JPS6376432A - ドライエツチング方法 - Google Patents
ドライエツチング方法Info
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- JPS6376432A JPS6376432A JP21947686A JP21947686A JPS6376432A JP S6376432 A JPS6376432 A JP S6376432A JP 21947686 A JP21947686 A JP 21947686A JP 21947686 A JP21947686 A JP 21947686A JP S6376432 A JPS6376432 A JP S6376432A
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はドライエツチング方法に係り、特暑こ絶縁膜の
エツチング−ζ好適なドライエツチング方法に関するも
のである。
エツチング−ζ好適なドライエツチング方法に関するも
のである。
ＬＳＩの超微細化が進む憂ζっれて、膜厚が薄くなると
とも化、エツチング形状のアスペクト比（縦横比）が大
きくなり深溝形状蚤ζなってきており、これに伴うて下
地との選択比をより大きくするように要求され始めた。
とも化、エツチング形状のアスペクト比（縦横比）が大
きくなり深溝形状蚤ζなってきており、これに伴うて下
地との選択比をより大きくするように要求され始めた。
従来、絶縁膜、例えば５ｉ０２．ＰＳＧおよび５ｉｓＮ
４等のエツチングには、エツチングガスとしてＣａＦｓ
のよう１ζＣ成分を多く含んだＣＦ系ガスや、ＣＨＦ５
のようＫＨを含んだＣＦ系ガスを用いて、エツチング中
傷ｃＣＦ系のデボジシｌンを生じさせて、下地のＳｉの
エツチングを抑制させたり、ＨとＦラジカルの反応促進
化よりＳｉ をエツチングする活性種を減少させたり
して、下地のＳｉとの選択比を大き（していた。
４等のエツチングには、エツチングガスとしてＣａＦｓ
のよう１ζＣ成分を多く含んだＣＦ系ガスや、ＣＨＦ５
のようＫＨを含んだＣＦ系ガスを用いて、エツチング中
傷ｃＣＦ系のデボジシｌンを生じさせて、下地のＳｉの
エツチングを抑制させたり、ＨとＦラジカルの反応促進
化よりＳｉ をエツチングする活性種を減少させたり
して、下地のＳｉとの選択比を大き（していた。
なお、この種の方法として関連するものに９、ピータル
著、”Ｓｉｎｇおよび５ｉｘＮ４のドライエツチング、
セシコンダクタ インターナシ薦ナル。
著、”Ｓｉｎｇおよび５ｉｘＮ４のドライエツチング、
セシコンダクタ インターナシ薦ナル。
（１９８６年５月）、第９８頁から第１６３頁（Ｐｅｔ
ｅｒＨ，Ｓｉｎｇｅｒ； Ｄｒｙ Ｅｔｃｈｉｎｇ ｏ
ｆ Ｓｔｏｗ ａｎｄ ５ｌｓＮａ 。
ｅｒＨ，Ｓｉｎｇｅｒ； Ｄｒｙ Ｅｔｃｈｉｎｇ ｏ
ｆ Ｓｔｏｗ ａｎｄ ５ｌｓＮａ 。
ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲＩＮＴＥＲＮＡＴＩＯＮＡ
Ｌ、（ＭＡＹ−１９８６）、ＰＰ９８−１６３が挙げら
れる。
Ｌ、（ＭＡＹ−１９８６）、ＰＰ９８−１６３が挙げら
れる。
上記従来技術は処理室内のクリーン化の点について配慮
がされておらず、Ｃ成分を多く含むＣＦ系ガスを用いた
場合は、ＣＦ系のデポジションが生じて下地のＳｉのエ
ツチングを抑制するが、これとともに、電極周辺化もデ
ポジションが生じて、エツチング回数を重ねるとともに
成長して塵埃の原因となったり、放電状態を変化させた
りするという問題があった。
がされておらず、Ｃ成分を多く含むＣＦ系ガスを用いた
場合は、ＣＦ系のデポジションが生じて下地のＳｉのエ
ツチングを抑制するが、これとともに、電極周辺化もデ
ポジションが生じて、エツチング回数を重ねるとともに
成長して塵埃の原因となったり、放電状態を変化させた
りするという問題があった。
また、Ｈを含むＣＦ系ガスを用いた場合は、デポジショ
ンＩこよる選択性の向上とともＩζ、ＨとＦラジカルの
反応促進基とよってＳｉをエツチングする活性種を減少
させて選択性を向上させているが、デポジションについ
ては前記と同様の問題があり、さらに、Ｈイオンによる
衝撃がＳｔ裏表面結晶欠陥等を引き起こし、素子のダメ
ージを大きくするという問題があった。
ンＩこよる選択性の向上とともＩζ、ＨとＦラジカルの
反応促進基とよってＳｉをエツチングする活性種を減少
させて選択性を向上させているが、デポジションについ
ては前記と同様の問題があり、さらに、Ｈイオンによる
衝撃がＳｔ裏表面結晶欠陥等を引き起こし、素子のダメ
ージを大きくするという問題があった。
本発明の目的は、処理室内のクリーン化が図れ、かつ低
ダメージで絶縁膜と下地Ｓｔとの選択性に優れたドライ
エツチング方法を提供すうことにある。
ダメージで絶縁膜と下地Ｓｔとの選択性に優れたドライ
エツチング方法を提供すうことにある。
上記目的は、エツチングガスを導入し所定圧力に減圧排
気した処理室内にガスプラズマを生じさせて、Ｓｉ基板
上の絶縁膜をエツチングするドライエツチング方法にお
いて、前記エツチングガス書とＣＦ系ガスとＨ２ガスと
の混合ガスを用いてエツチングする第１ステップと、前
記エツチングガスにＣ成分の多いＣＦ系ガスを用いてエ
ツチングガスする第２ステップとに分けて行なうことに
より、達成される。
気した処理室内にガスプラズマを生じさせて、Ｓｉ基板
上の絶縁膜をエツチングするドライエツチング方法にお
いて、前記エツチングガス書とＣＦ系ガスとＨ２ガスと
の混合ガスを用いてエツチングする第１ステップと、前
記エツチングガスにＣ成分の多いＣＦ系ガスを用いてエ
ツチングガスする第２ステップとに分けて行なうことに
より、達成される。
第１ステップのＣＦ系ガスとＨ２ガスとの混合ガスを用
いたエツチングで、混合ガス中のＨ２の働きにより、前
回のエツチングの第２ステップによって電極周辺に付着
したデポジション膜を反応除却しながら、ＣＦ系のガス
により目的とする絶縁膜のエツチングを促進し、下地の
Ｓｉが現われる前までを行ない、オーバーエツチングを
含めたそれ以後を第２ステップのＣ成分の多いＣＦ系ガ
スにより、ＣＦ系のデポジション膜を生じさせて下地Ｓ
ｉとの選択性を上げるととも１こ、ダメージの少ないエ
ツチングを行なう。
いたエツチングで、混合ガス中のＨ２の働きにより、前
回のエツチングの第２ステップによって電極周辺に付着
したデポジション膜を反応除却しながら、ＣＦ系のガス
により目的とする絶縁膜のエツチングを促進し、下地の
Ｓｉが現われる前までを行ない、オーバーエツチングを
含めたそれ以後を第２ステップのＣ成分の多いＣＦ系ガ
スにより、ＣＦ系のデポジション膜を生じさせて下地Ｓ
ｉとの選択性を上げるととも１こ、ダメージの少ないエ
ツチングを行なう。
以下、本発明の一実施例を第１図から第４図暴こより説
明する。
明する。
第１図は本発明のドライエツチング方法を実施するため
のエツチング装置の一例を示す。処理室であるチャンバ
ｌ内には、下部電極２と上部電極８とが対向して設けら
れ、チャンバｌ底部には図示しない排気装置につながる
排気口６が設けられ、チャンバ側部には発光分光計１０
が取り付けである。
のエツチング装置の一例を示す。処理室であるチャンバ
ｌ内には、下部電極２と上部電極８とが対向して設けら
れ、チャンバｌ底部には図示しない排気装置につながる
排気口６が設けられ、チャンバ側部には発光分光計１０
が取り付けである。
下部電極２は絶縁材４畳介してチャンバｌに取り付けら
れ、高周波７４源５が接続しである。３は下部電極２内
に設けられた冷却水路で、７は下部電極２上に載置され
るウェハである。
れ、高周波７４源５が接続しである。３は下部電極２内
に設けられた冷却水路で、７は下部電極２上に載置され
るウェハである。
上部電極８は絶縁材９を介してチャンバ１に取り付けら
れ、アース電位に？ｉＩ地しである。上部電！ｆ＋８内
にはガス導入路が設けられ、バルブ１１１１ないし１１
Ｃと流量制御器１２ａないし１２Ｃとを介してガス源
１３ａないし１３Ｃがそれぞれつなげられている。この
場合、ガス源１３ａにはＣｚＦ・を、ガス源１３ｂＩζ
はＨ２を、ガス源１３ＣにはＣ３ＦＩを用いている。
れ、アース電位に？ｉＩ地しである。上部電！ｆ＋８内
にはガス導入路が設けられ、バルブ１１１１ないし１１
Ｃと流量制御器１２ａないし１２Ｃとを介してガス源
１３ａないし１３Ｃがそれぞれつなげられている。この
場合、ガス源１３ａにはＣｚＦ・を、ガス源１３ｂＩζ
はＨ２を、ガス源１３ＣにはＣ３ＦＩを用いている。
また、発光分光計１０からの出力は図示しない制御装置
１ζ送られ、バルブ１１ ＢないしＩＩＣおよ−び流量
制御弁１２ａないし１２Ｃはそれぞれ制御装置１こよっ
て開閉制御される。
１ζ送られ、バルブ１１ ＢないしＩＩＣおよ−び流量
制御弁１２ａないし１２Ｃはそれぞれ制御装置１こよっ
て開閉制御される。
上記構成のエツチング装置薯ζよるドライエツチング方
法について説明する。
法について説明する。
チャンバ１内は、排気口６から真空排気されるととも６
ζ、ガス源１３ａないし１３Ｃのいずれかからエツチン
グガスが供給され、下部電極２と上部電極８との間に高
周波電力が印加されてガスプラズマが発生する。このガ
スプラズマにより、下部電極２上に載置されたウェハ７
がエツチング処理され、エツチング中の発光を発光分光
計１０で採光して光強度を電圧値に変換して制御装置に
入力し、工、チング状態を調べてエツチング装置の制御
を行なう。
ζ、ガス源１３ａないし１３Ｃのいずれかからエツチン
グガスが供給され、下部電極２と上部電極８との間に高
周波電力が印加されてガスプラズマが発生する。このガ
スプラズマにより、下部電極２上に載置されたウェハ７
がエツチング処理され、エツチング中の発光を発光分光
計１０で採光して光強度を電圧値に変換して制御装置に
入力し、工、チング状態を調べてエツチング装置の制御
を行なう。
このとき、第２図（ａ）に示すよう１ζ、ウェハ７はＳ
ｉ基板１４上１ζ絶縁膜、この場合は５ｉＯｚ膜１５が
成膜され、さらに上面にはホトレジスト１６が膜付けさ
れたものとなっている。これを第１段階エツチング１７
では、第２図（ｂ）＋ζ示すよう１ζＳｉＯ□膜１５が
ほぼエツチング完了するまで行ない、次匿、第２段階エ
ツチング１８では、第２図（Ｃ）に示すようＫＳｉＯｚ
Ｓｉ基板１４エツチングするオーバーエツチングの２段
階に分けてエツチング作業を行う。
ｉ基板１４上１ζ絶縁膜、この場合は５ｉＯｚ膜１５が
成膜され、さらに上面にはホトレジスト１６が膜付けさ
れたものとなっている。これを第１段階エツチング１７
では、第２図（ｂ）＋ζ示すよう１ζＳｉＯ□膜１５が
ほぼエツチング完了するまで行ない、次匿、第２段階エ
ツチング１８では、第２図（Ｃ）に示すようＫＳｉＯｚ
Ｓｉ基板１４エツチングするオーバーエツチングの２段
階に分けてエツチング作業を行う。
エツチング作業１ζ当うては、表１化示すようδこ第１
および第２段階ごとにエツチングガスの種類を変えて行
ない、第１段階エツチング膠ζは、デポジシ■ンの少な
いＣＦ系ガス、例えばＣ，Ｆ、とＨ。
および第２段階ごとにエツチングガスの種類を変えて行
ない、第１段階エツチング膠ζは、デポジシ■ンの少な
いＣＦ系ガス、例えばＣ，Ｆ、とＨ。
とを混合して用い、第２段階エツチングには、Ｃ成分の
多いＣＦ系ガス、例えばＣ，Ｆ・を用いて行なう。
多いＣＦ系ガス、例えばＣ，Ｆ・を用いて行なう。
この第１詔よび第２段階エツチングのエツチングガスの
切り換えは、第２図（ｂ）に示す第１段階エツチングの
完了するまでの時間をあらかじめ実測しておき、その所
要時間を制御装置薯ζ入力して、エツチング開始から所
定の時間が経過したら、第１図化示すパルプ−１１Ｃを
開け、バルブｌｌａおよびｌｌｂを閉じる制御を制御装
置番こより行なわせる。
切り換えは、第２図（ｂ）に示す第１段階エツチングの
完了するまでの時間をあらかじめ実測しておき、その所
要時間を制御装置薯ζ入力して、エツチング開始から所
定の時間が経過したら、第１図化示すパルプ−１１Ｃを
開け、バルブｌｌａおよびｌｌｂを閉じる制御を制御装
置番こより行なわせる。
なお、このときの圧力状件は同じで良い。
その後の第２段階エツチングは、発光分光計ｌＯを用い
たエツチング終点検出を行なって、エツチング処理を終
了制御させる。
たエツチング終点検出を行なって、エツチング処理を終
了制御させる。
この際、第１段階エツチングにおいては、ＣｘＦ＊のガ
スプラズマによりＳｉＯ２膜１５を高速でエツチングす
ると同時に、第３図で示すように、前回のエツチング処
理時の第２段階エツチングで生じた電極周辺へのＣＦ系
のデポジシ曹ンを、Ｈ２のガスプラズマ中のラジカル反
応によって効果的にクリーニングする。この第１段階エ
ツチング薯ζおけるホトレジスト１６と５ｉｆｔ膜１５
との選択比については、Ｈ２の影響は少なく、従来のプ
ロセス同様高い値が得られる。また、第２段階エツチン
グにおいては。
スプラズマによりＳｉＯ２膜１５を高速でエツチングす
ると同時に、第３図で示すように、前回のエツチング処
理時の第２段階エツチングで生じた電極周辺へのＣＦ系
のデポジシ曹ンを、Ｈ２のガスプラズマ中のラジカル反
応によって効果的にクリーニングする。この第１段階エ
ツチング薯ζおけるホトレジスト１６と５ｉｆｔ膜１５
との選択比については、Ｈ２の影響は少なく、従来のプ
ロセス同様高い値が得られる。また、第２段階エツチン
グにおいては。
Ｃ成分の炙いＣ５Ｆａガスを使用しているので、下地の
Ｓｉ基板１４と５ｉｎ２膜１５との高い選択比が得られ
、従来のＣＨＦ、ガスのようＫ）Ｉを含んでいないので
、素子にダメージを与えることがない。
Ｓｉ基板１４と５ｉｎ２膜１５との高い選択比が得られ
、従来のＣＨＦ、ガスのようＫ）Ｉを含んでいないので
、素子にダメージを与えることがない。
また、第１段階エツチングにおいて、Ｈ２ガス流量ＱＨ
２のトータル流ｊｉ （Ｑｔ ＝ＱＣＩＦ＠＋ＱＨ！
）に対する割合（ここでｓ ＱＣ２Ｆ−はＣｚＦ＠
ガスの流量である。）を大きくすると、第４図に示すよ
う１こ、５ｉｃ）ｘ膜のエツチング速度が低下する。こ
の傾向はＨ２ガス流量の割合がトータル流量の５０％以
上になると急激になる。このことから、 Ｈｔガスの割
合を父％以下にするのが望ましい。また、Ｈ２ガスの割
合の下限は、電極周辺のデポジン１ンのエツチング特性
から決定でき、第４図に示すように出ガスの割合が１０
％以下では急激にエツチング速度が低下する。このこと
から、 Ｈ２ガスの下限の割合は１０％以上にするのが
望ましい。
２のトータル流ｊｉ （Ｑｔ ＝ＱＣＩＦ＠＋ＱＨ！
）に対する割合（ここでｓ ＱＣ２Ｆ−はＣｚＦ＠
ガスの流量である。）を大きくすると、第４図に示すよ
う１こ、５ｉｃ）ｘ膜のエツチング速度が低下する。こ
の傾向はＨ２ガス流量の割合がトータル流量の５０％以
上になると急激になる。このことから、 Ｈｔガスの割
合を父％以下にするのが望ましい。また、Ｈ２ガスの割
合の下限は、電極周辺のデポジン１ンのエツチング特性
から決定でき、第４図に示すように出ガスの割合が１０
％以下では急激にエツチング速度が低下する。このこと
から、 Ｈ２ガスの下限の割合は１０％以上にするのが
望ましい。
以上本−実施例１ζよれば、エツチングを２段階に分け
、第１段階のエツチングをＨ２とＣＦ系ガスとの混合ガ
スとし、第２段階のエツチングをＣ成分の多いＣＦ系ガ
スとして、ＳｉＯ！膜をエツチングすることにより、前
回のエツチングで電極周辺Ｉζ付着したデボジシ謬ンを
第１段階のエツチングで除去しなからＳｔ ０２膜のエ
ツチングができ、第２段階のエツチングでダメージがな
く Ｓｔ基板との選択比が高い５ｉｆ２膜のエツチング
が行なえる。
、第１段階のエツチングをＨ２とＣＦ系ガスとの混合ガ
スとし、第２段階のエツチングをＣ成分の多いＣＦ系ガ
スとして、ＳｉＯ！膜をエツチングすることにより、前
回のエツチングで電極周辺Ｉζ付着したデボジシ謬ンを
第１段階のエツチングで除去しなからＳｔ ０２膜のエ
ツチングができ、第２段階のエツチングでダメージがな
く Ｓｔ基板との選択比が高い５ｉｆ２膜のエツチング
が行なえる。
なお、本実施例ではＣｍ Ｆｓ 、 Ｃｓ Ｆｓおよび
Ｈ，ガスを同じノズルから供給しているが、Ｃ２Ｆ６や
Ｃ３Ｆｌのような酸化膜のエツチングガスをウェハ近傍
の下部電極の周辺から供給し、出ガスのみを上部電極か
ら流すように分けて供給しても良い。この場合１ζは、
第２段階のエツチング時に生じるデポジシ■ンの割合の
大きい上部部電極周辺を有効にクリーニングできる。ま
た、エツチングガスをウェハ下面から供給すれば、ウェ
ハと電極との間の熱抵抗が小さくなり冷却効泉が上がる
。
Ｈ，ガスを同じノズルから供給しているが、Ｃ２Ｆ６や
Ｃ３Ｆｌのような酸化膜のエツチングガスをウェハ近傍
の下部電極の周辺から供給し、出ガスのみを上部電極か
ら流すように分けて供給しても良い。この場合１ζは、
第２段階のエツチング時に生じるデポジシ■ンの割合の
大きい上部部電極周辺を有効にクリーニングできる。ま
た、エツチングガスをウェハ下面から供給すれば、ウェ
ハと電極との間の熱抵抗が小さくなり冷却効泉が上がる
。
また、第１段階のエツチングに用いるＨ２との混合ガス
のＣＦ系ガスとして、ＣｍＦｓの細化ＣＦ４も使用可能
である。また、第２段階のエツチングに用いるＣ成分の
多いＣＦ系ガスとして、 Ｃ５Ｆａの能書ζＣ４Ｆ−も
使用可能である。
のＣＦ系ガスとして、ＣｍＦｓの細化ＣＦ４も使用可能
である。また、第２段階のエツチングに用いるＣ成分の
多いＣＦ系ガスとして、 Ｃ５Ｆａの能書ζＣ４Ｆ−も
使用可能である。
また、第１段階から第２段階のエツチング化切り換える
制御として、時間向暑ζ制御する方法の地番ζ、発光分
光計を用いて、エツチング中の安定状態から変化しはじ
めた最初を検出して制御するよう化しても良い。
制御として、時間向暑ζ制御する方法の地番ζ、発光分
光計を用いて、エツチング中の安定状態から変化しはじ
めた最初を検出して制御するよう化しても良い。
また、本−実施間では、絶縁膜としてＳｉＯ□膜を例１
ζして述べたが、この他−ζＰＳＧおよび５ｉｓＮａ′
等の絶縁膜も同様に効果をあげることができる。
ζして述べたが、この他−ζＰＳＧおよび５ｉｓＮａ′
等の絶縁膜も同様に効果をあげることができる。
さら−ζ、本−実施例では、カソードカップリング方式
のエツチング装置を例に取り上げたが、アートカップリ
ング方式のエツチング装置や、磁場を利用したマグネト
ロンエツチング装置およびＵ波プラズマエツチング装置
等ξζも適用てきる。
のエツチング装置を例に取り上げたが、アートカップリ
ング方式のエツチング装置や、磁場を利用したマグネト
ロンエツチング装置およびＵ波プラズマエツチング装置
等ξζも適用てきる。
本発明１ζよれば、処理室内のクリーン化が図れ、かつ
低ダメージで絶縁膜と下地Ｓｔとの選択性暑ζ優れたエ
ツチングを行なうことができるという効果がある。
低ダメージで絶縁膜と下地Ｓｔとの選択性暑ζ優れたエ
ツチングを行なうことができるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例であるドライエツチング方法
を示すためのエツチング装置の縦断面図、第２図は本発
明のドライエツチング方法を用いてエツチングしたとき
のウェハの断面詳細図、第３図は本発明のドライエツチ
ング方法の工程を示すフローチャート図、第４図は本発
明のドライエツチング方法の第１段階のエツチングに用
いられる混合ガスとエツチング速度との関係を示す図で
ある。 ｌ・・・・・・チャンバ、２・・・−・・下部電極、５
・・・・・・高周波電源、６・・・・・・排気口、７・
・・・・・ウェハ、８・・・・・・上部電極、１１ａな
いしＩＩＣ・・・・・・バルブ、１２ａないし１２Ｃ・
・・・・°流量制御器、１３ａないし１３Ｃ・・・・・
・ガス源、１４・・・・・・Ｓｉ基板、１５・・・・・
・５ｉＯａ膜、１６・・・・・・ホトレジスト、１７・
・・・・・第１段階エツチング、１８°・・°・・第２
段階才３１２１ 才４凶 Ｈ２の引上し Ｑ”Ａオ
を示すためのエツチング装置の縦断面図、第２図は本発
明のドライエツチング方法を用いてエツチングしたとき
のウェハの断面詳細図、第３図は本発明のドライエツチ
ング方法の工程を示すフローチャート図、第４図は本発
明のドライエツチング方法の第１段階のエツチングに用
いられる混合ガスとエツチング速度との関係を示す図で
ある。 ｌ・・・・・・チャンバ、２・・・−・・下部電極、５
・・・・・・高周波電源、６・・・・・・排気口、７・
・・・・・ウェハ、８・・・・・・上部電極、１１ａな
いしＩＩＣ・・・・・・バルブ、１２ａないし１２Ｃ・
・・・・°流量制御器、１３ａないし１３Ｃ・・・・・
・ガス源、１４・・・・・・Ｓｉ基板、１５・・・・・
・５ｉＯａ膜、１６・・・・・・ホトレジスト、１７・
・・・・・第１段階エツチング、１８°・・°・・第２
段階才３１２１ 才４凶 Ｈ２の引上し Ｑ”Ａオ
Claims (1)
- １、エッチングガスを導入し所定圧力に減圧排気した処
理室内にガスプラズマを生じさせて、Ｓｉ基板上の絶縁
膜をエッチングするドライエッチング方法において、前
記エッチングガスにＣＦ系ガスとＨ＿２ガスとの混合ガ
スを用いてエッチングする第１ステップと、前記エッチ
ングガスにＣ成分の多いＣＦ系ガスを用いてエッチング
する第２ステップとに分けて行なうことを特徴とするド
ライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21947686A JPH0666294B2 (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | ドライエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21947686A JPH0666294B2 (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | ドライエツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6376432A true JPS6376432A (ja) | 1988-04-06 |
| JPH0666294B2 JPH0666294B2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=16736033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21947686A Expired - Lifetime JPH0666294B2 (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | ドライエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0666294B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0250985A (ja) * | 1988-08-11 | 1990-02-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 炭素または炭素を主成分とする被膜を形成する装置のクリーニング方法 |
| US6417013B1 (en) | 1999-01-29 | 2002-07-09 | Plasma-Therm, Inc. | Morphed processing of semiconductor devices |
| JP2002246369A (ja) * | 2001-02-15 | 2002-08-30 | Sharp Corp | 薄膜ドライエッチング方法 |
| JP2008109071A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-05-08 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法、半導体製造装置及び半導体装置 |
-
1986
- 1986-09-19 JP JP21947686A patent/JPH0666294B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0250985A (ja) * | 1988-08-11 | 1990-02-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 炭素または炭素を主成分とする被膜を形成する装置のクリーニング方法 |
| US6417013B1 (en) | 1999-01-29 | 2002-07-09 | Plasma-Therm, Inc. | Morphed processing of semiconductor devices |
| JP2002246369A (ja) * | 2001-02-15 | 2002-08-30 | Sharp Corp | 薄膜ドライエッチング方法 |
| JP2008109071A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-05-08 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法、半導体製造装置及び半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0666294B2 (ja) | 1994-08-24 |
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