JPS6375034U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6375034U JPS6375034U JP16907186U JP16907186U JPS6375034U JP S6375034 U JPS6375034 U JP S6375034U JP 16907186 U JP16907186 U JP 16907186U JP 16907186 U JP16907186 U JP 16907186U JP S6375034 U JPS6375034 U JP S6375034U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective cover
- plasma
- processing
- processing chamber
- processing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
第1図は本考案の一実施例であるプラズマ処理
装置を示す縦断面図、第2図は本考案の第2の実
施例であるプラズマ処理装置の側壁保護カバーを
示す縦断面図、第3図は第2の実施例における側
壁保護カバーの断面でのヒータ加熱時の温度分布
を示す図である。 1……チヤンバー、2……絶縁体、3……下部
電極、4……高周波電源、5……上部電極、6,
6a……側壁保護カバー、7……ヒータ、8……
電線、9……石英、10……金属薄膜、11……
SiO2膜。
装置を示す縦断面図、第2図は本考案の第2の実
施例であるプラズマ処理装置の側壁保護カバーを
示す縦断面図、第3図は第2の実施例における側
壁保護カバーの断面でのヒータ加熱時の温度分布
を示す図である。 1……チヤンバー、2……絶縁体、3……下部
電極、4……高周波電源、5……上部電極、6,
6a……側壁保護カバー、7……ヒータ、8……
電線、9……石英、10……金属薄膜、11……
SiO2膜。
Claims (1)
- 処理ガスが供給され所定の圧力に減圧排気され
た処理室と、該処理室内の処理ガスをプラズマ化
する放電手段とを有するプラズマ処理装置におい
て、前記処理室の内部壁に保護カバーを設け、該
保護カバーの内面より該保護カバーの1/2の厚
さ以内の箇所に加熱手段を設けたことを特徴とす
るプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16907186U JPS6375034U (ja) | 1986-11-05 | 1986-11-05 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16907186U JPS6375034U (ja) | 1986-11-05 | 1986-11-05 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6375034U true JPS6375034U (ja) | 1988-05-19 |
Family
ID=31102542
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16907186U Pending JPS6375034U (ja) | 1986-11-05 | 1986-11-05 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6375034U (ja) |
-
1986
- 1986-11-05 JP JP16907186U patent/JPS6375034U/ja active Pending