JP3341739B2 - バンプ頂点検出方法並びにこれを用いたバンプ高さ測定方法及び装置 - Google Patents

バンプ頂点検出方法並びにこれを用いたバンプ高さ測定方法及び装置

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JP3341739B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】半導体実装技術の分野におい
て、バンプと呼ばれる金属突起が形成されたフリップチ
ップ、TAB(tape-automated bonding)、BGA(ba
ll grid array)等が広く用いられている。本発明は、
これらのバンプの高さが一様であるか否かを検査するた
めに用いられる、バンプ頂点検出方法並びにこれを用い
たバンプ高さ測定方法及び装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体チップの接続端子として用いられ
るバンプの高さを、カメラ2台によるステレオグラムを
用いて高精度に測定するバンプ高さ測定装置が知られて
いる。図4は、この種のバンプ高さ測定装置を示す概略
構成図である。以下、この図面に基づき説明する。
【0003】従来のバンプ高さ測定装置は、半導体チッ
プ10が載置される測定テーブル14を有する。測定テ
ーブル14は、左右(X)、前後(Y)方向に移動でき
るようになっている。また、半導体チップ10上には半
球状のバンプ12が配列されている。測定テーブル14
の周辺部には、円筒状の発光面が内周側に設けられた円
筒状照明16が配設される。円筒状照明16は、半導体
チップ10上のバンプ12の高さを測定する際に、円筒
状の発光面が一様の明るさで発光してバンプ12を照明
する。測定テーブル14の上方には、半導体チップ10
を左右から撮像するステレオ光学系18が配設される。
ステレオ光学系18は、左側の撮像装置18Aと右側の
撮像装置18Bとから構成され、撮像装置18A,18
Bは交差角度が一定値になるように設置される。
【0004】ステレオ光学系18の撮像装置18A、1
8Bによって撮像された画像は、図示しない画像処理用
のコンピュータに入力され、このコンピュータで処理さ
れる。これによりバンプ12の高さが計測される。ま
た、測定テーブル14の上方には、アライメント用照明
装置20が配設され、半導体チップ10を所定位置にア
ライメントする場合には、半導体チップ10を照明す
る。なお、撮像装置18A,18Bによって撮像された
画像からバンプ12の高さを求めるステレオグラム処理
については、一般的に広く知られているので、ここでは
説明を省く。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
バンプ高さ測定装置においては、次のような問題があっ
た。撮像装置18A,18Bによって撮像された画像に
基づきステレオグラム処理でバンプ高さを求める際に
は、バンプ12の水平方向の中心にバンプ頂点があると
して計算を行う。そのため、バンプ12が異形でバンプ
中心に頂点がない場合には、正確なバンプ高さを測定で
きない。
【0006】
【発明の目的】そこで、本発明の目的は、頂点が中心か
らずれた異形のバンプであってもバンプ高さを正確に測
定できる、バンプ頂点検出方法並びにこれを用いたバン
プ高さ測定方法及び装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明に係るバンプ頂点
検出方法は、光沢のある半球状のバンプが形成された基
板表面へ基板表面の垂直方向を除く周囲から光を照射
し、この光で照らされた基板表面を垂直方向から撮像器
で撮像することにより基板表面の画像を取得し、この画
像におけるバンプの表面に写った撮像器をバンプの頂点
とする、というものである。
【0008】バンプは、例えば半田等が溶融したのち凝
固したものであり、溶融時の表面張力により表面積が最
も小さくなる形状すなわち半球状を呈する。そのため、
バンプ表面は凸面鏡となっている。ここで、基板表面に
周囲から光を照射し基板表面の垂直方向からバンプを撮
像すると、バンプ表面の法線が基板表面に垂直にならな
い部分では照明器具が光って写るとともに、バンプ表面
の法線が基板表面に垂直になる部分では撮像器自身が小
さく黒点として写る。バンプ表面の法線が基板表面に垂
直になる部分とは、基板表面にほぼ平行な面すなわち頂
点である。このように、頂点は、光っている中に黒点と
して明瞭に現われるとともに、基板表面にほぼ平行な面
として検出されるのでバンプの中心になくても正確に検
出される。
【0009】本発明で使用されるバンプ頂点検出方法
は、光沢のある半球状のバンプが形成された基板表面
へ、基板表面に対して斜めとなる一定角度から平行光線
を照明器具で照射し、この平行光線で照らされた基板表
面を、照明器具と対向する位置で一定角度と等しい角度
から撮像器で撮像し、この撮像器による基板表面上の被
撮像位置を変えることにより基板表面の画像を取得し、
この画像におけるバンプの表面に写った照明器具をバン
プの頂点とする、というものである。
【0010】バンプ表面に入射して反射する平行光線
は、光の反射の法則により、バンプ表面の法線に対して
入射角と反射角とが等しくなる。そのため、基板表面に
対して一定角度で照射された平行光線は、バンプ表面で
様々な方向に反射する。このとき、バンプ表面の法線が
基板表面に垂直にならない部分における平行光線は、基
板方向に対する照射角度と異なる角度で反射するので、
撮像器に達することはない。これに対し、バンプ表面の
法線が基板表面に垂直になる部分における平行光線は、
基板方向に対する照射角度と同じ角度で反射するので、
撮像器に達する。したがって、照明器具と撮像器との位
置関係を固定しつつ基板表面を平行光線で走査して撮像
すると、バンプ表面の法線が基板表面に垂直にならない
部分は黒く、バンプ表面の法線が基板表面に垂直になる
部分は光って写る。バンプ表面の法線が基板表面に垂直
になる部分とは、基板表面にほぼ平行な面すなわち頂点
である。このように、頂点は、黒い中に光る点として明
瞭に現われるとともに、基板表面にほぼ平行な面として
検出されるのでバンプの中心になくても正確に検出され
る。
【0011】本発明に係るバンプ高さ測定方法は、前述
の二つのバンプ頂点検出方法を使用したものであり、光
沢のある半球状のバンプが形成された基板表面に対し
て、基板表面からバンプの頂点までのバンプの高さを、
二台の撮像器によるステレオグラムに基づき算出するも
のである。すなわち、本発明に係るバンプ高さ測定方法
は、基板表面の垂直方向を除く周囲から基板表面へ光を
照射し、この光で照らされた基板表面を垂直方向から第
一の撮像器で撮像することにより基板表面の第一の画像
を取得し、基板表面に対して斜めとなる一定角度から基
板表面へ平行光線を照明器具で照射し、平行光線で照ら
された基板表面を、照明器具と対向する位置で一定角度
と等しい角度から第二の撮像器で撮像し、第二の撮像器
による基板表面上の被撮像位置を変えることにより基板
表面の第二の画像を取得し、第一の画像におけるバンプ
の表面に写った第一の撮像器をバンプの頂点とするとと
もに、第二の画像におけるバンプの表面に写った照明器
具をバンプの頂点とすることにより、バンプの高さを算
出する、というものである。
【0012】本発明に係るバンプ高さ測定装置は、本発
明に係るバンプ高さ測定方法を使用したものであり、光
沢のある半球状のバンプが形成された基板表面に対し
て、基板表面からバンプの頂点までのバンプの高さを、
二台の撮像器によるステレオグラムに基づき算出するも
のである。すなわち、本発明に係るバンプ高さ測定装置
は、基板表面の垂直方向を除く周囲から基板表面へ光を
照射する第一の照明器具と、第一の照明器具によって照
らされた基板表面を垂直方向から撮像する第一の撮像器
と、基板表面に対して斜めとなる一定角度から基板表面
に平行光線を照射する第二の照明器具と、第二の照明器
具によって照らされた基板表面を、第二の照明器具と対
向する位置で一定角度と等しい角度から撮像する第二の
撮像器と、第二の撮像器による基板表面上の被撮像位置
を変える被撮像位置移動手段と、その被撮像位置を測定
する被撮像位置測定検出手段と、被撮像位置測定手段か
ら得られた被撮像位置並びに第一及び第二の撮像器から
得られた画像に基づきバンプの高さを算出する画像処理
部と、を備えたものである。
【0013】また、第二の照明器具は、基板表面に対し
て一定角度を有する多数の平行光線からなる平面状平行
光を基板表面に照射し、第二の撮像器は、第二の照明器
具によって照らされた基板表面の直線部分を、第二の照
明器具と対向する位置で一定角度と等しい角度から一次
元的に撮像する、としてもよい。この場合は、第二の照
明器具と第二の撮像器との位置関係を固定しつつ基板表
面を平面状平行光で走査して撮像するとき、平面状平行
光によって照らされた基板表面の直線部分と直交する方
向のみを走査すればよいので、第二の画像が迅速に得ら
れる。
【0014】更に、第一の照明器具から照射される光が
第一の波長領域からなり、第二の照明器具から照射され
る光が第二の波長領域からなり、第一の波長領域と第二
の波長領域とは重なり合う部分がなく、第一の波長領域
からなる光を透過し第二の波長領域からなる光を遮断す
る第一の周波数選別光学フィルタが第一の撮像器の入射
側に設けられ、第二の波長領域からなる光を透過し第一
の波長領域からなる光を遮断する第二の周波数選別光学
フィルタが第二の撮像器の入射側に設けられたもの、と
してもよい。この場合は、第一及び第二の照明器具の光
が混合して第一及び第二の撮像器に入ることがないの
で、第一及び第二の照明器具の点灯を切り替える必要が
ない。
【0015】
【発明の実施の形態】本発明に係るバンプ高さ測定装置
は本発明に係るバンプ頂点検出方法及びバンプ高さ測定
方法を使用するものであるので、本発明に係るバンプ高
さ測定装置の実施の形態を以下に説明することにより、
本発明に係るバンプ頂点検出方法及びバンプ高さ測定方
法の実施の形態も同時に説明する。
【0016】図1は、本発明に係るバンプ高さ測定装置
の第一実施形態を示す概略構成図である。以下、この図
面に基づき説明する。
【0017】本実施形態のバンプ高さ測定装置は、第一
の照明器具としての半球殻状照明4、第一の撮像器とし
ての二次元カメラ3、第二の照明器具としての平行光照
明2、第二の撮像器としての一次元カメラ1、被撮像位
置移動手段としての移動ステージ5、被撮像位置測定手
段としての測長器6、画像処理部7等を備えている。バ
ンプ12が形成された基板としては、半導体チップ10
を使用している。すなわち、本実施形態のバンプ高さ測
定装置は、光沢のある半球状のバンプ12が形成された
半導体チップ10表面に対して、半導体チップ10表面
からバンプ12の頂点までのバンプ12の高さを、二次
元カメラ3及び一次元カメラ1によるステレオグラムに
基づき算出するものである。
【0018】上記各構成要素の機能を説明する。半球殻
状照明4は、半導体チップ10表面の垂直方向を除く周
囲から半導体チップ10表面へ光を照射する。二次元カ
メラ3は、半球殻状照明4によって照らされた半導体チ
ップ10表面を、垂直方向から撮像する。平行光照明2
は、半導体チップ10表面に対して斜めとなる角度θ1
から半導体チップ10表面へ平行光線を照射する。一次
元カメラ1は、平行光照明2によって照らされた半導体
チップ10表面を、平行光照明2と対向する位置で角度
θ2(=θ1)から撮像する。移動ステージ5は、一次
元カメラ1による半導体チップ10表面の被撮像位置を
変える。測長器6は、その被撮像位置を測定する。画像
処理部7は、一次元カメラ1から得られた画像b、二次
元カメラ3から得られた画像a及び測長器6から得られ
た被撮像位置cに基づき、バンプ12の高さを算出す
る。
【0019】詳しく言えば、平行光照明2は、半導体チ
ップ10表面に対して角度θ1を有する多数の平行光線
からなる平面状平行光を半導体チップ10表面へ照射す
る。一次元カメラ1は、平行光照明2によって照らされ
た半導体チップ10表面の直線部分を、平行光照明2と
対向する位置で角度θ2から一次元的に撮像する。
【0020】上記各構成要素の具体的な一例を説明す
る。バンプ12は、半球状の半田ボールである。半球殻
状照明4は、リング状蛍光灯及び半球殻状反射板からな
る。二次元カメラ3は、二次元CCDイメージセンサ及
びレンズ等からなる。平行光照明2は、レーザー発振
器、ガルバノミラー又はポリゴンミラー、及びF−θレ
ンズからなる。一次元カメラ1は、一次元CCDイメー
ジセンサ及びレンズ等からなる。移動ステージ5は、X
Yステージ及びステッピングモータからなる。測長器6
は、移動ステージ5における移動距離に応じたパルス数
を発生するディジタル測長器である。画像処理部7は、
マイクロコンピュータ及びそのプログラムからなる。
【0021】次に、本実施形態のバンプ高さ測定装置に
ついて、言葉を変えてもう一度説明する。
【0022】半球殻状照明4は、半導体チップ10の上
方から半導体チップ7に光を照射する。二次元カメラ3
は、半導体チップ10上に合焦して撮像するように、半
導体チップ10と鉛直方向に設置されている。平行光照
明2は、移動ステージ5の移動方向と同方向の斜め上方
から、平行光を半導体チップ10上に投射する。一次元
カメラ1は、半導体チップ10表面において移動ステー
ジ5の移動方向と直交する一線上に合焦し、半導体チッ
プ10表面からの平行光照明2の反射光のうち、移動ス
テージ5の移動平面と平行な部分からの反射光が入光す
るように設置されている。移動ステージ5は、バンプ1
2を表面に持つ半導体チップ10を載置するとともに測
長器6を備えている。
【0023】画像処理部7は、二次元カメラ3からの画
像a(図2[1])、一次元カメラ1からの画像b(図
[2])、及び測長器6からの被撮像位置cを蓄えて
いる。そして、まず画像aにおいて、各バンプ12の頂
点の平面座標を求める。続いて、画像bにおいて、頂点
の平面座標と光っている頂点との距離を測定し、一次元
カメラ1の取り付け角度θ2による補正を加味してバン
プ高さを求める。また、画像処理部7は、当業者にとっ
てよく知られており、また本発明の特徴部分ではないの
で、その詳細な構成は省略する。
【0024】次に、本実施形態のバンプ高さ測定装置の
動作を説明する。
【0025】まず、半球殻状照明4を点灯させて、半導
体チップ10上のバンプ12表面で反射された光を二次
元カメラ3で撮像する。これは、例えば図2[1]のよ
うな画像aとして撮像される。画像a中の各バンプの中
央の黒く抜けている部分の中心を、バンプ12の頂点の
平面座標として計測する。この黒く抜けている部分は、
半球殻状照明4の頂上部分に開いている二次元カメラ3
のレンズを通すための穴が、バンプ12表面に映り込ん
でいるものである。これは、バンプ12の最も高い部分
である「半導体チップ10表面と平行な面」に映り込む
ものであるために、その場所をバンプ12の頂点とする
ことができる。
【0026】続いて、照明を平行光照明2に切り替えて
移動ステージ5を移動させながら、一次元カメラ1で半
導体チップ10上のバンプを撮像する。これにより、半
導体チップ10を斜方視した、半導体チップ10表面全
体に渡って合焦している画像が撮れる。これは、例えば
図2[2]のような画像bとして撮像され、各バンプ1
2の頂点が輝点となっている。なお、半導体チップ10
表面を斜めから二次元的に撮像したのでは、焦点深度の
関係で、正確な画像が得られない。
【0027】画像aと画像bとの水平位置関係は、測長
器6によって相関づけることができる。そこで、画像a
で計測される各バンプ12の頂点の平面座標を画像bに
当てはめて、その平面座標と画像bのバンプ12の頂点
との間の距離を画像b上で測定し、更に一次元カメラ1
の取り付け角度θ2によって補正することにより各バン
プ12の高さを測定することができる。例えば、画像b
において、あるバンプの頂点の平面座標と輝点との距離
は、見かけ上のバンプ高さd(図示せず)を示してい
る。そこで、真のバンプ高さe(図示せず)はe=d/
cosθ2で与えられる。
【0028】なお、本実施形態では半導体チップ10上
のバンプ12の高さ測定について説明したが、平面上に
設置された表面に光沢のあるボールであれば、大小を問
わずに同様の原理で高さ測定を行うことができる。
【0029】図3は、本発明に係るバンプ高さ測定装置
の第二実施形態を示す概略構成図である。以下、この図
面に基づき説明する。ただし、図1と同じ部分は同じ符
号を付すことにより説明を省略する。
【0030】本実施形態では、照明系について更に工夫
している。周波数選別光学フィルタ9は、二次元カメラ
3に入射する光の波長を制限して特定の波長の光のみを
透過させる。また、周波数選別光学フィルタ8も同様
に、周波数選別光学フィルタ9の透過波長とは異なる特
定の波長の光のみ透過させて一次元カメラ1へ入射させ
る。半球殻状照明4は、周波数選別光学フィルタ9を透
過する波長の光を照射しする。平行光照明2は、周波数
選別光学フィルタ8を透過する波長の光を照射する。こ
の構成を採ることにより、一次元カメラ1と二次元カメ
ラ3との相互の光の干渉がなくなるために、照明を切り
替えることなく両方のカメラで一度に画像を取り込むこ
とが可能となるので、測定時間が短縮される。
【0031】なお、本発明は、言うまでもなく、上記実
施形態に限定されるものではない。例えば、第二の照明
器具としての平行光照明の代わりに一本の平行光線を出
すレーザ光発生器としてもよく、第二の撮像器としての
一次元カメラの代わりに光検出器としてもよい。また、
被撮像位置移動手段は、半導体チップを動かすのではな
く、平行光照明及び一次元カメラを動かすものとしても
よい。
【0032】
【発明の効果】本発明に係るバンプ頂点検出方法によれ
ば、基板表面に周囲から光を照射し基板表面の垂直方向
からバンプを撮像することにより、バンプ表面の法線が
基板表面に垂直になる部分をバンプの頂点として検出で
きるので、バンプの中心からずれている頂点でも正確に
検出できる。
【0033】本発明で使用されるバンプ頂点検出方法に
よれば、基板表面に対して斜めの角度から平行光線を照
射し、これに対向する同じ角度から撮像することによ
り、バンプ表面の法線が基板表面に垂直になる部分をバ
ンプの頂点として検出できるので、バンプの中心からず
れている頂点でも正確に検出できる。
【0034】本発明に係るバンプ高さ測定方法によれ
ば、前述の二つのバンプ頂点検出方法を使用することに
より、バンプの中心からずれている頂点でも正確に検出
された二枚の画像が得られるので、異形のバンプでも正
確にその高さを測定できる。
【0035】本発明に係るバンプ高さ測定装置によれ
ば、本発明に係るバンプ高さ測定方法を使用することに
より、バンプの中心からずれている頂点でも正確に検出
された二枚の画像が得られるので、異形のバンプでも正
確にその高さを測定できる。
【0036】また、本発明に係るバンプ高さ測定装置に
おいて、多数の平行光線からなる平面状平行光を基板表
面に照射し、この平面状平行光によって照らされた基板
表面の直線部分を一次元的に撮像する場合は、基板表面
を平面状平行光で走査して撮像するとき、平面状平行光
によって照らされた基板表面の直線部分と垂直な方向の
みを走査すればよいので、バンプ高さをより早く測定で
きる。
【0037】更に、本発明に係るバンプ高さ測定装置に
おいて、二種類の周波数選別光学フィルタを用いて第一
の照明器具及び第一の撮像器と第二の照明器具及び第二
の撮像器とで使用する波長領域を異ならせることによ
り、第一及び第二の照明器具の点灯を切り替える必要が
なくなるので、バンプ高さをより早く測定できる。
【0038】換言すると、本発明に係るバンプ高さ測定
方法及び装置の第一の効果は、バンプ頂点の平面座標を
求めた上で、バンプ頂点だけを光らせた画像を斜め上方
から撮像して、ステレオグラムによりバンプ頂点の高さ
を求めることにより、従来技術よりも高精度にバンプ高
さを測定できることである。第二の効果は、半球殻状照
明及び二次元CCDカメラを備えた従来のバンプ平面形
状測定装置に平行光照明及び一次元CCDカメラを付加
すれば簡単にバンプ高さ測定を実施できるので、従来の
バンプ平面形状測定装置にバンプ高さ測定機能を簡便に
付加できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るバンプ高さ測定装置の第一実施形
態を示す概略構成図である。
【図2】図1のバンプ高さ測定装置で得られた画像の説
明図であり、図2[1]は二次元カメラによる画像、図
2[2]は一次元カメラによる画像である。
【図3】本発明に係るバンプ高さ測定装置の第二実施形
態を示す概略構成図である。
【図4】従来のバンプ高さ測定装置を示す概略構成図で
ある。
【符号の説明】
1 一次元カメラ(第二の撮像器) 2 平行光照明(第二の照明器具) 3 二次元カメラ(第一の撮像器) 4 半球殻状照明(第一の照明器具) 5 移動ステージ(被撮像位置移動手段) 6 測長器(被撮像位置測定手段) 7 画像処理部 8 周波数選別光学フィルタ(第二の周波数選別光学フ
ィルタ) 9 周波数選別光学フィルタ(第一の周波数選別光学フ
ィルタ) 10 半導体チップ(基板) 12 バンプ a 画像(第一の画像) b 画像(第二の画像) c 被撮像位置

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光沢のある半球状のバンプが形成された
    基板表面へ、当該基板表面の垂直方向を除く周囲から光
    を照射し、 この光で照らされた前記基板表面を前記垂直方向から撮
    像器で撮像することにより前記基板表面の画像を取得
    し、 この画像における前記バンプの表面に写った前記撮像器
    を当該バンプの頂点とする、 バンプ頂点検出方法。
  2. 【請求項2】 光沢のある半球状のバンプが形成された
    基板表面に対して、この基板表面から前記バンプの頂点
    までのバンプの高さを、二台の撮像器によるステレオグ
    ラムに基づき算出するバンプ高さ測定方法において、 前記基板表面の垂直方向を除く周囲から当該基板表面へ
    光を照射し、 この光で照らされた前記基板表面を前記垂直方向から第
    一の撮像器で撮像することにより前記基板表面の第一の
    画像を取得し、 前記基板表面に対して斜めとなる一定角度から当該基板
    表面へ平行光線を照明器具で照射し、 この平行光線で照らされた前記基板表面を、前記照明器
    具と対向する位置で前記一定角度と等しい角度から第二
    の撮像器で撮像し、 この第二の撮像器による前記基板表面上の被撮像位置を
    変えることにより前記基板表面の第二の画像を取得し、 前記第一の画像における前記バンプの表面に写った前記
    第一の撮像器を当該バンプの頂点とするとともに、前記
    第二の画像における前記バンプの表面に写った前記照明
    器具を前記バンプの頂点とすることにより、前記バンプ
    の高さを算出する、 バンプ高さ測定方法。
  3. 【請求項3】 光沢のある半球状のバンプが形成された
    基板表面に対して、この基板表面から前記バンプの頂点
    までのバンプの高さを、二台の撮像器によるステレオグ
    ラムに基づき算出するバンプ高さ測定装置において、 前記基板表面の垂直方向を除く周囲から当該基板表面へ
    光を照射する第一の照明器具と、 この第一の照明器具によって照らされた前記基板表面
    を、前記垂直方向から撮像する第一の撮像器と、 前記基板表面に対して斜めとなる一定角度から当該基板
    表面に平行光線を照射する第二の照明器具と、 この第二の照明器具によって照らされた前記基板表面
    を、当該第二の照明器具と対向する位置で前記一定角度
    と等しい角度から撮像する第二の撮像器と、 この第二の撮像器による前記基板表面上の被撮像位置を
    変える被撮像位置移動手段と、 前記被撮像位置を測定する被撮像位置測定手段と、 この被撮像位置測定手段から得られた被撮像位置並びに
    前記第一及び第二の撮像器から得られた画像に基づき前
    記バンプの高さを算出する画像処理部と、 を備えたバンプ高さ測定装置。
  4. 【請求項4】 前記第二の照明器具は、前記基板表面に
    対して前記一定角度を有する多数の平行光線からなる平
    面状平行光を当該基板表面に照射し、 前記第二の撮像器は、当該第二の照明器具によって照ら
    された前記基板表面の直線部分を、当該第二の照明器具
    と対向する位置で前記一定角度と等しい角度から一次元
    的に撮像する、請求項3 記載のバンプ高さ測定装置。
  5. 【請求項5】 第一の照明器具から照射される光が第一
    の波長領域からなり、前記第二の照明器具から照射され
    る光が第二の波長領域からなり、これらの第一の波長領
    域と第二の波長領域とは重なり合う部分がなく、 前記第一の波長領域からなる光を透過し前記第二の波長
    領域からなる光を遮断する第一の周波数選別光学フィル
    タが前記第一の撮像器の入射側に設けられ、前記第二の
    波長領域からなる光を透過し前記第一の波長領域からな
    る光を遮断する第二の周波数選別光学フィルタが前記第
    二の撮像器の入射側に設けられた、請求項3又は4 記載のバンプ高さ測定装置。
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