耐
久性を持ち、高密度磁気記録用に好適な磁気記録媒体に
関するものである。

〔従来の技術〕

近年、磁気記録の分野においては高密度記録化が強く要
望されており、これに伴い、従来の塗布型媒体に代る金
属Ｊ膜媒体の研究開発が盛んに行われている。これら金
属薄膜を用いた磁気記録媒体は、塗布型媒体に比べて、
ｉＩ耐蝕性磁気ヘッド摺動時の耐久性が劣るため、耐蝕
性、耐久性を向上させる保護膜等を設けることが必要と
なっている。また、磁気ヘッドと磁性層間が離れると、
記録再生特性が劣化するため、これら保護膜としては、
できるだけ薄いものであることが必要である。

この保護膜としては、さまざまなものが提案されている
。例えば、金属磁性体表面を酸化し保護層とする方法（
特開昭５６−１４３５３８）　、金属磁性体表面にＳ　
ｌ　ｌ　Ｔ　ｘ　＋　Ｃｒ等の酸化物、窒化物、炭化物
を保護層として設ける方法（特開昭５７−１８０２５）
　。

ダイヤモンド状カーボン膜を保護層として設ける方法（
特開昭６０−２９９３６．５３−１．４３２０６）　、
　Ａ　ｕ　。

Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｃｒ、ＡＱ、Ｓｉなどの材料からな
る保護層を形成する方法（特開昭５３−４０５０５　。

特開昭５７−１７６５３７）などがある。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記従来技術は、耐久性、耐蝕性といった点で不十分で
あり、また２００Ａ８度の薄膜ではピンホールが形成さ
れやすく、均質な膜を設けることば回連であった。

本発明の目的は、薄膜で、十分な耐久性、耐蝕性をもつ
保護膜物質を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記問題点は、耐蝕性、耐摺動性保護膜としてＳ　ｌ　
ｘＢｙｃｉ−ｘ−ｙ（０、１≦Ｘ、０．１≦３’　＋　
Ｘ　＋　Ｙ≦０．９）という組成分から成る非晶質薄膜
を設けることにより解決する。０．１≦ｘ、０．１≦ｙ
。

ｘ＋ｙ≦０．９　　という範囲は、Ｓｉ、Ｂ、Ｃのうち
１種もしくは２種の材料から成る保護膜と比べて優れた
耐蝕性、耐摺動性を持つ組成値である。

また、上記組成域においては、５０Å以上の保護膜を磁
性層上に設ければ実用上充分な耐蝕性と耐摺動性が得ら
れる。なお、記録再生特性の劣化をおさえるために保護
膜厚の上限は、１０００人であり、特に耐久性の優れた
保護膜組成として５ｉ−ＢｙＣｌ−エーアにおいて、０
．２≦ｘ、０．４≦ｙ、ｘ＋ｙ≦０．８という範囲が掲
げられる。

〔作用〕

高密度記録に用いる金属薄膜磁性層表面には微小な起伏
が存在する。例えばＣｏＣｒを用いた垂直磁気記録媒体
では、２００人程度の起伏が数百人程度の周期で存在す
る。この起伏の存在は、磁気ヘッド摺動時に高圧力領域
を生ずる現因となり、耐摺動性という観点からは、媒体
表面は平滑であることが望ましい。Ｓｉより　ｙ　Ｃ１
−Ｘ−７（０、１≦Ｘ。

０．１≦ｙ、ｘ＋ｙ≦０．９）という組成から成る非晶
質保護膜は、非晶質であるが故に、この全屈磁性）漠表
面の起伏を平滑化する。また、Ｓｊ、Ｂ。

Ｃ単体保護膜において形成されやすいピンホールなども
、原子サイズの異なった材料から成る非晶質保護膜であ
るため形成されない。また３種の異なった原子サイズの
材料から成る非晶質保護膜であるため、Ｓｉ、Ｂ、Ｃ単
体保護膜、５ｉ−１１゜Ｂ−Ｃ，５ｉ−Ｃなどの２元系
保護膜等と比べて。

Ｓ　ｉ　ｘＢｙＣ＋−ｘ−ｙ（０、１≦ｘ、０．１≦ｙ
、ｘ＋ｙ≦０．９　）非晶質保護膜は、内部応力が小さ
く、このため微少なうねりなどを形成することなく。

作製することができる。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例を用いて説明する。

実施例 基板としてポリイミドフィルムを用い、スパッタリング
法により第１図に示す構造の磁気記録媒体を作製した。

スパッタリング装置の試料室をＩＸ　１０−ＢＴｏｒｒ
まで真空排気した後、Ａｒガスを導入してＡｒ圧を５　
Ｘ　１０−８Ｔｏｒｒに調整し、ポリイミド基板１の温
度を１００℃とし、Ｇｏ−２０讐ｔ％Ｃｒの組成をもつ
磁性３仄２を０．２　μｍの膜厚にスパッタ蒸着した。

保護膜３はＣヒにＢ、Ｓｉを配置したターゲットまたは
ＢヒにＣ，Ｓｉを配置したターゲットを用いて、基板温
度９０℃で２００人の厚さに形成した。この場合、ター
ゲットを構成するＢ、Ｓｉ。

Ｃの存在比を変えることにより、５ｉｘＢｙＣｔ−８−
ｙ（０，０５≦ｘ、０．０５≦Ｖ　＋　Ｘ　＋　ｙ≦０
．９５）なる組成の保護膜３を形成している。

比較例として、Ｂ、Ｓｉ、Ｃ単体保護膜を２００人の膜
厚形成した試料と、Ｂ　−Ｓ　ｉ　、　Ｓ　ｉ　−Ｃ。

Ｂ−Ｃなど２元系保３膜を２００人の膜厚形成した試料
、保３膜を設けない試料を作製した。

上記のそれぞれの試料について、以下に示す耐ヘツド摺
動性および耐食性のテストを行った。

耐ヘツド摺動性テストは、各試料からディスク試料を切
り出して、ディスク回転装置にセットした後、荷重１８
ｇのヘッドを接触させて、ディスクを２　ｍ　／　ｓの
速度で連続回転させ、試料である磁気記録媒体に傷が生
じるまでの回転数によってその耐ヘツド摺動強度（回）
を判定した。また、耐蝕性のテストは、各試料を相対湿
度９０％、温度６０℃の環境中に１ケ月放置した後、そ
の表面を光学顕微鏡で観察することにより耐蝕性を判定
した。

耐ヘツド摺動性テストの結果を第２図に示す。

図から明らかなごとく、ＳｉよりｙＣｌ−ｘ−ｙは、０
．０５≦ｘ、０．０５≦ｙ、ｘ＋ｙ≦０．９　の範囲で
優れた耐ヘツド摺動性があることを示している。ここで
、ＸｒＹ値はＳｉ、Ｂ、Ｃ単体保護膜。

Ｓｉ、Ｂ、Ｃのうち２種から成る保護膜における耐ヘツ
ド摺動強度（回）の最大値よりも大きい値を示す組成値
をとっている６ 耐蝕性テストの結果を第３図に示す０図中Ｘは、目視に
よっても変色がみとめられるもの、△は、光学顕微鏡観
察により変色が認められるもの、Ｏは変色が認められな
いものを示している。第３図より明らかなごと＜　Ｓ　
１ｘＢｙｃｘ−ｘ−ｙは、０．１≦ｘ、０．１≦ｙ、ｘ
＋ｙ≦０．９５の範囲で優れた耐蝕性を持つ。これは、
この組成域において保護膜にピンホールが形成されない
ことによるものである。

以上の様な結果より、耐ヘツド摺動性が優れた組成域（
０，０５≦ｘ、０．０５≦３’　＊　Ｘ　＋　’ｊ≦０
．９）と、耐蝕性の良い組成域（０，１≦Ｘ。

０．１≦ｙｒ　Ｘ　＋　’／≦０．９５）の両者に含ま
れる組成範囲として、耐ヘッド摺動性、耐蝕性が共に優
れた組成範囲、Ｓ　１ｘＢｙｃｔ−ｘ−ｙ　（０，１≦
Ｘ。

０．１≦ｙ、ｘ＋ｙ≦０．９）が得られる。

また、Ｓ　１ｘＢｙＣ：ｔ−ｘ−ｙ　（０，１≦ｘ、０
．１≦ｙ、ｘ＋ｙ≦０．９）は非晶質であること、その
表面が保護膜を設けていない試料と比較して平滑になっ
ていることを確認している。

また本実施例における保護膜の膜厚が大きいほど、耐ヘ
ッド摺動性は向上する傾向が認められるが、磁気記録媒
体と磁気ヘッド間の距離が増大するために記録再生特性
が劣化した。この記録再生特性の劣化がなく、耐ヘツド
摺動性の良好な膜厚の範囲は５０〜３０００人で、より
望ましい範囲は１００〜１０００人であった。

また、同様の構成の媒体を、真空蒸着法により形成した
ところ、スパッタ法で形成した時に優れた耐摺動性、耐
蝕性をもつ保護膜組成域（Ｓ　１−ＢｙＣｌ−−−ｙに
おいて、０．１≦ｘ、０．１≦、Ｙ＋Ｘ＋）’≦０．９
）と同じ組成領域で、優れた耐摺動性、耐蝕性をもつこ
とが確認された。

これら、スパッタ法、真空蒸着法を用いて形成された保
護膜Ｓ　１ｘＢｙｃｘ−ｘ−ｙ　（０，１≦ｘ、０．１
≦ｙ＋Ｘ＋ｙ≦０．９）は、いずれも、非晶質であり、
ピンホールのない均質な膜となっていることが、Ｘ線回
折、電子線回折、ＳＦＭなどの分析により確認されてい
る。

〔発明の効果〕

以上詳細に説明したごとく、本発明による一般式Ｓ　ｉ
　ｘＢｙｃｔ−ｘ−ｙ（０、１≦ｘ、　０．１≦ｙ、ｘ
＋ｙ≦０．９）で示される組成の非晶質状保護膜は、ピ
ンホール等を形成しに＜＜、また物質としての耐蝕性も
良く、優れた耐久性をもつ。５０人〜３０００人程度の
膜厚で耐蝕性、耐久性は十分なものとなり、磁気ヘッド
と磁２Ｗｃ体との間の間隙ができるだけ少ないことの望
まれる高密度磁気記録媒体の保護膜として、本発明によ
る保護膜は有効である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例における磁気記録媒体の構造を
示す断面図、第２図は本発明に関する保護膜５ｉｘＩ３
ｙＣｉ−ニーｙの組成と耐摺動強度との関係を示す回、
第３図は本発明に関する保護膜５ＩＸＢアＣ１−０−ｙ
の組成と耐蝕性との関係を示す図である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、支持体上に磁性層を有する磁気記録媒体において、
   磁性層上にＳｉ、Ｂ、Ｃから成り、その組成がＳｉ＿ｘ
   Ｂ＿ｙＣ＿１＿−＿ｘ＿−＿ｙ（０．１≦ｘ、０．１≦
   ｙ、ｘ＋ｙ≦０．９）で表される非晶質保護膜を設けた
   ことを特徴とする磁気記録媒体。