JPS6378564A - 半導体装置用リ−ドフレ−ム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、樹脂封止半導体装置に用いるリードフレー
ムに関し、特に複数枚がまとめて洗浄される場合の相互
の分離性の向上にかかわる。

〔従来の技術〕

第７図は従来のリードフレームの平面図である。

図において、１は両側の外枠部、２はこれらの外枠部間
を連結するタイバー部、３はダイパッド部で内外枠部１
に両連続部４で支持されている。５は内部リード部、ｅ
はこの内部リードに連続する外部リード部である。この
ように、ダイパッド部３の両側に内部リード５外部リー
ド６が設けられタハターンが繰返し形成されて帯状のリ
ードツレ−ムラが構成されている。

こうして打抜き形成されたリードフレーム７はｉｓ図に
示すように複数枚が積重ねられる。リードフレーム７は
打抜き加工により表面７ａには、プレス機に使用してい
る研摩油８が付着しておシ、あるいは、さび止め油が塗
布されていることもある。このように表面７ａに研摩油
８など油が付着されたリードフレーム７は、めっき工程
前に有機洗浄工程にかけられる。この洗浄には、第９図
に示すように、洗浄槽９の洗浄液ｌｏ中に複数枚のリー
ドフレーム７が相互が重なったままつり下げられ、洗浄
液１０を流通しながら洗浄槽９の外部から超音波を加え
る手段、又は加熱する手段により洗浄する。

一般に超音波洗浄の場合、洗浄液中に超音波を加えると
、液中に無数の細かい気泡１０ａが発生する（キャビテ
ーション現象と称される）〇−一般にはこのように発生
した小気泡１０ａが汚れ部分に集り、−この気泡１０ａ
群が音圧の変化と同調して膨張収縮を繰返し、汚れの層
をはく離させる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記のような従来のリードツレ−ムラでは、リードフレ
ーム７の表面粗さは極めて良好であるため、洗浄液中に
つり下げられリードフレーム７群は相互が密着したまま
で超音波洗浄され、重なった表面７ａの研摩油８が完全
に除去しきれない場合があるという問題点があった。

この発明は、このような問題点を解決するためになされ
たもので、複数枚が立て姿勢で重ねて洗浄液中につシ下
げられ、洗浄処理される場合、相互の離脱性を高め、表
面の洗浄効果を向上した半導体装作用リードフレームを
得ることを目的としている。゛ 〔問題点を解決するための手段〕 この発明にかかる半導体装置用リードフレームは、外枠
部又はタイバー部の面にくぼみ部を形成したものである
。

〔作用〕

この発明においては、複数枚が重ねられ洗浄液につり下
げられたリードフレームが、超音波洗浄の場合は、キャ
ビテーションによυ発生する小気泡群は凹部に集中し、
相互間が離脱し洗浄効果が向上する。また、加熱洗浄の
場合は、洗浄液の加熱によυ凹部中の残留気体が膨張し
、リードフレーム相互が離脱され、洗浄が良好に行われ
る。

〔実施例〕

第１図はこの発明による半導体装置用リードフレームの
一実施例を示す平面図であり、２〜６は上記従来装置と
同一のものである。１１はリードフレームで、実線で示
すように外枠部２の一面にくぼみ部１２が形成されてい
る。

このくぼみ部１２を第２図に斜視図で示す。このよう（
、外枠部１にくぼみ部１２が形成されたリードフレーム
１１を、複数枚重ねた状態を第３図に側面図で示す。各
くぼみ部１２が外枠部１の側面に、開口している。

第１図に戻り、鎖線はくぼみ部１３を、タイバー部２の
一面に形成した場合を示す。このくぼみ部１３を第４図
に斜視図で示す。

このようにタイバー部２にくぼみ部１３が形成されたリ
ードフレーム１１を複数枚積重ねた状態を第５図に側面
図で示す。各くぼみ部１３はタイバー部２の端面に開口
していない。

このように形成されたリードフレーム１１は、めっき前
処理として有機洗浄工程にかけられる。第６図に示すよ
うに、洗浄槽９の洗浄液１０中に複数枚のリードフレー
ム１１群がつり下げられ、洗浄液１０を流通し々がら超
音波を加える。すると、キャビテーションにより発生し
た洗浄液１０中の小気泡１０ａがリードフレーム１１の
くぼみ部１２又は１３に集中しやすく、この集中した小
気泡群が超音波音圧に同調して膨張、収縮を繰返すこと
で、相互が密着して重なっていた各リードフレーム１１
は、相互間が確実に離脱され、表面洗浄が効果的に行わ
れる。

また、超音波のかわりに洗浄液１０を加熱して洗浄する
場合は、リードフレーム１工に形成しであるくぼみ部１
３内の残留空気が、加熱された洗浄液１０により熱膨張
しその圧力で、相互が密着していたリードフレーム１１
間が離脱される。

なお、上記実施例ではリードフレーム１１には、くぼみ
部を外枠部１又はタイバー部２の一面に形成したが、双
方ともの一面にくぼみ部を形成してもよい。

まだ、くぼみ部は、超音波洗浄時に発生した小気泡群を
集中させればよく、又は洗浄液加熱時に残留気体が膨張
するようにすればよく、外枠部１及びタイバー部２の適
蟲な箇所に設けてもよく、形状、筒数も適幽にすること
ができる。

〔発明の効果〕 以上のように、この発明によれば、リードフレームの外
枠部とタイバー部との少なくともいづれかの一面てくぼ
み部を形成したので、洗浄液中につり下げられた複数枚
のリードフレーム群が、超音波洗浄又は加熱洗浄により
、相互間が鋒実に離脱され、洗浄効果が向上される。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明による半導体装置用リードフレームの
平面図、第２図は第１図の外枠部１（形成されたくぼみ
部の斜視図、第３図は第２図のリードフレームを複数枚
重ねた状態を示す側面図、第４図は第１図のタイバー部
に形成されたくぼみ部の斜視図、第５図は第４図のリー
ドフレームを複数枚重ねた状態を示す側面図、第６図は
第１図のリードフレームを複数枚超音波洗浄している状
態を示す説明図、第７図は従来のリードフレームの平面
図、第８図は第７図のリードフレームを複数枚重ねだ状
態を示す側面図、第９図は第７図のυ′−ドフレームを
複数枚超音波洗浄している状態を示す説明図である。 ｌ・・・外枠部、２・・・タイバー部、１１・・・リー
ドフレーム、１２　、１３・・・くぼみ部 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 外枠部とタイバー部のうち、少なくともそのいづれか一
   方の一面にくぼみ部を形成したことを特徴とする半導体
   装置用リードフレーム。