JPS6375062U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6375062U JPS6375062U JP16967486U JP16967486U JPS6375062U JP S6375062 U JPS6375062 U JP S6375062U JP 16967486 U JP16967486 U JP 16967486U JP 16967486 U JP16967486 U JP 16967486U JP S6375062 U JPS6375062 U JP S6375062U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- active layer
- pair
- semiconductor laser
- substrate
- layer
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 2
Description
第１図及び第２図は本考案の実施例を示し、第
１図は第２図のＢ―Ｂ′線断面図、第２図は第１
図のＡ―Ａ′線断面図、第３図は従来例を示す断
面図である。 １１……基板、１３，１５……第１、第２クラ
ツド層、１４……活性層、１７……共振器端面、
１８……酸化領域。
１図は第２図のＢ―Ｂ′線断面図、第２図は第１
図のＡ―Ａ′線断面図、第３図は従来例を示す断
面図である。 １１……基板、１３，１５……第１、第２クラ
ツド層、１４……活性層、１７……共振器端面、
１８……酸化領域。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 少なくとも活性層と該活性層を挟装する１対の
クラツド層とが基板上に積層されると共に１対の
端面間で共振器を構成してなる半導体レーザにお
いて、 上記活性層に近接し、かつ上記端面を構成する
層の表面は酸化領域となつていることを特徴とす
る半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16967486U JPS6375062U (ja) | 1986-11-05 | 1986-11-05 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16967486U JPS6375062U (ja) | 1986-11-05 | 1986-11-05 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6375062U true JPS6375062U (ja) | 1988-05-19 |
Family
ID=31103699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16967486U Pending JPS6375062U (ja) | 1986-11-05 | 1986-11-05 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6375062U (ja) |
-
1986
- 1986-11-05 JP JP16967486U patent/JPS6375062U/ja active Pending