JPS6381095A - Ｉｃチツプの実装方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明はＩＣカード、メモリカードやウェハスケールの
ＩＣなどを製造する場合に、半導体ＩＣチップなどを同
一支持板上に精度よく実装する方法に関するものである
。

（従来技術） 従来のウェハスケールＩＣの製造方法におけるＩＣチッ
プの実装方法としては、ウェハに凹みを設け、それらの
凹みにＩＣチップを埋め込んで固定したり、アルミニウ
ムやステンレスの支持板上にＩＣチップを固定する方法
などが採用されている。

しかしながら、これらの方法ではＩＣチップの裏面がウ
ェハの凹みや支持板の表面に接するように配置されて固
定されるため、すべてのＩＣチップの表面を同一平面内
にあるようにし、なおかつ、ＩＣチップの配置も制御す
るということは困難な作業である。

また、支持板として導体を使用した場合、Ｎ型基板を用
いたＩＣチップとＰ型基板を用いたＩＣチップを混載さ
せることはできない。

（目的） 本発明は、基板特性やプロセスの異なった複数個のＩＣ
チップでも同一支持板上に載せることができ、ＩＣチッ
プ間の配線をリソグラフィ技術を用いたメタル配線で行
なえるようにすることを目的とするものである。

（構成） 本発明の方法では、以下に示されるような（Ａ）〜（Ｉ
）の工程を備えている。

（Ａ）平坦な表面をもつ基板の表面に後処理によって剥
離し、その上に密着されるＩＣチップ等の表面を保護す
る薄膜を１層又は２層に形成する工程、（Ｂ）前記薄膜
上にＩＣチップ等を位置合せして配置し、ＩＣチップ等
の表面が前記薄膜側を向くように密着させる工程、 （Ｃ）密着されたＩＣチップ等の裏面から第１の絶縁膜
を形成し、この第１の絶縁膜のコンタクトホールを介し
てＩＣチップ等の裏面に第１のメタル配線を形成する工
程、 （Ｄ）前記第１のメタル配線上から第２の絶縁膜を形成
する工程、 （Ｅ）前記第２の絶縁膜に支持板を接着する工程、（Ｆ
）前記薄膜に処理を施して前記基板から剥離させる工程
、 （Ｇ）前記薄膜を前記ＩＣチップ等から除去する工程、 （Ｈ）前記ＩＣチップ等の表面から第３の絶縁膜を形成
し、この第３の絶縁膜のコンタクトホールを介して前記
ＩＣチップ等の表面に第２のメタル配線を形成する工程
、 （Ｉ）前記第２のメタル配線上から保護膜を形成する工
程。

以下、実施例について具体的に説明する。

第１図（Ａ）に示されるように、平坦な表面を持つ基板
としてガラス板２を使用し、ガラス板２の表面に剥離用
薄膜４と保護用薄膜６をこの順にそれぞれ均一に塗布し
て形成する。

剥離用薄膜４はＩＣチップ等の裏面の加工後、ＩＣチッ
プ等をガラス板２から剥すとき、剥離しやすくするため
のものである。剥離用薄膜４としては、例えばポジ型レ
ジストを用いることができる。すなわち、ポジ型レスト
では光を与えることによって凝固し、ガラス板２との粘
着性を失ない、ＩＣチップ等がガラス板２から容易に剥
離する。

剥離用薄膜４としては熱によって凝固するような性質の
ものでもよく、あるいは光や熱を与えることによって反
応してガスが発生し、ガラス板２から剥離するものであ
ってもよい。

保護用薄膜６はその上に密着させられるＩＣチップ等の
表面を保護するとともに、ＩＣチップ等をガラス板２上
で固定した後、位置がずれないよう一４＝ にするためのものである。

保護用薄膜６の上方から、ＩＣチップ８を、ＩＣチップ
８の表面が保護用薄膜６側を向くように置き、光学セン
サ１０を用いて位置合せし、ＩＣチップ８を保護用薄膜
６に密着させる。

第１図（Ａ）ではＩＣチップ８をガラス板２の上方から
固定しているが、第１図（Ｂ）に示されるように、剥離
用薄膜４と保護用薄膜６が設けられたガラス板２を裏返
えし、下側からＩＣチップ８を配置し、光学センサ１０
を用いて位置合せし、ＩＣチップ８を保護用薄膜６に密
着して固定させるようにしてもよい。この場合もＩＣチ
ップ８の表面がガラス板２上の保護用薄膜６側を向くよ
うに置く。

第２図はＩＣチップ８などを配置した後の状態を表わし
ている。ガラス板２上にはＩＣチップ８以外のものも配
置してもよい。例えば、記号８で示されるのがＰ型基板
を用いたＩＣチップであるとして、１２はＮ型基板のＩ
Ｃチップ、１４は金属板、１６は抵抗やコンデンサ又は
コイルなどのＩＣチップである。金属板】４はＩＣチッ
プ８゜１２などの裏面配線用である。ＩＣチップ８．　
１２の他、抵抗などのＸＣチップ１６もすべてそれらの
表面が保護用薄膜６に接するように置かれて密着させら
れている。

次に第３図に示されるように、ＩＣチップ８などの上か
ら第１の絶縁膜１８を塗布して形成し、表面を平らにす
る。絶縁膜１８としてはポリイミド樹脂又はエポキシ系
樹脂などを使用することができる。この絶縁膜１８にホ
トリソグラフィ技術によりコンタクトホールを形成し、
その上から第１のメタル配線２０を形成する。このよう
にメタル配線２ｏを形成することによって、Ｐ型基板を
用いたＩＣチップ８とＮ型基板を用いたＩＣチップ１２
の混載、アナログＩＣやパワーＩＣなどの混載も可能に
なる。

また、ＩＣチップ８，１．２．１６の他に金属板１４を
配置しておくことによって、ＩＣチップ８゜１．２．１
６の裏面の配線を表面へ引き出すことが可能になる。

メタル配線２０が形成された後、その上から第２の絶縁
膜２２を形成する。絶縁膜２２としてはポリイミド樹脂
又はエポキシ系樹脂を用いることができる。

絶縁膜２２上に接着剤を用いて支持板２４を接着し、Ｉ
Ｃチップ８，１２．１６及び金属板１４を固定する。支
持板２４としてはアルミニウムやステンレスなどの金属
板又はセラミック板など、熱伝導性のよいものが好まし
い。しかし支持板２４としては樹脂フィルムなど可撓性
のあるものであってもよい。

次に、剥離用薄膜４に光を照射するなどの処理を施して
反応させ、ガラス板２を取り除く。

そして剥離用薄膜４と保護用薄膜６をエツチングにより
除去する。この状態でＩＣチップ８，１２．１６及び金
属板１４の表面は同一平面内にある。

次に第４図に示されるように、ＩＣチップ８などの表面
を含む面上にポリイミドフィルムなどの第３の絶縁膜２
６を塗布して形成し、フォトリソ＝７− グラフィ技術によりコンタクトホールを形成した後、メ
タル層を形成し、フォトリソグラフィ技術によりパター
ン化して第２のメタル配線２８を形成する。ＩＣチップ
８などは位置合せをして固定されており、それらの表面
は同一面内にあるので、メタル配線２８はレチクルを用
いて行なうことができる。

メタル配線２８を形成した後、その上から保護膜として
パッシベーション膜３０を形成し、ＩＣチップ８などの
実装を完成する。

（効果） 本発明によれば、ＩＣチップなどの表面を平坦な表面を
持つ基板側に向けて位置合せを行ない、その基板上に配
置させるので、その基板を取り除いた後はＩＣチップな
どの表面が同一面内にあるようになり、マスクを用いた
りソゲラフイエ程でメタル配線を形成することができる
ようになる。

また、ＩＣチップなどの裏面にもメタル配線を施すこと
によって、Ｐ型基板のＩＣチップとＮ型基板のＩＣチッ
プのように特性の異なる基板を持８一 つＩＣチップや、基準電圧の異なるＩＣチップ、又はＭ
ＯＳトランジスタとバイポーラトランジスタの混載や、
コイルやコンデンサなどの搭載も可能になる。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）、第１図（Ｂ）、第２図、第３図及び第４
図は本発明の一実施例の工程を装置の断面図として示す
図である。 ２・・・・・・・・・ガラス板、 ４・・・・・・剥離用薄膜、 ６・・・・・・保護用薄膜、 ８．１２，１．６・・・・・・ＩＣチップ、１４・・・
・・・金属板、 １８・・・・・・第１の絶縁膜、 ２０・・・・・・第１のメタル配線、 ２２・・・・・・第２の絶縁膜、 ２４・・・・・・支持板。 ２６・・・・・・第３の絶縁膜、 ２８・・・・・・第２のメタル配線、

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （Ａ）平坦な表面をもつ基板の表面に後処理によって剥
   離し、その上に密着されるＩＣチップ等の表面を保護す
   る薄膜を１層又は２層に形成する工程、（Ｂ）前記薄膜
   上にＩＣチップ等を位置合せして配置し、ＩＣチップ等
   の表面が前記薄膜側を向くように密着させる工程、 （Ｃ）密着されたＩＣチップ等の裏面から第１の絶縁膜
   を形成し、この第１の絶縁膜のコンタクトホールを介し
   てＩＣチップ等の裏面に第１のメタル配線を形成する工
   程、 （Ｄ）前記第１のメタル配線上から第２の絶縁膜を形成
   する工程、 （Ｅ）前記第２の絶縁膜に支持板を接着する工程、（Ｆ
   ）前記薄膜に処理を施して前記基板から剥離させる工程
   、 （Ｇ）前記薄膜を前記ＩＣチップ等から除去する工程、 （Ｈ）前記ＩＣチップ等の表面から第３の絶縁膜を形成
   し、この第３の絶縁膜のコンタクトホールを介して前記
   ＩＣチップ等の表面に第２のメタル配線を形成する工程
   、 （Ｉ）前記第２のメタル配線上から保護膜を形成する工
   程、を備えたＩＣチップの実装方法。