JPS6379342A - アライメント装置 - Google Patents
アライメント装置Info
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- JPS6379342A JPS6379342A JP61224577A JP22457786A JPS6379342A JP S6379342 A JPS6379342 A JP S6379342A JP 61224577 A JP61224577 A JP 61224577A JP 22457786 A JP22457786 A JP 22457786A JP S6379342 A JPS6379342 A JP S6379342A
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- Japan
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- semiconductor wafer
- reflected light
- light
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- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims abstract 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 46
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 8
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 abstract 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はアライメント装置に関し、特に半導体ウェハの
検査装置に適用して好適なものである。
検査装置に適用して好適なものである。
本発明は、アライメント装置において、平行光束により
位置決め対象を照明し、選択的に正反射光を画像認識手
段上に結像し得るようにすることにより、節易な構成に
よって位置決め対象の位置を検出し得、実用上十分な精
度で位置決め対象を位置決めできるアライメント装置を
容易に実現し得る。
位置決め対象を照明し、選択的に正反射光を画像認識手
段上に結像し得るようにすることにより、節易な構成に
よって位置決め対象の位置を検出し得、実用上十分な精
度で位置決め対象を位置決めできるアライメント装置を
容易に実現し得る。
いわゆるブローμ等の半導体ウェハ検査装置に用いられ
るアライメント装置においては、位置検出機構をもたな
いオープンループ方式のものの他、位置検出機構をもつ
フィードバック方式のものが種々知られている。
るアライメント装置においては、位置検出機構をもたな
いオープンループ方式のものの他、位置検出機構をもつ
フィードバック方式のものが種々知られている。
このフィードバック方式のアライメント装置において、
位置検出機構として画像処理系を有するものがある。こ
れは、ＸＹ平面内で自由に平行移動及び回転移動が可能
なテーブル上にｓｉｔされた位置決め対象である半導体
ウェハを拡散光源から得られる照明光によって照明し、
その反射光を例えぼりニアアレイセンサでなる画像認識
手段に受けて半導体ウェハ表面に形成されている構成要
素例えばスクライブライン、ポンディングパッド等の位
置を検出し、この検出結果により、テーブルを駆動して
半４体ウェハを位置決めするようになされている。
位置検出機構として画像処理系を有するものがある。こ
れは、ＸＹ平面内で自由に平行移動及び回転移動が可能
なテーブル上にｓｉｔされた位置決め対象である半導体
ウェハを拡散光源から得られる照明光によって照明し、
その反射光を例えぼりニアアレイセンサでなる画像認識
手段に受けて半導体ウェハ表面に形成されている構成要
素例えばスクライブライン、ポンディングパッド等の位
置を検出し、この検出結果により、テーブルを駆動して
半４体ウェハを位置決めするようになされている。
実際上、半４体ウェハは第４図において一部を拡大して
路線的に示すように、半導体ウェハＷの外周部の一部に
直線状のオリエンテーションフラットＷ１を形成し、こ
のオリエンテーションフラットＷ１を基準にして当該オ
リエンテーションフラットＷ１に沿う方向をＸ軸とし、
かつこれと直交する方向をＹ軸として半導体ウェハＷ上
の位置をＸＹ直交座標で表し得るようになされている。
路線的に示すように、半導体ウェハＷの外周部の一部に
直線状のオリエンテーションフラットＷ１を形成し、こ
のオリエンテーションフラットＷ１を基準にして当該オ
リエンテーションフラットＷ１に沿う方向をＸ軸とし、
かつこれと直交する方向をＹ軸として半導体ウェハＷ上
の位置をＸＹ直交座標で表し得るようになされている。
かくして半導体ウェハＷ上には、各チップを構成するｙ
ｃ回路部Ｗ２をＸ方向及びＹ方向に所定間隔を保って延
長するスクライブラインＷ３によって区切ると共に、ポ
ンディングパッド（図示せず）をＸＹ座標によって表し
得るようになされている。
ｃ回路部Ｗ２をＸ方向及びＹ方向に所定間隔を保って延
長するスクライブラインＷ３によって区切ると共に、ポ
ンディングパッド（図示せず）をＸＹ座標によって表し
得るようになされている。
ところが、拡散光源を用いて半導体ウェハＷを照明して
その表面の画像を画像認識手段に結像したとき、半導体
ウェハＷの表面上の構成要素例えばＩＣ回路部Ｗ２と、
このＩＣ回路部Ｗ２を分割するスクライブラインＷ３又
はワイヤボンディングバンドの光度差が小さくなり、実
際上画像認識手段の検知情報から半導体ウェハの位置を
検出することが困難となる問題があった。
その表面の画像を画像認識手段に結像したとき、半導体
ウェハＷの表面上の構成要素例えばＩＣ回路部Ｗ２と、
このＩＣ回路部Ｗ２を分割するスクライブラインＷ３又
はワイヤボンディングバンドの光度差が小さくなり、実
際上画像認識手段の検知情報から半導体ウェハの位置を
検出することが困難となる問題があった。
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、半導体ウ
ェハ上のＩＣ回路部から得られる反射光と、スクライブ
ライン又はワイヤポンディングパッドから得られる反射
光との光度差をできるだけ大きくすることにより、実用
上十分な精度で半導体ウェハを位置決めし得るアライメ
ント装置を提案しようとするものである。
ェハ上のＩＣ回路部から得られる反射光と、スクライブ
ライン又はワイヤポンディングパッドから得られる反射
光との光度差をできるだけ大きくすることにより、実用
上十分な精度で半導体ウェハを位置決めし得るアライメ
ント装置を提案しようとするものである。
かかる問題点を解決するため本発明においては、位置決
め対象７の表面上の構成要素７１３を検出して位置決め
対象７を位置決めするアライメント装置１において、平
行光束ＬＳにより位置決め対象７を照明する照明手段（
２，３，４，５）と、平行光束ＬＳにより照明された位
置決め対象７の正反射光ＲＢを乱反射光ＲＡとは分離し
て選択的に画像認識手段１０上に結像する光分離手段（
８，９）とを具えるようにする。
め対象７の表面上の構成要素７１３を検出して位置決め
対象７を位置決めするアライメント装置１において、平
行光束ＬＳにより位置決め対象７を照明する照明手段（
２，３，４，５）と、平行光束ＬＳにより照明された位
置決め対象７の正反射光ＲＢを乱反射光ＲＡとは分離し
て選択的に画像認識手段１０上に結像する光分離手段（
８，９）とを具えるようにする。
照明手段（２，３，４，５）によって形成した平行光束
は、半導体ウェハ７を照明する。半導体ウェハ７におい
て反射した反射光Ｒのうち正反射光ＲＢのみを光分離手
段（８，９）によって選択的に分離し、かくして半導体
ウェハ７の像のうち正反射光ＲＢを生じる構成要素の像
を、乱反射光ＲＡを生じる構成要素の像に比して大きい
光度差でリニアアレイセンサ１０上に結像するようにす
る。これにより半導体ウェハ７の位置検出が容易となる
。
は、半導体ウェハ７を照明する。半導体ウェハ７におい
て反射した反射光Ｒのうち正反射光ＲＢのみを光分離手
段（８，９）によって選択的に分離し、かくして半導体
ウェハ７の像のうち正反射光ＲＢを生じる構成要素の像
を、乱反射光ＲＡを生じる構成要素の像に比して大きい
光度差でリニアアレイセンサ１０上に結像するようにす
る。これにより半導体ウェハ７の位置検出が容易となる
。
か（して簡易な構成により半導体ウェハ７の位置検出を
なし得、実用上十分な精度で半導体ウェハ７を位置決め
できるアライメント’ＡＭを容易に実現し得る。
なし得、実用上十分な精度で半導体ウェハ７を位置決め
できるアライメント’ＡＭを容易に実現し得る。
以下図面について、本発明を半導体ウェハ検査装置に適
用した場合の一実施例を詳述する。
用した場合の一実施例を詳述する。
第１図において、１は全体としてアライメント装置を示
し、光Ｒ２から放出された光は集光レンズ３によりピン
ホール４上に集められる。軸心が直交する２枚のシリン
ドリカルレンズからなるシリンドリカルレンズ群５は、
ピンホール４より射出した光をビームスプリッタ６を介
して、第２図に示すようなＸ方向に延長するスリット状
の平行光束でなる偏平な照明スポットＬＳとして半導体
ウェハ７上に結像するようになされている。
し、光Ｒ２から放出された光は集光レンズ３によりピン
ホール４上に集められる。軸心が直交する２枚のシリン
ドリカルレンズからなるシリンドリカルレンズ群５は、
ピンホール４より射出した光をビームスプリッタ６を介
して、第２図に示すようなＸ方向に延長するスリット状
の平行光束でなる偏平な照明スポットＬＳとして半導体
ウェハ７上に結像するようになされている。
半導体ウェハ７の表面において反射した照明スポットＬ
Ｓは、反射光Ｒとして対物レンズ８に入射する。この対
物レンズ８の射出側の光軸上には、焦点距離ｆだけ離れ
てピンホール９が配設されており、反射光Ｒは当該ビン
ポール９を通ってリニアアレイセンサＩＯに入射する。
Ｓは、反射光Ｒとして対物レンズ８に入射する。この対
物レンズ８の射出側の光軸上には、焦点距離ｆだけ離れ
てピンホール９が配設されており、反射光Ｒは当該ビン
ポール９を通ってリニアアレイセンサＩＯに入射する。
リニアアレイセンサ１０は１画素分の光を電気信号に変
換する一列の光電変換素子でなり、この光電変換素子列
を電気的に走査することにより、半導体ウェハ７上の構
成要素の配置を表す出力電流Ｉが得られる。リニアアレ
イセンサｌＯにおいて得られた出力電流Ｉは制御回路１
１に送出され、制御回路１１は、予め設定された半導体
ウェハ７の位置と、出力電流Ｉから演算される半導体ウ
ェハ７の位置との偏差を演算する。
換する一列の光電変換素子でなり、この光電変換素子列
を電気的に走査することにより、半導体ウェハ７上の構
成要素の配置を表す出力電流Ｉが得られる。リニアアレ
イセンサｌＯにおいて得られた出力電流Ｉは制御回路１
１に送出され、制御回路１１は、予め設定された半導体
ウェハ７の位置と、出力電流Ｉから演算される半導体ウ
ェハ７の位置との偏差を演算する。
半導体ウェハ７は、テーブル１２上に載置され、その位
置がＸＹ直交座標によって表される。゛テーブル１２は
、第２図に示すように、Ｘ方向及びＹ方向に平行移動が
自在で、かつＸＹ平面内で回転自在となされ、制御回路
１１はテーブル１２に演算結果に対応する駆動信号を送
出することによりテーブル１２を駆動して、半導体ウェ
ハ７を位置決めするようになされている。
置がＸＹ直交座標によって表される。゛テーブル１２は
、第２図に示すように、Ｘ方向及びＹ方向に平行移動が
自在で、かつＸＹ平面内で回転自在となされ、制御回路
１１はテーブル１２に演算結果に対応する駆動信号を送
出することによりテーブル１２を駆動して、半導体ウェ
ハ７を位置決めするようになされている。
かかる構成のアライメント装置１において、第２図に示
すようなＩＣ回路部７Ａを分割するようにスクライブラ
イン７Ｂが格子状に形成された半導体ウェハ７上に照明
スポットＬＳを結像させたとき、一般にＩＣ回路部７Ａ
上の回路パターンは、スクライブライン７Ｂの表面と比
較して格段的に粗い面で構成されているため、ＩＣ回路
部７Ａにおいて反射される反射光ＲＡは乱反射光となる
。
すようなＩＣ回路部７Ａを分割するようにスクライブラ
イン７Ｂが格子状に形成された半導体ウェハ７上に照明
スポットＬＳを結像させたとき、一般にＩＣ回路部７Ａ
上の回路パターンは、スクライブライン７Ｂの表面と比
較して格段的に粗い面で構成されているため、ＩＣ回路
部７Ａにおいて反射される反射光ＲＡは乱反射光となる
。
これに対して、スクライブライン７Ｂにおいて反射され
る反射光ＲＢはほぼ正反射光となる。
る反射光ＲＢはほぼ正反射光となる。
従って乱反射光ＲＡはほとんどがピンホール９を通過で
きず遮断されるのに対して、正反射光ＲＢは対物レンズ
８にその光軸に平行に入射するためピンホール９に集光
され、はとんどがピンホール９を通過する。その結果、
リニアアレイセンサ１０上には正反射光ＲＢによって半
導体ウェハ７上に投射されるスクライブライン７Ｂが強
調された像が結像されることとなり、リニアアレイセン
サ１０から得られる出力電流■は、第３図（Ａ）におい
て実線で示すように、ＩＣ回路部７Ａに対応する出力型
ｍ Ｉ Ａと比較して、スクライブライン７Ｂに対応す
る出力電流ｌ、の信号レベルが格段的に大きくなる。
きず遮断されるのに対して、正反射光ＲＢは対物レンズ
８にその光軸に平行に入射するためピンホール９に集光
され、はとんどがピンホール９を通過する。その結果、
リニアアレイセンサ１０上には正反射光ＲＢによって半
導体ウェハ７上に投射されるスクライブライン７Ｂが強
調された像が結像されることとなり、リニアアレイセン
サ１０から得られる出力電流■は、第３図（Ａ）におい
て実線で示すように、ＩＣ回路部７Ａに対応する出力型
ｍ Ｉ Ａと比較して、スクライブライン７Ｂに対応す
る出力電流ｌ、の信号レベルが格段的に大きくなる。
そこで、適当なスレシホールドレベルＩｓｈを設定する
ことにより、容易にスクライブライン７ＢのＸ方向にお
ける位置を検出し得る。
ことにより、容易にスクライブライン７ＢのＸ方向にお
ける位置を検出し得る。
例えば第２図に示すように、半導体ウェハ７のテーブル
１２上の載置位置が回転しているために、スクライブラ
イン７ＢとＸ軸又はＹ軸とが一致しないような場合には
、テーブル１２を負のＹ方向に駆動して照明スポットＬ
Ｓが照明する半導体ウェハ７上の位置を変化させると、
リニアアレイセンサ１０から得られる出力電流Ｉの立上
り部が、第３図（Ａ）において、Ｘ方向に、実線で示す
位置から破線で示す位置へと変化する。従って、このと
きのＹ方向の移動距離と、検出されるスクライブライン
７ＢのＸ方向の位置の移動量より、半導体ウェハ７の回
転量が演算でき、この演算結果に基づいて制御回路１１
はテーブル１２を回転駆動して、半導体ウェハ７の載置
位置の回転を補正し得る。
１２上の載置位置が回転しているために、スクライブラ
イン７ＢとＸ軸又はＹ軸とが一致しないような場合には
、テーブル１２を負のＹ方向に駆動して照明スポットＬ
Ｓが照明する半導体ウェハ７上の位置を変化させると、
リニアアレイセンサ１０から得られる出力電流Ｉの立上
り部が、第３図（Ａ）において、Ｘ方向に、実線で示す
位置から破線で示す位置へと変化する。従って、このと
きのＹ方向の移動距離と、検出されるスクライブライン
７ＢのＸ方向の位置の移動量より、半導体ウェハ７の回
転量が演算でき、この演算結果に基づいて制御回路１１
はテーブル１２を回転駆動して、半導体ウェハ７の載置
位置の回転を補正し得る。
また上述のように半導体ウェハ７上のスクライブライン
７ＢのＸ方向における位置が検出できることにより、制
御回路１１は、テーブル１２をＸ方向に駆動して半導体
ウェハ７のＸ方向に関する位置を補正し得る。
７ＢのＸ方向における位置が検出できることにより、制
御回路１１は、テーブル１２をＸ方向に駆動して半導体
ウェハ７のＸ方向に関する位置を補正し得る。
さらに、テーブル１２をＹ方向に駆動し、そのときのり
ニアアレイセンサ１０の全画素の出力電流Ｉの総和（こ
れを出力電流和と呼ぶ）Ｉｓの変化を観測することによ
り、第３図（Ｂ）に示すように、照明スポットＬＳがス
クライブライン７Ｂを横切るときの出力電流和ＩＳｌは
、ＩＣ回路部７Ａを横切るときの出力電流和■Ｓ、と比
較して、格段的に大きいため、適当なスレシホールドレ
ベルｒｓ、、を設定することにより、容易に半導体ウェ
ハ７のＹ方向における位置が検出できることになる。従
って制御回路１１は、テーブル１２をＹ方向に駆動して
、半導体ウェハ７のＹ方向に関する位置を補正し得る。
ニアアレイセンサ１０の全画素の出力電流Ｉの総和（こ
れを出力電流和と呼ぶ）Ｉｓの変化を観測することによ
り、第３図（Ｂ）に示すように、照明スポットＬＳがス
クライブライン７Ｂを横切るときの出力電流和ＩＳｌは
、ＩＣ回路部７Ａを横切るときの出力電流和■Ｓ、と比
較して、格段的に大きいため、適当なスレシホールドレ
ベルｒｓ、、を設定することにより、容易に半導体ウェ
ハ７のＹ方向における位置が検出できることになる。従
って制御回路１１は、テーブル１２をＹ方向に駆動して
、半導体ウェハ７のＹ方向に関する位置を補正し得る。
かくして、半導体ウェハ７がいかなる位置に載置されて
いても、確実に所定の位置に位置決めすることができる
。
いても、確実に所定の位置に位置決めすることができる
。
上述の実施例によれば、簡易な構成により、位置決め対
象の位置を検出し得、実用上十分な精度で位置決め対象
を位置決めできるアライメント装置を容易に実現し得る
。
象の位置を検出し得、実用上十分な精度で位置決め対象
を位置決めできるアライメント装置を容易に実現し得る
。
なお上述の実施例においては、シリンドリカルレンズ群
５により形成したスリット状の照明スポットＬＳをリニ
アアレイセンサ１０上に照射するように構成したが、こ
れに代え、コリメータレンズにより形成した円形の照明
スポット及び２次元のアレイセンサを用いても良く、ま
た光源としてはレーザを採用することもできる。要は、
平行光束により半導体ウェハ７が照明できれば良い。
５により形成したスリット状の照明スポットＬＳをリニ
アアレイセンサ１０上に照射するように構成したが、こ
れに代え、コリメータレンズにより形成した円形の照明
スポット及び２次元のアレイセンサを用いても良く、ま
た光源としてはレーザを採用することもできる。要は、
平行光束により半導体ウェハ７が照明できれば良い。
さらに上述の実施例においては、選択的に正反射光を通
して画像認識手段上に結像する手段として、対物レンズ
８及びピンホール９を用いたが、これに限らず他の構成
のものを用いても良い。
して画像認識手段上に結像する手段として、対物レンズ
８及びピンホール９を用いたが、これに限らず他の構成
のものを用いても良い。
また上述においては、画像認識手段としてアレイセンサ
を用いたが、本発明はこれに限らず、テレビジョンカメ
ラによってビデオ信号を得、このビデオ信号を解析する
ことにより、位置ネ★出を行っても上述と同様の効果を
得ることができる。
を用いたが、本発明はこれに限らず、テレビジョンカメ
ラによってビデオ信号を得、このビデオ信号を解析する
ことにより、位置ネ★出を行っても上述と同様の効果を
得ることができる。
また上述の実施例においては、半導体ウェハ７上の構成
要素を、ＩＣ回路部７Ａ及びスクライブライン７Ｂのみ
としたが、これに加えてワイヤポンディングパッドの位
置を検出するようにしても、上述と同様の効果を得るこ
とができる。
要素を、ＩＣ回路部７Ａ及びスクライブライン７Ｂのみ
としたが、これに加えてワイヤポンディングパッドの位
置を検出するようにしても、上述と同様の効果を得るこ
とができる。
さらに上述においては、本発明を半導体ウェハ検査装置
に適用した場合の実施例について述べたが、これに限ら
ず種々の機器に適用し得る。
に適用した場合の実施例について述べたが、これに限ら
ず種々の機器に適用し得る。
上述のように本発明によれば、節易な構成によって位置
検出を容易になし得、実用上十分な精度で位置決めでき
るアライメント装置を容易に実現し得る。
検出を容易になし得、実用上十分な精度で位置決めでき
るアライメント装置を容易に実現し得る。
第１図は本発明によるアライメント装置の一実施例を示
す路線図、第２図は照明スボッ１−ＬＳ及び半導体ウェ
ハの位置関係を表す路線図、第３図はりニアアレイセン
サの出力電流と半導体ウェハの表面形状との関係を表す
路線的信号波形図、第４図は半導体ウェハの表面上の構
成要素とオリエンテーションフラットとの関係を示す路
線図である。 １・・・・・・アライメント装置、２・・・・・・光源
、５・・・・・・シリンドリカルレンズ群、７・・・・
・・半導体ウェハ、８・・・・・・対物レンズ、９・・
・・・・ピンホール、１０・・・・・・リニアアレイセ
ンサ、１２・・・・・・テーブル、ＬＳ・・・・・・照
明スポット。
す路線図、第２図は照明スボッ１−ＬＳ及び半導体ウェ
ハの位置関係を表す路線図、第３図はりニアアレイセン
サの出力電流と半導体ウェハの表面形状との関係を表す
路線的信号波形図、第４図は半導体ウェハの表面上の構
成要素とオリエンテーションフラットとの関係を示す路
線図である。 １・・・・・・アライメント装置、２・・・・・・光源
、５・・・・・・シリンドリカルレンズ群、７・・・・
・・半導体ウェハ、８・・・・・・対物レンズ、９・・
・・・・ピンホール、１０・・・・・・リニアアレイセ
ンサ、１２・・・・・・テーブル、ＬＳ・・・・・・照
明スポット。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 位置決め対象の表面上の構成要素を検出して上記位置決
め対象を位置決めするアライメント装置において、 平行光束により上記位置決め対象を照明する照明手段と
、 上記平行光束により照明された上記位置決め対象の正反
射光を乱反射光とは分離して選択的に画像認識手段上に
結像する光分離手段と を具えたことを特徴とするアライメント装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61224577A JPH0834240B2 (ja) | 1986-09-22 | 1986-09-22 | アライメント装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61224577A JPH0834240B2 (ja) | 1986-09-22 | 1986-09-22 | アライメント装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6379342A true JPS6379342A (ja) | 1988-04-09 |
| JPH0834240B2 JPH0834240B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=16815917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61224577A Expired - Fee Related JPH0834240B2 (ja) | 1986-09-22 | 1986-09-22 | アライメント装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0834240B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1131623B1 (en) * | 1998-11-18 | 2009-04-08 | KLA-Tencor Corporation | Detection system for nanometer scale topographic measurements of reflective surfaces |
| JP2013074242A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 位置検出装置、描画装置、および、位置検出方法 |
| CN115714103A (zh) * | 2022-11-25 | 2023-02-24 | 拓荆键科(海宁)半导体设备有限公司 | 用于晶圆键合对准及检测的装置和方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI520199B (zh) * | 2012-02-18 | 2016-02-01 | 先進科技新加坡有限公司 | 用於以劃線對準之執行中控制而對一實質平面半導體基板劃線之方法及裝置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49113581A (ja) * | 1973-02-26 | 1974-10-30 | ||
| JPS61141449A (ja) * | 1984-12-14 | 1986-06-28 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | レ−ザ光を用いたパタ−ン位置検出装置 |
-
1986
- 1986-09-22 JP JP61224577A patent/JPH0834240B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49113581A (ja) * | 1973-02-26 | 1974-10-30 | ||
| JPS61141449A (ja) * | 1984-12-14 | 1986-06-28 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | レ−ザ光を用いたパタ−ン位置検出装置 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1131623B1 (en) * | 1998-11-18 | 2009-04-08 | KLA-Tencor Corporation | Detection system for nanometer scale topographic measurements of reflective surfaces |
| US8384903B2 (en) | 1998-11-18 | 2013-02-26 | Kla-Tencor Corporation | Detection system for nanometer scale topographic measurements of reflective surfaces |
| JP2013074242A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 位置検出装置、描画装置、および、位置検出方法 |
| CN115714103A (zh) * | 2022-11-25 | 2023-02-24 | 拓荆键科(海宁)半导体设备有限公司 | 用于晶圆键合对准及检测的装置和方法 |
| CN115714103B (zh) * | 2022-11-25 | 2023-11-24 | 拓荆键科(海宁)半导体设备有限公司 | 用于晶圆键合对准及检测的装置和方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0834240B2 (ja) | 1996-03-29 |
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