JPH0292961U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0292961U JPH0292961U JP181789U JP181789U JPH0292961U JP H0292961 U JPH0292961 U JP H0292961U JP 181789 U JP181789 U JP 181789U JP 181789 U JP181789 U JP 181789U JP H0292961 U JPH0292961 U JP H0292961U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- light emitting
- face
- protective film
- emitting end
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Description
第1図a及びbはそれぞれ本考案の第1の実施
例を示す断面図及び正面図、第2図a及びbはそ
れぞれ第2の実施例を示す断面図及び正面図、第
3図a及びbはそれぞれ従来の例を示す断面図及
び正面図である。 1……n側電極、2……n―GaAs基板、3
……n―Al0.35Ga0.65Asクラツド
層、6……p―GaAs層、7……p側電極、8
……SiO2膜、10a,10b……突起、11
……出力領域、12……発光端面。
例を示す断面図及び正面図、第2図a及びbはそ
れぞれ第2の実施例を示す断面図及び正面図、第
3図a及びbはそれぞれ従来の例を示す断面図及
び正面図である。 1……n側電極、2……n―GaAs基板、3
……n―Al0.35Ga0.65Asクラツド
層、6……p―GaAs層、7……p側電極、8
……SiO2膜、10a,10b……突起、11
……出力領域、12……発光端面。
Claims (1)
- 半導体レーザペレツトの発光端面を絶縁性保護
膜で被覆した半導体レーザ装置において、前記絶
縁性保護膜はその表面が前記発光端面の出力領域
に対応する突起を有し凸レンズを構成しているこ
とを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP181789U JPH0292961U (ja) | 1989-01-10 | 1989-01-10 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP181789U JPH0292961U (ja) | 1989-01-10 | 1989-01-10 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0292961U true JPH0292961U (ja) | 1990-07-24 |
Family
ID=31202036
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP181789U Pending JPH0292961U (ja) | 1989-01-10 | 1989-01-10 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0292961U (ja) |
-
1989
- 1989-01-10 JP JP181789U patent/JPH0292961U/ja active Pending