JPH01121964U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH01121964U JPH01121964U JP1770188U JP1770188U JPH01121964U JP H01121964 U JPH01121964 U JP H01121964U JP 1770188 U JP1770188 U JP 1770188U JP 1770188 U JP1770188 U JP 1770188U JP H01121964 U JPH01121964 U JP H01121964U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- active layer
- semiconductor laser
- layer
- protective film
- emitted
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Description
第１図は本考案の実施例を示す断面図、第２図
は動作電流の経時変化を示す特性図、第３図は従
来例を示す断面図である。 ２４，２６……第１、第２クラツド層、２５…
…活性層、２８……保護膜、２９ａ，２９ｂ……
左右端面。
は動作電流の経時変化を示す特性図、第３図は従
来例を示す断面図である。 ２４，２６……第１、第２クラツド層、２５…
…活性層、２８……保護膜、２９ａ，２９ｂ……
左右端面。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 活性層と該活性層を挾装し、斯る活性層よりバ
ンドギヤツプが大なる第１、第２クラツド層とを
備えた屈折率導波型の半導体レーザにおいて、 上記各層の積層方向と平行でかつレーザ光が出
射されない端面上に露出した活性層表面に保護膜
を形成したことを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1770188U JPH01121964U (ja) | 1988-02-12 | 1988-02-12 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1770188U JPH01121964U (ja) | 1988-02-12 | 1988-02-12 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01121964U true JPH01121964U (ja) | 1989-08-18 |
Family
ID=31231717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1770188U Pending JPH01121964U (ja) | 1988-02-12 | 1988-02-12 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01121964U (ja) |
-
1988
- 1988-02-12 JP JP1770188U patent/JPH01121964U/ja active Pending